美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 權(quán)衡取舍的挑戰(zhàn)， 安森美( onsemi) 基于新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設(shè)計(jì)。 安森美是領(lǐng)先的智能電源方案供應(yīng)商之一，也是全球少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商，提供先進(jìn)的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊
2022-06-24 10:35:051954 
眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于
2023-04-06 16:19:012204 
安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。
2024-03-26 09:57:193707 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2024-03-28 10:01:092465 
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級(jí)選項(xiàng)。本白皮書側(cè)重于
2025-02-21 11:24:201804 
2023 年4 月12 日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅
2023-04-13 14:46:11996 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近，安森美發(fā)布了第二代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。安森美在前代SiC MOSFET產(chǎn)品中，采用M1及其衍生的M2技術(shù)平臺(tái)，而這次發(fā)布的第二代1200V
2024-04-08 01:55:004884 BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
下一代電源半導(dǎo)體的方案陣容，包括針對(duì)汽車功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險(xiǎn)絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無源傳感器以在汽車感測(cè)/車身應(yīng)用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
的正向損耗小?！ ?2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場(chǎng)而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而第一個(gè)商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V?！ ?3)碳化硅有高的熱導(dǎo)率
2019-01-11 13:42:03
具有明顯的優(yōu)勢(shì)。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導(dǎo)通電阻低，還利用了低內(nèi)感和熱阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的導(dǎo)通電阻值比較 Anup Bhalla說，碳化硅的優(yōu)點(diǎn)
2023-02-27 14:28:47
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下，碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強(qiáng)度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場(chǎng)（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場(chǎng)強(qiáng)成反比，故在相似的功率等級(jí)下，SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測(cè)試方法，對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
復(fù)雜的設(shè)計(jì)，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件？ 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí)，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝?b class="flag-6" style="color: red">一個(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案。 該器件將傳統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后，可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求，碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一塊 DBC 板上，使半橋模塊面積僅為 TO-247 單管大小，極大地減小了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路的寄生電感參數(shù)。阿肯色大學(xué)則針對(duì)碳化硅芯片開發(fā)了相關(guān)的 SiC CMOS 驅(qū)動(dòng)
2023-02-22 16:06:08
10μs，在設(shè)計(jì)硅IGBT的短路保護(hù)電路時(shí)，建議將短路保護(hù)的檢測(cè)延時(shí)和相應(yīng)時(shí)間設(shè)置在5-8μs較為合適?！ ?）碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模塊短路承受能力小于5μs，要求短路保護(hù)在3
2023-02-27 16:03:36
）和發(fā)射極可關(guān)斷晶閘管（ETO）等。1、SiC 肖特基二極管肖特基二極管最顯著的特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間短，但是就傳統(tǒng)的肖特基二極管它的耐壓一般不超過200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
2018-03-01 13:14:179301 2018年6月5日 —推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。
2018-06-21 16:08:424497 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 （ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），發(fā)布一系列新的碳化硅 （SiC） MOSFET器件，適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。
2021-02-19 14:03:152659 的開關(guān)性能，能效和系統(tǒng)可靠性更高。在快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)，包括5G、電動(dòng)汽車充電樁、電信和服務(wù)器領(lǐng)域，對(duì)這些特性的要求很高。 安森美半導(dǎo)體的新一代1200 V碳化硅（SiC）二級(jí)管，符合車規(guī)AECQ101和工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，是電動(dòng)汽車充電樁及太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電動(dòng)汽車車載充電
2021-05-13 14:43:022646 2022年5月11日 –移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）系列，這些產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻方面具備業(yè)界出眾的性能表征。
2022-05-12 11:22:572457 
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 （SiC） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。
2022-05-17 10:37:152168 安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:191213 ：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC?系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET
2023-01-05 13:16:581201 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的 安森美 ( onsemi ，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON) ，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)
2023-01-05 15:20:04853 代號(hào)：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-05 20:20:49989 什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473721 這家德國(guó)高端汽車制造商的400 V直流母線電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)。安森美 最新的EliteSiC 750 V M3芯片 被集成到一個(gè)全橋功率模塊中， 可提供幾百千瓦的功率 。 安森美與寶馬集團(tuán)簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議 (LTSA) 兩家公司的戰(zhàn)略合作針對(duì)電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的開發(fā)和整合，使安森美能為特定應(yīng)用
2023-03-10 21:50:04815 本文作者： 安森美汽車主驅(qū)功率模塊 ??????????????????產(chǎn)品線 經(jīng)理 Bryan Lu 眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買
2023-03-30 22:15:012956 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)
2023-05-10 16:54:101359 ）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動(dòng)汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長(zhǎng)續(xù)航里程。 極氪將采用安森美的 M3E 1200V ?EliteSiC MOSFET ，以配合其不斷擴(kuò)大的高性能純電車型產(chǎn)品陣容，實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的電氣和機(jī)械性能及可靠性。這
2023-05-11 20:16:29915 
新產(chǎn)品組合包括EliteSiC MOSFET和模塊，可促進(jìn)更高的開關(guān)速度，以支持越來越多的800 V電動(dòng)汽車（EV）車載充電器（OBC）和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，例如EV充電、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)。
2023-05-16 14:41:591299 
5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響5.2SiC的擴(kuò)展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.1SiC主要的擴(kuò)展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:551433 
證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(zhǎng)期以來，雙方
2023-07-19 11:15:031177 
來源：安森美 博格華納將集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPER功率模塊中，用于主驅(qū)逆變器解決方案，以提高電動(dòng)汽車的性能 Viper 800V碳化硅逆變器 近日
2023-07-20 18:01:241342 
產(chǎn)業(yè)變革。讓我們來一起看看其中的諸多“ 明星產(chǎn)品 ”吧~ 0 1 1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件 安森美最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件
2023-08-07 19:35:011617 
電荷 (Qrr) ，這使其成為圖騰柱無橋 PFC 或同步升壓等硬開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。 圖 2： 安森美 ?( onsemi ) 1200V EliteSiC M3S? 快速開關(guān)M
2023-08-14 19:10:011102 
安森美半導(dǎo)體已完成其在韓國(guó)富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴(kuò)建。該工廠將能夠以峰值產(chǎn)能每年生產(chǎn)超過100萬個(gè)200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長(zhǎng)，安森美美計(jì)劃在未來三年內(nèi)雇用
2023-10-26 17:26:581880 進(jìn)行了深入分享，干貨滿滿，一睹為快~ 安森美中國(guó)區(qū)汽車市場(chǎng)技術(shù)應(yīng)用負(fù)責(zé)人、碳化硅首席專家吳桐博士 碳化硅的工藝迭代 如今，碳化硅頭部企業(yè)都在量產(chǎn)平面柵結(jié)構(gòu)的碳化硅器件，同時(shí)也在研發(fā)柵極結(jié)構(gòu)工藝。 在柵極結(jié)構(gòu)方面，安森美量產(chǎn)的第三
2023-11-01 19:15:022169 
如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21843 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:501725 進(jìn)的SiC制造工廠之一。該工廠全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，每年可生產(chǎn)超過一百萬片200mm SiC晶圓，能夠滿足市場(chǎng)對(duì)碳化硅器件的迅速增長(zhǎng)需求。 安森美在第三季度取得了 21.8 億美元的穩(wěn)健業(yè)績(jī)，接近其上季度的指導(dǎo)范圍上限。 全年碳化硅營(yíng)收預(yù)計(jì)將創(chuàng)新高。 對(duì)于2024年的預(yù)期，
2023-12-07 10:25:021491 電子成就獎(jiǎng)(以下簡(jiǎn)稱“WEAA”)之 年度最具潛力第三代半導(dǎo)體技術(shù)獎(jiǎng) ，其 1200 V EliteSiC M3S碳化硅器件 獲AspenCore亞洲金選獎(jiǎng)（以下簡(jiǎn)稱“EE Awards Asia
2023-12-07 11:35:01935 
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供選擇。
2024-05-22 10:38:312066 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 全球半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)安森美（Onsemi）近日宣布，推出了一系列創(chuàng)新的碳化硅（SiC）芯片。這些新型芯片的設(shè)計(jì)初衷，是借鑒其在電動(dòng)汽車領(lǐng)域已經(jīng)成熟的技術(shù)，為驅(qū)動(dòng)人工智能（AI）服務(wù)的數(shù)據(jù)中心帶來更高的能效和節(jié)能性能。
2024-06-11 09:54:091822 。為加速達(dá)成這個(gè)全球轉(zhuǎn)型目標(biāo)，安森美推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiCM3e MOSFET，并計(jì)劃將在2030年前推出多代新產(chǎn)品。
2024-07-19 10:43:441872 推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，顯著提升高耗電應(yīng)用的能效 ? 新聞要點(diǎn) 最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能將電氣化應(yīng)用的關(guān)斷損耗降低多達(dá) 50% 該平臺(tái)采用
2024-07-22 11:31:49466 隨著電力電力電子技術(shù)逐漸向高壓大電流方向發(fā)展，傳統(tǒng)的 Si 基器件由于損耗大、開關(guān)速度慢、耐壓低等缺點(diǎn)逐漸被 SiC（碳化硅）器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件應(yīng)用最為廣泛，小電流器件主要
2024-10-17 13:44:09
1 。兩者各有其優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)，選擇哪種結(jié)構(gòu)取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求，同時(shí)還要兼顧成本效益。前不久安森美推出的采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247-4L封裝的1200V EliteSiC M3e平臺(tái)，可以說是平面結(jié)構(gòu)的登頂之作，再次刷新了高耗電應(yīng)用的能效。
2024-10-31 14:04:081590 
近日，安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項(xiàng)重要的收購(gòu)計(jì)劃，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)Qorvo的碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。 據(jù)
2024-12-11 10:00:59967 此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中，我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn)，本文為白皮書第二部分，將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美（onsemi）在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)。
2025-01-07 10:18:48918 在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？5步法應(yīng)對(duì)碳化硅特定挑戰(zhàn)，mark~，我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)、安森美（onsemi）在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)。本文為白皮書第三篇，將重點(diǎn)介紹應(yīng)用于柵極的 5 個(gè)步驟。
2025-01-09 10:31:47921 安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)Qorvo碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。
2025-01-16 16:30:061084 器件設(shè)計(jì)公司正在加速被市場(chǎng)拋棄：碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司出現(xiàn)倒閉潮，這是是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動(dòng)態(tài)，可從以下維度分析這一趨勢(shì)： 1. 技術(shù)壁壘與產(chǎn)能競(jìng)賽：頭部企業(yè)構(gòu)建護(hù)城河 技術(shù)門檻高企 ：碳化硅
2025-02-24 14:04:38933 
安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
2025-03-19 14:31:281108 根據(jù)搜索結(jié)果，除了安森美（onsemi）、CREE（Wolfspeed）和Microchip之外，以下品牌在美國(guó)境內(nèi)涉及碳化硅（SiC）器件流片或代工合作，X-FAB作為美國(guó)境內(nèi)的SiC代工廠，其
2025-04-14 05:58:12947 從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析，中國(guó)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)步，具體體現(xiàn)在以下核心維度。
2025-06-19 17:02:15707 
隨著電氣化浪潮席卷全球，人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng)，使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列，將為行業(yè)降低能耗和整體系統(tǒng)成本提供創(chuàng)新思路。
2025-06-24 15:20:251375 近期，中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048 
安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模塊采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和帶Al~2~O~3~ DBC陶瓷基板
2025-11-22 17:19:561664 
作為電子工程師，我們?cè)陔娫丛O(shè)計(jì)領(lǐng)域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現(xiàn)，為我們帶來了新的解決方案。今天就來詳細(xì)分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
在電源模塊領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)憑借其出色的性能逐漸嶄露頭角。安森美（onsemi）推出的NXH008T120M3F2PTHG碳化硅模塊，為太陽能逆變器、不間斷電源、電動(dòng)汽車充電站和工業(yè)電源等應(yīng)用提供了強(qiáng)大的支持。今天，我們就來深入了解一下這款產(chǎn)品。
2025-12-03 14:49:16281 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天我們來詳細(xì)探討安森美（onsemi）的一款SiC MOSFET——NVBG070N120M3S，它在汽車和工業(yè)應(yīng)用中展現(xiàn)出了強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-12-03 15:30:19349 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。安森美（onsemi）推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET，更是在性能和可靠性方面表現(xiàn)出色。今天，我們就來詳細(xì)解析這款器件。
2025-12-04 14:44:57266 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
2025-12-04 15:19:05417 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們就來深入探討 onsemi 的 NTH4L022N120M3S 這款 1200V、22mΩ 的碳化硅 MOSFET，看看它到底有哪些獨(dú)特之處。
2025-12-04 15:33:41347 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選器件。今天，我們就來深入了解一下安森美（onsemi）的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L014N120M3P。
2025-12-05 10:31:17362 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們就來深入剖析安森美（onsemi）的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
2025-12-05 16:54:25908 
Carbide（UnitedSiC）。安森美預(yù)計(jì)交易將在2025年第一季度完成，同時(shí)這也意味著Qorvo即將退出SiC市場(chǎng)。 近幾年Qorvo在碳化硅領(lǐng)域推出不少具有亮點(diǎn)的新品，并且應(yīng)用涵蓋數(shù)據(jù)中心
2024-12-15 07:30:004194 
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