chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      Semi Connect

      文章：251 被閱讀：100w 粉絲數(shù)：46 關(guān)注數(shù)：0 點贊數(shù)：11

      廣告

      氧化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

      氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 06-24 09:15 ?1478次閱讀
      氧化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

      無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝

      現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來的幾年里，隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步，器....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 06-18 11:43 ?880次閱讀
      無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝

      CMOS圖像傳感器的制造步驟

      CIS 英文全名 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semicondu....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 06-18 11:40 ?1266次閱讀
      CMOS圖像傳感器的制造步驟

      CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識

      本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識，重點將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 06-04 15:01 ?1862次閱讀
      CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識

      載流子遷移率提高技術(shù)詳解

      在高k金屬柵之外，另一種等效擴充的方法是增加通過器件溝道的電子或空穴的遷移率。表2.5列舉了一些提高....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-30 15:19 ?1022次閱讀
      載流子遷移率提高技術(shù)詳解

      自對準(zhǔn)硅化物工藝詳解

      源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-28 17:30 ?2031次閱讀
      自對準(zhǔn)硅化物工藝詳解

      源漏擴展結(jié)構(gòu)概述

      源漏擴展結(jié)構(gòu)（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-27 12:01 ?840次閱讀
      源漏擴展結(jié)構(gòu)概述

      等效柵氧厚度的微縮

      為了有效抑制短溝道效應(yīng)，提高柵控能力，隨著MOS結(jié)構(gòu)的尺寸不斷降低，就需要相對應(yīng)的提高柵電極電容。提....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-26 10:02 ?982次閱讀
      等效柵氧厚度的微縮

      互連層RC延遲的降低方法

      隨著集成電路技術(shù)節(jié)點的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加，互連系統(tǒng)中電阻、電容帶來的 RC耦合寄生效....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-23 10:43 ?1026次閱讀
      互連層RC延遲的降低方法

      溝槽填充技術(shù)介紹

      圖2.2是現(xiàn)代CMOS 器件剖面的示意圖。一般來說，水平方向的尺寸微縮幅度比垂直方向的幅度更大，這將....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-21 17:50 ?942次閱讀
      溝槽填充技術(shù)介紹

      無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程

      2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-19 16:08 ?645次閱讀
      無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程

      無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解

      當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-16 17:32 ?958次閱讀
      無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解

      高電子遷移率晶體管介紹

      MESFET 熱穩(wěn)定性較差、漏電流較大、邏輯擺幅較小、抗噪聲能力較弱。隨著頻率、功率容限以及低噪聲容....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-15 17:43 ?781次閱讀
      高電子遷移率晶體管介紹

      結(jié)型場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析

      結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-14 17:19 ?2069次閱讀
      結(jié)型場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析

      CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)

      一對N溝道和P溝道 MOS 管以推挽形式工作，構(gòu)成互補的金屬氧化物半導(dǎo)體器件（Complementa....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-12 16:14 ?932次閱讀
      CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)

      混合式氮化鎵VCSEL的研究

      在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團(tuán)隊優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VC....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-19 14:20 ?943次閱讀
      混合式氮化鎵VCSEL的研究

      電激發(fā)式藍(lán)紫光垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)

      上述實驗結(jié)果為近年來局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結(jié)果，一直到2008年，作者實驗室首次在77....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-18 11:25 ?1243次閱讀
      電激發(fā)式藍(lán)紫光垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)

      光激發(fā)藍(lán)紫光VCSEL技術(shù)

      在氮化鎵藍(lán)光?VCSEL?發(fā)展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個室溫下光激發(fā)的氮....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-18 09:56 ?986次閱讀
      光激發(fā)藍(lán)紫光VCSEL技術(shù)

      藍(lán)紫光VCSEL中的反射鏡應(yīng)用探索

      在氮化鎵發(fā)光二極體的發(fā)展過程中已受到許多的阻礙，其中包含缺少晶格匹配的基板、p型氮化鎵鎂的低活化率、....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-14 17:06 ?887次閱讀
      藍(lán)紫光VCSEL中的反射鏡應(yīng)用探索

      InAs量子點面發(fā)射激光器的概述

      東京大學(xué)荒川泰彥教授（Y. Arakawa）在1982年提出量子點結(jié)構(gòu)的概念，在1994年柏林工業(yè)大....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-13 10:54 ?904次閱讀
      InAs量子點面發(fā)射激光器的概述

      InGaAs量子井面射型雷射介紹

      由上述 InP 系列材料面射型雷射發(fā)展可以發(fā)現(xiàn)，要制作全磊晶結(jié)構(gòu)的長波長面射型雷射難度較高，因此在1....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-07 11:08 ?906次閱讀

      InP異質(zhì)接面/量子井面射型雷射

      為了應(yīng)用在光纖通訊上有效提升訊號傳輸距離，對于發(fā)光波長1310nm?與1550nm的面射型雷射需求也....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-07 10:20 ?1247次閱讀
      InP異質(zhì)接面/量子井面射型雷射

      制作金屬電極的過程

      在完成選擇性氧化制程后，通常會將蝕刻后殘留在磊晶片表面繼續(xù)作為氧化制程保護(hù)層的?SiO2或?SiNx....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-24 10:59 ?1203次閱讀
      制作金屬電極的過程

      選擇性氧化知識介紹

      采用氧化局限技術(shù)制作面射型雷射元件最關(guān)鍵的差異在于磊晶成長時就必須在活性層附近成長鋁含量莫耳分率高于....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-23 11:02 ?963次閱讀
      選擇性氧化知識介紹

      蝕刻基礎(chǔ)知識

      制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構(gòu)一樣都需要先將磊晶片進(jìn)行蝕刻，以便暴露出側(cè)向蝕刻表面（etc....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-22 14:23 ?1431次閱讀
      蝕刻基礎(chǔ)知識

      典型的氧化局限面射型雷射結(jié)構(gòu)

      為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)以及離子布植法制作面射型雷射的缺點，在1994年從德州大學(xué)奧斯丁分校獲得博士....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-21 13:35 ?778次閱讀
      典型的氧化局限面射型雷射結(jié)構(gòu)

      面射型雷射制程技術(shù)介紹

      目前市場上普遍采用的面射型雷射元件主流技術(shù)為選擇性氧化法，絕大多數(shù)面射型雷射操作特性紀(jì)錄均是由選擇性....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-21 11:38 ?882次閱讀
      面射型雷射制程技術(shù)介紹

      離子布植法介紹

      由于蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)有上述金屬電極制作困難且需要額外的蝕刻制程步驟等問題，因此早期業(yè)界及學(xué)術(shù)研究單位最常....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-15 14:18 ?924次閱讀
      離子布植法介紹

      折射率波導(dǎo)介紹

      半導(dǎo)體材料被蝕刻移除后，剩余的柱狀結(jié)構(gòu)與周遭的空氣之間折射率差異也因此增加，因此在柱狀結(jié)構(gòu)中電子電洞....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-15 09:58 ?979次閱讀
      折射率波導(dǎo)介紹

      增益波導(dǎo)說明

      其中蝕刻空氣柱法將大多數(shù)可以導(dǎo)通電流的半導(dǎo)體材料以物理性或化學(xué)方式蝕刻移除后，僅保留直徑數(shù)微米至數(shù)十....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-13 09:42 ?825次閱讀
      增益波導(dǎo)說明