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芯長(zhǎng)征科技

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晶圓表面缺陷類型和測(cè)量方法

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓堪稱核心基石,其表面質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能、可靠性與良品率。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-29 16:00 ?1914次閱讀
晶圓表面缺陷類型和測(cè)量方法

芯片封裝抗輻照技術(shù)研究

航天器在太空服役時(shí),由于無(wú)大氣層保護(hù)使電子器件直接收到太空環(huán)境中的太空輻射和高能粒子沖擊,進(jìn)而引發(fā)各....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-29 10:21 ?1818次閱讀
芯片封裝抗輻照技術(shù)研究

詳解儲(chǔ)能系統(tǒng)黑啟動(dòng)技術(shù)

儲(chǔ)能系統(tǒng)的“黑啟動(dòng)”是指在電力系統(tǒng)發(fā)生大規(guī)模停電或故障后,利用儲(chǔ)能系統(tǒng)作為備用電源,重新啟動(dòng)電網(wǎng)的過(guò)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-29 10:16 ?2409次閱讀
詳解儲(chǔ)能系統(tǒng)黑啟動(dòng)技術(shù)

MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下,使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)(工作在線性區(qū)),漏....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-26 15:09 ?2753次閱讀
MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

電池?zé)峁芾硐到y(tǒng)技術(shù)的最新進(jìn)展與性能對(duì)比

本文由愛爾蘭東南理工大學(xué)的David Culliton等人合作撰寫。本文綜述了鋰離子電池的產(chǎn)熱機(jī)制,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-26 14:56 ?1894次閱讀
電池?zé)峁芾硐到y(tǒng)技術(shù)的最新進(jìn)展與性能對(duì)比

注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-21 14:15 ?1088次閱讀
注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

晶圓接受測(cè)試中的閾值電壓測(cè)試原理

在芯片制造的納米世界里,閾值電壓(Threshold Voltage, Vth)如同人體的“血壓值”....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-21 14:10 ?1711次閱讀
晶圓接受測(cè)試中的閾值電壓測(cè)試原理

芯長(zhǎng)征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎(jiǎng)新銳產(chǎn)品獎(jiǎng)

此前,2025年5月14日至15日,第十二屆汽車電子創(chuàng)新大會(huì)(AEIF 2025)在上海盛大舉行,這....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-19 15:24 ?930次閱讀

新能源純電動(dòng)汽車無(wú)法行駛故障分析

車輛不能正常行駛,拖車拖到店面,診斷電腦讀取數(shù)據(jù)流報(bào)電機(jī)控制器故障碼,電池包內(nèi)部沒(méi)有任何故障,單體電....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-15 15:34 ?1726次閱讀
新能源純電動(dòng)汽車無(wú)法行駛故障分析

MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-15 15:32 ?2827次閱讀
MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

GaN與SiC功率器件深度解析

本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-15 15:28 ?1216次閱讀
GaN與SiC功率器件深度解析

芯長(zhǎng)征科技亮相2025中國(guó)北京國(guó)際科技產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)

此前,5 月 8 日至 11 日,第二十七屆中國(guó)北京國(guó)際科技產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在國(guó)家會(huì)議中心盛大舉辦。本屆科....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-13 18:13 ?690次閱讀

IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問(wèn)題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-25 09:38 ?1890次閱讀
IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

芯長(zhǎng)征2025慕尼黑上海電子展圓滿收官

近日,為期3天的慕尼黑上海電子展在上海新國(guó)際博覽中心圓滿收官。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-21 11:14 ?722次閱讀
芯長(zhǎng)征2025慕尼黑上海電子展圓滿收官

負(fù)溫度系數(shù)電阻的定義和應(yīng)用場(chǎng)景

你是否想過(guò),為什么手機(jī)在高溫下會(huì)自動(dòng)降頻?電動(dòng)汽車的電池為何不會(huì)過(guò)熱爆炸?甚至醫(yī)院里的體溫計(jì)為何能精....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-10 14:40 ?1667次閱讀
負(fù)溫度系數(shù)電阻的定義和應(yīng)用場(chǎng)景

驅(qū)動(dòng)芯片選型的關(guān)鍵因素

電驅(qū)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)芯片是連接控制系統(tǒng)與電機(jī)之間的關(guān)鍵部件,其主要作用是將控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的功率....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-09 14:03 ?1281次閱讀
驅(qū)動(dòng)芯片選型的關(guān)鍵因素

如何計(jì)算晶圓中芯片數(shù)量

在之前文章如何計(jì)算芯片(Die)尺寸?中,討論了Die尺寸的計(jì)算方法,在本文中,將討論如何預(yù)估一個(gè)晶....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-02 10:32 ?2376次閱讀
如何計(jì)算晶圓中芯片數(shù)量

詳解晶圓級(jí)可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)

隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性(Wafer L....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 03-26 09:50 ?1121次閱讀
詳解晶圓級(jí)可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)

800V低成本壓縮機(jī)控制方案

目前電動(dòng)汽車正向智能化,高壓化方向發(fā)展,前者在于提升汽車智能性,后者在于改善汽車充電時(shí)間等特性.為此....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 03-20 09:44 ?1683次閱讀
800V低成本壓縮機(jī)控制方案

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述

拿到一個(gè)ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過(guò)渡到全SiC的中間方案,也找了文....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 03-01 14:37 ?1665次閱讀
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述

芯片封裝可靠性測(cè)試詳解

可靠性,作為衡量芯片封裝組件在特定使用環(huán)境下及一定時(shí)間內(nèi)損壞概率的指標(biāo),直接反映了組件的質(zhì)量狀況。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-21 16:21 ?2763次閱讀
芯片封裝可靠性測(cè)試詳解

半導(dǎo)體芯片制造中的檢測(cè)和量測(cè)技術(shù)

質(zhì)量控制設(shè)備是芯片制造的關(guān)鍵核心設(shè)備之一,對(duì)于確保芯片生產(chǎn)的高良品率起著至關(guān)重要的作用。集成電路制造....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-20 14:20 ?3050次閱讀
半導(dǎo)體芯片制造中的檢測(cè)和量測(cè)技術(shù)

芯片互連技術(shù)深度解析:焊球、銅柱與微凸點(diǎn)的奧秘

隨著電子設(shè)備向小型化、高性能化發(fā)展,芯片封裝技術(shù)也在不斷演進(jìn)。高密度芯片封裝是滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品需求的....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-20 10:06 ?2531次閱讀
芯片互連技術(shù)深度解析:焊球、銅柱與微凸點(diǎn)的奧秘

電子產(chǎn)品三防處理技術(shù)全面剖析

在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)與應(yīng)用中,三防處理(防潮、防鹽霧、防霉)是確保設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行、提升可靠性和耐用性的關(guān)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-20 09:28 ?1163次閱讀
電子產(chǎn)品三防處理技術(shù)全面剖析

垂直氮化鎵器件的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

過(guò)去兩年中,氮化鎵雖然發(fā)展迅速,但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí),不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-17 14:27 ?1627次閱讀
垂直氮化鎵器件的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體集成電路封裝失效機(jī)理詳解

鈾或釷等放射性元素是集成電路封裝材料中天然存在的雜質(zhì)。這些材料發(fā)射的α粒子進(jìn)入硅中時(shí),會(huì)在粒子經(jīng)過(guò)的....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-17 11:44 ?1442次閱讀
半導(dǎo)體集成電路封裝失效機(jī)理詳解

SVG在變電站中的介紹及其主要功能

什么是SVG? SVG(靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置)是一種先進(jìn)的無(wú)功功率補(bǔ)償設(shè)備,其主要工作原理是使用電力電子....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-14 11:29 ?13076次閱讀
SVG在變電站中的介紹及其主要功能

深入解析AEC-Q車規(guī)級(jí)汽車電子的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)與測(cè)試要求

AEC(Automotive Electronics Council)最開始是一個(gè)地區(qū)性的企業(yè)協(xié)會(huì)性....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-14 09:26 ?1426次閱讀

晶圓切割的定義和功能

Dicing 是指將制造完成的晶圓(Wafer)切割成單個(gè) Die 的工藝步驟,是從晶圓到獨(dú)立芯片生....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-11 14:28 ?2224次閱讀

背金工藝是什么_背金工藝的作用

背金工藝是什么? 背金,又叫做背面金屬化。晶圓經(jīng)過(guò)減薄后,用PVD的方法(濺射和蒸鍍)在晶圓的背面鍍....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 02-10 12:31 ?2417次閱讀
背金工藝是什么_背金工藝的作用