并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢(shì) - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時(shí)間、無(wú)與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無(wú)法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:19
2378 
0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說(shuō)明 DS4520是一個(gè)9位非易失性（NV）I/O擴(kuò)展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-10 07:20:20
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類(lèi)似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵?，它的?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
ESP32-C6購(gòu)買(mǎi)是是8MB,但是內(nèi)部SPI Flash是64MB的；
請(qǐng)問(wèn)是否可以將8MB擴(kuò)展為64MBs使用
2024-07-19 08:18:50
引導(dǎo)，我們只能看到前 2MB 的 SRAM。我們有可用的 IVT、DCD 和 FSBL，但仍然不能使用超過(guò) 2MB 的內(nèi)存。我們將 PRAMIAS 設(shè)置為 0x0，將 PRAMIAE 設(shè)置為 0x1FFFF，訪問(wèn)權(quán)限沒(méi)有變化。啟用完整 8MB SRAM 的過(guò)程是什么？
2023-04-19 09:23:38
數(shù)字電位器存儲(chǔ)類(lèi)型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說(shuō)，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個(gè)位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個(gè)位置了?！?b class="flag-6" style="color: red">非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個(gè)位置。是這個(gè)意思嗎
2024-11-21 07:15:57
據(jù)保留?無(wú)限的讀/寫(xiě)耐力?無(wú)磨損?有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個(gè)8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱(chēng)電源供電
2023-04-07 16:26:28
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過(guò)I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過(guò)編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:39
14 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
Maxim推出帶有用戶可編程非易失(NV)存儲(chǔ)器的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證IC DS28E10。采用經(jīng)過(guò)業(yè)內(nèi)認(rèn)證的FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1),結(jié)合主控制器提供的可編程私鑰和隨機(jī)質(zhì)詢的命令實(shí)現(xiàn)整個(gè)認(rèn)
2010-08-14 15:12:2617 DS3070W是Dallas公司最新推出的單片、內(nèi)含實(shí)時(shí)時(shí)鐘的非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器。該器件內(nèi)部集成了16 Mb NV SRAM、非易失性控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘和一個(gè)鋰錳（ML）可充電電池。介紹了DS3070W的性能
2010-12-06 15:31:4622 AT25DF081 1.8V電壓8Mb Serial Flash，針對(duì)低功耗設(shè)計(jì)
愛(ài)特梅爾公司(Atmel Corporation)宣布業(yè)界首款能夠在1.8V電壓下運(yùn)作的8Mb Serial Flash器件AT25DF081，
2008-09-23 08:42:251216 DS4301非易失、32抽頭數(shù)字電位器
DS4301是一款單32抽頭線性數(shù)字電位器，具有200kΩ端到端電阻?；瑒?dòng)端位置存儲(chǔ)在EEPROM中，因此DS4301上電時(shí)就處于最近
2008-10-01 23:49:531158 
DS1804 非易失調(diào)節(jié)電位器
DS1804 NV微調(diào)電位器是非易失數(shù)字電位器，具有100個(gè)抽頭位置。為CPU控制或手動(dòng)控制輸入的低成本電路調(diào)節(jié)應(yīng)用提供了一個(gè)理
2008-10-02 00:00:572415 
該DS1557是一個(gè)全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC的同一個(gè)RTC報(bào)警，看門(mén)狗定時(shí)器，上電復(fù)位，電池監(jiān)控)，以及512K的× 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶訪問(wèn)DS1557內(nèi)部所有寄存器完成了一個(gè)字節(jié)寬
2010-09-15 09:51:321001 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過(guò)如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:421307 
DS1554是一個(gè)全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘RTC的鬧鐘，看門(mén)狗定時(shí)器/日歷(RTC)上電復(fù)位，電池監(jiān)控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081867 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421402 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:271211 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:591214 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321445 DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個(gè)完備的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問(wèn)。非易失性時(shí)間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘，都在一個(gè)字節(jié)寬的格式訪問(wèn)靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時(shí)功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:041281 
MXIM推出DS3065WP，一個(gè)1米x 8非易失(NV)與一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和電池包在一個(gè)PowerCap
2010-10-28 08:46:50900 DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:521000 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271689 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:531078 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:281161 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:312113 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:021215 
DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個(gè)EEPROM查詢表，和一個(gè)數(shù)字式溫度傳感器組成。兩個(gè)DAC可以編程為任意的溫度系數(shù)，這意味著無(wú)需任何外部器件，就可以修正任何系統(tǒng)的溫度影響。
2011-01-22 09:29:11735 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:371201 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021915 
DS1500為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有報(bào)警、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)內(nèi)置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個(gè)32.768kHz頻率的輸出
2011-12-19 11:08:182147 
DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:392071 
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:41:501101 
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:49:181560 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261584 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924 The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218 DS1746是一個(gè)全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態(tài)RAM
2012-03-19 16:28:122685 
DS1323設(shè)計(jì)靈活的非易失控制器帶有鋰電池監(jiān)測(cè)器，采用CMOS電路設(shè)計(jì)，用于解決CMOS SRAM轉(zhuǎn)換成非易失存儲(chǔ)器的實(shí)際應(yīng)用問(wèn)題。
2012-04-16 12:11:022664 DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問(wèn)題。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1218非易失控制器芯片供應(yīng)電路要求提供標(biāo)準(zhǔn)CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141883 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問(wèn)題。
2012-07-19 14:30:074121 
DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲(chǔ)器由一個(gè)100級(jí)線性變化電位器、一個(gè)256級(jí)線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302864 
使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 The nonvolatile timekeeping family of real-time clock （RTC） products provide battery-backed NV SRAM
2017-04-07 09:57:023 事實(shí)上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上非易失存儲(chǔ)器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 。本文存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識(shí)一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡(jiǎn)介 在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，存在大量?jī)?nèi)存。其中大多數(shù)是名稱(chēng)不合時(shí)宜的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）。這個(gè)名稱(chēng)意義不大，因?yàn)楫?dāng)今所有內(nèi)存都是隨機(jī)訪問(wèn)的。當(dāng)工程
2020-09-11 16:09:322230 NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而且在封裝技術(shù)方面也很有競(jìng)爭(zhēng)力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。 因此將比較它需要多長(zhǎng)時(shí)間來(lái)擦除64Kb數(shù)據(jù)及寫(xiě)入新數(shù)據(jù)
2020-10-27 14:22:51772 NV-SRAM具有以下優(yōu)點(diǎn)，可以滿足理想SRAM器件的要求，該器件適用于游戲應(yīng)用中的非易失性緩存實(shí)施。 快速訪問(wèn)：系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問(wèn)速度直接相關(guān)。如果管理不當(dāng)，則連接到快速控制器的慢速
2020-12-18 14:44:281216 
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍
2020-12-22 15:18:33851 CYPRESS串行非易失性存儲(chǔ)器為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)捕獲提供卓越的性能和可靠性。Excelon鐵電存儲(chǔ)器FRAM系列提供高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能，即使在極端溫度下在惡劣的汽車(chē)和工業(yè)操作環(huán)境中也可防止數(shù)據(jù)
2021-01-07 15:16:02862 一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲(chǔ)器：非易失性SRAM（NVSRAM）。 為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問(wèn)題，國(guó)外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)也有同類(lèi)產(chǎn)品相繼問(wèn)世。面對(duì)眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以
2021-01-11 16:44:202306 文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機(jī)上的非易失性MRAM. 血液透析機(jī)使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因?yàn)镸RAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無(wú)限的非易失性寫(xiě)入耐久性和非易失性寫(xiě)入周期和讀取周期的高速。這些獨(dú)特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793 ，運(yùn)行速度與 SRAM 相同，TSOP封裝與SRAM兼容。MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行。 ? ? ? ? ?在快速頁(yè)面模式下，F(xiàn)RAM
2022-01-12 15:12:201308 NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無(wú)限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲(chǔ)器中，并
2022-06-10 15:23:011441 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-12 10:20:410 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于Amiga 500和Amiga 500+的8MB FastRAM板.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-19 10:42:010 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問(wèn)的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場(chǎng)上的其他一些NV存儲(chǔ)器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。
2023-01-10 14:25:592053 
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39882 賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:281370 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09953 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54825 
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50933 
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)，寫(xiě)保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41750 
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)，寫(xiě)保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58892 
帶幻象時(shí)鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM（結(jié)構(gòu)為8192個(gè)字x 8位）。DS1243Y具有獨(dú)立的鋰能源和控制電路，可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43996 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)
2025-05-26 09:50:50684 
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