Qorvo推出了一款750V、4毫歐（mΩ）碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）產(chǎn)品；其采用緊湊型無引腳表面貼裝（TOLL）封裝，可帶來卓越的斷路器設(shè)計(jì)和性能。

“我們正處于斷路器技術(shù)下一輪革命的初期階段。”Qorvo業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Andy Wilson表示，“固態(tài)電路斷路器要在市場(chǎng)上取得成功，就必須能夠安裝在現(xiàn)有無散熱片或無需強(qiáng)制風(fēng)冷的箱體內(nèi)——對(duì)此，Qorvo所推出的這款JFET滿足了斷路器市場(chǎng)的三個(gè)要求：低電阻以減少發(fā)熱、小型化，以及耐用性強(qiáng)?！?/p>

Qorvo堅(jiān)固耐用的JFET產(chǎn)品提供電路保護(hù)功能，并能在電路故障時(shí)切斷高浪涌電流。JFET的常開特性使其能夠無縫集成到開關(guān)必須在故障條件下關(guān)斷的系統(tǒng)中。

固態(tài)斷路器的優(yōu)勢(shì)

固態(tài)斷路器（SSCB）相較于傳統(tǒng)機(jī)械斷路器具有多項(xiàng)顯著優(yōu)勢(shì)。

更快的操作響應(yīng)。SSCB能在微秒級(jí)中斷故障，遠(yuǎn)快于需要幾毫秒才能跳閘的機(jī)械式斷路器；這種快速響應(yīng)有助于防止設(shè)備受損并增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性。

無電弧產(chǎn)生。SSCB無活動(dòng)觸點(diǎn)，消除了機(jī)械式斷路器在開關(guān)操作中因電弧而可能對(duì)設(shè)備造成損害的問題。

遠(yuǎn)程操控性。SSCB可通過有線或無線連接實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程重置，而機(jī)械式斷路器則需現(xiàn)場(chǎng)手動(dòng)重置。

電流額定值可編程。SSCB的電流額定值可編程且可調(diào)，而機(jī)械斷路器的電流額定值是固定的。

體積小巧、重量輕。SSCB比機(jī)械斷路器更緊湊、更輕便，因此非常適合電動(dòng)汽車和飛機(jī)等空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。

使用壽命更長(zhǎng)。由于沒有活動(dòng)部件，SSCB的使用壽命更長(zhǎng)，不會(huì)像機(jī)械斷路器那樣易受磨損。

溫度適應(yīng)性強(qiáng)。SSCB能在比機(jī)械斷路器更高的溫度下工作，且其工作溫度可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)定。

限流能力。部分SSCB具有限制故障電流的能力，這是機(jī)械斷路器所不具備的。

盡管SSCB具有這些優(yōu)勢(shì)，但與機(jī)械斷路器相比，它們的主要挑戰(zhàn)包括成本更高、電壓/電流額定值有限，以及潛在的熱管理問題。

Qorvo的低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)

Qorvo的UJ4N075004L8S設(shè)計(jì)在標(biāo)準(zhǔn)分立封裝的650V至750V等級(jí)功率器件中提供了業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）。如此低的RDS(on)顯著減少了熱量產(chǎn)生，加之采用緊湊型TOLL封裝，使得解決方案的尺寸比同類競(jìng)品小40%。

UF3N170400B7S JFET產(chǎn)品

Qorvo功率器件的主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)包括：

4mΩ的超低導(dǎo)通電阻比同類硅基MOSFET、SiC MOSFET和GaN晶體管低4至10倍，從而提高了效率并降低了功率損耗。

750V的額定電壓為處理電壓瞬變提供了顯著增強(qiáng)的設(shè)計(jì)余量，相比替代技術(shù)高出100至150V。

TOLL封裝的占板面積相比D2PAK封裝小30%，高度僅為后者的一半，非常適合固態(tài)斷路器等空間受限的應(yīng)用。

從結(jié)點(diǎn)到外殼的熱阻為0.1°C/W，處于行業(yè)領(lǐng)先地位，可實(shí)現(xiàn)有效散熱。

高電流額定值；在高達(dá)144°C的殼溫下，直流電流額定值為120A，脈沖電流可達(dá)588A（0.5毫秒），提供了強(qiáng)大的抗瞬態(tài)過載能力。

與傳統(tǒng)斷路器相比，Qorvo的SSCB極具優(yōu)勢(shì)，包括更快的故障中斷速度（微秒級(jí)，而機(jī)械斷路器需毫秒級(jí)），更強(qiáng)的系統(tǒng)穩(wěn)定性，并能有效預(yù)防設(shè)備損壞。此外，由于沒有電弧或活動(dòng)觸點(diǎn)，更消除了磨損，延長(zhǎng)了使用壽命。

Qorvo推出的750V 4毫歐SiC JFET采用TOLL封裝，標(biāo)志著固態(tài)電路斷路器技術(shù)的重大進(jìn)步；與傳統(tǒng)機(jī)械斷路器及其它半導(dǎo)體解決方案相比帶來更優(yōu)越的性能、效率和設(shè)計(jì)靈活性。UJ4N075004L8S型號(hào)目前已可提供樣品，并將于2024年第四季度全面投入量產(chǎn)，同時(shí)還將提供更多JFET選擇，包括額定電壓750V的5毫歐產(chǎn)品，及額定電壓1,200V的8毫歐型號(hào)，均采用TO-247封裝。