動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-08-14 10:58

  寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體封裝與測試解決方案

  

  隨著科技的不斷進步，電子設(shè)備對性能和效率的要求日益提高，為了滿足這些需求，寬禁帶(WideBandgap,WBG)半導(dǎo)體材料如氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)逐漸成為研究和應(yīng)用的重點。這些材料不僅具備較高的擊穿電壓和熱導(dǎo)率，還能在高溫、高頻及高功率環(huán)境下穩(wěn)定工作。然而，WBG半導(dǎo)體的封裝和測試面臨著一系列挑戰(zhàn)。電力半導(dǎo)體市場與寬禁帶材料全球電力半導(dǎo)體市場包

  半導(dǎo)體 寬禁帶 測試

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• 發(fā)布了文章 2024-08-13 12:02

  我國集成電路進出口持續(xù)向好 貨物貿(mào)易呈現(xiàn)增長態(tài)勢

  

  根據(jù)關(guān)總署于8月7日發(fā)布的數(shù)據(jù)，2024年前7個月，我國貨物貿(mào)易進出口總值達(dá)24.83萬億元，顯示出我國在全球經(jīng)濟復(fù)蘇過程中，貿(mào)易活力逐步增強。特別是在集成電路這一關(guān)鍵領(lǐng)域，無論是出口還是進口，都呈現(xiàn)出可喜的增長態(tài)勢。數(shù)據(jù)顯示，今年7月，我國集成電路出口數(shù)量達(dá)到273.4億個，出口額為985.6億元，較去年同期分別增長了26.77%。這一增幅不僅在各類商品中

  功率器件 機電 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2024-08-13 12:00

  創(chuàng)新型儲能系統(tǒng)：混凝土電池能否為未來提供動力

  

  目前，世界各國都設(shè)定了在未來幾十年內(nèi)達(dá)到零碳排放的目標(biāo)。然而，可再生能源資源往往不穩(wěn)定，太陽照射的時間不固定，風(fēng)速也并不總是在需要時增強。隨著可再生能源的快速增長，一個基本問題隨之而來：如何將這些能源存儲以便日常使用?最近，麻省理工學(xué)院的研究團隊正在開發(fā)一種混凝土電池儲能系統(tǒng)，這種系統(tǒng)由三種簡單的成分構(gòu)成：炭黑、水和水泥。聽起來像科幻小說，但該團隊正在實現(xiàn)捕

  儲能系統(tǒng) 混凝土 電池

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• 發(fā)布了文章 2024-08-09 11:51

  英飛凌在馬來西亞啟動全球最大碳化硅電力半導(dǎo)體制造廠

  

  近日，英飛凌科技股份公司在馬來西亞隆重揭幕了一座新的制造設(shè)施，標(biāo)志著全球最大、最具競爭力的200毫米碳化硅(SiC)電力半導(dǎo)體制造廠的初步建成。這項投資是針對全球日益增長的電力半導(dǎo)體需求，尤其是因脫碳活動而推動的市場需求。此次新的200毫米SiC電力制造廠以其卓越的生產(chǎn)效率著稱，將進一步鞏固英飛凌在全球電力半導(dǎo)體市場的主導(dǎo)地位。初始階段的投資額達(dá)20億歐元，

  半導(dǎo)體 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-08-09 11:49

  一文讀懂什么單片機：組成結(jié)構(gòu)與應(yīng)用

  

  歡迎來到單片機的世界，這是一種微小(但功能強大)的設(shè)備，改變了嵌入式系統(tǒng)的面貌。在本文中，您將了解單片機的一些基本知識、單片機的結(jié)構(gòu)以及微處理器與單片機之間的一些區(qū)別。在深入單片機基礎(chǔ)知識之前，您需要了解什么是單片機。單片機與微處理器類似，但它在同一芯片上集成了一些額外的組件。什么是單片機？單片機是一種超大規(guī)模集成電路(VLSI)，它包含電子計算單元和邏輯單

  單片機 微處理器 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2024-08-08 10:48

  全球半導(dǎo)體市場持續(xù)走強：SIA發(fā)布第二季度亮眼數(shù)據(jù)

  

  全球半導(dǎo)體行業(yè)在2024年第二季度繼續(xù)展現(xiàn)出強勁的復(fù)蘇勢頭，據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)最新披露的數(shù)據(jù)顯示，該季度全球半導(dǎo)體銷售總額達(dá)到了1499億美元，同比大幅增長18.3%，較上一季度也實現(xiàn)了6.5%的環(huán)比增長。這一亮眼表現(xiàn)不僅鞏固了半導(dǎo)體市場的回暖趨勢，也預(yù)示著科技產(chǎn)業(yè)對芯片需求的持續(xù)旺盛。SIA總裁兼首席執(zhí)行官JohnNeuffer對此表示：“2024

  半導(dǎo)體 半導(dǎo)體市場 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-08-08 10:46

  SiC 技術(shù)相對于 Si 具有不可否認(rèn)的優(yōu)勢

  

  在逆變器、電機驅(qū)動和充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。盡管SiC器件的成本高于硅器件，但在1200V以上的系統(tǒng)級別優(yōu)勢，足以彌補更高的器件成本。在600V及以下，與硅的比較優(yōu)勢則顯得微不足道。SiC芯片需要特別設(shè)計的封裝和柵極驅(qū)動器，以充分發(fā)揮其優(yōu)勢。SiC相對于硅的優(yōu)勢通常情況下，SiC在反向

  GaN MTTF SiC

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• 發(fā)布了文章 2024-08-06 11:02

  預(yù)計2025年中國SiC芯片市場將迎來大幅降價

  

  在中國SiC(碳化硅)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮下，行業(yè)前景正經(jīng)歷著變革。最新市場預(yù)測揭示，得益于本土生產(chǎn)能力的飛躍性提升與產(chǎn)業(yè)規(guī)模的快速擴張，中國碳化硅芯片市場有望在接下來兩年內(nèi)迎來價格的大幅下滑，降幅預(yù)計可達(dá)驚人的30%。這一預(yù)測不僅彰顯了國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈的強大成長潛力，也為下游應(yīng)用行業(yè)帶來了重大利好。長期以來，中國電動汽車行業(yè)在SiC芯片領(lǐng)域高度依賴進口，這一

  mcu SiC 電動汽車 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-08-06 11:01

  碳化硅MOSFET的柵極應(yīng)力測試

  

  了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測試的關(guān)鍵，這些測試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運行，并滿足汽車和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對每十億個部件的日益嚴(yán)格的失效率要求。本文將討論對碳化硅MOSFET器件進行的柵極開關(guān)應(yīng)力(GSS)測試。碳化硅MOSFET中的直流與交流柵極應(yīng)力效應(yīng)碳化硅MOSFET的柵氧化層可靠性多年來一直是研究的重點。研究發(fā)現(xiàn)，氧

  MOSFET 測試 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-08-05 11:25

  Navitas推出新一代650V SiC MOSFET，采用高效TOLL封裝

  

  Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率和高可靠性應(yīng)用，展現(xiàn)出卓越的熱性能和快速響應(yīng)能力。新發(fā)布的650VSiCMOSFET具備出色的功率處理能力和低至20至55毫歐的導(dǎo)通電阻，旨在實現(xiàn)快速的開關(guān)速度和高效能

  MOSFET Navitas 封裝

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