威兆半導(dǎo)體推出的VS3622DP2是一款面向 30V 低壓場(chǎng)景的雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，采用 PDFN5x6 封裝，適配雙路低壓大電流電源管理、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配雙路低壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，單通道）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值7.5mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值11mΩ，低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，單通道，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 結(jié)溫約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：42A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為28A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)，單通道）：168A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足雙路負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• 雙通道 + 5V 邏輯控制：?jiǎn)涡酒?2 路 N 溝道 MOSFET，適配 5V 邏輯驅(qū)動(dòng)，簡(jiǎn)化雙路電源拓?fù)湓O(shè)計(jì)；
• 低導(dǎo)通電阻 + 高可靠性：7.5~11mΩ 阻性表現(xiàn)降低傳導(dǎo)損耗，且通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 21mJ（單通道），感性負(fù)載開關(guān)穩(wěn)定性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，單通道，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配高密度雙路電源電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 30V 級(jí)雙路低壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 雙路同步整流回路；
  • 工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子的雙路中功率負(fù)載開關(guān)。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊(cè)為準(zhǔn)。）