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安森美SiC JFET在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

安森美 ? 來源:安森美 ? 2026-01-12 05:26 ? 次閱讀
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輸配電系統(tǒng)與各類靈敏用電設(shè)備的安全運(yùn)行,離不開對(duì)長(zhǎng)時(shí)間過載與瞬態(tài)短路故障的妥善防護(hù)。這些風(fēng)險(xiǎn)若未及時(shí)管控,輕則導(dǎo)致設(shè)備損壞,重則引發(fā)系統(tǒng)癱瘓。隨著電力系統(tǒng)電壓等級(jí)持續(xù)提升、電動(dòng)汽車高壓化趨勢(shì)加劇,電路中可能出現(xiàn)的最大故障電流已達(dá)到前所未有的水平,對(duì)保護(hù)裝置的響應(yīng)速度與耐受能力提出了更嚴(yán)苛的要求,超快速交流/直流斷路器由此成為關(guān)鍵需求。

在過去很長(zhǎng)一段時(shí)間里,機(jī)械斷路器(EMB)始終是這類保護(hù)場(chǎng)景的主流選擇。但隨著用電場(chǎng)景對(duì)可靠性、響應(yīng)速度的要求不斷升級(jí),傳統(tǒng)機(jī)械斷路器的局限性逐漸凸顯,而固態(tài)斷路器(SSCB)憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì),正逐步成為更受青睞的解決方案。

從應(yīng)用場(chǎng)景來看,SSCB的適配范圍極為廣泛,在住宅、商業(yè)及工業(yè)領(lǐng)域的交流(AC)供電系統(tǒng)中,它能為日常用電設(shè)備提供精準(zhǔn)保護(hù);在高壓直流(HVDC)系統(tǒng),尤其是電動(dòng)汽車的高壓電池回路里,它又可作為可靠的隔離開關(guān),在故障發(fā)生時(shí)迅速切斷電路,守護(hù)核心部件安全,成為連接多元用電場(chǎng)景的安全屏障。

固態(tài)斷路器為什么受歡迎

從最關(guān)鍵的故障保護(hù)效率來看,SSCB實(shí)現(xiàn)了微秒級(jí)響應(yīng)的革命性突破。傳統(tǒng)EMB的分?jǐn)鄷r(shí)間通常需要數(shù)毫秒,而SSCB可將這一過程壓縮至不足微秒,能在故障電流尚未達(dá)到峰值時(shí)快速切斷電路,從源頭遏制過載、短路對(duì)設(shè)備的損害。更重要的是,SSCB采用全電子開關(guān)結(jié)構(gòu),無機(jī)械觸點(diǎn)動(dòng)作,可實(shí)現(xiàn)完全無弧或微弧分?jǐn)?,徹底消除了EMB觸點(diǎn)斷開時(shí)可能產(chǎn)生的危險(xiǎn)電弧閃光,大幅提升了保護(hù)過程的安全性與穩(wěn)定性。

使用壽命與運(yùn)維成本的優(yōu)勢(shì),進(jìn)一步強(qiáng)化了SSCB的應(yīng)用價(jià)值。EMB依賴機(jī)械觸點(diǎn)的物理動(dòng)作實(shí)現(xiàn)通斷,觸點(diǎn)會(huì)隨使用次數(shù)增加而逐漸磨損,而SSCB無任何活動(dòng)機(jī)械部件,在合理能量限制范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)多次通斷循環(huán),不僅大幅延長(zhǎng)了設(shè)備整體使用壽命,還減少了運(yùn)維次數(shù)與成本,契合工業(yè)、新能源等領(lǐng)域?qū)υO(shè)備長(zhǎng)周期穩(wěn)定運(yùn)行的需求。

SSCB支持有線或無線連接,可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)控與遠(yuǎn)程重置,無需人工現(xiàn)場(chǎng)操作,提升了運(yùn)維便捷性。同時(shí),其電流額定值具備可編程、可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)的特性,能根據(jù)不同負(fù)載場(chǎng)景靈活調(diào)整保護(hù)參數(shù),還可集成軟啟動(dòng)、故障診斷等功能,為系統(tǒng)提供更精細(xì)化的能源管理與故障預(yù)警支持。

此外,SSCB適配全球新興標(biāo)準(zhǔn),包括美國(guó)2022年5月發(fā)布的UL 4891標(biāo)準(zhǔn)與歐洲的 IEC 60947-10標(biāo)準(zhǔn),能夠滿足不同地區(qū)、不同行業(yè)的合規(guī)要求,加速了在住宅、商業(yè)、工業(yè)交流系統(tǒng)及電動(dòng)汽車高壓直流系統(tǒng)等場(chǎng)景的落地進(jìn)程。

從結(jié)構(gòu)到易用性的全方位適配

在SSCB市場(chǎng)份額不斷擴(kuò)張的背景下,寬禁帶半導(dǎo)體開關(guān)相較于硅基器件更低的通態(tài)損耗與更高的運(yùn)行效率,為SSCB性能升級(jí)提供了關(guān)鍵支撐。其中,安森美(onsemi)SiC JFET(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)憑借在工作性能、空間適配、可靠性及易用性上的全方位精準(zhǔn)匹配,成為SSCB的核心器件選擇。

從結(jié)構(gòu)上進(jìn)行剖析,在VGS=0且漏源電壓VDS近乎為零時(shí)的無偏置狀態(tài)下,安森美的SiC JFET截面結(jié)構(gòu)包含兩個(gè)PN結(jié):漏極-柵極和柵極-源極。其中,漏極與源極之間存在高導(dǎo)電性溝道,使得電子可雙向自由流動(dòng),再結(jié)合晶圓減薄等先進(jìn)工藝,達(dá)成了單位面積下極低的導(dǎo)通電阻(RDS (on))。這種低損耗的特性,使SSCB在持續(xù)運(yùn)行中能保持穩(wěn)定工作狀態(tài),配合SiC材料的耐高溫特性,能有效適應(yīng)復(fù)雜場(chǎng)景下的溫度波動(dòng),為長(zhǎng)期可靠運(yùn)行提供保障。

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空間緊湊性是SiC JFET適配SSCB小型化需求的另一優(yōu)勢(shì)。安森美的SiC Combo JFET采用堆疊芯片設(shè)計(jì),將SiC JFET與Si MOSFET集成于單一TOLL封裝內(nèi),在保留對(duì)JFET開關(guān)速度精準(zhǔn)控制能力的同時(shí),大幅縮減了PCB板占用空間。以20A、240VAC且需滿足1.2倍過載2小時(shí)要求的SSCB為例,僅需4顆安森美的SiC Combo JFET器件即可滿足設(shè)計(jì)需求,高集成度設(shè)計(jì)完美契合SSCB小型化、高密度布局的發(fā)展趨勢(shì)。此外,SiC JFET還可兼作溫度或電流傳感器,減少了額外傳感元件的使用,進(jìn)一步簡(jiǎn)化了產(chǎn)品的電路結(jié)構(gòu)。

可靠性作為SSCB保護(hù)功能的核心要求,在安森美SiC JFET上得到充分體現(xiàn)。安森美SiC JFET因結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單因而避免了參數(shù)漂移或滯后現(xiàn)象,同時(shí)對(duì)柵極欠壓、過壓具有良好耐受性,能在高溫、大電流甚至短路、雪崩等極端場(chǎng)景下保持穩(wěn)定。并且,其750V的電壓額定值不僅能覆蓋85-265VAC的通用輸入電壓范圍,還能應(yīng)對(duì)電纜電感帶來的感應(yīng)尖峰和宇宙輻射可能引發(fā)的失效風(fēng)險(xiǎn),遠(yuǎn)超400V額定值的安全水平。

在易用性設(shè)計(jì)上,安森美SiC JFET顯著降低了SSCB的開發(fā)與應(yīng)用門檻。其支持標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器控制,配合簡(jiǎn)單的電阻即可實(shí)現(xiàn)柵極電流限制,無需復(fù)雜的專用驅(qū)動(dòng)電路。通過調(diào)整柵極電阻,可靈活控制開關(guān)電流和電壓的變化速度,還能通過脈沖方式限制電容組的浪涌電流。

應(yīng)對(duì)多場(chǎng)景的SiC JFET產(chǎn)品線

安森美可提供SiC JFET、SiC Cascode JFET和SiC Combo JFET三個(gè)系列的產(chǎn)品,每種類型都有其獨(dú)特性能,適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。其中,SiC JFET具備最低的RDS (on) ,導(dǎo)通狀態(tài)下JFET的柵源電壓(VGS)可直接反映器件結(jié)溫(TJ),是自監(jiān)測(cè)功率器件的理想解決方案。SiC Cascode JFET是SiC JFET與硅基 MOSFET共封裝,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。SiC Combo JFET,可獨(dú)立控制MOS管和JFET的柵極,實(shí)現(xiàn)對(duì)開關(guān)dV/dt的精確調(diào)控 ,簡(jiǎn)化多個(gè)JFET并聯(lián)使用,顯著節(jié)省電路板空間。

具有代表性產(chǎn)品的是SiC Combo JFET UG4SC075005L8S,將一個(gè)750V的SiC JFET和一個(gè)低壓Si MOSFET集成在單個(gè)TOLL封裝中。其具備超低導(dǎo)通電阻RDS(ON):25℃時(shí)為5 mΩ,175℃時(shí)為12.2 mΩ;具備常關(guān)特性,優(yōu)化多個(gè)器件并聯(lián)工作性能,工作溫度最高可達(dá) 175?℃;具有高脈沖電流能力,極佳器件穩(wěn)健性,短路耐受能力;采用無引腳TOLL封裝(MO-229)。

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安森美還基于UG4SC075005L8S SiC Combo JFET推出了針對(duì)性的SSCB設(shè)計(jì)方案。該設(shè)計(jì)方案充分依托UG4SC075005L8S低導(dǎo)通電阻、高集成度及高可靠性的特性,可直接為客戶提供適配SSCB應(yīng)用場(chǎng)景的硬件架構(gòu)與技術(shù)參考,減少客戶在器件選型、電路布局及性能調(diào)試上的研發(fā)投入,助力SSCB產(chǎn)品快速落地,進(jìn)一步凸顯了安森美SiC JFET在SSCB領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)與服務(wù)能力。

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原文標(biāo)題:聚焦固態(tài)斷路器核心:安森美SiC JFET特性深度解讀

文章出處:【微信號(hào):onsemi-china,微信公眾號(hào):安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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