傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體碳化硅全系產(chǎn)品型號(hào)圖譜與技術(shù)深度解析報(bào)告

傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，分銷(xiāo)代理BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

1. 執(zhí)行摘要

傾佳電子旨在為電力電子領(lǐng)域的行業(yè)專(zhuān)家、采購(gòu)決策者及系統(tǒng)研發(fā)工程師提供一份詳盡的、關(guān)于傾佳電子代理的深圳基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）產(chǎn)品的深度研究分析。在當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向第三代寬禁帶材料轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)期，碳化硅（SiC）憑借其耐高壓、耐高溫、高頻高效的物理特性，正重塑新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、軌道交通及高端工業(yè)控制等核心產(chǎn)業(yè)的能源轉(zhuǎn)換架構(gòu)。

作為中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體已建立起覆蓋從碳化硅外延片、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、分立器件封裝、功率模塊制造到驅(qū)動(dòng)芯片開(kāi)發(fā)的垂直整合（IDM）產(chǎn)品體系。傾佳電子基于基本半導(dǎo)體最新的2025年選型手冊(cè)、技術(shù)白皮書(shū)及實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，全面梳理了其產(chǎn)品圖譜。分析顯示，基本半導(dǎo)體產(chǎn)品線在電壓等級(jí)上覆蓋650V至2000V，電流等級(jí)覆蓋2A至950A，并針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景開(kāi)發(fā)了包括汽車(chē)級(jí)Pcore?系列、工業(yè)級(jí)Easy封裝系列以及高性能分立器件在內(nèi)的多元化解決方案 。

傾佳電子將通過(guò)詳細(xì)的參數(shù)對(duì)比、底層技術(shù)路線剖析、封裝工藝解讀及應(yīng)用場(chǎng)景映射，構(gòu)建一份詳實(shí)的各種封裝與規(guī)格的產(chǎn)品圖譜，揭示其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)地位與技術(shù)演進(jìn)邏輯，為客戶(hù)提供無(wú)可替代的選型參考與技術(shù)洞察。

2. 企業(yè)戰(zhàn)略定位與技術(shù)制造底座

在深入分析具體產(chǎn)品型號(hào)之前，必須理解基本半導(dǎo)體的技術(shù)基因與制造布局，這直接決定了其產(chǎn)品的可靠性預(yù)期與供應(yīng)鏈安全性。

2.1 垂直整合（IDM）模式與產(chǎn)業(yè)布局

基本半導(dǎo)體不僅是一家芯片設(shè)計(jì)公司，更是一家具備制造能力的IDM（Integrated Device Manufacturer）企業(yè)。這種模式使其能夠從底層材料到最終封裝進(jìn)行全流程的質(zhì)量控制，這對(duì)于車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品尤為關(guān)鍵。

深圳總部與晶圓制造：位于深圳坪山和光明的基地承擔(dān)了總部的運(yùn)營(yíng)及碳化硅晶圓的制造任務(wù)，確保了核心芯片供應(yīng)的自主可控 。

無(wú)錫汽車(chē)級(jí)模塊基地：專(zhuān)注于車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊的封裝測(cè)試，引入了自動(dòng)化產(chǎn)線，以滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)對(duì)一致性和可追溯性的嚴(yán)苛要求 。

全球研發(fā)網(wǎng)絡(luò)：在北京、上海、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心，特別是日本研發(fā)中心專(zhuān)注于車(chē)規(guī)級(jí)模塊的先進(jìn)封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)，利用當(dāng)?shù)爻墒斓陌雽?dǎo)體人才資源反哺國(guó)內(nèi)產(chǎn)線 。

2.2 股東背景與生態(tài)協(xié)同

從資本結(jié)構(gòu)和戰(zhàn)略合作伙伴來(lái)看，基本半導(dǎo)體獲得了產(chǎn)業(yè)巨頭的戰(zhàn)略投資 。

基本半導(dǎo)體的產(chǎn)品質(zhì)量管理體系（QMS）已對(duì)齊國(guó)際一流車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。

軌道交通與新能源汽車(chē)兩大核心應(yīng)用場(chǎng)景的頭部客戶(hù)驗(yàn)證，為產(chǎn)品在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠性提供了實(shí)戰(zhàn)數(shù)據(jù)支撐。

3. 碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品圖譜與技術(shù)解析

碳化硅MOSFET是基本半導(dǎo)體的核心技術(shù)高地。相比傳統(tǒng)的硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），SiC MOSFET消除了拖尾電流，大幅降低了開(kāi)關(guān)損耗，使得系統(tǒng)能夠以更高的頻率運(yùn)行，從而減小磁性元件體積，提升功率密度?；景雽?dǎo)體目前主力推廣的是第三代（B3M系列）平面柵MOSFET技術(shù)，該技術(shù)在比導(dǎo)通電阻（RDS(on)?×Area）與柵極氧化層可靠性之間取得了優(yōu)異的平衡 。

3.1 產(chǎn)品命名規(guī)則與代際演進(jìn)

理解命名規(guī)則是快速選型的基礎(chǔ)。以型號(hào) B3M040120Z 為例，其蘊(yùn)含了豐富的技術(shù)信息：

B：代表品牌 BASiC Semiconductor。

3：代表第三代技術(shù)平臺(tái)（B3M系列）。相比第二代（B2M），第三代產(chǎn)品優(yōu)化了元胞結(jié)構(gòu)，顯著降低了柵極電荷（Qg?）和開(kāi)關(guān)損耗（Eon?/Eoff?），更適合高頻硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洹?/p>

M：代表MOSFET器件。

040：代表典型導(dǎo)通電阻為 40mΩ（@25°C）。

120：代表額定阻斷電壓為 1200V。

Z：代表封裝形式（此處Z特指TO-247-4封裝）。

3.2 650V/750V 電壓平臺(tái)：高功率密度與SMD封裝創(chuàng)新

該電壓等級(jí)主要面向陽(yáng)臺(tái)光儲(chǔ)，便攜儲(chǔ)能，混合逆變器、AI服務(wù)器電源及光伏微逆變器。為了適應(yīng)這些應(yīng)用對(duì)體積的極致追求，基本半導(dǎo)體在該電壓段激進(jìn)地引入了多種先進(jìn)封裝技術(shù)。

表 3.2.1：650V/750V SiC MOSFET 詳細(xì)型號(hào)圖譜

深度洞察：封裝演進(jìn)背后的系統(tǒng)邏輯

從數(shù)據(jù)中可以清晰看到，基本半導(dǎo)體在650V等級(jí)上的布局策略是從“器件性能”向“系統(tǒng)集成度”轉(zhuǎn)移。TOLL和TOLT封裝的引入，不僅僅是封裝形式的改變，而是對(duì)下游系統(tǒng)設(shè)計(jì)痛點(diǎn)的直接響應(yīng)。在服務(wù)器電源功率密度要求達(dá)到100W/in3以上的今天，傳統(tǒng)通孔器件的高度和引腳電感已成為瓶頸。TOLT封裝通過(guò)頂部散熱，使得PCB底部可以布設(shè)其他元器件，極大地提升了空間利用率，這表明基本半導(dǎo)體在與終端客戶(hù)（如服務(wù)器電源廠商、混合逆變器，微逆，陽(yáng)臺(tái)光儲(chǔ)，戶(hù)儲(chǔ)）的深度協(xié)同研發(fā)方面具備深厚功底。

3.3 1200V/1700V 電壓平臺(tái)：全場(chǎng)景覆蓋的“長(zhǎng)尾”策略

1200V及以上電壓等級(jí)是SiC的主戰(zhàn)場(chǎng)，廣泛應(yīng)用于800V高壓快充、光伏逆變器（1100V系統(tǒng)）及工控變頻器?；景雽?dǎo)體在此領(lǐng)域的布局展現(xiàn)了極高的細(xì)分度，電阻覆蓋范圍從11mΩ至160mΩ，形成了完整的“貨架式”供應(yīng)能力。

表 3.3.1：1200V SiC MOSFET 型號(hào)細(xì)分圖譜

表 3.3.2：1700V SiC MOSFET 特殊規(guī)格

技術(shù)洞察：微小差異中的工業(yè)理解

在1200V產(chǎn)品線中，基本半導(dǎo)體提供了ZL（長(zhǎng)腳）和ZN（細(xì)腳）等細(xì)微變體。這種看似不起眼的差異，實(shí)則體現(xiàn)了對(duì)工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)痛點(diǎn)的深刻理解。在污染等級(jí)較高或高海拔的工業(yè)環(huán)境中，標(biāo)準(zhǔn)TO-247引腳間距可能無(wú)法滿(mǎn)足加強(qiáng)絕緣的爬電距離要求。通過(guò)提供特殊引腳版本，工程師無(wú)需對(duì)PCB開(kāi)槽或涂覆三防漆即可通過(guò)安規(guī)認(rèn)證，這極大地簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)與制造流程。

4. 碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）產(chǎn)品圖譜

碳化硅肖特基二極管利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，具有幾乎為零的反向恢復(fù)電流（Irr?≈0），這一特性使其成為PFC電路和高壓整流電路中提升效率的關(guān)鍵?；景雽?dǎo)體的SBD產(chǎn)品線覆蓋了從650V到2000V的超寬電壓范圍，并提供了包括SOT-227大功率模塊封裝在內(nèi)的多種形態(tài)，不僅服務(wù)于板載電源，更深入到了大功率電柜領(lǐng)域 。

4.1 650V 系列：PFC與快充的首選

該系列二極管廣泛應(yīng)用于PFC（功率因數(shù)校正）電路，是提升AC-DC電源效率的關(guān)鍵器件。

表 4.1.1：650V SiC SBD 型號(hào)分布

4.2 1200V/2000V 高壓系列：光伏與特種醫(yī)療

1200V SBD是三相PFC和光伏Boost電路的核心器件。而2000V器件則是基本半導(dǎo)體的獨(dú)特技術(shù)高地。

表 4.2.1：高壓SiC SBD 特殊型號(hào)

5. 工業(yè)級(jí)全碳化硅功率模塊圖譜

工業(yè)模塊是基本半導(dǎo)體替代傳統(tǒng)IGBT市場(chǎng)的重拳產(chǎn)品。其產(chǎn)品線涵蓋了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的Easy封裝（E1B/E2B）、62mm封裝及34mm封裝，旨在為光伏混合逆變器、儲(chǔ)能（PCS）和DC/DC提供無(wú)縫升級(jí)方案，幫助客戶(hù)在不改變現(xiàn)有機(jī)械結(jié)構(gòu)的前提下實(shí)現(xiàn)性能躍遷。

5.1 Pcore?2 E1B/E2B 系列模塊：充電樁與儲(chǔ)能的基石

該系列采用了行業(yè)通用的Easy1B/2B封裝尺寸，具有極高的替換便利性。基本半導(dǎo)體在此封裝中引入了氮化硅（Si3N4）AMB陶瓷基板。相比傳統(tǒng)的氧化鋁（Al2O3）DBC基板，AMB（Active Metal Brazing）基板的熱導(dǎo)率提升了3倍以上，且具有極高的抗彎強(qiáng)度和熱循環(huán)壽命，能夠承受碳化硅器件高功率密度產(chǎn)生的劇烈熱應(yīng)力 1。

表 5.1.1：Pcore?2 E1B/E2B 工業(yè)模塊型號(hào)

5.2 34mm與62mm 經(jīng)典封裝模塊：傳統(tǒng)工業(yè)的升級(jí)利器

針對(duì)集中式儲(chǔ)能PCS和光伏逆變器和工業(yè)電源市場(chǎng)中廣泛使用的標(biāo)準(zhǔn)封裝，基本半導(dǎo)體推出了“原位替換”的SiC方案。

表 5.1.2：34mm/62mm 工業(yè)模塊圖譜

5.3 Pcore?12 EP2 創(chuàng)新模塊

BMS065MR12EP2CA2：這是一個(gè)針對(duì)商用暖通空調(diào)（HVAC）設(shè)計(jì)的創(chuàng)新模塊。它在一個(gè)模塊內(nèi)集成了雙三相橋結(jié)構(gòu)（整流+逆變），電壓1200V，內(nèi)阻65mΩ。這種高度集成的設(shè)計(jì)極大簡(jiǎn)化了空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)板的布局，降低了系統(tǒng)組裝成本 。

6. 汽車(chē)級(jí)全碳化硅功率模塊圖譜

汽車(chē)級(jí)模塊是基本半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力的集中體現(xiàn)，針對(duì)主驅(qū)逆變器的高可靠性要求設(shè)計(jì)。與工業(yè)級(jí)模塊不同，汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品全系導(dǎo)入了**銀燒結(jié)（Silver Sintering）**工藝取代傳統(tǒng)焊料，并使用DTS（Die Top System）銅線鍵合技術(shù)。銀燒結(jié)層的熔點(diǎn)（960°C）遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)錫焊料（220°C），且熱導(dǎo)率極高，配合Pin-Fin直接水冷散熱底板，使得這些模塊能夠承受電動(dòng)汽車(chē)頻繁急加速帶來(lái)的劇烈熱沖擊，滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)AQG-324的嚴(yán)苛可靠性標(biāo)準(zhǔn) 。

6.1 Pcore?6 (HPD) 系列：對(duì)標(biāo)國(guó)際主流

Pcore?6是對(duì)標(biāo)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)HPD（High Power Drive）封裝的產(chǎn)品，是目前高端EV主驅(qū)的主流選擇。

表 6.1.1：Pcore?6 汽車(chē)模塊型號(hào)

6.2 Pcore?2 (DCM) 與 Pcore?1 (TPAK) 系列：高密度與靈活性

Pcore?2 (DCM) ：基于模塑封裝（Transfer Molded）技術(shù)，如BMF920R08FA3（750V/920A）。模塑封裝相比灌膠封裝具有更高的機(jī)械強(qiáng)度和更低的熱阻，適用于空間極致緊湊的電驅(qū)“三合一”系統(tǒng) 。

Pcore?1 (TPAK) ：?jiǎn)伍_(kāi)關(guān)模塊，如BMZ300R08TA3（750V/300A）。這是一種模塊化設(shè)計(jì)思路，客戶(hù)可以通過(guò)并聯(lián)不同數(shù)量的TPAK模塊（如2并、4并）來(lái)靈活構(gòu)建不同功率等級(jí)的逆變器，極大降低了BOM管理的復(fù)雜度，實(shí)現(xiàn)了“一個(gè)模塊打天下”的設(shè)計(jì)理念 。

7. 門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片與生態(tài)系統(tǒng)

為了充分發(fā)揮SiC器件的高速開(kāi)關(guān)性能，基本半導(dǎo)體并未止步于功率器件，而是配套推出了BTD系列隔離驅(qū)動(dòng)芯片，形成了“器件+驅(qū)動(dòng)”的系統(tǒng)級(jí)護(hù)城河。SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)要求與IGBT截然不同，需要更高的共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）和負(fù)壓關(guān)斷能力。

表 7.1：SiC專(zhuān)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片圖譜

8. 混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC）

這是一個(gè)極具性?xún)r(jià)比的跨界產(chǎn)品線，旨在以較低成本實(shí)現(xiàn)部分SiC的性能優(yōu)勢(shì)，是成本敏感型市場(chǎng)的理想選擇。

表 8.1：混合碳化硅器件圖譜

9. 總結(jié)與應(yīng)用展望

深圳市傾佳電子有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動(dòng)者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車(chē)連接器的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲(chǔ)能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；
交通電動(dòng)化：服務(wù)新能源汽車(chē)三電系統(tǒng)（電控、電池、電機(jī)）及高壓平臺(tái)升級(jí)；
數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國(guó)家“雙碳”政策（碳達(dá)峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
需求SiC碳化硅MOSFET單管及功率模塊，配套驅(qū)動(dòng)板及驅(qū)動(dòng)IC，請(qǐng)?zhí)砑觾A佳電子楊茜微芯（壹叁貳 陸陸陸陸 叁叁壹叁）

通過(guò)對(duì)傾佳電子代理的深圳基本半導(dǎo)體全系產(chǎn)品的深入剖析，我們可以清晰地看到一家成熟IDM企業(yè)的戰(zhàn)略布局：

產(chǎn)品覆蓋的廣度與深度：從分立器件的“長(zhǎng)尾”封裝（TOLL/TOLT/長(zhǎng)腳TO-247）到模塊產(chǎn)品的全場(chǎng)景覆蓋（Easy/62mm/HPD），基本半導(dǎo)體構(gòu)建了無(wú)死角的產(chǎn)品矩陣。特別是在1200V黃金電壓段，其細(xì)分程度足以滿(mǎn)足從幾十瓦輔助電源到幾百千瓦主驅(qū)的全部需求。

技術(shù)路線的務(wù)實(shí)與創(chuàng)新：既有B3M系列MOSFET對(duì)齊國(guó)際一流性能，又有混合SiC器件照顧成本敏感市場(chǎng)；既有標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)模塊方便替換，又有銀燒結(jié)、AMB基板等先進(jìn)工藝加持的車(chē)規(guī)模塊沖擊高端。

生態(tài)系統(tǒng)的完整性：BTD驅(qū)動(dòng)芯片與BTP電源芯片的存在，解決了客戶(hù)“敢用SiC但不會(huì)用SiC”的痛點(diǎn)，降低了設(shè)計(jì)門(mén)檻。

對(duì)于采購(gòu)方與工程師而言，該圖譜提供了一個(gè)清晰的選型路徑：

追求極致功率密度（如服務(wù)器電源、陽(yáng)臺(tái)光儲(chǔ)）：選用 TOLL/TOLT封裝MOSFET。

工業(yè)設(shè)備升級(jí)（如高頻工業(yè)電源、儲(chǔ)能變流器PCS）：利用 Easy系列或34mm/62mm模塊 實(shí)現(xiàn)原位性能躍遷。

車(chē)規(guī)主驅(qū)開(kāi)發(fā)：Pcore?6 HPD模塊 是對(duì)標(biāo)國(guó)際大廠的高可靠性首選。

基本半導(dǎo)體憑借其IDM模式的自主可控能力與深厚的技術(shù)積累，已成為國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域不可忽視的中堅(jiān)力量，是高性能電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的強(qiáng)力合作伙伴。

審核編輯 黃宇