富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器，是富士通半導體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產品將于2013年3月起開始提供新品樣片。
2013-03-25 16:09:37
1375 目前主流的基于浮柵閃存技術的非易失性存儲器（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，閃存本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節(jié)點。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:216033 
16Mbit 和 8Mbit 產品。 ? 這個創(chuàng)新架構讓設計人員能夠在同一存儲器上管理固件和靈活存儲數據，這種組合在以前是沒有的
2022-07-01 11:17:261277 存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:022740 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展其EXCELON? F-RAM存儲器產品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新
2023-08-09 14:32:40895 
F-RAM存儲技術是怎樣進入汽車核心應用領域的？
2021-05-13 06:29:08
你好！關于FRAM存儲器的可靠性和需要考慮什么樣的軟件，我有一些問題。在寫操作期間電源故障的影響是什么？這會影響被更新的字節(jié)，使其處于未知和潛在的易失狀態(tài)嗎？這會影響整排嗎？讀/寫干擾F RAM
2018-11-02 14:27:34
Access Memory：鐵電隨機存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
失是指存儲器斷電后，里面存儲的內容是否會丟失，另一邊的速度而言呢，易失性存儲器的速度要快于非易失性存儲器。1.1 易失性存儲器 按照RAM的物理存儲機制，可以...
2021-07-16 07:55:26
所謂的寄存器、內存等用于存儲信息的復雜結構。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
非易失性存儲器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
非易失性存儲器的特點及應用介紹
2012-08-20 12:54:28
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-08-22 09:30:32
一塊DDR2的說明寫的是512Mbit (32Mbit * 16) ，這個是什么意思？
2015-02-10 15:15:26
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術
2020-12-21 07:04:49
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-08-02 09:43:10
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-08-16 09:22:13
該板上檢測到NLP。我嘗試在重置線上電后重置PHY，但這沒有用。顯然，我的PHY配置有問題，但由于Ido沒有PHY的數據表，我不知道如何重新配置??它甚至測試其當前配置。 PHY是否將配置數據存儲在非易失性存儲器中？寄存器中有一點需要改變嗎？部件是否完全壞了？
2019-08-27 07:45:17
Ramtron推出高速和低電壓的F-RAM存儲器Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產品，具有高速
2008-10-08 09:23:16
SRAM接口。所有這些實現都以某種形式的8引腳封裝提供。 SRAM和FRAM技術的常用功能 在最高級別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時存儲在內存中的少量兆位的隨機存取存儲器的容量。該存儲器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標準SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
)4Mbit-64Mbit.7.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR
2013-08-29 10:11:56
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
我們在PSoC? Creator 中有一個 PSoC6 項目，并希望將 QSPI F-RAM?存儲器添加到TDA5235_868_5_BOARD中。我很難找到如何在F-RAM? PSoC
2024-03-01 12:14:13
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數據會丟失讀寫速度較快內存非易失性存儲器：掉電數據不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
)4Mbit-64Mbit.4.Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機存儲器)4Mbit-64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM
2013-08-23 11:00:03
1.芯片簡介鐵電存儲器F-RAM，2Mbit（256K * 8） SPI（Upto 40MHz）項目有用到，做個mark，有錯誤請指正。2.接線引腳較少，具體可參考datasheet中引腳定義和接線
2022-03-02 06:55:36
汽車系統(tǒng)的設計變得越來越復雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確?？煽?、安全的操作，每個子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
.7.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit-512Mbit9.DDR2/DDR3 SDRAM (動態(tài)隨機
2013-08-30 10:31:33
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-07-17 09:52:33
FM22LD16 datasheet pdf,4Mbit F-RAM Memory
The FM22LD16 is a 256Kx16 nonvolatile memorythat reads
2010-03-03 15:05:31
11 FM28V100 datasheet pdf ,1Mbit Bytewide F-RAM Memory
The FM28V100 is a 128K x 8 nonvolatile
2010-03-03 15:07:3928 Ramtron的MaxArias?系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標準無線存取功能相結合，實現了創(chuàng)新的移動數據采集功能，MaxArias無線存儲器是
2010-08-06 11:55:4418 本文件涵蓋了F-RAM在汽車應用上的很多應用實例，包括安全氣囊、遠程信息處理技術、娛樂和控制系統(tǒng)
2010-08-09 11:33:1935 FM25V10 新型F-RAM系列產品,具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體
2008-09-23 08:45:123138 FM28V020 推出V系列并口256Kb F-RAM器件
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM) 和集成半導
2009-08-18 11:58:321836 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器
全球最大的序列式快閃存儲器(Serial Flash)生產制造公司宣布，領先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲器產品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01892 面向納電子時代的非易失性存儲器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術的非易失性存儲器（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28840 串行F-RAM存儲器 FM25V10-G，業(yè)已通過AEC-Q100 Grade 3標準認證，這一嚴格的汽車等級認證，是汽車電
2010-06-09 15:09:261128 32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫獣r間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統(tǒng)和軍事
2010-06-22 10:15:461097 本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易
2010-08-31 10:50:592835 
世界領先的低功耗鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣布，
2010-12-20 09:02:481385 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲器，W系列器件帶有串口I2C、SPI接口和并行接口，能夠提供從2.7V 到 5.5V的更寬電壓范圍
2011-03-12 10:47:552212 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出一款容量高達 72 Mbit 的先進先出 (FIFO) 存儲器。該款全新的高容量 (HD) FIFO 是視頻及成像應用的理想選擇，可滿足高效緩沖所需的高容量和高頻率要求
2011-06-17 09:42:022992 Synopsys, Inc.宣布：即日起推出面向多種180納米工藝技術的DesignWare? AEON?非易失性存儲器(NVM)知識產權(IP)。
2011-06-29 09:04:281353 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現已在IBM的新生產線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產品的樣片FM24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011946 Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預認證樣片，新產品采用Ramtron全新美國晶圓供應商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無延遲
2011-10-27 09:34:131838 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統(tǒng)設計開創(chuàng)了全新的機遇.
2012-02-07 09:00:551596 非易失性鐵電隨機存取存儲器（F-RAM）和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation （簡稱Ramtron） 在剛舉行的硅谷Design West/嵌入式系統(tǒng)會議 （Silicon Valley Design West/Embedde
2012-04-06 08:55:12925 低能耗半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron與日本ROHM簽署了製造和授權許可合作協(xié)定，根據這項長期協(xié)定，ROHM公司將在其成熟的F-RAM生產線上為Ramtron公司製造基于F-RAM技術的半導體產品
2012-08-08 09:54:52988 世界領先隨機存取存儲器（F-RAM）和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron宣布，現已提供可與飛思卡爾半導體公司廣受歡迎的Tower System開發(fā)平臺共用的全新F-RAM存儲器模塊。
2012-10-08 14:31:231245 電子發(fā)燒友網核心提示 ：什么是F-RAM？F-RAM：鐵電隨機存儲器。 相對于其它類型的半導體技術而言，鐵電隨機存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經確定的半導體存儲器可以分
2012-10-19 11:25:353955 
什么是F-RAM？ F-RAM：鐵電隨機存儲器。相對于其它類型的半導體技術而言，鐵電隨機存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經確定的半導體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:336821 ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-11 14:09:563 ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-12 15:33:1110 ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-14 11:26:2518 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile
2017-09-14 11:29:227 The FM28V102A is a 64 K × 16 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile,
2017-09-14 11:32:150 The FM16W08 is a 8 K × 8 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile
2017-09-14 11:43:0513 SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM帶實時時鐘
2017-10-10 08:56:325 提供卓越性能和高可靠性。Excelon鐵電隨機存取存儲器（F-RAM）系列具有高速非易失性數據記錄功能，即使在惡劣的汽車和工業(yè)環(huán)境中，以及處于極端溫度的情況下均可防止數據的丟失。
2018-03-17 09:40:005387 先進嵌入式解決方案的領導者賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）近日宣布推出新型串行非易失性存儲器系列，為關鍵任務數據采集提供卓越性能和高可靠性。Excelon?鐵電隨機存取存儲器（F-RAM
2018-03-19 10:12:587562 關鍵詞：賽普拉斯 , 16-Mbit , 存儲器 , nvSRAM 賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機訪問存儲器 (nvSRAM) 系列，其中
2018-09-30 00:22:02933 非易失性存儲器是指當電流關掉后，所存儲的數據不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內的數據是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0012754 ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款產品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。
2019-01-01 15:48:003018 非易失性存儲器技術是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候數據不會丟失的技術。非易失性存儲器技術得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:4118301 非易失性存儲器技術是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候數據不會丟失的技術。非易失性存儲器技術得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:009495 RS組件公司正在發(fā)布一個易于使用且價格低廉的開發(fā)工具包，使工程師能夠估計賽普拉斯半導體公司（Cypress Semiconductor）的高性能Excelon Ultra QSPI F-RAM內存技術。
2019-11-11 11:21:091445 的網絡開發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當前存儲器和新興的非易失性存儲器技術的特點，并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲器技術的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術與已建立的存儲器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:161487 
Ramtron International公司近日宣布推出采用精簡的FBGA封裝的4M F-RAM存儲器FM22LD16。FM22LD16是一個容量為4M，3V工作電壓，并行非易失性RAM，48腳
2020-08-30 10:09:011107 MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下來的十年中，兩種新興的非易失性存儲器類型（相變存儲器和磁RAM）將在獨立存儲器中處于領先地位。
2020-11-24 15:29:163440 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達成
2021-03-29 18:13:202147 和橫跨傳統(tǒng)市場的業(yè)務覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴展溫度的2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR。
2021-05-13 14:35:022186 賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。
2021-05-16 16:59:522044 
FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521561 TJA1044GT and Microchip MCP2558FDT-H/MNYCT收發(fā)器的，在溫度-40到85攝氏度，都是測試過可以在12Mbit/s的波特率下正常通信。下面是我們使用兩個PCAN-USB FD接口以500K/8MBit運行且總線負
2021-08-23 09:54:234564 
所謂的寄存器、內存等用于存儲信息的復雜結構。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指RAM，而RAM分為動態(tài)RAM（
2021-11-26 19:36:0437 FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點，富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片，這是富士通FRAM產品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:171147 FRAM 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗
2022-01-10 15:50:315157 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是一種非易失性存儲器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。FRAM兼具ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取存儲器）的特性，具有寫入速度更快、讀/寫
2022-03-02 17:18:361778 富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產品系列中密度最大的產品。
2022-04-24 16:06:021789 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產品。靜態(tài)隨機存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體正在批量生產具有快速數據傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 108MHz 的工作頻率下實現每秒 54MByte 的數據傳輸率，并具有四個 I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。
2022-08-26 15:35:441050 Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數據在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:081211 ROM中存儲的數據在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當斷電時，其中的數據將會丟失。
2023-06-20 16:38:445291 富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產品。目前已實現量產產品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數據量的增加和邊緣計算的擴展，客
2023-08-04 11:55:041194 
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:154718 4Mbit的磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1廣泛用于嵌入式系統(tǒng)
2024-04-22 09:57:36896 
非易失性存儲器，主要用于存儲固件、操作系統(tǒng)和其他重要數據。 存儲方式： RAM存儲器使用動態(tài)存儲器（DRAM）或靜態(tài)存儲器（SRAM）來存儲數據。 ROM存儲器使用各種類型的非易失性存儲技術，如PROM
2024-08-06 09:17:482547 非易失性存儲器（Non-Volatile Memory, NVM）是指即使在電源關閉或失去外部電源的情況下，仍能保持存儲數據的計算機存儲器。這類存儲器在數據保存方面具有重要的應用價值，特別是在需要長時間保持數據完整性的場合。
2024-09-10 14:44:453518 ? 非易失性存儲器是一種應用于計算機及智能手機等設備中的存儲裝置（存儲器），其特點是在沒有外部電源的情況下仍能保存數據信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:142471 
FM24CL04B：4-Kbit串行F-RAM的卓越性能與應用解析 在電子工程領域，非易失性存儲器的選擇對于系統(tǒng)的性能和可靠性至關重要。今天，我們將深入探討FM24CL04B這款4 - Kbit
2025-12-10 17:15:021639 
探索FM25L16B：高性能16-Kbit串行F-RAM的魅力 在電子設計領域，尋找一款高性能、可靠且耐用的非易失性存儲器是許多工程師的追求。今天，我將帶大家深入了解一款令人矚目的產品
2025-12-23 15:55:09139 （F-RAM），邏輯上組織為512 × 8位。它采用先進的鐵電工藝，具備諸多出色特性，為需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用提供了理
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2026-01-04 17:25:09367
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