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1、概 述

FZH165是一塊最大可驅(qū)動280段LCD顯示驅(qū)動電路，主要應(yīng)用于電話、傳真機、便攜式設(shè)備（POS、ECR、PDA等）、DSC、車載音響、家用電子裝置、測量設(shè)備等系統(tǒng)。其主要特點如下：

● LCD驅(qū)動端口：8個COM；35個SEG

● 集成顯示RAM容量（DDRAM）：35 x 8bit（最大可驅(qū)動280段）

● 雙線串行接口（SCL，SDA）

● 內(nèi)置振蕩電路

● 內(nèi)置液晶電壓驅(qū)動電路

1/4偏置 1/8占空比

內(nèi)置緩沖放大器

● 外圍簡單

● 低功耗設(shè)計

● 內(nèi)置EVR寄存器，調(diào)節(jié)LCD顯示電壓

● 工作電壓：2.5~5.5V

● LCD驅(qū)動電壓：2.5~5.5V

● 封裝形式：COG

2、功能框圖及引腳說明

2.1、功能框圖

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2.2、PAD 圖和 PAD 坐標(biāo)

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芯片面積：1790um*1390um

gold bumping 高度：15um（典型）

gold bumping 硬度：65±20HV

壓點大小：

1~12，25~36：25um*40um（X：Y）

13~16，22~24，37~48：40um*25um（X：Y）

17~21：50um*45um（X：Y）

壓點坐標(biāo)

?編輯2.3、引腳說明及結(jié)構(gòu)原理圖

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3、電特性

3.1、 極限參數(shù)

除非另有規(guī)定，Tamb=25℃

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注：25℃以上時，溫度每升高 1℃，額定功耗減少 0.75 mW。

3.2、推薦使用條件

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3.3、電氣特性

3.3.1 直流參數(shù)

（ 除非另有規(guī)定，VDD=2.5~5.5V，VLCD=2.5~5.5V，VSS=0V，Tamb=-40~85℃）

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3.3.2 振蕩參數(shù)

（ 除非另有規(guī)定，VDD=2.5~5.5V，VLCD=2.5~5.5V，VSS=0V，Tamb=-40~85℃）

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3.3.3 交流參數(shù)

（ 除非另有規(guī)定，VDD=2.5~5.5V，VCLD=2.5~5.5V，VSS=0V，Tamb=-40~85℃）

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4、測試線路

4. 1、交流測試線路

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5、功能介紹

5.1、指令/數(shù)據(jù)傳輸方式

本電路由 2 線（SDA、SCL）串行信號控制。

?編輯兩線串行傳輸方式需要滿足開始和結(jié)束條件。

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指令和數(shù)據(jù)的傳輸方式要求如下：

1、具備開始條件

2、發(fā)送 Slave 地址

3、傳輸指令和數(shù)據(jù)

5.2、應(yīng)答信號（acknowledge）

實際傳送數(shù)據(jù)時，必須有應(yīng)答（acknowledge）信號

傳送的數(shù)據(jù)是由 8bit 單位組成，8bit 數(shù)據(jù)傳送返回 Acknowledge 信號。8bit 數(shù)據(jù)（SlaveAddress， Command，Display Data）傳送后，在 SCL（第 8 個）信號下降開放 SDA 數(shù)據(jù)線、輸出“L”信號。然 后，在第 9 個信號下降時輸出停止，但輸出是 NMOS 開漏形式，“H”電平不輸出。在不需要應(yīng)答 （Acknowledge）信號時，從 SCL 信號的第 8 個信號下降后開始到第 9 個信號的下降位置輸入“L”。

?編輯5.3、命令傳輸方式

開始（START）條件生成后，輸入 Slave Address（“01111100”），之后必須輸入 1byte 的命令。 命令的 MSB 位判定下一組數(shù)據(jù)是命令還是顯示數(shù)據(jù)（command 或者 data 的判定位）。

Command 或者 data 的判定位只有為“1”、才有可能輸入后續(xù)的命令。 Command 或者 data 的判定位只有為“0”、才有可能輸入后續(xù)的數(shù)據(jù)。

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在輸入顯示數(shù)據(jù)的狀態(tài)時，就不能進(jìn)行命令的輸入。若要再次輸入命令，需要再次生成開始條件。

在命令傳送的過程中輸入開始條件或停止條件，傳送的命令會被取消。傳送過程中輸入開始條件 時，必須輸入 Slave address 后，才能轉(zhuǎn)換為輸入狀態(tài)。

開始條件生產(chǎn)后，先傳送 Slave address 數(shù)據(jù)。當(dāng)最開始傳送的 Slave address 數(shù)據(jù)沒有被識別 時，應(yīng)答信號將不返回，后續(xù)傳送的數(shù)據(jù)將接收不到。在數(shù)據(jù)接收被拒接的狀態(tài)時，將再次恢復(fù)到輸入開始條件。

5.4、顯示數(shù)據(jù)的寫入和傳送方式

當(dāng) R/W=“0”，進(jìn)入顯示數(shù)據(jù)寫入模式。電路本身內(nèi)置 35x8bits 的顯示數(shù)據(jù) RAM（DDRAM）。寫入顯示數(shù)據(jù)以及 DDRAM 數(shù)據(jù)與之相對應(yīng)的地址的顯示對應(yīng)關(guān)系如下所示：

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8-bit 數(shù)據(jù)寫入到 DDRAM，寫入?yún)^(qū)域是由 Address set 命令來設(shè)置。每寫一位數(shù)據(jù)地址將自動增加，數(shù)據(jù)可連續(xù)被寫到 DDRAM。

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5.5、讀指令和傳輸方式

讀模式可讀出指令寄存器。讀出指令寄存器順序如下所示：

?編輯指令寄存器地址在 ADSET command 中有具體描述。在此模式下寄存器的設(shè)置可被讀出。

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寄存器 1： P5=軟件復(fù)位條件

P4~P0=EVR 設(shè)置

寄存器 2： P7~P6 =幀頻設(shè)置

P5~P4 =省電模式設(shè)置

P3 =LCD 驅(qū)動波形設(shè)置

P2 =顯示開/關(guān)設(shè)置

P1 =AP 開設(shè)置

P0 =AP 關(guān)設(shè)置

寄存器讀取順序如下，存取地址為 24h 或者 REG2。

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5.6、LCD 驅(qū)動偏置電流

電路通過片內(nèi)緩沖放大器產(chǎn)生 LCD 驅(qū)動電壓?？梢砸缘凸尿?qū)動 LCD 液晶顯示。行和幀頻倒轉(zhuǎn)通 過 DISCTL 指令設(shè)置。參考每一個 LCD 驅(qū)動波形中的“LCD 驅(qū)動波形”。

5.7、設(shè)置初始化條件

軟件復(fù)位之后電路進(jìn)行初始化，具體如下：

顯示關(guān)

DDRAM 地址初始化

請參考寄存器初始化的指令描述。

6、指令/功能列表

6. 1、指令/功能描述列表

?編輯7、詳細(xì)指令描述

D7（MSB）為數(shù)據(jù)或者指令判別位。請參照指令或者數(shù)據(jù)的傳輸方式。

C：0：下一個的Byte (D7-D0) 是寫入RAM的數(shù)據(jù)。

1：下一個Byte是命令。

7. 1、地址設(shè)置（ADSET）

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根據(jù) P[5:0]指定的地址數(shù)據(jù)來設(shè)定地址計數(shù)器。地址可設(shè)置的范圍為000000~100010。DDRAM初 始化地址為“000000”。

指令寄存器地址（讀模式）：

P[5:0] =23h（100011b）-REG1

軟件復(fù)位條件和EVR設(shè)置的寄存器地址。

P[5:0] =24h（100100b）-REG2

其他設(shè)置寄存器地址（請參照5.5讀指令寄存器和傳輸方式）。

7. 2、EVR 設(shè)置（EVRSET）

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可控制 32 階 EVR 電壓寄存器（LCD 液晶驅(qū)動電壓最大電平）；可設(shè)置 V0 電平。EVR 初始化之后被置為“00000”。EVR 為“00000”，VLCD 電平為V0的電平輸出。禁止設(shè)置 EVR 低于2.5V。

7. 3、EVR 設(shè)置與 V0 電平的關(guān)系

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如果使用 EVR，需要滿足 VLCD-V0>0.6V，若不滿足該條件，則 IC 輸出不穩(wěn)定。盡量不要使用 V0<2.5V 的區(qū)域，如果 EVR 設(shè)置在該區(qū)域，IC 工作狀態(tài)不穩(wěn)定。

7. 4、顯示控制（DISCTL）

?編輯設(shè)置省電模式 FR

?編輯工作電流遞減順序：正常模式>省電模式 1>省電模式 2>省電模式 3

設(shè)置省電模式 SR

?編輯工作電流遞減順序：省電模式 1<省電模式 2<正常模式<高電源模式

備注：省電模式 FR/LCD 驅(qū)動波形/省電模式 SR 將會影響顯示的效果。根據(jù) LCD 顯示材料電流損耗 和顯示圖像選擇最佳電壓值進(jìn)行匹配（以實際應(yīng)用為準(zhǔn)）。

?編輯7. 5、IC 工作狀態(tài)設(shè)置（ICSET）

?編輯設(shè)置 LCD 驅(qū)動波形

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工作電流：行翻轉(zhuǎn)>幀翻轉(zhuǎn)

對于行翻轉(zhuǎn)和幀翻轉(zhuǎn)，請參照 LCD 輸出波形。

設(shè)置軟件復(fù)位條件

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當(dāng)執(zhí)行“軟件復(fù)位”，則電路被復(fù)位重置。當(dāng) P1 被設(shè)置軟件復(fù)位做出響應(yīng)之后，其他的設(shè)置才能生效。

設(shè)置顯示開和關(guān)

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顯示關(guān)：DDRAM 數(shù)據(jù)不受到影響。該指令設(shè)置之后，SEG 和 COM 將停止輸出，直到顯示開指令被設(shè)置。

顯示開：SEG 和 COM 輸出有效。開始讀取 DDRAM 數(shù)據(jù)。

7. 6、全屏控制（APCTL）

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全屏打開

?編輯全屏關(guān)閉

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全屏打開：全屏點亮與 DDRAM 的內(nèi)容無關(guān)。

全屏關(guān)閉：全屏取消點亮與 DDRAM 的內(nèi)容無關(guān)。

注意：

命令是僅在顯示打開時有效。這時 DDRAM 的內(nèi)容是不變化的。當(dāng)P1和P0=“1”，選擇全屏關(guān)閉，全屏關(guān)的優(yōu)先級別高于顯示開。

7. 7、LCD 驅(qū)動波形

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7. 8、初始化順序

在上電路之后，請根據(jù)下面的條件的順序?qū)﹄娐愤M(jìn)行初始化。 上電

↓

停止條件

↓

開始條件

↓

寫入Slave地址

↓

根據(jù)ICSET指令中執(zhí)行軟件復(fù)位

初始化之后，每個寄存器和DDRAM的地址復(fù)位到系統(tǒng)默認(rèn)值。在上電之后，DDRAM的數(shù)據(jù)處于隨機 狀態(tài)。

7. 9、起始順序

起始舉例：

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?編輯7. 10、P.O.R 使用需要注意事項

本電路存在上電復(fù)位和軟件復(fù)位功能。為了電壓可以正常復(fù)位，請按照以下推薦要求進(jìn)行。

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tR、tF、tOFF和Vbot推薦值（Ta=25℃）

?編輯如果按照上述上電過程有困難，可在上電之后，按照以下順序執(zhí)行。

1、條件

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2、發(fā)送停止條件之后，執(zhí)行軟件復(fù)位指令。

7. 11、I/O等價線路

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7. 12、典型應(yīng)用

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8、使用注意事項

8.1、極限最大額定值

電壓、溫度等超范圍使用會損壞電路，因此，盡量避免

8.2、使用條件

這些條件代表參數(shù)可接近期望值的范圍。電氣特性的各項參數(shù)超出這些條件下將得不到保證。

8.3、電源的反向連接

電源反向連接將會損壞 IC。為了避免電源反向連接對 IC 造成損壞，需要采取一些保護(hù)措施，

例如在電源與 IC 電源管腳之間外加二極管。

8.4、供電電源走線

PCB 板電源和 GND 的走線方式應(yīng)為低阻抗的走線方式。就這一點而言，或是對數(shù)字電源和模擬 電源而言，盡管他們的電源擁有同樣的電勢，將數(shù)字電源和模擬電源分開將會避免因走線等原因產(chǎn) 生的數(shù)字電源上的噪聲衍射到模擬電源上。對于 GND 走線，也需要考慮類似的方法。

此外，對所有 IC 的供電端，在電源和 GND 之間增加一個電容。與此同時，為了使用電解電容，需要徹底地保證電容在使用過程中參數(shù)正常，包括在低溫條件下容值不會發(fā)生異常。

8.5、GND 電壓

在任何操作狀態(tài)下，都應(yīng)使 GND 端保持在最小的電位上，此外，應(yīng)確保不存在潛在的終端電壓 比 GND 電壓低，包括實際的電瞬態(tài)電壓。

8.6、終端和錯誤安裝的短路

在為 ICs 設(shè)計 PCB 板時，應(yīng)注意 ICs 的方向和偏置，錯誤的布板將會損壞電路。此外，如果有異物端口之間或電源端和地端之間，則也可能損壞電路。

8.7、在強電磁場操作

需要注意的是，強電磁場可能導(dǎo)致 IC 故障。

8.8、檢查與設(shè)置 PCB

在檢查 PCB 時，如果一個電容連接到一個低阻抗的 IC 端口，IC 可以承受壓力。因此，一定要排 出集 PCB 每個過程。此外，在安裝或拆卸 PCB 夾具過程中，一定要關(guān)掉電源，然后再安裝設(shè)置 PCB。

在檢查完成后，務(wù)必關(guān)閉電源，然后卸下將他從夾具卸下。另外，為了防止靜電，組裝過程需要 接地，在整個運輸和存儲過程中也要特別留意。

8.9、輸入端口

根據(jù) IC 的結(jié)構(gòu)，潛在的寄生元件是不可避免的。寄生元件的存在能在電路中產(chǎn)生干擾，導(dǎo)致失效然后損壞輸入端口。所以，在操作端口時要格外留意，例如，不要在輸入端口各自加低于 GND的電壓導(dǎo)致很多寄生元件產(chǎn)生作用。另外，在 IC 未上電狀態(tài)下，不要給輸入端口輸入電壓。即便給已經(jīng) 上電，在輸入端口的電壓也要低于電源電壓或者在額定電壓范圍內(nèi)。

8.10、地線布線規(guī)則

當(dāng)小信號地和大電流地都存在時，推薦將大電流地與小信號地分開并且在 PCB 設(shè)計中的參考點 建立一個獨立的地從而保證電路線阻并且當(dāng)大電流導(dǎo)致的電壓波動時不會影響小信號 GND 的電位。 也要注意在 GND 走線中避免額外干擾。

8.11、外接電容

用陶瓷電容作為外接電容，容值依據(jù)對直流電源的濾波常數(shù)和溫度等確定。

8.12、未連接的輸入端口

由于 CMOS 的高阻抗特性，懸空的輸入端口會導(dǎo)致不固定的狀態(tài)。不固定的狀態(tài)導(dǎo)致內(nèi)部的 P 溝道或者 N 溝道晶體管門限電壓浮動，進(jìn)而可能導(dǎo)致電池電流增加。并且不固定的狀態(tài)也可能導(dǎo)致 對 IC 的意外操作。所以除非特別指定，沒有用到的輸入端口應(yīng)該接地或者電源。

8.13、沖擊電流

在 CMOS IC 第一次上電時，內(nèi)部邏輯可能不固定并且沖擊電流瞬間灌入。所以要特別留意電

源退耦電容，電源走線，GND 線寬和連接走線。

?審核編輯 黃宇