繼臺(tái)積電（TSMC）于10月初宣布7nm極紫外光（EUV）芯片首次流片成功后，三星（Samsung）也宣布投片并逐步量產(chǎn)多款7nm極紫外光（EUV）芯片。

盡管臺(tái)積電早已量產(chǎn)的7nm工藝搶走了大部分訂單，但是其第二代采用EUV工藝的7nm芯片尚未量產(chǎn)。隨著三星7nm LPP EUV工藝的量產(chǎn)，其在晶圓代工領(lǐng)域呈現(xiàn)后來居上態(tài)勢(shì)。至于英特爾仍陷入10納米量產(chǎn)遞延的泥淖里，在工藝競(jìng)賽里恐居次落后。

三星7nm LPP芯片量產(chǎn)“抓緊”高通

10月18日，三星宣布7nm LPP（Low Power Plus）制程已進(jìn)入量產(chǎn)階段，全球首發(fā)EUV工藝，成功應(yīng)用EUV微影技術(shù)。官方稱基于EUV的7nm LPP成功量產(chǎn)為其推進(jìn)3nm奠定了基礎(chǔ)、指明了道路。而在產(chǎn)能方面，主要在韓國華城的S3工廠，2020年前會(huì)再開一條新產(chǎn)線。

據(jù)了解，三星7nm LPP采用EUV光刻，日產(chǎn)能已達(dá)到1500片。相較于其10nm節(jié)點(diǎn)，三星的7LPP工藝縮小多達(dá)40%的芯片面積，性能提升20%，并降低50%的功耗，消耗的掩膜也減少了20%。

一直以來，三星與高通的合作都較為緊密。然而由于三星7nm工藝遲遲未有進(jìn)展，有傳言稱高通最新芯片驍龍8150可能轉(zhuǎn)由臺(tái)積電代工。隨著三星第二代EUV工藝的7nm芯片量產(chǎn)后，驍龍8150等SoC的代工也迎來了變數(shù)。

據(jù)悉，高通新一代的5G基帶將采用三星的7nm LPP工藝，而驍龍8150/8180等SoC的代工是否會(huì)被三星拿下，也值得期待。

隨著GlobalFoundries宣布將其7nm計(jì)劃無限期擱置后，7nm及以下工藝賽道的“玩家”越來越少。2018年4月，臺(tái)積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，并拿下蘋果、華為、超微等客戶大單。近日，臺(tái)積電更是一舉拿下2019年蘋果A13芯片大單，大幅拉開與其他晶圓代工廠的差距。

10月18日，在臺(tái)積電法說會(huì)上，臺(tái)積電總裁暨副董事長(zhǎng)魏哲家針對(duì)7納米的進(jìn)展表示，2019年包括手機(jī)、高速運(yùn)算、繪圖處理器與人工智能等四大平臺(tái)需求都相當(dāng)強(qiáng)勁，7nm與增強(qiáng)版7nm工藝已超過100個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(Tape out)，明年7nm工藝比重將遠(yuǎn)高于2成水準(zhǔn)，預(yù)計(jì)7nm增強(qiáng)版要到2020年出貨會(huì)較多。

目前，臺(tái)積電已于2017年第4季進(jìn)行了7nm試產(chǎn)，部光罩工藝采用極紫外光（EUV）技術(shù)的7+（7nm強(qiáng)化版）預(yù)定2019年進(jìn)入量產(chǎn)。

下一階段，臺(tái)積電開始在***地區(qū)建設(shè)一座全新的5nm晶圓廠，預(yù)計(jì)將于2019年4月開始在5nm節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)完整的EUV風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2020年上半年量產(chǎn)。

值得一提的是，分析師郭明錤日前也透露了臺(tái)積電未來的產(chǎn)品規(guī)劃與動(dòng)向，其預(yù)測(cè)臺(tái)積電將會(huì)在2023年到2025年的時(shí)候?qū)⒂型黄频?nm或者5nm的時(shí)候?yàn)樘O果提供駕駛輔助系統(tǒng)定制款芯片。

反觀 Intel，剛發(fā)布的秋季桌面處理器i9仍然是14nm，而拖延已久的10nm要到2019年才能量產(chǎn)，7nm則是遙遙無期，5nm目前仍未見端倪。