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芯長征科技

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氮化硅薄膜制備方法及用途

一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體,氮....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-24 09:33 ?1715次閱讀
氮化硅薄膜制備方法及用途

功率器件嵌入PCB技術(shù)介紹

最近看到功率器件嵌入PCB的應(yīng)用,了解了一下,感覺很有前景。照這個趨勢,將來會以PCB封裝各種芯片、....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-24 09:18 ?4619次閱讀
功率器件嵌入PCB技術(shù)介紹

什么是MOS管,MOS管在電池系統(tǒng)中扮演著什么角色

一、什么是MOS管? MOS管,全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-22 09:33 ?1972次閱讀
什么是MOS管,MOS管在電池系統(tǒng)中扮演著什么角色

鋰電池基礎(chǔ)知識

金屬鋰簡介 鋰是一種金屬元素,在元素周期表中它位于金屬首位。其化學(xué)符號為Li,是一種銀白色、十分柔軟....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-22 09:30 ?3793次閱讀
鋰電池基礎(chǔ)知識

光儲逆變器出海機遇全景解讀

前言 1. 光儲逆變器出口需求分析 報告指出,2024年1-7月,中國逆變器出口金額達(dá)到340億元人....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-21 16:58 ?849次閱讀
光儲逆變器出海機遇全景解讀

X-RAY與SAT檢測原理:為什么X-RAY只能掃描空洞不能掃描分層

前面寫分層文章時,有個問題一直困擾著我:為什么X-RAY只能掃描空洞,不能用來掃描分層。不過,雖然咱....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-21 10:47 ?1487次閱讀
X-RAY與SAT檢測原理:為什么X-RAY只能掃描空洞不能掃描分層

永磁直驅(qū)風(fēng)電機組的構(gòu)網(wǎng)型控制

? 永磁直驅(qū)風(fēng)電機組的構(gòu)網(wǎng)型控制 ? ?
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-16 10:52 ?650次閱讀
永磁直驅(qū)風(fēng)電機組的構(gòu)網(wǎng)型控制

一文看懂SGT MOSFET的市場前景

uSGT MOSFET的市場前景 SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOS....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-08 10:36 ?8184次閱讀
一文看懂SGT MOSFET的市場前景

晶圓切割技術(shù)知識大全

晶圓切割劃片技術(shù)作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其技術(shù)水平直接關(guān)聯(lián)到芯片的性能、良率及生產(chǎn)成本。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-08 10:32 ?2097次閱讀
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半導(dǎo)體制造過程解析

在這篇文章中,我們將學(xué)習(xí)基本的半導(dǎo)體制造過程。為了將晶圓轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體芯片,它需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 14:52 ?1999次閱讀
半導(dǎo)體制造過程解析

半導(dǎo)體封裝的主要作用和發(fā)展趨勢

本文解釋了封裝技術(shù)的不同級別、不同制造,和封裝技術(shù)演變過程。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 14:48 ?1506次閱讀
半導(dǎo)體封裝的主要作用和發(fā)展趨勢

新能源汽車小三電的核心技術(shù)

新能源汽車的核心在于三電系統(tǒng),即電池、電機和電控。而在這三電系統(tǒng)中,我們又可以細(xì)分為“大三電”與“小....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 14:45 ?1035次閱讀
新能源汽車小三電的核心技術(shù)

AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)的重要性

隨著現(xiàn)代汽車的不斷發(fā)展,電子元件在汽車行業(yè)中的應(yīng)用變得越來越重要。然而,汽車環(huán)境對電子元件的要求非常....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 14:41 ?839次閱讀
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EMB系統(tǒng)功能安全分析(3)

EMB 系統(tǒng)失效判斷基于前面所述三路并行的安全機制,可實時檢測系統(tǒng)運行狀態(tài),探測系統(tǒng)故障,又由于該系....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 14:31 ?928次閱讀
EMB系統(tǒng)功能安全分析(3)

EMB系統(tǒng)功能安全分析(2)

功能安全概念(functional safety concept,F(xiàn)SC)是以安全目標(biāo)為最上層需求,....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 14:28 ?1433次閱讀
EMB系統(tǒng)功能安全分析(2)

EMB系統(tǒng)功能安全分析(1)

汽車領(lǐng)域正迎來電動和智能的新時代,將線控技術(shù)應(yīng)用于車輛控制成為新的趨勢。其中,線控制動系統(tǒng)(brak....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 14:24 ?1846次閱讀
EMB系統(tǒng)功能安全分析(1)

鋰離子電池的種類有哪些

鋰離子電池的工作原理其實相當(dāng)精妙。它主要由四大主材構(gòu)成:正極材料、負(fù)極材料、電解液和隔膜。其中,正極....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 14:22 ?1211次閱讀
鋰離子電池的種類有哪些

LLC變換器的時域比較分析

滿足MEA應(yīng)用施加的嚴(yán)格EMI要求可能具有挑戰(zhàn)性。在這篇文章中,GAIA Converter的首席執(zhí)....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 14:16 ?1286次閱讀
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OBC的CLLC/CLLLC拓?fù)渑cDAB拓?fù)浔容^

OBC(on-board Charger) 作為汽車充電的重要部件 一般分為 PFC 和 DC-DC....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 14:11 ?12319次閱讀

雙向車載充電器的6.6kW CLLC參考設(shè)計

隨著雙碳目標(biāo)的推進(jìn),電動汽車車載充電器(以下簡稱“OBC”),正朝雙向能量傳輸?shù)姆较虬l(fā)展,其既能從電....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 14:04 ?4542次閱讀
雙向車載充電器的6.6kW CLLC參考設(shè)計

碳化硅生產(chǎn)難點是什么

第一代半導(dǎo)體材料以傳統(tǒng)的硅(Si)和鍺(Ge)為代表,是集成電路制造的基礎(chǔ),廣泛應(yīng)用于低壓、低頻、低....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 13:58 ?1230次閱讀
碳化硅生產(chǎn)難點是什么

SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設(shè)計

碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 13:52 ?5391次閱讀
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設(shè)計

驅(qū)動電機有哪些分類

按照電機的工作電源劃分,可將電機劃分為直流電機和交流電機。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 13:48 ?1508次閱讀

新能源汽車驅(qū)動電機的選型需要考慮哪些因素

性能需求分析主要指根據(jù)車輛的最高車速、加速性能、爬坡能力等整體性能需求,去確定該車輛搭載的驅(qū)動電機所....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 13:44 ?2312次閱讀
新能源汽車驅(qū)動電機的選型需要考慮哪些因素

基于多堆疊直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法

摘要:碳化硅(SiC)功率模塊在電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 13:32 ?1479次閱讀
基于多堆疊直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法

晶圓微凸點技術(shù)在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)朝著連接密集化、堆疊多樣化和功能系統(tǒng)化的方向發(fā)展,探索了扇出型封裝、2.5D/3D、....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 11:41 ?2042次閱讀
晶圓微凸點技術(shù)在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量

汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 11:36 ?845次閱讀
SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量

SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

過去三十年,碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長足的進(jìn)步,但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問題是—....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-16 11:29 ?1763次閱讀
SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

高速電機開發(fā)的關(guān)鍵要素

隨著全球新能源汽車市場的蓬勃發(fā)展,驅(qū)動電機的轉(zhuǎn)速也呈現(xiàn)出了驚人的增長態(tài)勢。從數(shù)年前的18000rpm....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 15:37 ?920次閱讀
高速電機開發(fā)的關(guān)鍵要素

玻璃基板的技術(shù)優(yōu)勢有哪些

芯片行業(yè)正迎來一場重大變革, 玻璃基板的開發(fā)正在為芯片材料的轉(zhuǎn)型奠定基礎(chǔ)。 在應(yīng)用的過程中困難重重,....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 15:34 ?955次閱讀
玻璃基板的技術(shù)優(yōu)勢有哪些