TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

　　2016年7月14日，北京訊

　　德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%，同時，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。如需了解更多信息與樣品，敬請訪問www.ti.com.cn/CSD18541F5-pr-cn。

　　CSD18541F5金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)保持典型的54-mΩ導(dǎo)通電阻(Rdson)，其設(shè)計與優(yōu)化的目的是取代空間受限的工業(yè)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中的標(biāo)準(zhǔn)小信號MOSFET。這種微型連接盤網(wǎng)格陣列(LGA)封裝的焊盤間距為0.5-mm，易于安裝。請閱讀博客文章了解更多信息：“借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的工業(yè)元件占位面積”。

　　CSD18541F5是TI FemtoFET MOSFETs中NexFET?技術(shù)方案組合的新成員，擁有高電壓及生產(chǎn)友好型占位面積。請下載設(shè)計綜述，了解有關(guān)LGA封裝的詳細(xì)信息。

　　CSD18541F5主要特點(diǎn)和優(yōu)勢

　　10-V柵源 (VGS)的超低54-mΩ Rdson比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)減小90%，使功耗得以降低。

　　超小型1.53-mm x 0.77-mm x 0.35-mm LGA封裝比SOT-23封裝中的傳統(tǒng)負(fù)載開關(guān)尺寸減小80%，使印刷電路板 (PCB) 的空間得以降低。

　　生產(chǎn)友好型0.5-mm焊盤間距。

　　集成靜電放電(ESD)保護(hù)二極管可防止MOSFET柵過壓。

　　封裝和供貨 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

　　CSD18541F5內(nèi)置于3針LGA封裝，目前可由TI及其授權(quán)分銷商批量供貨（單位數(shù)量1,000）。請下載PSpice瞬態(tài)模型。

　　關(guān)于TI的NexFET功率MOSFET

　　TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率計算、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和電源應(yīng)用中的能量效率。此類高頻、高效率的模擬功率 MOSFET 使得系統(tǒng)設(shè)計人員能夠運(yùn)用現(xiàn)有的最先進(jìn)的DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。

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ti(218489) ti(218489)
功率MOSFET(22989) 功率MOSFET(22989)

Vishay新款N溝道TrenchFET功率MOSFET再度刷新導(dǎo)通電阻的最低記錄

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。

2012-06-28 12:50:44

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Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸

2012-11-29 16:37:31

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60 V第四代n溝道功率MOSFET：業(yè)內(nèi)適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件

Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。

2019-10-05 07:04:00

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最小導(dǎo)通電阻！瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET

瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。

2012-04-13 09:19:34

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Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件，RDS(ON)Qg FOM僅為2.8 ΩnC，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平

Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E

2022-02-21 11:18:05

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豪威集團(tuán)發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET

電源管理系統(tǒng)要實現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù)，離不開高性能的開關(guān)器件。近日，豪威集團(tuán)全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道

2022-06-28 11:01:01

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英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS? 7

80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出

2024-04-16 09:58:44

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60V FemtoFET MOSFET縮小元件占位面積的方法

(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認(rèn)有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET

2022-11-16 07:06:25

FemtoFET MOSFETs比沙粒含硅量更高？

設(shè)備，TI同時推出了焊盤距離為0.50mm的F5 FemtoFET系列產(chǎn)品，并將電壓范圍擴(kuò)充至60V。了解更多60V F5設(shè)備，請閱讀我同事Brett Barr的博客文章，“Shrink 使用新一代

2018-08-29 15:28:55

IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET

`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻

2010-05-06 08:55:20

Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET

50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請點(diǎn)擊此處了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正`

2020-04-30 15:13:55

德州儀器14款采用TO-220及SON封裝的功率MOSFET

陣營。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可為廣泛大電流電機(jī)控制及電源應(yīng)用提供優(yōu)異的散熱性能?！　?b class="flag-6" style="color: red">最低導(dǎo)通電阻：　　兩款最新 80V 及 100V

2018-11-29 17:13:53

新型CSD18541F5 MOSFET縮小您的元件占位面積

2018-08-29 16:09:11

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXTQ22N60P場效應(yīng)管

通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V Id-連續(xù)漏極電流: 22 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 350 mOhms Vgs

2020-04-01 16:21:55

英飛凌40V和60V MOSFET

40V的MOSFET的通態(tài)電阻降低了40%，而阻斷電壓為60V的MOSFET的通態(tài)電阻降幅甚至達(dá)到48%以上。迄今為止，英飛凌是全球首家推出采用SuperSO8封裝、最大通態(tài)電阻不足1毫歐的40V

2018-12-06 09:46:29

新型500V N溝道功率MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采

2010-07-16 15:05:24

TPS55332-Q1,pdf(2.2-MHz, 60-V

The TPS55332 is a monolithic high-voltage switching regulator with integrated 3-A, 60-V power

2010-10-01 23:15:27

Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MO

Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位

2009-11-25 09:51:01

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小信號應(yīng)用60V功率MOSFET

小信號應(yīng)用60V功率MOSFET 　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多

2009-12-31 09:59:44

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TI推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)--TI TPS

TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān) TI 宣布推出一

2010-01-08 17:36:28

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Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8

Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的

2010-04-07 10:52:52

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新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiH

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的

2010-11-09 08:59:57

2028

Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。

2011-01-26 09:04:08

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Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率

2011-10-21 08:53:05

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Vishay推出新款n溝道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV

2011-11-01 09:26:35

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ST推出MDmesh V功率MOSFET晶體管打破世界記錄

意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻

2011-12-27 17:29:10

2989

Vishay的業(yè)內(nèi)首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻，可提供1100W功率

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻--- LPS1100

2012-04-12 14:01:47

3017

Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低記錄

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN

2012-05-08 11:09:19

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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix

2014-01-22 10:33:22

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Vishay推出應(yīng)用在便攜電子中的最低導(dǎo)通電阻的新款MOSFET

TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。

2014-04-29 16:30:44

1122

德州儀器推出NexFET N溝道功率MOSFET實現(xiàn)業(yè)界最低電阻

2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器（TI）推出其NexFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。

2015-01-22 15:33:26

3434

Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的超小尺寸20V芯片級MOSFET

MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V

2015-06-19 17:07:56

1374

Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓

2016-07-11 14:33:17

1295

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

）-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS（ON）通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎？”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息。

2016-10-24 16:33:37

1276

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) （FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積），該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。

2017-02-10 15:10:11

2189

TI 最新的 FemtoFET 產(chǎn)品：如沙礫一般渺小

哪個含硅量更高：一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產(chǎn)品？坐在沙灘椅上，看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸，我的腦海中反復(fù)縈繞著這個問題。TI新發(fā)布的F3 FemtoFET，聲稱其產(chǎn)品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm（見圖1），但含硅量卻輕松超過大西洋城人行板道下飛揚(yáng)的沙礫。

2017-04-18 07:49:54

1207

TI 超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設(shè)備節(jié)省電源，延長電池使用壽命德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻

2018-10-13 11:03:01

728

Vishay推出0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET

最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg

2019-01-01 16:29:01

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現(xiàn)貨推薦 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。

2021-04-21 17:50:21

1914

FemtoFET MOSFETs簡介：沙粒般渺小，一切盡在間距

產(chǎn)品CSD15380F3在內(nèi)的FemtoFET產(chǎn)品組合，。部件編號 N/P Vds Vgs Id Cont. (A) 典型的導(dǎo)通電阻

2021-11-10 09:39:17

1162

Vishay推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件

Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET

2022-02-26 13:25:35

2298

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET，樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

2022-03-14 17:39:16

2199

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積

2022-11-02 08:16:25

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKH

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKH

2023-02-07 18:57:17

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKH

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKH

2023-02-07 18:57:47

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKH

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKH

2023-02-07 18:57:59

60 V、350 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002PV

60 V、350 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002PV

2023-02-07 19:58:45

60 V、340 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKV

60 V、340 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKV

2023-02-07 19:59:00

60V,雙N溝道溝槽 MOSFET-2N7002HS

60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HS

2023-02-14 19:22:52

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HW

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HW

2023-02-15 18:43:58

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H

2023-02-15 18:44:25

60 VN溝道溝槽 MOSFET-2N7002KQB

60 V N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002KQB

2023-02-15 19:23:53

60V,310mAN溝道溝槽 MOSFET-2N7002PW

60 V、310 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002PW

2023-02-17 19:11:11

60V,320mA 雙N溝道溝槽 MOSFET-2N7002PS

60 V、320 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002PS

2023-02-17 19:11:24

60V,360mAN溝道溝槽 MOSFET-2N7002P

60 V、360 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002P

2023-02-17 19:11:41

N 溝道 60 V 2.2mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN2R0-60PS

N 溝道 60 V 2.2 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN2R0-60PS

2023-02-17 19:17:27

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E

2023-02-20 19:14:44

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002NXBK

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002NXBK

2023-02-20 19:44:55

60 V，單個N溝道溝槽 MOSFET-2N7002NXAK

60 V，單個 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002NXAK

2023-02-20 19:46:43

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E

2023-02-20 19:57:03

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E

2023-02-20 19:57:43

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E

2023-02-20 20:03:40

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E

2023-02-20 20:04:17

60V,300mAN溝道溝槽 MOSFET-2N7002

60 V、300 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002

2023-02-21 19:23:10

N 溝道 LFPAK 60V,15.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN017-60YS

N 溝道 LFPAK 60 V、15.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN017-60YS

2023-02-22 18:57:20

I2PAK中的N溝道 60V,2.2mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R0-60ES

I2PAK 中的 N 溝道 60 V、2.2 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R0-60ES

2023-02-22 19:02:12

N 溝道 60V,14.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN015-60PS

N 溝道 60 V、14.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN015-60PS

2023-02-22 19:04:31

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E

2023-02-23 19:05:27

60V,310mAN溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKW

60 V、310 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKW

2023-02-27 18:37:32

60V,300mA 雙N溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKS

60 V、300 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKS

2023-02-27 18:37:49

60V,350mAN溝道溝槽 MOSFET-2N7002BK

60 V、350 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BK

2023-02-27 18:38:05

60V,450mAN溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKM

60 V、450 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKM

2023-02-27 18:38:17

LFPAK中的N溝道 25 V 1.2mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YL

LFPAK 中的 N 溝道 25 V 1.2 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YL

2023-02-27 19:22:36

N 溝道 LFPAK 60 V 24.7mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN030-60YS

N 溝道 LFPAK 60 V 24.7 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN030-60YS

2023-03-02 22:27:03

60 V，單個N溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKMB

60 V，單個 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKMB

2023-03-02 23:03:10

D2PAK中的N溝道 60 V 2mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R7-60BS

D2PAK 中的 N 溝道 60 V 2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R7-60BS

2023-03-03 18:58:27

D2PAK中的N溝道 60 V 14.8mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN015-60BS

D2PAK 中的 N 溝道 60 V 14.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN015-60BS

2023-03-03 19:02:09

60 V，N溝道溝槽MOSFET 2N7002AKW-Q數(shù)據(jù)手冊

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2024-01-14 10:35:55

60 V，N溝道溝槽MOSFET 2N7002AK-Q數(shù)據(jù)手冊

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2024-01-14 10:27:31

60 V，雙N溝道溝槽MOSFET 2N7002AKS-Q數(shù)據(jù)手冊

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2024-02-21 13:57:09

Vishay推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET

近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV

2024-03-12 10:32:02

1362

40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT數(shù)據(jù)表

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2024-03-27 13:55:34

60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD18541F5數(shù)據(jù)表

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2024-03-27 13:49:35

30V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD17483F4數(shù)據(jù)表

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2024-04-02 11:25:41

40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS數(shù)據(jù)表

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2024-04-03 15:08:22

雙通道 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD88539ND數(shù)據(jù)表

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2024-04-07 14:49:20

2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書

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2025-02-09 11:29:17

揚(yáng)杰科技N60V SGT MOSFET產(chǎn)品介紹

揚(yáng)杰科技于2024年推出了一系列用于汽車電子的N60V SGT MOSFET，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動態(tài)響應(yīng)。

2025-04-01 10:39:53

1036

CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗，并針對 5V 柵極驅(qū)動應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。

2025-04-15 17:08:38

701

CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列（LGA） NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，并在超扁平中具有出色的熱特性。基板柵格陣列（LGA）封裝是一種硅芯片級封裝，采用金屬焊盤而不是焊球。

2025-04-16 09:18:13

614

CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗應(yīng)用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 溝道

2025-04-16 10:35:32

787

CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

mm 塑料封裝參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號 ?：CSD18513Q5A ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端

2025-04-16 10:54:00

755

CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊

這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化，可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET，同時大幅減小基底面尺寸。

2025-04-16 11:10:20

607

CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化，可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET，同時顯著減小基底面尺寸。

2025-04-16 11:15:15

674

CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號 ?：CSD17581Q3A ? 類型 ?：30V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低柵極電荷（Q_g）、低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）、低熱阻、雪崩額定、無鉛、

2025-04-16 11:25:34

775

揚(yáng)杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。

2025-06-27 09:43:53

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