新思科技與GLOBALFOUNDRIES合作 開發(fā)覆蓋面廣泛的DesignWare? IP組合
新思科技近日宣布與GLOBALFOUNDRIES (GF)合作，針對(duì)GF的12納米領(lǐng)先性能(12LP) FinFET工藝技術(shù)，開發(fā)覆蓋面廣泛的DesignWare? IP組合，包括多協(xié)議25G、USB 3.0和2.0、PCI Express? 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY、SD-eMMC和ADC/DAC轉(zhuǎn)換器。
新思科技基于GF 12LP工藝的DesignWare IP使設(shè)計(jì)人員能夠借助GF的12LP技術(shù)，在其人工智能(AI)、云計(jì)算、移動(dòng)和消費(fèi)片上系統(tǒng)(SoC)中實(shí)現(xiàn)最新的接口和模擬IP解決方案。與前幾代FinFET相比，12LP技術(shù)在邏輯密度上提高了10%，性能提高了15%以上?；趦杉夜鹃L(zhǎng)期伙伴關(guān)系，雙方已聯(lián)手開發(fā)出針對(duì)GF從180納米到12納米工藝的DesignWare IP。
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原文標(biāo)題：新思科技發(fā)布針對(duì)GLOBALFOUNDRIES 12LP FinFET工藝的廣泛DesignWare IP組合
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