）堅(jiān)守“數(shù)據(jù)+AI，賦能制造”的核心方向，在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)拓展、生態(tài)共建等領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，以一系列實(shí)打?qū)嵉某晒蔀?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體智能制造賽道的核心推動(dòng)者。這一年，每一步突
2025-12-31 17:07:23
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SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售培訓(xùn)手冊(cè)：電源拓?fù)渑c解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-12-24 06:54:12347 
近日，天合儲(chǔ)能宣布將與美國(guó)領(lǐng)先的儲(chǔ)能開(kāi)發(fā)、建設(shè)及運(yùn)營(yíng)方 Lightshift Energy（以下簡(jiǎn)稱(chēng) “Lightshift”） 進(jìn)一步擴(kuò)大戰(zhàn)略合作。在既有合作基礎(chǔ)上，雙方歷史累計(jì)及在建、將建項(xiàng)目合計(jì)，保障聯(lián)合交付儲(chǔ)能項(xiàng)目規(guī)模超過(guò) 1GWh，持續(xù)支持美國(guó)多個(gè)州的電網(wǎng)建設(shè)與穩(wěn)定運(yùn)行。
2025-12-22 15:14:42257 探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動(dòng)著各類(lèi)電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進(jìn)。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06517 英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開(kāi)關(guān)板：技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03225 【2025年12月10****日, 德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）榮獲由全球半導(dǎo)體聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱(chēng)
2025-12-10 15:36:28413 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 09:44:34249 
晶科儲(chǔ)能近日宣布進(jìn)一步擴(kuò)大其在英國(guó)的項(xiàng)目布局，新增加一套140MWh的電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能系統(tǒng)。首期的140MWh項(xiàng)目正在交付過(guò)程中，兩期項(xiàng)目合計(jì)容量達(dá)到280MWh，成為英國(guó)規(guī)模最大的電池儲(chǔ)能項(xiàng)目之一。兩期項(xiàng)目均將采用晶科儲(chǔ)能最先進(jìn)的Utility G2 5MWh液冷集裝箱儲(chǔ)能系統(tǒng)。
2025-12-09 15:19:36557 芯副總架構(gòu)師楊夢(mèng)晨與凝思軟件市場(chǎng)總監(jiān)葛佰勇代表雙方企業(yè)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。此次戰(zhàn)略攜手，是兆芯完善信創(chuàng)生態(tài)布局的重要舉措，將進(jìn)一步強(qiáng)化“芯片+操作系統(tǒng)”核心鏈路的協(xié)同優(yōu)勢(shì)，為信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入“芯”動(dòng)能。
2025-12-05 10:39:451259 BlackBerry有限公司（紐約證券交易所代碼：BB；多倫多證券交易所代碼：BB）旗下業(yè)務(wù)部門(mén)QNX與中國(guó)創(chuàng)新汽車(chē)半導(dǎo)體供應(yīng)商芯馳科技今日宣布，雙方將進(jìn)一步深化合作，基于芯馳科技最新一代X10
2025-12-04 16:42:271655 今日，深圳市眾森軟件有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)"眾森軟件")正式宣布與全球領(lǐng)先的實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)與嵌入式軟件供應(yīng)商 QNX(BlackBerry有限公司旗下部門(mén)QNX)進(jìn)一步深化戰(zhàn)略合作。此次合作將進(jìn)一步推動(dòng)下一代智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)與智慧出行解決方案的研發(fā)與商業(yè)化落地，助力汽車(chē)產(chǎn)業(yè)智能化轉(zhuǎn)型。
2025-12-04 16:40:191801 ——文曄科技股份有限公司（臺(tái)股代碼：3036）今日宣布雙方將進(jìn)一步強(qiáng)化戰(zhàn)略合作，共同為亞洲市場(chǎng)提供更強(qiáng)大的氮化鎵與碳化硅功率器件技術(shù)支持與供應(yīng)鏈服務(wù)。
2025-12-04 15:13:401264 近日，全球領(lǐng)先的光伏與儲(chǔ)能企業(yè)晶科能源宣布，與歐洲分銷(xiāo)客戶(hù)簽約近50MW 飛虎3（Tiger Neo 3.0）N型高效組件供貨協(xié)議。晶科飛虎3組件具備的高功率效率、高雙面率、低衰減率以及更優(yōu)的弱光性能，將進(jìn)一步推動(dòng)歐洲清潔能源項(xiàng)目的高質(zhì)量發(fā)展。
2025-12-02 17:46:49760 傾佳電子光伏與儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)型的深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源
2025-12-01 09:49:522168 
11月25日，英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(jiǎng)（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半導(dǎo)體
2025-11-26 09:32:50568 
近日，創(chuàng)維汽車(chē)智能迎來(lái)重要突破：上汽奧迪客戶(hù)將當(dāng)前公司開(kāi)發(fā)的顯示屏項(xiàng)目沿用至上汽奧迪其他主力車(chē)型。這一決定不僅體現(xiàn)了客戶(hù)對(duì)創(chuàng)維汽車(chē)智能技術(shù)實(shí)力與服務(wù)品質(zhì)的高度認(rèn)可，更標(biāo)志著雙方合作進(jìn)一步深化升級(jí)。
2025-11-25 10:32:34580 基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）碳化硅MOSFET跨導(dǎo)特性及其與英飛凌主流同規(guī)格產(chǎn)品對(duì)比的深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連
2025-11-22 07:05:311110 本篇文章將進(jìn)一步根據(jù)SOA本身的結(jié)構(gòu)參數(shù)（如波導(dǎo)長(zhǎng)度、波導(dǎo)體積）、特性參數(shù)（增益系數(shù)、透明載流子濃度，耦合參數(shù)），注入?yún)?shù)（偏置電流、輸入光功率）等作為輸入，結(jié)合簡(jiǎn)化的載流子速率方程，仿真求解SOA的增益特性。
2025-11-05 09:48:03353 
和開(kāi)關(guān)損耗均有明顯減小。SiC MOSFET器件的使用，給實(shí)際系統(tǒng)效率的進(jìn)一步提高，以及系統(tǒng)體積的進(jìn)一步減小帶來(lái)了希望。尤其在光伏逆變與電池充電等對(duì)效率和體積均有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，SiCMOSFET的工程使用已成為炙手可熱的話(huà)題。 SiC最大的優(yōu)勢(shì)
2025-11-05 08:22:008362 
【2025年10月24日, 德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）通過(guò)增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝
2025-10-31 11:00:59297 ，我們始終聚焦半導(dǎo)體功率器件這一關(guān)鍵賽道，以“打造國(guó)際一流品牌”為目標(biāo)，在核心技術(shù)攻堅(jiān)的道路上從未停歇。從芯片架構(gòu)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)到性能參數(shù)的極致打磨，每一步突破都凝結(jié)著團(tuán)隊(duì)對(duì)“專(zhuān)精特新”精神的踐行——專(zhuān)注細(xì)分領(lǐng)
2025-10-28 09:47:31438 802.15.4ab 標(biāo)準(zhǔn)修訂版發(fā)展，借助UWB技術(shù)改進(jìn)，進(jìn)一步提升系統(tǒng)性能，擴(kuò)展 UWB技術(shù)的應(yīng)用范圍。不斷發(fā)展進(jìn)化的UWB 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)有望顯著
2025-10-16 14:19:012449 FCC即將通過(guò)新規(guī)，進(jìn)一步封堵華為、海康威視2025年10月7日，美國(guó)聯(lián)邦通信委員會(huì)（FCC）主席宣布，F(xiàn)CC委員會(huì)即將投票表決一項(xiàng)新規(guī)，旨在填補(bǔ)現(xiàn)有法規(guī)中可能被利用的兩大漏洞，以阻止存在“風(fēng)險(xiǎn)
2025-10-13 18:11:46650 
2025 年 9 月 29 日，康盈半導(dǎo)體總部基地在浙江省衢州市正式奠基。這一里程碑事件，標(biāo)志著康盈半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)布局更進(jìn)一步，打造存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)新高地的號(hào)角吹響，同時(shí)是扎根國(guó)內(nèi)、立足全球的全新起點(diǎn)，為長(zhǎng)三角半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能，助力中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展進(jìn)程！
2025-10-13 16:59:531535 相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開(kāi)關(guān)頻率場(chǎng)合時(shí)其開(kāi)關(guān)損耗隨著開(kāi)關(guān)頻率的增加亦快速增長(zhǎng)。 為進(jìn)一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:03
37 。通過(guò)在不同光照強(qiáng)度、不同波長(zhǎng)的光照射下進(jìn)行測(cè)試，科研人員可以了解新器件的性能特點(diǎn)，為其進(jìn)一步的改進(jìn)和應(yīng)用提供數(shù)據(jù)支持。
**半導(dǎo)體器件失效分析**
當(dāng)半導(dǎo)體器件在使用過(guò)程中出現(xiàn)故障時(shí)，需要通過(guò)測(cè)試
2025-10-10 10:35:17
9 月 28 日消息，兩家重要功率半導(dǎo)體企業(yè)德國(guó)英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 根據(jù)這份協(xié)議，雙方
2025-09-29 18:24:361709 
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車(chē)載充電器、太陽(yáng)能
2025-09-29 10:46:22303 安世半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路，在質(zhì)量和可靠性方面享有盛譽(yù)。安世半導(dǎo)體矢志創(chuàng)新，不斷快速擴(kuò)展產(chǎn)品組合，尤其是功率 MOSFET、寬帶間隙半導(dǎo)體、IGBT 以及
2025-09-24 10:08:571930 BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET技術(shù)深度分析與應(yīng)用設(shè)計(jì)指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2025-09-19 17:34:561103 
傾佳電子功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)深度解析：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)挑戰(zhàn)與可靠性實(shí)現(xiàn) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2025-09-14 22:59:12920 
近日，云知聲智能科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“云知聲”，股票代碼：9678.HK）與某頭部財(cái)產(chǎn)保險(xiǎn)公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“該財(cái)險(xiǎn)公司”）進(jìn)一步擴(kuò)大合作，雙方正式簽署協(xié)議，將業(yè)務(wù)從智能醫(yī)療審核延伸至該財(cái)險(xiǎn)公司關(guān)注的傷殘等級(jí)、三期鑒定等更多維度的車(chē)險(xiǎn)核賠風(fēng)控業(yè)務(wù)，標(biāo)志著雙方合作進(jìn)入規(guī)?；?、深層次新階段。
2025-09-10 15:43:07687 適用于電動(dòng)車(chē)、電瓶車(chē)、扭扭車(chē)供電，車(chē)充（含卡車(chē)車(chē)充）、MCU 模塊供電、鋰電充放及 POE 等方案。無(wú)論是追求精簡(jiǎn)設(shè)計(jì)、高性?xún)r(jià)比，還是看重寬工況適配與安全防護(hù)，Hi9103B 都能為工程師提供高效、可靠的電源驅(qū)動(dòng)解決方案，助力快速推進(jìn)項(xiàng)目落地。?如有需要進(jìn)一步了解，請(qǐng)找聚能芯半導(dǎo)體羅小姐
2025-09-06 11:40:15
8月26日上午，英飛凌科技憑借第二代CoolSiCMOSFETG21400V分立器件以及全新封裝的1200VEasyC系列碳化硅模塊，以其卓越的產(chǎn)品性能和創(chuàng)新的技術(shù)設(shè)計(jì)，榮獲2025年半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)新
2025-08-27 17:06:001305 功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng)，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉(zhuǎn)換。這種
2025-08-25 15:30:17664 
，Hi9001 同步降壓 BUCK 都能精準(zhǔn)匹配。現(xiàn)在選擇 Hi9001，讓電源設(shè)計(jì)告別繁瑣、告別隱患，以高集成、高可靠、高效率的優(yōu)勢(shì)，為您的產(chǎn)品賦能！
需要進(jìn)一步了解或需要樣品測(cè)試請(qǐng)聯(lián)系聚能芯半導(dǎo)體羅小姐
2025-08-22 17:40:26
8月18日，蔚來(lái)公司宣布將于2025年至2026年期間陸續(xù)進(jìn)入新加坡、烏茲別克斯坦和哥斯達(dá)黎加三個(gè)市場(chǎng)，進(jìn)一步拓展其全球業(yè)務(wù)，為當(dāng)?shù)赜脩?hù)帶來(lái)創(chuàng)新、可持續(xù)、高品質(zhì)的智能電動(dòng)出行體驗(yàn)。
2025-08-20 17:00:531205 的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進(jìn)一步提升了MOSFET的主要性能指標(biāo)，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性?xún)r(jià)比
2025-08-19 14:45:005067 
、游戲鍵盤(pán)、游戲鼠標(biāo)，還是手機(jī)周邊、DJ 設(shè)備等，都能憑借它煥新升級(jí)，帶來(lái)震撼視覺(jué)體驗(yàn)，是提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的理想之選。
需要進(jìn)一步了解或樣品，請(qǐng)聯(lián)--系聚能芯半導(dǎo)體羅小姐
2025-08-12 17:54:28
【2025年7月24日, 德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新型英飛凌ID Key系列，進(jìn)一步擴(kuò)展
2025-07-29 13:14:18529 
功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見(jiàn)類(lèi)型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250 
對(duì)排出氣體進(jìn)行純化處理，去除微量水分及揮發(fā)性有機(jī)物后，經(jīng)冷干機(jī)進(jìn)一步脫水，最終通過(guò)變頻壓縮機(jī)重新壓回儲(chǔ)氣罐。此設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)95%以上的氮?dú)饣厥章?，顯著降低運(yùn)行成本。關(guān)
2025-07-29 11:05:40472 
突破性的 SuperQ 技術(shù)標(biāo)志著自 25 年前 Super Junction 以來(lái) 硅 MOSFET 架構(gòu)的首次重大進(jìn)展。 ? 美國(guó)賓州利哈伊谷，2025年7月24日?– iDEAL半導(dǎo)體，一
2025-07-28 16:18:19880 近日，總投資超200億元的長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項(xiàng)目正式運(yùn)營(yíng)投產(chǎn)。該項(xiàng)目是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地，年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓，可滿(mǎn)足144萬(wàn)輛新能源汽車(chē)制造需求，推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)
2025-07-22 07:33:221042 
評(píng)估板及開(kāi)發(fā)板資料，方便應(yīng)用代碼評(píng)測(cè)；
CW32L012的推出，進(jìn)一步豐富了武漢芯源半導(dǎo)體的低功耗MCU產(chǎn)品線(xiàn)，為消費(fèi)電子、電動(dòng)工具和工業(yè)控制等應(yīng)用領(lǐng)域提供了更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案，從而加速客戶(hù)新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)
2025-07-16 16:32:30
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件各級(jí)模型的基礎(chǔ)知識(shí)，使
2025-07-11 14:49:36
近期，ROHM半導(dǎo)體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專(zhuān)為48V電源架構(gòu)中的熱插拔電路設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器及工業(yè)電源，尤其是在需要電池保護(hù)的場(chǎng)合。隨著
2025-07-03 10:23:21859 
近日，軟通動(dòng)力成功中標(biāo)聯(lián)通（廣東）產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)有限公司2025年軟件技術(shù)開(kāi)發(fā)集中采購(gòu)項(xiàng)目，中標(biāo)份額位列榜首。這一突破性成果，不僅彰顯了軟通動(dòng)力在數(shù)字技術(shù)服務(wù)領(lǐng)域的綜合實(shí)力，也標(biāo)志著其與中國(guó)聯(lián)通合作關(guān)系的進(jìn)一步深化。
2025-07-01 09:18:071028 了解晶圓級(jí)封裝如何進(jìn)一步提高芯片的連接密度，為后續(xù)技術(shù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。
2025-06-27 16:51:51614 5G與工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的進(jìn)一步融合可以從多個(gè)方面入手，以實(shí)現(xiàn)更高效、智能、靈活的工業(yè)生產(chǎn)與管理。以下是一些具體的融合方向和建議： 一、技術(shù)融合與創(chuàng)新 增強(qiáng)網(wǎng)絡(luò)連接能力 ： 5G網(wǎng)絡(luò)以其高速率、低延遲
2025-06-18 17:46:12834 的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進(jìn)一步提升了MOSFET的主要性能指標(biāo)，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性?xún)r(jià)比提高了15%，是各種
2025-06-09 17:45:191086 采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計(jì)元素共同實(shí)現(xiàn)了出色的開(kāi)關(guān)性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線(xiàn)則可幫助設(shè)計(jì)人員進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)損耗。
2025-06-09 09:57:38858 隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過(guò)降低能量損耗，來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿(mǎn)足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44804 與定義，他在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域堅(jiān)守了18年，也積累豐富實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。工作角色轉(zhuǎn)變后，張大江開(kāi)始更加注重以客戶(hù)需求為導(dǎo)向，從市場(chǎng)角度思考問(wèn)題。想要在市場(chǎng)中脫穎而出，做好品牌宣傳是很關(guān)鍵的一步。在張大江的布局下
2025-05-19 10:16:02
近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車(chē)用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲(chǔ)能等
2025-05-09 11:45:401018 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD（肖特基二極管）的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列CoolGaN G5，該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率
2025-04-28 00:19:003055 
此前，2025年4月15日至17日，東海半導(dǎo)體攜前沿技術(shù)與創(chuàng)新成果亮相2025慕尼黑上海電子展。作為全球電子行業(yè)的重要交流平臺(tái)，本次展會(huì)匯聚了來(lái)自世界各地的行業(yè)專(zhuān)家、企業(yè)代表及專(zhuān)業(yè)觀眾，東海半導(dǎo)體通過(guò)多元化的產(chǎn)品展示與行業(yè)對(duì)話(huà)，進(jìn)一步鞏固了其在功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2025-04-22 15:28:36895 近日，上汽英飛凌汽車(chē)功率半導(dǎo)體(上海)有限公司發(fā)布了關(guān)于其無(wú)錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目的環(huán)境影響評(píng)價(jià)(環(huán)評(píng))公告。該項(xiàng)目的總投資額達(dá)到3.1億元人民幣，計(jì)劃選址于無(wú)錫分公司，旨在進(jìn)一步提升其生
2025-04-21 11:57:13785 
意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）披露了全球制造布局重塑計(jì)劃細(xì)節(jié)，進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計(jì)劃。2024年10月，意法半導(dǎo)體發(fā)布了一項(xiàng)覆蓋全公司的計(jì)劃，擬進(jìn)一步增強(qiáng)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，鞏固公司全球半導(dǎo)體龍頭地位，利用公司的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產(chǎn)，保障公司的垂直整合制造（IDM）模式長(zhǎng)期發(fā)展。
2025-04-18 14:15:47993 ?MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，助力科士達(dá)大功率高頻UPS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。英飛凌與科士達(dá)已共同攜手三十余年，
2025-04-16 10:26:26826 
建立其在軟件定義汽車(chē)領(lǐng)域的系統(tǒng)能力，從而補(bǔ)充并擴(kuò)展其業(yè)界領(lǐng)先的微控制器（MCU）業(yè)務(wù)。英飛凌與Marvell Technology（NASDAQ代碼：MRVL）已簽署最終交易協(xié)議，交易價(jià)格為25億美元
2025-04-09 11:10:17959 
? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過(guò)將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合，打造智能、高效、高功率
2025-04-08 18:12:443885 
飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
Eatron將雙方當(dāng)前在汽車(chē)電池管理解決方案（BMS）領(lǐng)域的合作范圍擴(kuò)展至完整的BMS產(chǎn)品組合，包括各種工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用。借助英飛凌PSOC?微控制器，這項(xiàng)合作將人工智能驅(qū)動(dòng)的電池優(yōu)化軟件和先進(jìn)功率半導(dǎo)體元件的優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起，創(chuàng)造出一種前沿的解決方案，能更大限度地降低電池性能衰減
2025-03-19 13:38:08423 
MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電壓以獲得最佳效率。內(nèi)部自適應(yīng)無(wú)重疊電路通過(guò)防止兩個(gè) MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)損耗。
當(dāng) VCC 低于指定閾值電壓時(shí)，UVLO 電路可防止故障發(fā)生。
芯片特點(diǎn)
· 驅(qū)動(dòng)2
2025-03-17 16:10:59
? 新一代 AI 數(shù)據(jù)中心電池備份單元 (BBU) 的推出體現(xiàn)了英飛凌樹(shù)立 AI 供電新標(biāo)準(zhǔn)的承諾 該路線(xiàn)圖包括全球首款 12 kW BBU BBU 擁有高效、穩(wěn)定且可擴(kuò)展的電量轉(zhuǎn)換能力，功率密度較
2025-03-14 11:09:02494 
問(wèn)題。 驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 已針對(duì)半橋應(yīng)用進(jìn)行 了優(yōu)化。高側(cè)或低側(cè) MOSFET 柵極的驅(qū)動(dòng)電 壓可以工作在寬電壓范圍內(nèi)，并且獲得最佳效 率。內(nèi)部自適應(yīng)死區(qū)電路通過(guò)防止兩個(gè) MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通，進(jìn)一步降低
2025-03-12 14:40:26
集成中間件、顯式動(dòng)力學(xué)仿真軟件、數(shù)字孿生可視化應(yīng)用等硬件、軟件產(chǎn)品的兼容性認(rèn)證工作，推動(dòng)兆芯CPU應(yīng)用生態(tài)進(jìn)一步繁榮的同時(shí)，為行業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新與數(shù)字化轉(zhuǎn)型增添更多活力。
2025-03-12 10:15:531162 英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通，進(jìn)一步降低了開(kāi)關(guān)損耗。
當(dāng) VCC 低于規(guī)定的閾值電壓時(shí)，UVLO 電路工作，可有效防止芯片的誤動(dòng)作。設(shè)計(jì)中 的 EN 引腳可以使芯片進(jìn)入低靜態(tài)電流狀態(tài)， 并獲得較長(zhǎng)的電池壽命
2025-03-07 09:27:56
場(chǎng)景中的性能進(jìn)一步提升，成為下一代高效電源系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)。 LLC諧振轉(zhuǎn)換器的 最大應(yīng)用痛點(diǎn) 可歸結(jié)為： 復(fù)雜的設(shè)計(jì)與參數(shù)優(yōu)化、輕載效率與動(dòng)態(tài)響應(yīng)的平衡、高頻高功率下的元器件可靠性及成本壓力 。先在通過(guò)器件創(chuàng)新-比如應(yīng)用BASiC基本半導(dǎo)體(BASiC
2025-03-07 07:30:51842 
問(wèn)題。 驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 已針對(duì)半橋應(yīng)用進(jìn)行 了優(yōu)化。高側(cè)或低側(cè) MOSFET 柵極的驅(qū)動(dòng)電 壓可以工作在寬電壓范圍內(nèi)，并且獲得最佳效 率。內(nèi)部自適應(yīng)死區(qū)電路通過(guò)防止兩個(gè) MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通，進(jìn)一步降低
2025-03-06 15:55:22
8英寸、12英寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)，布局SiC與65nm特色工藝，產(chǎn)品涵蓋功率器件與顯示驅(qū)動(dòng)芯片，2024年12英寸產(chǎn)線(xiàn)達(dá)產(chǎn)后將進(jìn)一步提升國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)能。
7. 得瑞領(lǐng)新（DERA）
領(lǐng)域 ：存儲(chǔ)控制器與SSD
2025-03-05 19:37:43
公司副總裁張欣女士表示，2025年隨著結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能的進(jìn)一步釋放，公司預(yù)計(jì)全年產(chǎn)能同比增速有望突破300%，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高質(zhì)量半導(dǎo)體硅外延片的迫切需求。
2025-02-28 09:24:271156 迅為2K0300開(kāi)發(fā)板進(jìn)一步刨析，打造HMI一體機(jī)產(chǎn)品的靈活優(yōu)勢(shì)
2025-02-26 13:58:201100 
特朗普上任后，全球局勢(shì)將進(jìn)一步不明朗。如何確保自身產(chǎn)品鏈的穩(wěn)定性？今天針對(duì)高頻逆變器選擇國(guó)產(chǎn)MOS管：FHP230N06V的實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景與優(yōu)勢(shì)進(jìn)行專(zhuān)業(yè)解析。
2025-02-24 16:36:07824 
為進(jìn)一步優(yōu)化供應(yīng)鏈管理，提升合作效率，保障物料供應(yīng)，航盛近期開(kāi)展了半導(dǎo)體合作伙伴互動(dòng)交流活動(dòng)。航盛集團(tuán)總裁助理、采購(gòu)中心總監(jiān)羅斌帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)先后與NXP、三星、瑞薩、鎂光、英飛凌、TI、MPS
2025-02-24 11:46:24820 電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 中國(guó)科學(xué)院2月18日宣布，上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所在集成光量子芯片領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。中國(guó)科學(xué)院表示，該研究采用“搭積木”式混合集成策略，將III-V族半導(dǎo)體量子點(diǎn)光源與CMOS
2025-02-22 00:14:001327 【2025年2月20日, 德國(guó)慕尼黑訊】 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份
2025-02-21 16:38:52758 
西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件宣布與臺(tái)積電進(jìn)一步開(kāi)展合作，基于西門(mén)子先進(jìn)的封裝集成解決方案，提供經(jīng)過(guò)認(rèn)證的臺(tái)積電 InFO 封裝技術(shù)自動(dòng)化工作流程。 ? ? 西門(mén)子與臺(tái)積電的合作由來(lái)已久， 我們很高興合作開(kāi)發(fā)
2025-02-20 11:13:41960 ，該1550nm SOA器件具備高功率、高增益和低噪聲系數(shù)等多重優(yōu)勢(shì)。其內(nèi)置TEC(熱電制冷器)控溫系統(tǒng)，能夠確保器件在各種嚴(yán)苛環(huán)境下都能保持穩(wěn)定的性能輸出。同時(shí)，器件采用蝶形氣密封裝，進(jìn)一步提升了其可靠性和耐用性。 海飛通公司表示，這款高功率
2025-02-20 10:13:19961 了重要一步。 這批200mm SiC產(chǎn)品專(zhuān)為可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動(dòng)汽車(chē)等高壓需求而設(shè)計(jì)，將為用戶(hù)提供更加高效、可靠的功率解決方案。英飛凌的SiC技術(shù)以其出色的耐高溫、耐高壓性能著稱(chēng)，此次推出的200mm產(chǎn)品將進(jìn)一步鞏固其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先
2025-02-19 15:35:361300 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司英飛凌宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略舉措，即成立一個(gè)新的業(yè)務(wù)部門(mén)——傳感器單元和射頻（SURF）業(yè)務(wù)部門(mén)。該部門(mén)將整合英飛凌當(dāng)前的傳感器和射頻（RF）業(yè)務(wù)，旨在進(jìn)一步推動(dòng)公司在傳感器領(lǐng)域的發(fā)展。
2025-02-18 15:02:111154 2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠(chǎng)商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái)，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門(mén)產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742 
近日，珠海至微半導(dǎo)體零部件清洗項(xiàng)目正式破土動(dòng)工，標(biāo)志著上海至純科技在華南地區(qū)的戰(zhàn)略布局邁出了關(guān)鍵一步。該項(xiàng)目不僅將進(jìn)一步推動(dòng)半導(dǎo)體零部件清洗服務(wù)的升級(jí)與發(fā)展，更為華南地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的發(fā)展注入了新的活力與機(jī)遇。
2025-02-12 17:09:341235 來(lái)源：北京半導(dǎo)體協(xié)會(huì)? 2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在經(jīng)歷了先前的低迷之后，開(kāi)始呈現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)。根據(jù)SEMI報(bào)告顯示，全球半導(dǎo)體制造材料2023年市場(chǎng)規(guī)模約166億美元。雖然下游市場(chǎng)在2023年略顯疲軟
2025-02-07 11:07:541551 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
的重要組成部分，泰瑞達(dá)將收購(gòu)英飛凌位于德國(guó)雷根斯堡的自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備團(tuán)隊(duì)(AET)的部分專(zhuān)業(yè)人員。這筆交易對(duì)于雙方而言，無(wú)疑是一次互利共贏的合作。 通過(guò)此次收購(gòu)，泰瑞達(dá)將獲得更多專(zhuān)業(yè)技術(shù)和人才資源，從而進(jìn)一步加速其在功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的發(fā)展步伐
2025-02-06 11:32:51935 的發(fā)展戰(zhàn)略方向。具體來(lái)說(shuō)，兆馳集團(tuán)將以半導(dǎo)體芯片業(yè)務(wù)為根基，進(jìn)一步完善產(chǎn)業(yè)集群布局，重點(diǎn)打造化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)，為企業(yè)的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。兆馳集團(tuán)的新發(fā)展戰(zhàn)略與其過(guò)往的業(yè)務(wù)布局和技術(shù)積累一脈相承，既是對(duì)原
2025-01-23 11:49:081624 
近日，英飛凌科技在泰國(guó)曼谷南部的北欖府正式啟動(dòng)了一座新的功率半導(dǎo)體模塊制造廠(chǎng)的建設(shè)。這一舉措標(biāo)志著英飛凌在制造布局多元化方面邁出了重要的一步。
2025-01-22 18:15:571282 德國(guó)半導(dǎo)體巨頭英飛凌科技（Infineon Technologies）近日宣布了一項(xiàng)重要決策，將在泰國(guó)設(shè)立一座全新的半導(dǎo)體工廠(chǎng)。這座工廠(chǎng)將專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體的組裝工作，屬于“后工序”生產(chǎn)環(huán)節(jié)。
2025-01-22 15:48:001025 SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類(lèi)似壓縮的梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545890 
生產(chǎn)基地的破土動(dòng)工儀式在泰國(guó)政府大樓隆重舉行，英飛凌科技首席運(yùn)營(yíng)官Rutger Wijburg博士與泰國(guó)總理佩通坦·欽那瓦共同出席了此次活動(dòng)。在正式會(huì)晤后，Rutger Wijburg博士宣布了新工廠(chǎng)建設(shè)的正式啟動(dòng)。 據(jù)了解，這座新的后道工廠(chǎng)將進(jìn)一步提升英飛凌在半導(dǎo)體
2025-01-22 10:53:031077 的一環(huán)，對(duì)最終產(chǎn)品的性能、穩(wěn)定性和壽命具有直接的影響。本文將深入探討半導(dǎo)體固晶工藝及其相關(guān)設(shè)備的研究現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢(shì)以及在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要性。
2025-01-14 10:59:133004 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 質(zhì)量是企業(yè)的生命線(xiàn),是企業(yè)長(zhǎng)久發(fā)展的基石。近期，為進(jìn)一步提升公司質(zhì)量管理水平，國(guó)星半導(dǎo)體舉行“IATF 16949質(zhì)量管理體系認(rèn)證”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)議，這標(biāo)志著公司踏上了追求卓越質(zhì)量管理的新征程。
2025-01-07 14:59:391189 ，旨在通過(guò)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的技術(shù)升級(jí)和生產(chǎn)能力提升，進(jìn)一步加強(qiáng)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，以更好地滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。
2025-01-06 17:09:051342 設(shè)計(jì)芯片：半導(dǎo)體制造的起點(diǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造始于芯片設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)階段是整個(gè)制造過(guò)程的第一步，工程師們根據(jù)產(chǎn)品所需的功能來(lái)設(shè)計(jì)芯片。芯片設(shè)計(jì)完成后，下一步是將這些設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)體的晶圓。晶圓由重復(fù)排列
2025-01-06 12:28:111166 
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