總投資200億元的名芯半導(dǎo)體項目簽約落戶贛州經(jīng)開區(qū)
近日，贛州經(jīng)開區(qū)與名芯有限公司(香港)、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院(簡稱“電研院”)簽訂三方合作框架協(xié)議，總投資200億元的名芯半導(dǎo)體項目順利落戶該區(qū)。
據(jù)悉，項目分兩期建設(shè)：一期投資60億元，建設(shè)一條8英寸功率晶圓生產(chǎn)線；二期投資120-140億元，規(guī)劃建設(shè)第三代6/8英寸晶圓制造生產(chǎn)線或12英寸硅基晶圓制造生產(chǎn)線。兩期項目達產(chǎn)達標(biāo)后，預(yù)計實現(xiàn)年產(chǎn)值100億元以上。項目涉及的產(chǎn)品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領(lǐng)域全部類別中80%品種。同時，項目規(guī)劃建設(shè)與晶圓關(guān)聯(lián)的封測工廠、IC設(shè)計公司、微電子研究院等三個項目。
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原文標(biāo)題：總投資200億元的名芯半導(dǎo)體項目簽約落戶贛州經(jīng)開區(qū)
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