N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43
25078 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。
2024-04-02 14:27:302757 
線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開(kāi)關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開(kāi)始批量出貨。 ? ? 通過(guò)對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:501327 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請(qǐng)教個(gè)問(wèn)題本人有臺(tái)開(kāi)關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個(gè)大容，四個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管組成的對(duì)管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開(kāi)電沒(méi)問(wèn)題。只要工作就燒開(kāi)關(guān)管，大功率場(chǎng)效應(yīng)管，兩個(gè)對(duì)管。問(wèn)問(wèn)是怎么回事，會(huì)是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
自 1980 年代中期以來(lái)，MOSFET 一直是大多數(shù)開(kāi)關(guān)模式電源 （SMPS）中的首選晶體管技術(shù)。MOSFET用作初級(jí)開(kāi)關(guān)晶體管，并在用作門(mén)控整流器時(shí)提高效率。MOSFET 的結(jié)構(gòu)類(lèi)似于FET。在
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類(lèi)型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
，合適于功率MOSFET的應(yīng)用。這種結(jié)構(gòu)稱(chēng)為垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
電源，這樣就可以將N溝道同步整流功率MOSFET管放在高端。圖6：次級(jí)同步整流管放高端（左）、低端（4）通訊系統(tǒng)48V輸入系統(tǒng)的熱插撥如果是-48V的系統(tǒng)，熱插撥的功率MOSFET使用N溝道類(lèi)型，放在
2016-12-07 11:36:11
圖。為了改善某些參數(shù)的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導(dǎo)通電阻、提高開(kāi)關(guān)特性等有 不同的結(jié)構(gòu)及工藝，構(gòu)成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結(jié)構(gòu)。圖2是一種N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET。簡(jiǎn)而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結(jié)構(gòu)的極限而開(kāi)發(fā)的就是超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)。如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時(shí)，漂移層會(huì)增厚，存在導(dǎo)通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
增加，外延層需要更厚和更輕摻雜，以阻斷高壓。額定電壓每增加一倍，維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來(lái)的五倍以上。對(duì)于額定電壓為600V的MOSFET，超過(guò)95%的電阻來(lái)自外延層。顯然，要想顯著
2018-10-17 16:43:26
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601A馬達(dá)驅(qū)動(dòng)600V單相雙NMOS半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片
SA2601A是一款針對(duì)于雙NMOS的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，專(zhuān)為高壓、高速驅(qū)動(dòng)N型功率MOSFET和IGBT
2024-04-01 17:36:07
具有高脈沖電流緩沖級(jí)的設(shè)計(jì)最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動(dòng)N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動(dòng)電源
2021-05-11 19:40:19
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
了其對(duì)電壓波動(dòng)的適應(yīng)性。3. 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，集成度高
采用浮動(dòng)通道架構(gòu)，可直接驅(qū)動(dòng)工作電壓高達(dá)600V的高邊N溝道MOSFET或IGBT，無(wú)需復(fù)雜的隔離電源，極大地簡(jiǎn)化了半橋、全橋等拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)，降低了方案
2025-09-05 08:31:35
600V、4A/4A 半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)SiLM2285，超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢(shì)，解決工業(yè)開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題，實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
升/下降時(shí)間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提升高頻應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)： 獨(dú)特的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)，支持直接驅(qū)動(dòng)600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無(wú)需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)入垂直的N+區(qū)，中和N+區(qū)的正電荷空穴，從而恢復(fù)被耗盡的N+型特性，因此導(dǎo)電溝道形成，垂直N+區(qū)摻雜濃度高，具有較低的電阻率，因此導(dǎo)通電阻低。比較平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以
2017-08-09 17:45:55
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
自1980年代中期以來(lái)，MOSFET一直是大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源（SMPS）首選的晶體管技術(shù)。當(dāng)用作門(mén)控整流器時(shí)，MOSFET是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P
2021-04-09 09:20:10
采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專(zhuān)為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高MOS管開(kāi)關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
）
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：高壓超結(jié)工藝，效率更高、更可靠，適用于600V以上高壓應(yīng)用領(lǐng)域，行業(yè)前沿拓展產(chǎn)品。
應(yīng)用場(chǎng)景：PC電源開(kāi)關(guān)、電池、逆變器等。
此為RU15P12C的部分參數(shù) 可無(wú)償分享
原廠一級(jí)代理可為您答疑解惑
行業(yè)內(nèi)率先通過(guò) ISO9001、ISO14001質(zhì)量體系認(rèn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
2024-09-23 17:07:50
在工業(yè)電機(jī)、新能源逆變器等高功率應(yīng)用的設(shè)計(jì)中，你是否也在高壓驅(qū)動(dòng)的門(mén)檻前反復(fù)權(quán)衡？
如果你的電路需要在最高600V的母線電壓下工作，驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET或IGBT，什么樣的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器才能在高頻開(kāi)關(guān)
2025-12-03 08:25:35
加深理解，最好還是參閱技術(shù)規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)值和特性圖表?！緲?biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理功率MOSFET的種類(lèi)：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P
2008-08-12 08:43:32
103 20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:33:3315 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:39:0026 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:41:0020 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強(qiáng)型
2009-09-16 09:38:1810743 超高效率600V H系列整流器擴(kuò)展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導(dǎo)體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:111237 600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181434 安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)完備測(cè)試的N溝道功率MOSF
2010-02-05 08:37:092023 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:342107 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:051058 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓，高速半橋預(yù)潛水員對(duì)功率MOSFET和IGBT。它具有高側(cè)和低側(cè)的輸入，以及具有內(nèi)部死區(qū)時(shí)間的兩個(gè)輸出通道，以避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)。輸入邏輯水平與3.3v/5v/15v信號(hào)兼容。浮高側(cè)通道可驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3759 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589885 
SVF12N60F/S/K 600V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管資料下載。
2022-02-16 14:52:580 東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265831 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，其中
2022-04-01 09:12:423969 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH260UNE
2023-02-07 18:56:450 50 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX5008NBKH
2023-02-07 18:57:350 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-電源管理斷路器60XN
2023-02-15 18:40:320 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH600UNE
2023-02-20 20:06:390 30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNE
2023-02-27 19:04:542 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB600UNEL
2023-02-27 19:10:050 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ600UNEL
2023-02-27 19:10:580 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNEL
2023-02-27 19:16:050 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB600UNE
2023-03-02 22:48:200 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ600UNE
2023-03-02 22:49:200 優(yōu)越的電氣參數(shù)，呈現(xiàn)出最佳效能 強(qiáng)茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs，以拓展LowVF系列和LowTrr的產(chǎn)品線；此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路，而
2023-03-06 11:56:27709 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:09:541 STD4NK60ZT4一款N溝道600 V，1.7 Ω 內(nèi)阻，4A超級(jí)MESH功率MOS管
2023-08-21 10:49:565302 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:126730 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:412195 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《25V N溝道 NexFET? 功率MOSFET CSD16321Q5數(shù)據(jù)表 .pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:43:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《25V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:46:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1A，700V N溝道功率MOSFET UTC1N70-LC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-30 16:11:410 英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性?xún)r(jià)比，在全球范圍內(nèi)樹(shù)立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展，在全球范圍內(nèi)樹(shù)立了技術(shù)和性?xún)r(jià)比標(biāo)準(zhǔn)。CoolMOS8是英飛凌新一代
2024-09-03 08:02:39930 
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2025-03-18 17:20:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NCEP85T14 NCE N溝道超級(jí)溝槽功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-18 16:48:570 STMicroelectronics STP80N450K6 800V N溝道功率MOSFET是一款采用終極MDmesh K6技術(shù)設(shè)計(jì)的極高壓N溝道功率MOSFET。該技術(shù)
2025-10-28 11:44:44421 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-29 10:31:10190 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借700V級(jí)耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:31:08179 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-03 15:26:33300 仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-04 15:22:12226 仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源
2025-11-05 12:10:09283 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-06 16:05:07286 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N70D是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開(kāi)關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-06 16:12:24298 仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AF是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開(kāi)關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-06 16:15:37292 仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-07 10:23:59240 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源功率級(jí)、適配器、電機(jī)控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-11 09:23:54217 仁懋電子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開(kāi)關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-12 14:19:35317 仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及TO-220F封裝適配性，適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器
2025-11-17 14:37:39200 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14203 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25204 仁懋電子（MOT）推出的MOT13N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及500V耐壓，適用于高效開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-19 10:24:32240 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-19 11:15:03277 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N65HF是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及650V耐壓，適用于高效開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-24 14:33:13243 mm封裝，具有下拉和中心柵極設(shè)計(jì)，可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電源負(fù)載開(kāi)關(guān)和直流/直流應(yīng)用。
2025-11-24 15:35:18263 
仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-24 14:45:26185 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性直接影響著整個(gè)電路的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 這款 100V、3.9mΩ、138A 的單 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-01 15:35:07232 
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