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      MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生振蕩的原因及如何解決

      TI視頻 ? 來源：ti ? 2019-04-18 06:16 ? 次閱讀
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      MOSFET要使增強(qiáng)型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產(chǎn)生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。

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        發(fā)表于 12-16 06:02

        為什么MOSFET柵極前面要加一個(gè)100Ω電阻

        是MOS管柵極存在的寄生電容。一般為了加快MOS管導(dǎo)通和截止的速度，降低其導(dǎo)通和截止過程中的產(chǎn)生損耗，柵極上的等效電阻是應(yīng)該越小越好，最好為0。 但我們卻經(jīng)常會(huì)看到關(guān)于MOSFET的電
        發(fā)表于 12-02 06:00

        MOSFET柵極電壓異常或失控的原因與對(duì)策

        在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET以其高開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗而被廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)及DC-DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。然而，F(xiàn)AE在現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試和失效分析中發(fā)現(xiàn)，柵極電壓異?；蚴Э厥窃斐?b class='flag-5'>MOSFET
        的頭像 發(fā)表于 10-23 09:54 ?989次閱讀
        <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>柵極</b>電壓異?；蚴Э氐?b class='flag-5'>原因</b>與對(duì)策

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        的頭像 發(fā)表于 10-14 15:30 ?1001次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 10-14 11:42 ?682次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 05-06 15:54 ?1679次閱讀
        SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)

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        的頭像 發(fā)表于 04-14 16:48 ?1161次閱讀
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