chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

大晶磊半導(dǎo)體最新研發(fā)的針對中高壓碳化硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)解決方案

kus1_iawbs2016 ? 來源:lp ? 2019-04-11 14:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

半導(dǎo)體功率器件的未來主流將被替代為碳化硅器件的趨勢已經(jīng)非常明顯,光伏發(fā)電、新能源汽車車載充電器、新能源汽車充電樁這幾個(gè)領(lǐng)域,碳化硅器件已經(jīng)占據(jù)了相當(dāng)?shù)氖袌觯酉聛硖蓟杵骷⒅鸩礁嗟膽?yīng)用到UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、牽引、電網(wǎng)等方面。

SEMICON China作為中國首要的半導(dǎo)體行業(yè)盛事之一,于2019年3月20日到3月22日在上海新國際博覽中心隆重舉行。在大會(huì)舉辦的“功率與化合物半導(dǎo)體國際論壇中”主辦方請來了美國科銳、德國英飛凌,等行業(yè)龍頭企業(yè)來介紹最新的技術(shù)進(jìn)展和市場發(fā)展方向。

會(huì)上,浙江大晶磊半導(dǎo)體科技有限公司介紹了最新研發(fā)的針對中高壓碳化硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)解決方案。

浙江大晶磊半導(dǎo)體科技有限公司,成立與2018年,是屬于上海大革智能科技有公司的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈集團(tuán)的一個(gè)重要組成部分。大晶磊半導(dǎo)體是一家主要專注于碳化硅功率器件與功率器件應(yīng)用技術(shù)的企業(yè)。

隨著近年來國內(nèi)國際上,碳化硅功率器件技術(shù)的不斷發(fā)展。半導(dǎo)體功率器件的未來主流將被替代為碳化硅器件的趨勢已經(jīng)非常明顯。

光伏發(fā)電、新能源汽車車載充電器、新能源汽車充電樁這幾個(gè)領(lǐng)域,碳化硅器件已經(jīng)占據(jù)了相當(dāng)?shù)氖袌?。接下來隨著器件技術(shù)的不斷發(fā)展,制造產(chǎn)線的增加,碳化硅器件將逐步更多的應(yīng)用到UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、牽引、電網(wǎng)等方面。

在電網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅器件不斷地朝著耐更高的電壓、運(yùn)行的頻率提高、體積減小、小功率控制大功率,這幾個(gè)方向發(fā)展。而目前市場上,對于高壓應(yīng)用的碳化硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品還處于半空白狀態(tài)。

目前,針對高壓應(yīng)用的碳化硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)主要受限制于:絕緣設(shè)計(jì)、耦合電容、開關(guān)頻率三個(gè)方面。

目前,大晶磊半導(dǎo)體可以為市場提供通過90kV BIL測試的碳化硅驅(qū)動(dòng)模塊。而且此驅(qū)動(dòng)模塊可以將碳化硅MOSFET的開關(guān)頻率提升到500kHz,而耦合電容可以被控制在0.9pF。

同時(shí),大晶磊半導(dǎo)體還為此款驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中還包含的,獨(dú)有的高壓隔離電源設(shè)計(jì)方案。此款電源設(shè)計(jì)符合國際高壓標(biāo)準(zhǔn),在保證驅(qū)動(dòng)正常運(yùn)行的同時(shí),電源體積相對于市場上的傳統(tǒng)電源縮小三分之一。

浙江大晶磊半導(dǎo)體科技有限公司的研發(fā)團(tuán)隊(duì),接下來即將與國內(nèi)外的碳化硅器件供應(yīng)商一起為國內(nèi)電網(wǎng)領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)體器件的應(yīng)用提供解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9180

    瀏覽量

    226605
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29601

    瀏覽量

    252971
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3221

    瀏覽量

    51426

原文標(biāo)題:【成員風(fēng)采】大晶磊半導(dǎo)體,中高壓碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)方案

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    傾佳電子SiC碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制技術(shù):機(jī)理深度解析與基本半導(dǎo)體系級解決方案

    傾佳電子SiC碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制技術(shù):機(jī)理深度解析與基本半導(dǎo)體系級解決方案 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 10-02 09:29 ?163次閱讀
    傾佳電子SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>串?dāng)_抑制技術(shù):機(jī)理深度解析與基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>系級<b class='flag-5'>解決方案</b>

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?671次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>1200V工業(yè)級<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:25 ?966次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出34mm封裝的全<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋模塊

    SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:57 ?831次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>時(shí)代的<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>供電<b class='flag-5'>解決方案</b>:基本BTP1521P電源芯片

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?566次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

    傳統(tǒng)IGBT,成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著能效的躍升,更將重塑產(chǎn)業(yè)競爭格局。 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 06-09 07:07 ?527次閱讀
    熱泵與空調(diào)全面跨入SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?638次閱讀

    基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

    近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕?;?b class='flag-5'>半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代
    的頭像 發(fā)表于 05-09 09:19 ?866次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>攜<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件亮相PCIM Europe 2025

    基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

    BASiC基本股份半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?565次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

    基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-03 10:45 ?424次閱讀
    基于國產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)<b class='flag-5'>解決方案</b>

    傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒鉗位解決方案

    SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC
    的頭像 發(fā)表于 04-21 09:21 ?597次閱讀
    傾佳電子提供SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>正負(fù)壓<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>供電與米勒鉗位<b class='flag-5'>解決方案</b>

    超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?776次閱讀
    超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>升級至650V<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>力分析

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力、高擊穿電場和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環(huán)境,同時(shí)保持較高的電學(xué)性能。 二、碳化硅半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2104次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體
    發(fā)表于 01-22 10:43

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37