三星電子的投資計(jì)劃和宏偉目標(biāo)

2019年4月24日，三星電子公布了未來(lái)的投資計(jì)劃和目標(biāo)。三星電子的投資計(jì)劃，將在未來(lái)12年內(nèi)（1999年至2030年）將投資133萬(wàn)億韓元（約1200億美元）加強(qiáng)系統(tǒng)LSI和晶圓代工業(yè)務(wù)方面的競(jìng)爭(zhēng)力，擴(kuò)大非存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)。其中：73萬(wàn)億韓元（約660億美元）的國(guó)內(nèi)研發(fā)，60萬(wàn)億韓元（約540億美元）的生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施，預(yù)計(jì)每年平均投資11萬(wàn)億韓元（約100億美元）。

總體來(lái)說(shuō)，三星電子的目標(biāo)就是：保持存儲(chǔ)芯片全球第一的位置的同時(shí)，在晶圓代工領(lǐng)域挑落臺(tái)積電，在CMOS圖像傳感器領(lǐng)域擊敗索尼，在營(yíng)收方面維持對(duì)英特爾的領(lǐng)先，坐穩(wěn)全球第一大半導(dǎo)體廠商的寶座。

三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部發(fā)展歷程

三星電子有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部是指元件解決方案事業(yè)群(Device Solution Business)下面的內(nèi)存部門（Memory）、系統(tǒng)邏輯部門（SystemLSI）和晶圓代工部門（Foundry）；其中內(nèi)存包括DRAM、NAND Flash，系統(tǒng)邏輯芯片包括系統(tǒng)級(jí)芯片SOC、圖像傳感器CIS、顯示驅(qū)動(dòng)芯片、智能卡芯片、電源管理芯片。

三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部年收入占三星電子總收入的30%左右，對(duì)三星電子公司旗下的信息和手機(jī)（IT&Mobile）、消費(fèi)類電子產(chǎn)品（Consumer Electronics）兩大事業(yè)部的終端產(chǎn)品而言，是拉大后位競(jìng)爭(zhēng)者距離，縮小前方領(lǐng)先者差距，并強(qiáng)化重點(diǎn)終端產(chǎn)品差異化程度的重要角色。

三星電子成立于1969年，1974年通過(guò)收購(gòu)韓泰半導(dǎo)體公司（Hankook Semiconductor）50%的股份，成立半導(dǎo)體事業(yè)部，開(kāi)始進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)；1975年開(kāi)發(fā)出手表芯片；1977年7月開(kāi)始生產(chǎn)雙極晶體管；1979年收購(gòu)全資擁有韓泰半導(dǎo)體，并更名三星半導(dǎo)體；1983年正式進(jìn)軍存儲(chǔ)器行業(yè)，開(kāi)發(fā)出韓國(guó)第首個(gè)64K DRAM；1988年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)和電子及無(wú)線通訊業(yè)務(wù)合并成立三星電子；1994年開(kāi)始研發(fā)DSP；1995年推出第一個(gè)8位MCU；1997年推出700MHz Alpha處理器；2000年發(fā)布0.25μm 66MHz手機(jī)應(yīng)用處理器S3C44B0X；2002年成立SoC研發(fā)中心；2005年進(jìn)入CMOS傳感器領(lǐng)域，并開(kāi)始晶圓代工業(yè)務(wù)。

三星半導(dǎo)體在全球擁有七大生產(chǎn)基地，分別位于韓國(guó)器興、韓國(guó)華城、韓國(guó)安陽(yáng)、韓國(guó)平澤、美國(guó)奧斯汀、中國(guó)蘇州、中國(guó)西安。

三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部目前是全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商，2018年位居全球營(yíng)收排行榜第一位。

強(qiáng)化晶圓代工，挑落臺(tái)積電

1.三星電子晶圓代工發(fā)展歷程

2005年，三星電子開(kāi)始進(jìn)入12英寸邏輯工藝晶圓代工領(lǐng)域，至今已經(jīng)整整15年了，通過(guò)專注于先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)，致力為客戶提供最優(yōu)化的產(chǎn)品和服務(wù)，目前晶圓代工業(yè)務(wù)已經(jīng)成長(zhǎng)為面向全球FABLESS產(chǎn)業(yè)的低功耗、高性能SOC的代工公司之一。

從2005年到2009年，三星電子的年代工營(yíng)收不足4億美元。到2010年啃上蘋(píng)果（Appple），開(kāi)始代工蘋(píng)果A系列處理器（包括A4、A5、A6、A7），代工營(yíng)業(yè)收入出現(xiàn)爆長(zhǎng)，2010年整體代工收入激增至12億美元（其中蘋(píng)果A系列處理器產(chǎn)品代工收入達(dá)8億美元）。由于蘋(píng)果手機(jī)等移動(dòng)終端產(chǎn)品出貨激增，三星電子的晶圓代工營(yíng)收水漲船高，到2013年達(dá)到39.5億美元，當(dāng)年蘋(píng)果的代工收入占到公司代工總收入的86%。可以說(shuō)2010--2013年三星電子的代工營(yíng)收完全是靠蘋(píng)果在支撐。

由于20納米工藝制程良率無(wú)法突破等多方面的原因，2014年三星電子失去蘋(píng)果A系列處理器訂單，蘋(píng)果A8處理器全部交由臺(tái)積電（TSMC）代工；2015年好不容易搶到A9處理器部分訂單，但由于良率和功耗控制不如臺(tái)積電，導(dǎo)致2016年的A10處理器又全部由臺(tái)積電包圓。由于失去蘋(píng)果這個(gè)大客戶，導(dǎo)致2014年和2015年晶圓代工營(yíng)收出現(xiàn)下滑。

為了填補(bǔ)產(chǎn)能，三星電子代工部門積極出擊，搶下高通（Qualcomm）應(yīng)用處理器和服務(wù)器芯片、超微半導(dǎo)體（AMD）的微處理器芯片、英偉達(dá)（Nvidia）的圖形處理芯片、安霸（Ambarella）的視覺(jué)處理芯片、特斯拉（Tesla）的自駕系統(tǒng)芯片的訂單，得以彌補(bǔ)蘋(píng)果跑單的窘境。2016年?duì)I收達(dá)到44億美元，超過(guò)2013年的水平，創(chuàng)下三星電子晶圓代工營(yíng)收的新紀(jì)錄。

2.晶圓代工拆分

2017年5月12日，三星電子宣布調(diào)整公司業(yè)務(wù)部門，將晶圓代工業(yè)務(wù)部門從系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)部門中獨(dú)立出來(lái)，成立三星電子晶圓代工。據(jù)悉，新部門主要負(fù)責(zé)為全球客戶--高通和英偉達(dá)等--制造非存儲(chǔ)芯片，從而與以臺(tái)積電為首的純晶圓代工公司競(jìng)爭(zhēng)。

根據(jù)市場(chǎng)研究公司IC Insights的數(shù)據(jù)顯示，三星電子2017年晶圓代工營(yíng)收達(dá)46億美元，在全球晶圓代工市場(chǎng)以6%的市占率排名第四，前三分別是臺(tái)積電（TSMC）的56%，格芯半導(dǎo)體（GlobalFoundries）的9%，聯(lián)電（UMC）的8.5%；2018年晶圓代工營(yíng)收達(dá)100億美元，市占率達(dá)14%，排名全球第二。

2018年三星電子排名全球第二大晶圓代工公司，并非業(yè)績(jī)大增，實(shí)乃拆分部門導(dǎo)致。原因是晶圓代工部門自立門戶，不再隸屬于系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)。所以現(xiàn)在包括處理器芯片（Exynos等）、CIS圖像傳感器、顯示驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理芯片的生產(chǎn)收入都算作晶圓代工部門營(yíng)收，因此營(yíng)收一路高漲，市占率一夕飆高。

但千萬(wàn)別因此就小瞧三星的晶圓代工。

下面我們來(lái)談?wù)勅请娮拥木A代工的產(chǎn)能和工藝等情況。

3.晶圓代工工廠和產(chǎn)能

截止2018年底，三星電子晶圓代工專屬線有5條，包括4條12英寸和1條8英寸。

韓國(guó)器興（Kiheung）的S1，建成于2005年，是三星首條12英寸邏輯代工生產(chǎn)線，目前量產(chǎn)65納米至8納米低功耗芯片，產(chǎn)品主要用于計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)、智能手機(jī)、汽車、以及日益成長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)等。

美國(guó)奧斯?。ˋustin）的S2是由原8英寸廠改造而來(lái)；2010年8月開(kāi)始潔凈室建設(shè)，2011年4月開(kāi)始12英寸邏輯產(chǎn)品投產(chǎn)，當(dāng)年達(dá)產(chǎn)43000片；目前量產(chǎn)65納米至14納米產(chǎn)品。2010年設(shè)立研發(fā)中心，旨在為系統(tǒng)LSI部門開(kāi)發(fā)高性能、低功耗、復(fù)雜的CPU和系統(tǒng)IP架構(gòu)和設(shè)計(jì)。

韓國(guó)華城（Hwasung）的S3，是2018年建成投產(chǎn)的12英寸邏輯生產(chǎn)線，目前主要生產(chǎn)10納米至8納米產(chǎn)品，將是三星7納米產(chǎn)品的主力生產(chǎn)廠。

韓國(guó)華城的S4，是原DRAM用產(chǎn)線FAB11進(jìn)行改造，目前CMOS影像傳感器（CIS）專用生產(chǎn)線。位于華城的12英寸DRAM產(chǎn)線FAB13也正在加緊改造為CMOS影像傳感器專用生產(chǎn)線。

韓國(guó)華城的EUV專用產(chǎn)線自2018年2月開(kāi)工建設(shè)以來(lái)，正在加緊建設(shè)。工廠將投資60億美元，將于明年下半年完成建設(shè)、2020年正式投產(chǎn)。初期以7納米產(chǎn)品為主，輔以EUV***。

韓國(guó)器興的8英寸晶圓代工線FAB 6于2016年開(kāi)放，從180納米到70納米節(jié)點(diǎn)都可涵蓋，工藝技術(shù)包括嵌入式快閃記憶體（eFlash）、功率元件、影像感測(cè)器CIS，以及高電壓制程的生產(chǎn)，主要針對(duì)韓國(guó)本土的FABLESS。

目前，三星電子代工業(yè)務(wù)可以提供包括65納米、45納米、32/28納米HKMG、14納米FinFET、10納米FinFET、7納米FinFET EUV工藝，客戶包括蘋(píng)果、高通、超微半導(dǎo)體、賽靈思、英偉達(dá)、恩智浦（NXP）以及韓國(guó)本土公司Telechips等。

到2019年底，三星電子晶圓代工專屬線將增至7條，包括6條12英寸和1條8英寸。

4.晶圓代工工藝：追求先進(jìn)制程永不停歇

2005年三星電子進(jìn)入晶圓代工業(yè)；2006年首個(gè)客戶簽約65納米；2009年45納米工藝開(kāi)始接單，同年11月在半導(dǎo)體研究所成立邏輯工藝開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，以強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)；2010年1月首個(gè)推出32納米HKMG工藝。

由于蘋(píng)果訂單的丟失，三星在工藝研發(fā)方面加大投入，試圖證明基其技術(shù)領(lǐng)先地位。

2014年推出第一代14納米FinFET工藝，稱作14LPE（Low Power Early，低功耗早期），并于2015年成功量產(chǎn)；2016年1月推出第二代14納米FinFET工藝并量產(chǎn)，稱作14LPP（Low Power Plus，低功耗增強(qiáng)），功耗降低15%，用于Exynos 8 OCTA及高通驍龍（Snapdragon）820處理器；2016年5月推出第三代14納米FinFET工藝并量產(chǎn)，稱作14LPC；2016年11月推出第四代14納米FinFET工藝，稱為14LPU（Low PowerUltimate，低功耗終極）。并在14納米的基礎(chǔ)上，推出微縮版11LPP。

2016年10月17日，第一代10納米FinFET工藝量產(chǎn)，稱為10LPE，首款產(chǎn)品是應(yīng)用處理器Exynos 8895，另一客戶就是高通驍龍830，新工藝性能可以提供27%，功耗將降低40%；2017年11月，開(kāi)始批量生產(chǎn)第二代10納米FinFET工藝，稱為10LPP，性能提高10%，功耗降低15%，首款產(chǎn)品是Exynos 9810，另一客戶就是高通驍龍845；2018年6月，推出了第三代10納米FinFET工藝，稱為10LPU，性能再次得以提升。三星電子采用10納米的三重圖案光刻技術(shù)。

三星電子強(qiáng)調(diào)，10納米工藝系列（包括8納米衍生產(chǎn)品）的生命周期很長(zhǎng)。8LPP/8LPU在生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)換為EUV光刻技術(shù)之前，具有最大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。但我們要注意到，臺(tái)積電10納米工藝的營(yíng)收已經(jīng)逐季下滑，給人已經(jīng)放棄的感覺(jué)。而7納米工藝制程已經(jīng)成為臺(tái)積電第一大營(yíng)收來(lái)源。

那么我們來(lái)看看三星電子的10納米以下工藝的布局情況。

8LPP：8LPP在生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)換為EUV(Extreme Ultra Violet)光刻技術(shù)之前，具有最大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。結(jié)合三星10nm技術(shù)的關(guān)鍵工藝流程創(chuàng)新，與10LPP相比，8LPP在性能和門電路密度方面提供了額外的優(yōu)勢(shì)。2018年11月成功量產(chǎn)Exynos 9系列（9820）。

7LPP：7LPP將是第一個(gè)使用EUV光刻解決方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。這里要強(qiáng)調(diào)兩點(diǎn)，一是通過(guò)和ASML的合作，開(kāi)發(fā)出了250W最大的EUV源功率，這是EUV進(jìn)入到大量生產(chǎn)中的最重要的里程碑，EUV光刻技術(shù)的部署將打破摩爾定律擴(kuò)展的障礙，為單一的納米半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展鋪平了道路；二是關(guān)鍵IP將于2019年上半年完成研發(fā)，下半年將進(jìn)行投產(chǎn)。

5LPE：5LPE將采用三星獨(dú)特的智能縮放(Smart Scaling)解決方案，將其納入基于EUV的7LPP技術(shù)之上，可實(shí)現(xiàn)更大面積擴(kuò)展和超低功耗優(yōu)勢(shì)。

4LPE/LPP：4LPE/LPP是三星電子最后一次應(yīng)用高度成熟和行業(yè)驗(yàn)證的FinFET技術(shù)，結(jié)合此前5LPE工藝的成熟技術(shù)，芯片面積更小，性能更高，可以快速達(dá)到高良率量產(chǎn)，也方便客戶升級(jí)。

3LPP：3LPP將第一次使用全新的MBCFETTM（Multi Bridge Channel FET，多橋接通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)，基于三星電子特有的GAAFET（Gate All Around FET，環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)。GAAFET需要重新設(shè)計(jì)晶體管底層結(jié)構(gòu)，克服當(dāng)前技術(shù)的物理、性能極限，增強(qiáng)柵極控制，性能大大提升。預(yù)計(jì)2020年投入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。

5、加強(qiáng)封裝技術(shù)，布局FOPLP

2019年4月，三星電子收購(gòu)三星電機(jī)（SEMCO）的FOPLP業(yè)務(wù)。三星電子希望作憑籍搭配FOPLP封裝技術(shù)，再次挑戰(zhàn)臺(tái)積電的InFO，希望搶下2020年蘋(píng)果A系列處理器的代工訂單。

首先我們來(lái)了解一下FOPLP。FOPLP是Fan-Out Panel Level Packaging（面板級(jí)扇出型封裝）的縮寫(xiě)。

據(jù)悉，F(xiàn)OPLP可降低封裝厚度、增加導(dǎo)線密度、提升產(chǎn)品電性能，面板大工作平臺(tái)可提高生產(chǎn)效率，可運(yùn)用于5G、AI、生技、自駕車、智慧城市及物聯(lián)網(wǎng)等相關(guān)產(chǎn)品。由于有著成本上的優(yōu)勢(shì)，看好面板級(jí)扇出型封裝技術(shù)未來(lái)發(fā)展。目前積極布局FOPLP的公司除OAST公司安靠（Amkor）、日月光（ASE）/Deca、長(zhǎng)電科技（JCET）、納沛斯（nepes）、力成科技（PTI）、硅品（SPIL）外，還有PCB供應(yīng)商三星電機(jī)（SEMCO）、欣興電子（Unimicron）。

三星電機(jī)（SEMCO，Samsung Electro-Mechanics）成立于1973年，是三星電子的兄弟公司。三星電機(jī)主要由四個(gè)業(yè)務(wù)部門組成：元件解決方案部門，生產(chǎn)無(wú)源元件，如多層陶瓷電容（MLCC）和電感；基板解決方案部門，生產(chǎn)高密度互連板（HDI）、封裝基板和RFPCB；模組解決方案部門，生產(chǎn)攝像頭模組、WiFi模組；FOPLP部門，2016年新設(shè)立，從事面板級(jí)扇出型封裝技術(shù)研發(fā)。

三星電子在和臺(tái)積電爭(zhēng)搶蘋(píng)果A系列處理器訂單失利后，痛定思痛，決定成立特別工作小組，目標(biāo)開(kāi)發(fā)先進(jìn)封裝FOPLP技術(shù)，且2018年正式應(yīng)用于三星智能型手表Galaxy Watch的處理器封裝應(yīng)用中。

于是三星電機(jī)于2016年正式成立FOPLP部門，并收購(gòu)三星面板（Samsung Display）位于韓國(guó)天安（Cheonan）的液晶面板廠，進(jìn)行改造，建設(shè)FOPLP生產(chǎn)線，2017年10月開(kāi)始搬入設(shè)備，2018年10月正式量產(chǎn)。

三星電機(jī)研發(fā)FOPLP最初是用來(lái)生產(chǎn)電源管理芯片（PMIC），進(jìn)入2018年之后，開(kāi)始為三星Galaxy Watch制造用于應(yīng)用處理器（AP）芯片，預(yù)計(jì)2019年全面跨入異質(zhì)集成、晶圓堆疊的3D SiP系統(tǒng)級(jí)封裝。

三星電機(jī)用于Galaxy Watch的FOPLP有3個(gè)重布線層（RDL）和1個(gè)背面RDL（Backside RDL）。三星電機(jī)表示，將標(biāo)準(zhǔn)的層疊（PoP）結(jié)構(gòu)應(yīng)用于AP和PMIC的多芯片封裝，可以將封裝的厚度減少20%以上，從而提高了電氣和熱性能，并有助于擴(kuò)大產(chǎn)品的電池容量。

三星電機(jī)目前使用510x415mm規(guī)格的面板制造FOPLP，800x600mm規(guī)格的面板已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功。據(jù)悉面板尺寸可以根據(jù)客戶要求更改。

三星電子收購(gòu)三星電機(jī)的POPLP業(yè)務(wù)，就是要力拼臺(tái)積電。三星電機(jī)在FOPLP技術(shù)投入巨大，已量產(chǎn)的FOPLP-PoP與I-Cube 2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)，據(jù)稱可與臺(tái)積電的InFO、CoWoS封裝分庭抗禮。

臺(tái)積電當(dāng)年就是憑借InFO、CoWoS封裝技術(shù)從三星電子手中搶到蘋(píng)果A系列處理器訂單。

規(guī)劃第二跑道，發(fā)力FD-SOI

三星電子是FD-SOI的重要推動(dòng)力量。

按三星電子官方消息，晶圓業(yè)務(wù)部門的發(fā)展路徑從28納米節(jié)點(diǎn)開(kāi)始分為兩條，一條是按照摩爾定律繼續(xù)向下發(fā)展，不斷提升FinFET的工藝節(jié)點(diǎn)，從14納米到目前的10納米，進(jìn)而轉(zhuǎn)向下一步的7納米，好像，三星把8納米以下的數(shù)字都用上，8納米、7納米、6納米、5納米、4納米、3納米......

另一條線路就是FD-SOI工藝，從28納米（28FDS）起步，目前推出18納米（18FDS）。

不過(guò)三星研發(fā)FD-SOI的時(shí)間不長(zhǎng)。2014年5月14日，三星電子從意法半導(dǎo)體（STM）獲得了28納米FD-SOI工藝授權(quán)許可，并利用它創(chuàng)建了三星的28FDS工藝。2015年有三星電子代工業(yè)務(wù)人士透露，晶圓質(zhì)量已于2014年9月確認(rèn)，產(chǎn)品質(zhì)量已于2015年3月確認(rèn)，說(shuō)明FD-SOI技術(shù)已經(jīng)完全過(guò)關(guān)了。

28 FDS于2015年開(kāi)始投入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，2016年正式大規(guī)模量產(chǎn)。據(jù)悉目前有超過(guò)40種產(chǎn)品，為射頻應(yīng)用、嵌入式MRAM提供達(dá)400 GHz以上的最大頻率，并可應(yīng)用于汽車。28FDS有一個(gè)1.0伏的Vdd。據(jù)悉，三星電子在現(xiàn)有的28FDS基礎(chǔ)上，于2017、2018年添加RF與嵌入式非揮發(fā)性記憶體（NVM）技術(shù)，相比成熟的28LPP+eFlash+RF工藝，28FDS+eMRAM+RF更具競(jìng)爭(zhēng)力，其速度提升了25%。

18FDS將于2019年下半年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，大規(guī)模量產(chǎn)要到2020。其特點(diǎn)是后端采用三星的成熟14納米FinFET（14LPE / 14LPP）相同的BEOL互連，但采用了新的晶體管和FEOL。相比28FDS，18FDS提升了22%的性能（在相同的復(fù)雜性和功耗下），降低了37%的功耗（在相同的頻率和復(fù)雜度下），芯片面積減少了35%。據(jù)悉，18FDS也將支持RF和eMRAM，使得三星電子代工服務(wù)能滿足2020年及以后的5G時(shí)代RF和嵌入式存儲(chǔ)器的各種應(yīng)用需求。相比28FDS的Vdd（器件內(nèi)部的工作電壓）為1.0V，而18FDS的Vdd僅為0.8V。

2018年6月，ARM公司和三星電子推出業(yè)界首款采用28FDS的嵌入式MRAM（eMRAM）編譯器IP。2019年3月，ARM公司和三星電子宣布推出采用18FDS的嵌入式MRAM（eMRAM）編譯器IP，包括7個(gè)內(nèi)存編譯器、3個(gè)邏輯庫(kù)、2個(gè)GPIO庫(kù)(1.8和3.3V)、3個(gè)POP IP和eMRAM內(nèi)存編譯器；支持汽車AEC-Q100一級(jí)設(shè)計(jì)要求，并配備ASIL-D支持完整的汽車安全套件。

三星電子還利用其在存儲(chǔ)器制造方面的技術(shù)和規(guī)模優(yōu)勢(shì)，著力打造eMRAM，以滿足未來(lái)市場(chǎng)的需求。

2019年3月，三星電子宣布基于28FDS成熟工藝成功規(guī)模量產(chǎn)eMRAM（嵌入式磁阻內(nèi)存），可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。

更加關(guān)鍵的是，SOI晶圓供應(yīng)商Soitec于2019年1月22日宣布擴(kuò)大與三星電子合作，旨在保證FD-SOI晶圓的供應(yīng)，加強(qiáng)FD-SOI供應(yīng)鏈，并保證三星電子終端客戶的大批量生產(chǎn)。

目前，三星電子的FD-SOI客戶包括意法半導(dǎo)體、恩智浦、亞馬遜（Amazon）旗下的Blink等。

三星電子的兩大工藝路線FinFETT和FD-SOI已經(jīng)準(zhǔn)備妥當(dāng)，正在揖門接單。下面我們來(lái)看看三星電子的產(chǎn)品情況，包括應(yīng)用處理器、CMOS圖像傳感器等，這些產(chǎn)品能否大賣，將極大影響其代工業(yè)務(wù)的營(yíng)收。

應(yīng)用處理器蓄勢(shì)待發(fā)，挑戰(zhàn)現(xiàn)有格局

事實(shí)上，智能手機(jī)應(yīng)用處理器（AP）芯片領(lǐng)域，能夠擺得上桌面就是華為麒麟、蘋(píng)果A系列、高通驍龍、聯(lián)發(fā)科曦力和三星電子Exynos，當(dāng)然還有紫光展銳。

但目前Exynos應(yīng)用處理器只是三星電子自用，而沒(méi)有大規(guī)模外賣。至于原因，歸納網(wǎng)上各種說(shuō)法，無(wú)外乎主要有兩個(gè)方面：一個(gè)是高通的芯片制造由臺(tái)積電轉(zhuǎn)向了三星，其中交換的條件就是三星的旗艦手機(jī)必須要搭載驍龍?zhí)幚砥?，這是一個(gè)雙贏的局面；另一個(gè)原因也是三星電子的無(wú)奈，那就是基帶通信的問(wèn)題，由于三星電子沒(méi)有電信CDMA這方面的專利，所以Exynos處理器其實(shí)就是通信的殘缺版，無(wú)法滿足一部分用戶的需求，所以三星也不得不將部分旗艦的芯片換成高通驍龍。

2016年韓國(guó)公平交易委員會(huì)（KFTC）宣判高通專利授權(quán)模式違反公平競(jìng)爭(zhēng)原則，并對(duì)高通開(kāi)出8.54億美元的高額罰單，創(chuàng)下韓國(guó)反壟斷史上最高罰金記錄。為了降低韓國(guó)公平交易委員會(huì)開(kāi)出的天價(jià)罰單的影響，2018年2月高通與三星簽訂了長(zhǎng)期交叉授權(quán)協(xié)議，其內(nèi)容之一便是允許三星電子Exynos應(yīng)用處理器SoC供給第三方。

三星電子Exynos應(yīng)用處理器SoC得以外賣，使得三星電子可以打包兜售的方式進(jìn)軍全球應(yīng)用處理器市場(chǎng)，將充實(shí)自家晶圓代工訂單需求，大大拉動(dòng)其晶圓代工業(yè)務(wù)的營(yíng)收，并可以練兵旗下先進(jìn)制程業(yè)務(wù)。

重整CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)，力拼索尼

2018年12月，三星電子設(shè)備解決方案（DS）部門通過(guò)組織重組，在系統(tǒng)LSI部門下建立了一個(gè)“傳感器業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)”，負(fù)責(zé)LSI事業(yè)部?jī)?nèi)的CMOS圖像傳感器產(chǎn)品規(guī)劃和銷售，工藝研發(fā)由設(shè)備解決方案部門的代工部門完成。

CMOS圖像傳感器（CIS）可將半導(dǎo)體設(shè)備中的光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，是數(shù)碼相機(jī)和智能手機(jī)的標(biāo)配。近年來(lái)，配備多個(gè)相機(jī)鏡頭的智能手機(jī)越來(lái)越流行，CMOS圖像傳感器的需求也在不斷增加，并且隨著自動(dòng)駕駛車輛越來(lái)越受歡迎，CMOS圖像傳感器需求將進(jìn)一步激增，原因在于CMOS圖像傳感器可以成為自動(dòng)駕駛車輛的視神經(jīng)，識(shí)別道路和周圍環(huán)境的實(shí)時(shí)變化。

伴隨著手機(jī)雙攝的應(yīng)用以及被應(yīng)用于汽車等領(lǐng)域，CMOS圖像傳感器的增長(zhǎng)需求增長(zhǎng)迅速。市場(chǎng)研究公司IC Insights預(yù)測(cè)，到2022年，圖像傳感器市場(chǎng)市值預(yù)計(jì)從2018年的137億美元增加至190億美元。

三星電子CMOS圖像傳感器之前默默無(wú)聞，2013年推出ISOCELL技術(shù)之后，開(kāi)始奮起直追。根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)顯示，從銷售量上看，三星電子CMOS圖像傳感器份額在2017年的市場(chǎng)占有率已經(jīng)達(dá)到25.4%，和索尼的28.3%的市占率差距已縮小至3個(gè)百分點(diǎn)。但從銷售額看，索尼CMOS傳感器的全球市占率搞達(dá)52.2%，遙遙領(lǐng)先于三星電子的19.1%。從銷售額的角度看，三星電子的CMOS圖像傳感器想要追上龍頭索尼，還有段不小距離。

不過(guò)三星電子認(rèn)為獨(dú)創(chuàng)的ISOCELL技術(shù)比索尼技術(shù)強(qiáng)，2018年6月推出ISOCELL Plus技術(shù)。在推出新技術(shù)的同時(shí)，三星電子正在提升CMOS圖像傳感器生產(chǎn)能力，表示要超越索尼（Sony），成為市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。事實(shí)上，早在2017年三星電子就開(kāi)始擴(kuò)充12英寸CMOS圖像傳感器產(chǎn)能。截止2017年12月三星電子12英寸CMOS圖像傳感器的產(chǎn)能為每月4.5萬(wàn)組，2017年開(kāi)始改造12英寸DRAM產(chǎn)線FAB 11，2018年底完成改造；同時(shí)對(duì)FAB 13進(jìn)行改造，據(jù)悉，F(xiàn)AB 11和FAB 13的產(chǎn)能超過(guò)每月7萬(wàn)組，預(yù)計(jì)2019年底三星電子CMOS圖像傳感器產(chǎn)能將達(dá)12萬(wàn)組，超過(guò)索尼影像傳感器每月10萬(wàn)組的產(chǎn)能。

三星電子的傳感器業(yè)務(wù)原來(lái)主要面向移動(dòng)終端市場(chǎng)，現(xiàn)在增加了汽車圖像傳感器。三星電子表示，公司汽車圖像傳感器符合行業(yè)各種嚴(yán)苛的標(biāo)準(zhǔn)，能夠承受從?40°到105°C的極端溫度條件，可滿足汽車電子委員會(huì)AEC-Q100 2級(jí)標(biāo)準(zhǔn)（AEC-Q100 Grade 2）要求，憑借卓越的弱暗電流，即使在極端環(huán)境下也能提供優(yōu)質(zhì)圖像。三星電子強(qiáng)調(diào)，公司汽車圖像傳感器采用先進(jìn)的成像技術(shù)，推動(dòng)著自動(dòng)駕駛的創(chuàng)新和安全。

2018年10月，三星電子推出了汽車圖像傳感器品牌ISOCELL Auto。并向特斯拉提供車輛圖像傳感器，這是三星電子向汽車企業(yè)提供CMOS圖像傳感器的第一例，對(duì)三星電子擴(kuò)大代工事業(yè)的意義非常大。

三星電子的底氣：抗壓能力強(qiáng)

三星電子一方面在位于華城的S3晶圓廠投入了56億美元升級(jí)，部署7納米LPP EUV制程技術(shù)進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)；一方面投資6萬(wàn)億韓元（約54億美元）建設(shè)全新的EUV產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2019年竣工，2020年擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。

三星電子真是大手筆呀！

不過(guò)，這對(duì)于在風(fēng)云詭譎的存儲(chǔ)器市場(chǎng)血拼了30多年的三星來(lái)說(shuō)，實(shí)在不是個(gè)事！逆勢(shì)加碼投資，會(huì)是三星電子甩開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的好時(shí)機(jī)嗎？有專家表示，行業(yè)景氣不好時(shí)，正是內(nèi)部練兵時(shí)。

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