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      Semi Connect

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      半導(dǎo)體雷射相對(duì)強(qiáng)度雜訊

      從前面一小節(jié)對(duì)半導(dǎo)體雷射線寬的討論可以知道，即使半導(dǎo)體雷射操作在穩(wěn)態(tài)的狀況下，還是會(huì)有因?yàn)樽园l(fā)輻射所....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-09 16:00 ?466次閱讀
      半導(dǎo)體雷射相對(duì)強(qiáng)度雜訊

      半導(dǎo)體雷射之發(fā)光線寬

      從前面的例子中，可以知道線寬增強(qiáng)因子會(huì)讓半導(dǎo)體雷射在動(dòng)態(tài)操作時(shí)譜線變寬，接下來(lái)我們要討論的是半導(dǎo)體雷....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-08 09:46 ?523次閱讀
      半導(dǎo)體雷射之發(fā)光線寬

      大信號(hào)調(diào)制之?dāng)?shù)值解

      為要了解半導(dǎo)體雷射的大信號(hào)響應(yīng)，我們先針對(duì)單模雷射的速率方程式求解，我們將使用線性增益近似以及考慮到....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-07 11:42 ?460次閱讀
      大信號(hào)調(diào)制之?dāng)?shù)值解

      半導(dǎo)體雷射導(dǎo)通延遲時(shí)間

      當(dāng)半導(dǎo)體雷射從閾值條件以下要達(dá)到雷射的操作，其主動(dòng)層中的載子必須要先達(dá)到閾值載子濃度才會(huì)有雷射光輸出....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-06 14:48 ?801次閱讀
      半導(dǎo)體雷射導(dǎo)通延遲時(shí)間

      高速調(diào)制半導(dǎo)體雷射結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

      從（4-40）式我們知道，要達(dá)到高的弛豫頻率，光子生命期要小而閾值電流要低，然而這兩個(gè)因素是互相沖突....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-03 14:24 ?550次閱讀
      高速調(diào)制半導(dǎo)體雷射結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

      弛豫頻率與截止頻率計(jì)算

      （4-25） 式為我們可以量測(cè)得到的半導(dǎo)體雷射調(diào)制響應(yīng)。將之取對(duì)數(shù)乘上10之后，其單位即為?dB，如....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-03 11:27 ?808次閱讀
      弛豫頻率與截止頻率計(jì)算

      小信號(hào)響應(yīng)分析

      最常見(jiàn)的半導(dǎo)體雷射調(diào)制是如圖4-1 的直接電流調(diào)制，半導(dǎo)體雷射偏壓操作在固定的電流值I0上，欲輸入的....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-31 15:06 ?691次閱讀
      小信號(hào)響應(yīng)分析

      典型的四種VCSEL結(jié)構(gòu)解析

      典型的VCSEL 結(jié)構(gòu)主要由p型 DBR、n 型 DBR與光學(xué)共振腔所組成。上下 DBR提供縱向的光....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-30 14:44 ?926次閱讀
      典型的四種VCSEL結(jié)構(gòu)解析

      VCSEL的微共振腔效應(yīng)

      由于 VCSEL 共振腔的體積非常小，可以稱之為微共振腔（micro-cavity），因?yàn)橐_(dá)到閾值....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-29 15:20 ?795次閱讀
      VCSEL的微共振腔效應(yīng)

      詳解VCSEL的溫度效應(yīng)

      VCSEL相較于傳統(tǒng)的邊射型雷射而言，另一項(xiàng)重要的區(qū)分在于VCSBL 具有很短的雷射共振腔。
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-26 14:10 ?1281次閱讀
      詳解VCSEL的溫度效應(yīng)

      布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

      進(jìn)一步考量到 DBR 的設(shè)計(jì)時(shí)，雖然界面平整的異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以提供較大而明顯的折射率差異以達(dá)到較高的 D....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-25 10:01 ?601次閱讀
      布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

      VCSEL與EEL的比較

      相較于傳統(tǒng)邊射型半導(dǎo)體雷射的發(fā)展，垂直共握腔面射型雷射（VCSEL）的設(shè)計(jì)概念直到1979年首先被I....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-20 10:10 ?1459次閱讀
      VCSEL與EEL的比較

      半導(dǎo)體雷射震蕩條件

      共振腔中雷射光來(lái)回（round trip）振蕩后保持光學(xué)自再現(xiàn)（self-consistency）的....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-19 10:52 ?604次閱讀
      半導(dǎo)體雷射震蕩條件

      半導(dǎo)體光增益與放大特性

      在半導(dǎo)體中，光子的放射是由電子和電洞借由垂直躍遷所達(dá)成的，我們可以把具有相同k值的電子一電洞看成一種....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-18 11:41 ?1153次閱讀
      半導(dǎo)體光增益與放大特性

      雙異質(zhì)接面介紹

      一個(gè)基本的半導(dǎo)體雷射如圖2-1所示，包含了兩個(gè)平行劈裂鏡面組成的共振腔，稱為Fabry-Perot?....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-18 10:47 ?497次閱讀
      雙異質(zhì)接面介紹

      面射型雷射初期的研發(fā)進(jìn)展

      早期面射型雷射由于半導(dǎo)體磊晶技術(shù)簡(jiǎn)在發(fā)展初期階段，因此還無(wú)法直接成長(zhǎng)反射率符合雷射操作需求的全磊晶導(dǎo)....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-10 10:52 ?536次閱讀

      面射型雷射發(fā)展歷程

      早期所謂的面射型雷射（surface emitting laser, EBL）本質(zhì)上仍然是邊射型雷射....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-09 09:52 ?493次閱讀
      面射型雷射發(fā)展歷程

      雷射的發(fā)展歷史

      LASER是“l(fā)ight amplification by stimulated emission ....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-06 16:26 ?723次閱讀

      詳解電容的測(cè)試條件

      CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的電容包括 MIM 和 PIP （Poly Insulator Poly）。P....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-04 16:14 ?1306次閱讀
      詳解電容的測(cè)試條件

      金屬方塊電阻的測(cè)試條件

      CMOS 工藝平臺(tái)的金屬方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)包含該平臺(tái)的所有金屬層，例如如果該平臺(tái)使用五層金屬層，那么....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-03 09:46 ?786次閱讀
      金屬方塊電阻的測(cè)試條件

      Poly方塊電阻的測(cè)試條件

      CMOS工藝平臺(tái)的Poly 方塊電阻有四種類型的電阻，它們分別是n型金屬硅化物 Poly 方塊電阻、....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 11-29 11:06 ?1766次閱讀
      Poly方塊電阻的測(cè)試條件

      PW方塊電阻的測(cè)試條件

      圖5-34所示為PW方塊電阻的版圖，圖5-35所示為它的剖面圖。PW方塊電阻是通過(guò)DNW 隔離襯底（....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 11-29 11:05 ?716次閱讀
      PW方塊電阻的測(cè)試條件

      簡(jiǎn)述方塊電阻的測(cè)試方法

      CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)是NW方塊電阻、PW方塊電阻、Poly 方塊電阻、AA 方....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 11-27 16:03 ?1629次閱讀
      簡(jiǎn)述方塊電阻的測(cè)試方法

      淺談WAT測(cè)試類型

      雖然 WAT測(cè)試類型非常多，不過(guò)業(yè)界對(duì)于 WAT測(cè)試類型都有一個(gè)明確的要求，就是包括該工藝技術(shù)平臺(tái)所....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 11-27 16:02 ?1507次閱讀
      淺談WAT測(cè)試類型

      WAT晶圓接受測(cè)試簡(jiǎn)介

      WAT是英文 Wafer Acceptance Test 的縮寫，意思是晶圓接受測(cè)試，業(yè)界也稱WAT....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 11-25 15:51 ?1609次閱讀
      WAT晶圓接受測(cè)試簡(jiǎn)介

      頂層金屬AI工藝的制造流程

      頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因?yàn)?Cu很容易在空氣中氧化，形成疏松的氧化銅，而....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 11-25 15:50 ?1200次閱讀
      頂層金屬AI工藝的制造流程

      IMD4工藝是什么意思

      IMD4 工藝是形成 TMV （Top Metal VIA，頂層金屬通孔）的介質(zhì)隔離材料，同時(shí)IMD....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 11-25 15:49 ?732次閱讀
      IMD4工藝是什么意思

      IMD3工藝是什么意思

      IMD3工藝包括 IMD3a工藝和IMD3b工藝。IMD3a 工藝是形成 VIA2 的介質(zhì)隔離材料，....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 11-25 15:48 ?827次閱讀
      IMD3工藝是什么意思

      接觸孔工藝的制造流程

      接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細(xì)小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 11-15 09:15 ?1141次閱讀
      接觸孔工藝的制造流程

      IMD1工藝是什么意思

      IMD1工藝是指在第一層金屬之間的介質(zhì)隔離材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 11-15 09:14 ?1108次閱讀
      IMD1工藝是什么意思