氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。

現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來的幾年里，隨著CMOS制造技術(shù)的進步，器....

CIS 英文全名 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semicondu....

本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識，重點將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟....

在高k金屬柵之外，另一種等效擴充的方法是增加通過器件溝道的電子或空穴的遷移率。表2.5列舉了一些提高....

源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對準硅化物(salicide)工藝....

源漏擴展結(jié)構(gòu)（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應....

為了有效抑制短溝道效應，提高柵控能力，隨著MOS結(jié)構(gòu)的尺寸不斷降低，就需要相對應的提高柵電極電容。提....

隨著集成電路技術(shù)節(jié)點的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加，互連系統(tǒng)中電阻、電容帶來的 RC耦合寄生效....

圖2.2是現(xiàn)代CMOS 器件剖面的示意圖。一般來說，水平方向的尺寸微縮幅度比垂直方向的幅度更大，這將....

2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應....

當代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN....

MESFET 熱穩(wěn)定性較差、漏電流較大、邏輯擺幅較小、抗噪聲能力較弱。隨著頻率、功率容限以及低噪聲容....

結(jié)型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在....

一對N溝道和P溝道 MOS 管以推挽形式工作，構(gòu)成互補的金屬氧化物半導體器件（Complementa....

在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優(yōu)化制程達到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VC....

上述實驗結(jié)果為近年來局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結(jié)果，一直到2008年，作者實驗室首次在77....

在氮化鎵藍光?VCSEL?發(fā)展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個室溫下光激發(fā)的氮....

在氮化鎵發(fā)光二極體的發(fā)展過程中已受到許多的阻礙，其中包含缺少晶格匹配的基板、p型氮化鎵鎂的低活化率、....

東京大學荒川泰彥教授（Y. Arakawa）在1982年提出量子點結(jié)構(gòu)的概念，在1994年柏林工業(yè)大....

由上述 InP 系列材料面射型雷射發(fā)展可以發(fā)現(xiàn)，要制作全磊晶結(jié)構(gòu)的長波長面射型雷射難度較高，因此在1....

為了應用在光纖通訊上有效提升訊號傳輸距離，對于發(fā)光波長1310nm?與1550nm的面射型雷射需求也....

在完成選擇性氧化制程后，通常會將蝕刻后殘留在磊晶片表面繼續(xù)作為氧化制程保護層的?SiO2或?SiNx....

采用氧化局限技術(shù)制作面射型雷射元件最關(guān)鍵的差異在于磊晶成長時就必須在活性層附近成長鋁含量莫耳分率高于....

制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構(gòu)一樣都需要先將磊晶片進行蝕刻，以便暴露出側(cè)向蝕刻表面（etc....

為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)以及離子布植法制作面射型雷射的缺點，在1994年從德州大學奧斯丁分校獲得博士....

目前市場上普遍采用的面射型雷射元件主流技術(shù)為選擇性氧化法，絕大多數(shù)面射型雷射操作特性紀錄均是由選擇性....

由于蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)有上述金屬電極制作困難且需要額外的蝕刻制程步驟等問題，因此早期業(yè)界及學術(shù)研究單位最常....

半導體材料被蝕刻移除后，剩余的柱狀結(jié)構(gòu)與周遭的空氣之間折射率差異也因此增加，因此在柱狀結(jié)構(gòu)中電子電洞....

其中蝕刻空氣柱法將大多數(shù)可以導通電流的半導體材料以物理性或化學方式蝕刻移除后，僅保留直徑數(shù)微米至數(shù)十....