威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AT是一款面向 40V 低壓超大電流場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 直插封裝，憑借超低導(dǎo)通電阻與 200A 大電流承載能力，適配低壓超大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值2.5mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值3.5mΩ，低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)200A，\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為142A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：800A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負(fù)載瞬時(shí)超大電流需求。

二、核心特性

• 極致低導(dǎo)通電阻：2.5~3.5mΩ 低阻設(shè)計(jì)，大幅降低低壓超大電流場(chǎng)景下的傳導(dǎo)損耗；
• 高電流承載能力：200A 連續(xù)電流 + 800A 脈沖電流，適配大功率設(shè)備的電源控制；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 300mJ，感性負(fù)載開關(guān)場(chǎng)景下穩(wěn)定性優(yōu)異；
• 環(huán)保合規(guī)：采用無(wú)鉛引腳鍍層，滿足無(wú)鹵要求且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：TO-220AB 直插封裝，包裝規(guī)格為 50pcs/Tube，適配大電流散熱需求的電路設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 低壓超大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器：在 40V 級(jí)降壓拓?fù)渲凶鳛橹鏖_關(guān)管；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)：為工業(yè)設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)的低壓電源分配環(huán)節(jié)提供開關(guān)控制；
  • 大功率負(fù)載開關(guān)：支持 200A 級(jí)負(fù)載的通斷管理。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）