DRAM，動態(tài)隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。 SRAM，靜態(tài)的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。 SDRAM，同步的DRAM，即數(shù)據的讀寫需要時鐘來同步。 DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經很快了，時鐘好像已經有150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實際吞吐率要打折扣。

以PC133為例，它的時鐘周期是7.5ns，當CAS latency=2 時，它需要12個周期完成8個突發(fā)讀操作，10個周期完成8個突發(fā)寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個周期完成一個讀寫操作（當然除去刷新操作）。其實現(xiàn)在的主流高速存儲器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。

SRAM中文含義為靜態(tài)隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器?！办o態(tài)”是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數(shù)據就不會丟失。這一點與動態(tài)RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。然后，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續(xù)供應的情況下才能夠保持數(shù)據?！半S機訪問”是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。

SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用于控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。

SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。

從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數(shù)據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關。

DRAM：動態(tài)隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。

SRAM：靜態(tài)的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。

SDRAM：同步的DRAM，即數(shù)據的讀寫需要時鐘來同步。主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。一個是靜態(tài)的，一個是動態(tài)的，靜態(tài)的是用的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息，而動態(tài)的是用電子，要不時的刷新來保持。 內存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM，和動態(tài)隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的“ 內存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。

SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非?？?，在快速讀取和刷新時能夠保 持數(shù)據完整性。SRAM內部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲數(shù)據。所以SRAM的電路結構非常復雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU 內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網絡服務器以及路由器上能夠使用SRAM。