動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-08-28 10:38

  聚焦離子束（FIB）技術(shù)分析

  

  聚焦離子束技術(shù)（FIB）聚焦離子束技術(shù)（FocusedIonbeam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的聚焦離子束技術(shù)（FIB）利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)

  fib 離子束

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• 發(fā)布了文章 2025-08-28 10:37

  五大常見(jiàn)電子元器件的失效全解析

  

  電子設(shè)備中絕大部分故障最終都可溯源至元器件失效。熟悉各類(lèi)元器件的失效模式，往往僅憑直覺(jué)就能鎖定故障點(diǎn)，或僅憑一次簡(jiǎn)單的電阻、電壓測(cè)量即可定位問(wèn)題。電阻器類(lèi)電阻器家族包括固定電阻與可變電阻（電位器），在整機(jī)中數(shù)量龐大且持續(xù)耗能，其引發(fā)的故障約占總故障的15%。統(tǒng)計(jì)表明，其中85%～90%為斷路、機(jī)械損傷、短路、絕緣擊穿等致命失效，僅約10%源于阻值漂移。1.材

  元器件 電子元器件 電子設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2025-08-27 15:04

  HALT實(shí)驗(yàn)與HASS實(shí)驗(yàn)在可靠性測(cè)試中的區(qū)別

  

  什么是HALT試驗(yàn)？HALT（HighlyAcceleratedLifeTest）的全稱(chēng)是高加速壽命試驗(yàn)。HALT是一種通過(guò)施加逐級(jí)遞增的環(huán)境應(yīng)力或工作載荷，來(lái)加速暴露產(chǎn)品的缺陷和薄弱點(diǎn)的試驗(yàn)方法。主要應(yīng)用于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段，它能以較短的時(shí)間促使產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和工藝缺陷暴露出來(lái)，從而為我們做設(shè)計(jì)改進(jìn)，提升產(chǎn)品可靠性提供依據(jù)。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為專(zhuān)注于可靠性領(lǐng)域的科研檢測(cè)機(jī)

  HALT HASS 可靠性測(cè)試

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• 發(fā)布了文章 2025-08-27 14:59

  CDM試驗(yàn)對(duì)電子器件可靠性的影響

  

  在電子器件制造和應(yīng)用中，靜電放電（ESD）是一個(gè)重要的可靠性問(wèn)題。CDM（帶電器件模型）試驗(yàn)是評(píng)估電子器件在靜電放電環(huán)境下的敏感度和可靠性的重要手段。通過(guò)CDM試驗(yàn)，可以有效識(shí)別器件在制造、運(yùn)輸和使用過(guò)程中可能面臨的靜電放電風(fēng)險(xiǎn)，從而優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)，提高其在實(shí)際應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。檢測(cè)服務(wù)涵蓋靜電放電（ESD）測(cè)試、可靠性測(cè)試、失效分析以及AEC-Q系列認(rèn)

  CDM 電子器件 靜電放電

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• 發(fā)布了文章 2025-08-27 14:58

  微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件發(fā)展中的作用

  

  微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例，摻入五價(jià)砷（As）元素可為晶格引入多余電子，使本征硅轉(zhuǎn)變?yōu)閚型半導(dǎo)體，直接影響導(dǎo)電類(lèi)型與載流子濃度。通過(guò)對(duì)摻雜種類(lèi)、含量及分布形態(tài)的精確分析，可實(shí)現(xiàn)器件導(dǎo)電性能的定向設(shè)計(jì)，例如提升晶體管開(kāi)關(guān)速度、降低功耗。在光電器件中，微量摻雜同樣具有關(guān)鍵作用

  GaN 光電器件 半導(dǎo)體器件

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• 發(fā)布了文章 2025-08-26 15:22

  晶須生長(zhǎng)試驗(yàn)-電子元件可靠性驗(yàn)證的重要手段

  

  晶須是一種在金屬材料中形成的細(xì)長(zhǎng)絲狀晶體，這種微小結(jié)構(gòu)可能在電子或電氣產(chǎn)品中出現(xiàn)。晶須的形成通常與金屬晶體的非均勻擴(kuò)張有關(guān)，可能由應(yīng)力或其他外部因素引起。錫、鎘、鋅等金屬是容易產(chǎn)生晶須的典型材料，其中錫晶須尤為常見(jiàn)。晶須的存在可能對(duì)電子產(chǎn)品的性能和可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響，因此在電子制造過(guò)程中，控制和預(yù)防晶須的形成顯得尤為重要。晶須的成因與影響晶須的形成過(guò)程通常涉

  晶體 電子元件 錫須

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• 發(fā)布了文章 2025-08-26 15:20

  聚焦離子束（FIB）在材料分析的應(yīng)用

  

  FIB是聚焦離子束的簡(jiǎn)稱(chēng)，由兩部分組成。一是成像，把液態(tài)金屬離子源輸出的離子束加速、聚焦，從而得到試樣表面電子像（與SEM相似）；二是加工，通過(guò)強(qiáng)電流離子束剝離表面原子，從而完成微，納米級(jí)別的加工。FIB主要功能1.微納米級(jí)截面加工FIB可以精確地在器件的特定微區(qū)進(jìn)行截面觀測(cè)，同時(shí)可以邊加工刻蝕、邊利用SEM實(shí)時(shí)觀察樣品。截面分析是FIB最常見(jiàn)的應(yīng)用。這種刻

  fib 材料 離子束

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• 發(fā)布了文章 2025-08-25 15:30

  一文了解功率半導(dǎo)體的可靠性測(cè)試

  

  功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng)，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉(zhuǎn)換。這種能力使得功率半導(dǎo)體在各種電力應(yīng)用中不可或缺，例如電力變換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電力調(diào)節(jié)器等。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件在多個(gè)領(lǐng)域中發(fā)揮著核心作用，尤其是在新能源

  功率半導(dǎo)體 可靠性測(cè)試

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• 發(fā)布了文章 2025-08-25 15:28

  LED燈需要做哪些檢測(cè)

  

  在如今的照明領(lǐng)域，LED燈以其節(jié)能、環(huán)保、長(zhǎng)壽命等優(yōu)勢(shì)被廣泛應(yīng)用。然而，只有經(jīng)過(guò)嚴(yán)格檢測(cè)的LED燈才能在眾多產(chǎn)品中脫穎而出，為消費(fèi)者帶來(lái)真正的優(yōu)質(zhì)體驗(yàn)。LED燈具檢測(cè)涉及眾多關(guān)鍵項(xiàng)目，涵蓋力學(xué)測(cè)試、電性能參數(shù)、光學(xué)參數(shù)、可靠性試驗(yàn)以及結(jié)構(gòu)與外觀等多個(gè)方面。測(cè)試時(shí)的檢驗(yàn)項(xiàng)目1、力學(xué)測(cè)試：拉力試驗(yàn)、壓力試驗(yàn)、插拔力試驗(yàn)、耐磨擦試驗(yàn)、模擬運(yùn)輸振動(dòng)試驗(yàn)。2、電性能參

  led led燈 檢測(cè)

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• 發(fā)布了文章 2025-08-25 15:25

  無(wú)鹵與鹵素含量測(cè)試

  

  無(wú)鹵與鹵素含量測(cè)試的概念無(wú)鹵（HalogenFree，HF）并非簡(jiǎn)單地把鹵族元素“清零”，而是指材料或成品中氟（F）、氯（Cl）、溴（Br）、碘（I）四項(xiàng)元素的總和或單項(xiàng)含量被嚴(yán)格限定在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)以下，從而避免因鹵素釋放導(dǎo)致的腐蝕、毒性及環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)。作為專(zhuān)注于化學(xué)分析領(lǐng)域的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu)，能夠?qū)Σ牧现械柠u素含量進(jìn)行嚴(yán)格的檢測(cè)，致力于為客戶提供高質(zhì)量的測(cè)試服務(wù)。鹵素

  無(wú)鹵素 電子器件

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