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芯長征科技

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芯片研發(fā)過程中的兩種流片方式

芯片在研發(fā)過程中一般包含4個階段:芯片設(shè)計、生產(chǎn)樣片、測試驗證和大規(guī)模量產(chǎn)。在完成芯片設(shè)計后,工程師....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 09-09 15:04 ?29次閱讀
芯片研發(fā)過程中的兩種流片方式

DC-DC轉(zhuǎn)換器在新能源汽車上的應(yīng)用

簡單來說,新能源汽車上的DC-DC轉(zhuǎn)換器是一個“降壓型電壓變換器”。其主要作用是將動力電池的高壓直流....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 09-02 15:05 ?2358次閱讀
DC-DC轉(zhuǎn)換器在新能源汽車上的應(yīng)用

新能源汽車高壓架構(gòu)詳解

應(yīng)讀者建議,講一下高壓電氣架構(gòu),花了一點時間做了一些圖,便于直觀理解,分析一下高壓架構(gòu)的發(fā)展歷程和趨....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 09-02 15:01 ?1280次閱讀
新能源汽車高壓架構(gòu)詳解

淺談SiC MOSFET器件的短路耐受能力

SiC MOSFET器件的短路耐受能力,在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的,在耐受時間上通常在?2-7μs....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 09-02 14:56 ?103次閱讀
淺談SiC MOSFET器件的短路耐受能力

IGBT短路失效分析

短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細的解釋和分類了,但就具體工作中而言,我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 08-21 11:08 ?3034次閱讀
IGBT短路失效分析

鋰離子電池?zé)崾Э氐倪^程解析

電池?zé)崾Э?TR,Thermal Runaway)一旦觸發(fā),在適當(dāng)條件下會迅速演化為起火、爆炸,甚至....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 08-21 11:06 ?529次閱讀
鋰離子電池?zé)崾Э氐倪^程解析

三種功率器件的區(qū)別解析

600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS),SiC MOS和GaN HEM....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 08-16 16:29 ?2468次閱讀
三種功率器件的區(qū)別解析

理想i8的LPM功率模塊設(shè)計解析

理想汽車自研的LPM(Li Power Module)高壓碳化硅(SiC)功率模塊是其純電戰(zhàn)略的核心....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 08-16 16:26 ?4028次閱讀
理想i8的LPM功率模塊設(shè)計解析

芯長征多款功率器件亮相長城汽車技術(shù)交流日

近日,2025年走進長城汽車技術(shù)交流日在保定長城總部熱力開啟。作為車規(guī)功率半導(dǎo)體領(lǐng)跑者,芯長征攜多款....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 08-08 17:52 ?2175次閱讀

電池儲能系統(tǒng)的性能指標(biāo)

電池儲能系統(tǒng)需要關(guān)注的性能指標(biāo)主要包括兩個方面,一是與能量的存儲能力及有效利用有關(guān),即與容量有關(guān);另....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-18 11:51 ?600次閱讀
電池儲能系統(tǒng)的性能指標(biāo)

CMOS工藝中方塊電阻的主要類型和測試方法

電阻的測試分為方塊電阻和接觸電阻,方塊電阻是電路設(shè)計的重要組成部分,其阻值準(zhǔn)確性嚴(yán)重影響電路的性能,....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-15 14:33 ?1238次閱讀
CMOS工藝中方塊電阻的主要類型和測試方法

一文詳解NMOS與PMOS晶體管的區(qū)別

在電子世界的晶體管家族中,NMOS(N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)與 PMOS(P....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-14 17:05 ?6852次閱讀
一文詳解NMOS與PMOS晶體管的區(qū)別

先進封裝中的RDL技術(shù)是什么

前面分享了先進封裝的四要素一分鐘讓你明白什么是先進封裝,今天分享一下先進封裝四要素中的再布線(RDL....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-09 11:17 ?1502次閱讀
先進封裝中的RDL技術(shù)是什么

GAN功率器件在機器人上的應(yīng)用實踐

GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-09 11:13 ?2424次閱讀
GAN功率器件在機器人上的應(yīng)用實踐

車燈電子系統(tǒng)的DC-DC電源技術(shù)解析

從電源設(shè)計到照明控制,車燈電子系統(tǒng)的每一個環(huán)節(jié)都蘊含著豐富的技術(shù)原理,而 DC-DC 電源技術(shù)更是其....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-28 10:48 ?1298次閱讀
車燈電子系統(tǒng)的DC-DC電源技術(shù)解析

半導(dǎo)體WAT測試的常見結(jié)構(gòu)

WAT(Wafer Acceptance Test)測試,也叫PCM(Process Control....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-28 10:26 ?1633次閱讀
半導(dǎo)體WAT測試的常見結(jié)構(gòu)

MCU為什么不能直接驅(qū)動大功率MOS管

在設(shè)計驅(qū)動電路時,經(jīng)常會用到MOS管做開關(guān)電路,而在驅(qū)動一些大功率負載時,主控芯片并不會直接驅(qū)動大功....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-06 10:27 ?2019次閱讀
MCU為什么不能直接驅(qū)動大功率MOS管

碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導(dǎo)通損耗....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-04 09:22 ?857次閱讀
碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

MOSFET熱阻參數(shù)解讀

MOSFET的熱阻(Rth)用來表征器件散熱的能力,即芯片在工作時內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-03 15:30 ?1115次閱讀
MOSFET熱阻參數(shù)解讀

晶圓表面缺陷類型和測量方法

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓堪稱核心基石,其表面質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能、可靠性與良品率。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-29 16:00 ?1446次閱讀
晶圓表面缺陷類型和測量方法

芯片封裝抗輻照技術(shù)研究

航天器在太空服役時,由于無大氣層保護使電子器件直接收到太空環(huán)境中的太空輻射和高能粒子沖擊,進而引發(fā)各....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-29 10:21 ?1158次閱讀
芯片封裝抗輻照技術(shù)研究

詳解儲能系統(tǒng)黑啟動技術(shù)

儲能系統(tǒng)的“黑啟動”是指在電力系統(tǒng)發(fā)生大規(guī)模停電或故障后,利用儲能系統(tǒng)作為備用電源,重新啟動電網(wǎng)的過....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-29 10:16 ?1635次閱讀
詳解儲能系統(tǒng)黑啟動技術(shù)

MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測試條件下,使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(工作在線性區(qū)),漏....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-26 15:09 ?2102次閱讀
MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

電池?zé)峁芾硐到y(tǒng)技術(shù)的最新進展與性能對比

本文由愛爾蘭東南理工大學(xué)的David Culliton等人合作撰寫。本文綜述了鋰離子電池的產(chǎn)熱機制,....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-26 14:56 ?1337次閱讀
電池?zé)峁芾硐到y(tǒng)技術(shù)的最新進展與性能對比

注入增強型IGBT學(xué)習(xí)筆記

為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-21 14:15 ?913次閱讀
注入增強型IGBT學(xué)習(xí)筆記

晶圓接受測試中的閾值電壓測試原理

在芯片制造的納米世界里,閾值電壓(Threshold Voltage, Vth)如同人體的“血壓值”....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-21 14:10 ?1055次閱讀
晶圓接受測試中的閾值電壓測試原理

芯長征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎新銳產(chǎn)品獎

此前,2025年5月14日至15日,第十二屆汽車電子創(chuàng)新大會(AEIF 2025)在上海盛大舉行,這....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-19 15:24 ?754次閱讀

新能源純電動汽車無法行駛故障分析

車輛不能正常行駛,拖車拖到店面,診斷電腦讀取數(shù)據(jù)流報電機控制器故障碼,電池包內(nèi)部沒有任何故障,單體電....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-15 15:34 ?1470次閱讀
新能源純電動汽車無法行駛故障分析

MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-15 15:32 ?2145次閱讀
MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

GaN與SiC功率器件深度解析

本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進行了全面綜述與展望....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-15 15:28 ?911次閱讀
GaN與SiC功率器件深度解析