借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

　　近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設計師?！澳銮稍谠O計中用過60V的負載開關(guān)嗎？”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管（SOT）-23，漏源導通電阻RDS（ON）通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎？”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS（ON）不到60mΩ，占位面積僅為1.5mm × 0.8mm （1.2mm2）（參見圖1），是專為諸如信息娛樂系統(tǒng)等空間受限的應用情況設計的。

圖1：CSD18541F5l平面網(wǎng)格數(shù)組封裝

　　相比您的那些家用電器采用的SOT-23 （6.75mm2）封裝（參見圖2），新型MOSFET的尺寸約有其六分之一。這意味著，新型MOSFET不僅RDS（ON）導通電阻更小，其封裝尺寸也比傳統(tǒng)MOSFET小75%。

　　圖2：傳統(tǒng)SOT-23封裝，旁邊是CSD18541F5LGA封裝

　　與這位工程師做了一些快速計算，我們的結(jié)論是如果每個電路板用10個元件，他就能節(jié)省大約55mm2占位面積——大多數(shù)的工程師通常事后才會想到這節(jié)省的是不小的空間。那么焊盤間距情況如何呢？幸運的是，這個微型LGA封裝在設計中同樣考慮了工業(yè)客戶的需求，他們一致認為0.5mm是兩個焊盤之間的首選最小間距。

　　如今，我在工業(yè)市場遇見的每個人，無論是從事生產(chǎn)電源、電池保護裝置還是電動工具的，幾乎都對更小尺寸或更高性能（或兼具兩個特點）的負載開關(guān)頗有興趣。

　　因此，如果您的工業(yè)設計需要使用不少SOT-23或更大的負載開關(guān)，請考慮選擇TI新型的CSD18541F5 MOSFET。相信我，您的PCB占位面積會也會對您感激不盡。

　　其他信息

　　· 獲取有關(guān)CSD18541F5 60-V N通道功率 MOSFET的詳細信息。

　　· 下載設計綜述，了解有關(guān)LGA封裝的詳細信息。

　　· 訪問FemtoFET 登錄頁面，查詢有關(guān)MOSFET系列的詳細信息。
作者: Brett Barr1

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ti(218489) ti(218489)
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2023-02-17 18:44:05

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60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP061-60YE

2023-02-17 18:45:55

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE

2023-02-17 18:46:15

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA

2023-02-20 19:03:40

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P

2023-02-20 19:13:27

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E

2023-02-20 19:14:44

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM950ENE

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM950ENE

2023-02-20 19:52:11

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV88ENEA

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV88ENEA

2023-02-20 19:54:17

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E

2023-02-20 19:57:03

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E

2023-02-20 19:57:43

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENEA

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENEA

2023-02-20 19:59:07

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E

2023-02-20 20:03:40

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E

2023-02-20 20:04:17

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P

2023-02-22 18:53:02

N 溝道 LFPAK 60V,15.7 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN017-60YS

N 溝道 LFPAK 60 V、15.7 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN017-60YS

2023-02-22 18:57:20

N 溝道 60V,14.8 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN015-60PS

N 溝道 60 V、14.8 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN015-60PS

2023-02-22 19:04:31

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN55ENE

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN55ENE

2023-02-23 19:05:10

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E

2023-02-23 19:05:27

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKM

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKM

2023-03-02 23:00:47

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKMB

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKMB

2023-03-02 23:01:06

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BSN20BK

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BSN20BK

2023-03-02 23:02:47

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV55ENEA

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV55ENEA

2023-03-03 19:33:31

60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA

60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA

2023-03-03 19:34:48

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV120ENEA

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV120ENEA

2023-03-03 19:35:23

60V轉(zhuǎn)5V的穩(wěn)壓電路

　如果要把60V的直流電壓改成5V輸出，可以選用DC-DC降壓電路來實現(xiàn)，這里分享一款采用高壓DC-DC降壓IC設計的60V轉(zhuǎn)5V穩(wěn)壓電路，最高輸入電壓可以達到80V，一起來看下。

2023-05-30 16:17:07

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–20V P溝道FemtoFET? MOSFET CSD25501F3數(shù)據(jù)表

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2024-03-26 14:32:01

60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD18541F5數(shù)據(jù)表

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2024-03-27 13:49:35

30V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD17483F4數(shù)據(jù)表

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2024-04-02 11:25:41

雙通道 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD88539ND數(shù)據(jù)表

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2024-04-07 14:49:20

強茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級MOSFET

強茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級MOSFET，此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設計提供優(yōu)異性能和效率。

2024-05-23 11:42:49

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超小尺寸P溝道FemtoFET MOSFET測試EVM

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2024-12-21 10:41:16

BSS138AKM-Q 60V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書

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2025-02-09 11:28:35

2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書

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2025-02-09 11:29:17

CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗應用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 溝道

2025-04-16 10:35:32

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PL86051 60V，5A，同步降壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)手冊

、20mΩ低側(cè) MOSFET，可在12V至60V寬工作輸入電壓范圍內(nèi)提供5A連續(xù)負載電流。PL86051開關(guān)頻率可在50kHz至500kHz范圍內(nèi)進行編程，從而可以靈活地調(diào)整效率和尺寸。對于低電壓

2025-08-22 15:30:22

TPSM5601R5電源模塊深度解析：60V工業(yè)級電源解決方案的技術(shù)突破

Texas Instruments TPSM5601R5電源模塊是一款高集成度1.5A功率解決方案，包括采用功率MOSFET的60V輸入降壓式直流/直流轉(zhuǎn)換器、屏蔽式電感器以及無源元件，采用熱增強型QFN封裝。

2025-09-28 09:31:29

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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

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