chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

芯長(zhǎng)征科技

文章:368 被閱讀:83.5w 粉絲數(shù):57 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):29

廣告

剖析晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的構(gòu)造原理

其中,有一個(gè)插圖,知識(shí)星球里有朋友不明白每層的構(gòu)造原理,這里我來(lái)剖析一下。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-03 11:43 ?2606次閱讀
剖析晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的構(gòu)造原理

車(chē)規(guī)級(jí)芯片和消費(fèi)類(lèi)芯片的區(qū)別

汽車(chē)電子對(duì)元件的工作溫度要求比較寬,根據(jù)不同的安裝位置等有不同的需求,但一般都要高于民用產(chǎn)品的要求。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-02 11:33 ?3220次閱讀
車(chē)規(guī)級(jí)芯片和消費(fèi)類(lèi)芯片的區(qū)別

碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對(duì)比分析

碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開(kāi)關(guān)速度極快、 驅(qū)動(dòng)能力要求相對(duì)低等特點(diǎn), 是替代高壓硅MO....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-01 11:23 ?3440次閱讀
碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對(duì)比分析

除碳可提高GaN電子遷移率?

據(jù)日本研究人員報(bào)告,通過(guò)減少碳污染來(lái)避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”,氮化鎵(GaN)的電子遷移率性....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 03-13 10:51 ?1641次閱讀
除碳可提高GaN電子遷移率?

如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)呢?

為滿(mǎn)足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 03-13 10:34 ?2886次閱讀
如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)呢?

晶圓鍵合工藝流程與關(guān)鍵技術(shù)探討

1:制造先進(jìn)的啟動(dòng)晶片(SOI)的方法。 2:作為一種創(chuàng)建復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)和腔體的方法,以創(chuàng)造設(shè)備....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 03-06 10:45 ?713次閱讀
晶圓鍵合工藝流程與關(guān)鍵技術(shù)探討

三電平逆變器的基本工作原理介紹

三電平逆變器基本介紹
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-26 10:09 ?4055次閱讀
三電平逆變器的基本工作原理介紹

外延層在半導(dǎo)體器件中的重要性

只有體單晶材料難以滿(mǎn)足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此,1959年末開(kāi)發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-23 11:43 ?1761次閱讀
外延層在半導(dǎo)體器件中的重要性

電池儲(chǔ)能功率變換系統(tǒng)(PCS)的定義 功率變換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)原則

功率變換系統(tǒng)(power conversion system,PCS)是與儲(chǔ)能電池組配 套,連接于電....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-23 10:23 ?5258次閱讀

晶圓到晶圓混合鍵合的前景和工藝流程

3D集成是實(shí)現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù),是業(yè)界對(duì)系統(tǒng)級(jí)更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-22 09:42 ?1933次閱讀
晶圓到晶圓混合鍵合的前景和工藝流程

基于SiC MOSFET的儲(chǔ)能變流器功率單元設(shè)計(jì)方法

摘要:隨著儲(chǔ)能變流器向大容量、模塊化發(fā)展,碳化硅(SiC)器件由于其低損耗、耐高溫的特性,逐漸成為研....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-22 09:39 ?3519次閱讀
基于SiC MOSFET的儲(chǔ)能變流器功率單元設(shè)計(jì)方法

光伏逆變器拓?fù)涓攀黾瓣P(guān)鍵技術(shù)

光伏逆變器拓?fù)涓攀黾瓣P(guān)鍵技術(shù)
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-21 09:47 ?1246次閱讀
光伏逆變器拓?fù)涓攀黾瓣P(guān)鍵技術(shù)

詳解MOS管的寄生電感和寄生電容

寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線(xiàn)路長(zhǎng)度、器件....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-21 09:45 ?3643次閱讀
詳解MOS管的寄生電感和寄生電容

IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-21 09:41 ?2237次閱讀
IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車(chē)直流充電設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案,
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-20 09:47 ?811次閱讀
全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

晶體管BJT的工作原理 MOSFET的工作原理介紹

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件,可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-20 09:44 ?2033次閱讀
晶體管BJT的工作原理 MOSFET的工作原理介紹

關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析(設(shè)計(jì)、制造和后制造)

半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-19 16:43 ?2102次閱讀

具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-19 11:23 ?2129次閱讀
具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工,包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延;第二部分芯片加工....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-25 09:51 ?1633次閱讀

碳化硅的激光切割技術(shù)介紹

晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟,切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本,同....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-23 09:42 ?6674次閱讀
碳化硅的激光切割技術(shù)介紹

MOS管體二極管是什么?MOS管體二極管的作用

體二極管是MOS管中的一個(gè)重要組成部分,它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了,因此....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-23 09:39 ?6912次閱讀
MOS管體二極管是什么?MOS管體二極管的作用

Chiplet對(duì)英特爾和臺(tái)積電有何顛覆性

Chiplets(芯片堆疊)并不新鮮。其起源深深植根于半導(dǎo)體行業(yè),代表了設(shè)計(jì)和制造集成電路的模塊化方....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-19 09:45 ?914次閱讀

100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)

摘要:隨著人們環(huán)保意識(shí)的不斷提高,傳統(tǒng)的化石能源越來(lái)越無(wú)法滿(mǎn)足人們的要求,以太陽(yáng)能為代表的可再生新能....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-19 09:43 ?2931次閱讀
100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)

碳化硅晶片為什么存在C面和Si面

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-18 09:42 ?2581次閱讀
碳化硅晶片為什么存在C面和Si面

一種結(jié)合了SiC和GaN優(yōu)勢(shì)的晶體管

這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時(shí)代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開(kāi)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-18 09:40 ?567次閱讀
一種結(jié)合了SiC和GaN優(yōu)勢(shì)的晶體管

高壓快充充電樁產(chǎn)業(yè) 碳化硅材料模塊或成必由之路

為適應(yīng)未來(lái)大功率高壓快充發(fā)展趨勢(shì),主流車(chē)企及充電運(yùn)營(yíng)商已經(jīng)開(kāi)始布局大功率快充樁。但高壓快充對(duì)充電樁的....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-17 16:26 ?2259次閱讀
高壓快充充電樁產(chǎn)業(yè) 碳化硅材料模塊或成必由之路

碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在眾多高端....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-17 09:38 ?3536次閱讀
碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展

碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在新能源汽車(chē)、光伏和....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-16 09:46 ?1169次閱讀
晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期,大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底,制作出了氮化鎵(GaN)晶體管,其散熱性能是使用碳....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-15 10:44 ?1177次閱讀

光伏逆變器的分類(lèi)、構(gòu)成及保護(hù)技術(shù)

自20世紀(jì)70年代全球爆發(fā)石油危機(jī)以來(lái),太陽(yáng)能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國(guó)高度重視,光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-15 09:43 ?1843次閱讀
光伏逆變器的分類(lèi)、構(gòu)成及保護(hù)技術(shù)