退火工藝（Thermal Annealing）介紹
通常，退火工藝是與其他工藝（如離子注入、薄膜沉積、金屬硅化物的形成等）結(jié)合在一起的，最常見的就是離子....
等離子體摻雜（Plasma Doping）
通常，用射頻電源產(chǎn)生高濃度等離子體電離摻雜氣體，而用偏置電源加速離子去“轟擊”圓片表面。最常用的 P....
離子注入與傳統(tǒng)熱擴散工藝區(qū)別
與通過傳統(tǒng)熱擴散工藝進行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優(yōu)點。
集成電路制造工藝中的氧化工藝（Oxidation Process）
濕氧氧化化學(xué)反應(yīng)式為H2O(水汽）+ Si = SiO2 +2H2；在濕氧工藝中，可在氧氣中直接攜....
計算光刻技術(shù)的發(fā)展
計算光刻 (Computational Lithography)技術(shù)是指利用計算機輔助技術(shù)來增強光刻....
犧牲層技術(shù)大致包含哪幾個步驟
犧牲層技術(shù)自20世紀(jì)80 年代美國加州大學(xué)伯克利分校開發(fā)至今，得到了快速發(fā)展。犧牲層技術(shù)是 MEMS....
移相掩模技術(shù)不同的分類方法
光刻圖形質(zhì)量的主要判據(jù)是圖形成像的對比度，移相掩模方法可使對比度得到改善，從而使得其分辨率比傳統(tǒng)方法....
空腔-SOI襯底制造MEMS諧振器的工藝流程
常規(guī)的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通過注氧隔離 (Separ....
MEMS工藝中的鍵合技術(shù)
鍵合技術(shù)是 MEMS 工藝中常用的技術(shù)之一，是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過物理或....
干法刻蝕解決RIE中無法得到高深寬比結(jié)構(gòu)或陡直壁問題
在 MEMS 制造工藝中，常用的干法刻蝕包括反應(yīng)離子刻蝕 （Reactive lon Etching....
常見的各向同性濕法刻蝕的實際應(yīng)用
濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術(shù)。其中，各向同性 （Isotropic）....
工商網(wǎng)監(jiān)