MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管
2009-11-05 11:50:36
4309 電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱為BJT，簡稱為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線性放大特性，但在電力電子應(yīng)用中卻工作在開關(guān)狀態(tài)，從而減小功耗。GTR可通過基極控制其開通和關(guān)斷，是典型的自關(guān)斷器件。
2011-01-22 11:57:5729672 
本文將重點討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
2022-08-01 09:03:572716 
。與普通的晶體管相比，MOSFET有著更低的輸入電流、更高的輸入阻抗、更大的增益和更小的功耗，廣泛用于數(shù)字電路和模擬電路的放大、開關(guān)和控制應(yīng)用。MOSFET的結(jié)構(gòu)和原理基本上與JFET(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)相同，只是控制電場是通過氧化層的電荷，而不是PN結(jié)的耗盡區(qū)域，因此稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
2023-02-25 16:24:384207 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可以在內(nèi)部工作原理中引導(dǎo)和直流電，以調(diào)節(jié)它們并將它們帶到需要的地方。晶體管就是其中之一。8050型晶體管是一種非常特殊的器件，被歸類為負(fù)-正-負(fù)（NPN）外延放大器晶體管，最常見于無線電
2023-02-16 18:22:30
晶體管并聯(lián)時，當(dāng)需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
場效應(yīng)晶體管，英語名稱為Field Effect Transistor，簡稱為場效應(yīng)管，是一種通過對輸入回路電場效應(yīng)的控制來控制輸出回路電流的器件?？煞譃榻Y(jié)型和絕緣柵型、增強型和耗盡型、N溝道和P溝道
2016-06-29 18:04:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
是自來水的閥門，發(fā)射極是配管，集電極是水龍頭。用自來水的構(gòu)造來舉例說明晶體管的作用。把晶體管的3個引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來水的閥門、水龍頭和配管。通過微小之力（即基極的輸入信號）來控制
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试?b class="flag-6" style="color: red">器件的基本結(jié)構(gòu)與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點
2019-03-27 06:20:04
分為增強型和耗盡型，這兩種電子元器件工作原理略有不同，增強型管在柵極（G）加上正向電壓時漏極（D）和源極（S）才能導(dǎo)通，而耗盡型即使柵極（G）沒加正電壓，漏極（D）和源極（S）也是導(dǎo)通的。其實到這場效應(yīng)晶體管
2019-04-15 12:04:44
向下縮放時失去對漏電流的控制?！ 〈鸢甘抢玫谌齻€維度?！ OSFET晶體管從平面單柵極器件演變?yōu)槎鄸艠O3D單元，以增加電流驅(qū)動并減輕短通道效應(yīng)?！ ∈褂?D還可以減少晶體管的面積。占據(jù)第三維可以
2023-02-24 15:20:59
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個通道的較小電流的強度來控制通過一個通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
兩個N型半導(dǎo)體和一個P型半導(dǎo)體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
型摻雜半導(dǎo)體材料隔開。PNP晶體管中的大多數(shù)電流載流子是空穴s，而電子是少數(shù)電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉(zhuǎn)的。電流在PNP中吸收到基極，由于PNP是電流控制器件，適度的基極
2023-02-03 09:44:48
PNP雙極型晶體管的設(shè)計
2012-08-20 08:29:56
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
類型。
雙極結(jié)型晶體管(BJT)
雙極結(jié)型晶體管是由基極、集電極和發(fā)射極 3 個區(qū)域組成的晶體管。雙極結(jié)型晶體管（與 FET 晶體管不同）是電流控制器件。進入晶體管基極區(qū)的小電流會導(dǎo)致從發(fā)射極流向集電極
2023-08-02 12:26:53
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
端工作，因此很容易實現(xiàn)電子控制或電氣同步。光電晶體管中使用的材料通常是GaAs，主要分為雙極光電晶體管、場效應(yīng)光電晶體管及其相關(guān)器件。雙極光電晶體管通常具有高增益，但不會太快。對于
2023-02-03 09:36:05
的主要電荷載流子。因此，NPN型晶體管的響應(yīng)時間比PNP型晶體管快。因此，NPN型晶體管是高頻相關(guān)器件中最常用的，并且它們比PNP型晶體管制造簡單，使它們成為兩種類型中更常用的。PNP 晶體管PNP
2023-02-03 09:50:59
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機控制器和顯示驅(qū)動器?！ ∵_林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
電場控制材料的電導(dǎo)率?！ ■捠綀鲂?yīng)晶體管是一種非平面器件，即不受單個平面的限制。它也被稱為3D，因為具有第三維度?！ 楸苊饣煜仨毩私獠煌奈墨I在提及鰭式場效應(yīng)晶體管器件時使用不同的標(biāo)簽
2023-02-24 15:25:29
本文將重點討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標(biāo)本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定（對輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
單極型晶體管也稱場效應(yīng)管，簡稱FET（FieldEffectTransistor）。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子（多數(shù)載流子）參與
2020-06-24 16:00:16
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應(yīng)晶體管是一種改變電場來控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
場效應(yīng)晶體管容易制造，場效應(yīng)晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場效應(yīng)晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。場效應(yīng)晶體管特點（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID；（2）場效應(yīng)管的輸入端電流極小
2019-05-08 09:26:37
僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04
和集電極之間具有無限電阻，當(dāng)它完全打開時，發(fā)射極和集電極之間的電阻為0，導(dǎo)致電流流到最大。 實際上，當(dāng)晶體管在截止時（即完全關(guān)閉時）運行時，我們將有少量漏電流。另一方面，當(dāng)在飽和區(qū)域工作時，該器件具有低
2023-02-20 16:35:09
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進制邏輯運算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進制邏輯運算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
100GHz以上?！ ‰娮?b class="flag-6" style="color: red">管是利用靜電場對電子流的控制來工作的，是電壓控制元件，與MOS場效應(yīng)管的工作原理有些相似。所以輸入阻抗極高，輸入信號只要電壓，不需要電流。晶體管是利用半導(dǎo)體器件內(nèi)雜質(zhì)濃度的差異
2016-01-26 16:52:08
2000一5000（α＝0.995-0.9998）?！ ∈且訮型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
組合的結(jié)果是，“ IGBT 晶體管”具有雙極性晶體管晶體管的輸出開關(guān)和導(dǎo)通特性，但像 MOSFET 一樣是電壓控制的。Igbt 主要應(yīng)用于電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，如逆變器、變換器和電源等，但功率雙極器件和功率
2022-04-29 10:55:25
晶體管的小信號模型
場效應(yīng)晶體管低頻小信號模型
雙極型晶體管低頻小信號模型
2010-09-25 16:22:34
59 電力晶體管（GTR）
術(shù)語用法：電力晶體管（Giant Transistor—GTR，直譯為巨型晶體管）耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Juncti
2009-04-14 22:05:1316939 
達林頓型光敏晶體管運算放大器控制電路圖
2009-06-03 16:36:331014 
NPN型和PNP型晶體管電路
2009-06-08 23:13:053512 
使用晶體管開關(guān)器件的升壓型開關(guān)電源電路圖
2009-08-15 17:00:331109 
光晶體管光晶體管（phototransistor）由雙極型晶體管或場效應(yīng)晶體管等三端器件構(gòu)成的光電器件。光在這類器件的有源區(qū)內(nèi)被吸收，產(chǎn)生光生載流子，通過內(nèi)
2009-11-05 11:58:202356 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的資料大全
絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體
2010-03-05 11:46:077916 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 雙極型晶體管原理詳細(xì)介紹
電子和空穴兩種載流子都起作用的晶體管，又稱結(jié)型晶體管。
2010-03-05 11:55:1329650 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 增強型MOS晶體管,增強型MOS晶體管是什么意思
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上
2010-03-05 15:34:432722 本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導(dǎo)體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:1427407 
基礎(chǔ)。 在本文中，我們將討論以下內(nèi)容； 何為晶體管？ 晶體管又稱雙極結(jié)型晶體管 (BJT)，是由電流驅(qū)動的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動，其中，基極引線中的較小電流控制集電極和發(fā)射極之間較大的電流。它們能用于放大弱信號，用作振蕩器或開關(guān)。 晶體管
2018-08-06 09:26:3298271 晶體管原理及應(yīng)用 晶體管全稱雙極型三極管(Bipolar junction transistor，BJT)又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導(dǎo)體器件，可用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號
2019-01-16 13:45:164296 晶體管泛指所有半導(dǎo)體器件，包含N多種類，因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據(jù)使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據(jù)極性的不同可分為NPN型晶體管和PNP型晶體管;根據(jù)結(jié)構(gòu)和制造
2019-04-09 14:18:3136640 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 場效應(yīng)晶體管（FET）簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103 雙極性晶體管（英語：bipolar transistor），全稱雙極性結(jié)型晶體管（bipolar junction transistor， BJT），俗稱三極管，是一種具有三個終端的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴散作用和漂移運動。
2020-08-07 16:37:3612615 
雙極晶體管」。 IGBT晶體管是半導(dǎo)體器件的一種，主要被用于電動汽車、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制等領(lǐng)域。 IGBT晶體管是由BJT（雙極型晶體或雙極性晶體管，俗稱三極管）和MOSFET（絕緣
2021-02-03 17:37:1515594 雙極型晶體管的原理 雙極型晶體管是一種電流同時控制電子和空穴的導(dǎo)電，是最普及的一種功率晶體管，具有體積小、質(zhì)量輕、耗電少、壽命長、可靠性高的特點。 雙極型晶體管原理： 對于PNP型器件，需要將兩組
2021-08-18 17:24:336331 雙極型晶體管原理：對于PNP型器件，需要將兩組電源極性反接， 集電極高的反向偏壓。
2022-01-04 10:11:206649 晶體管簡介
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如
2022-02-09 12:34:232 晶體管大致可以分為“NPN”和“PNP”兩種類型。主要是根據(jù)集電極引腳側(cè)在電路中是吸入還是輸出電流來區(qū)分使用晶體管。
如果想根據(jù)輸入信號進行開關(guān)，那么使用NPN型晶體管，發(fā)射極接地。如果想在電源側(cè)進行控制，則通常使用PNP型晶體管。
2023-02-05 14:54:202930 NPN晶體管是由N型晶體管和P型晶體管組成的，它可以控制電流的流動方向，并且可以用來實現(xiàn)電路的開關(guān)控制。NPN晶體管的特點是可以控制電流的流動方向，可以實現(xiàn)電路的開關(guān)控制，并且具有較高的靜態(tài)電流增益。
2023-02-24 16:41:109319 
大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:242250 晶體管是什么器件 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:12:592086 光電晶體管（Phototransistor）是一種光控半導(dǎo)體器件，它的工作原理是利用光的作用使得晶體管的電流發(fā)生變化。光電晶體管的類型包括PNP型、NPN型、雙極型和場效應(yīng)型等。
2023-05-16 16:13:161653 
雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導(dǎo)電性質(zhì)的三極管。與場效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數(shù)和高頻特性等優(yōu)點。
2023-05-17 15:23:138043 晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中至關(guān)重要的組件，而芯片則是晶體管的集成。晶體管是一種用于控制電流的電子器件，它是由半導(dǎo)體材料制成的。晶體管的發(fā)明和發(fā)展對現(xiàn)代科技的進步起到了重要的推動作用。
2023-08-04 09:45:302789 晶體管和場效應(yīng)管的區(qū)別? 晶體管和場效應(yīng)管是電子設(shè)備中常用的兩種元器件，它們都是半導(dǎo)體器件，用于放大和控制電流的流動。雖然它們在某些方面可能有一些相似之處，但它們也有很多明顯的不同點。下面將會詳細(xì)
2023-08-25 15:29:345791 晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現(xiàn)代電子設(shè)備的基礎(chǔ)，如計算機、手機、電視等。晶體管是一個半導(dǎo)體器件，它可以放大或開關(guān)電流信號。晶體管的工作原理是由三個不同類型的材料組成：N型半導(dǎo)體
2023-08-25 15:35:145670 、晶體管輸出的特點 晶體管輸出又稱為雙極性晶體管輸出（Bipolar Transistor Output），使用PNP或NPN型雙極晶體管作為控制元件。在控制電壓作用下，通過電流調(diào)節(jié)控制晶體管的放大倍數(shù)，從而實現(xiàn)輸出的開關(guān)控制。 1、優(yōu)點： （1）高速：晶體管
2023-08-25 15:41:313708 晶體管是一種半導(dǎo)體元器件，它由三個層疊在一起的材料構(gòu)成，分別是 P 型半導(dǎo)體、N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。
2023-08-25 17:17:472913 與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計方式與雙極晶體管電路的設(shè)計方式大不相同。
2024-01-09 15:38:401880 PNP晶體管是一種雙極性晶體管，用于電子電路中放大、開關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對應(yīng)，PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點在于其三個不同的半導(dǎo)體區(qū)域：正極（P型）、負(fù)極（N型）、正極（P型）。這種結(jié)構(gòu)使得PNP晶體管在電流流動方向和電荷類型上與NPN晶體管有所不同，但其工作原理基本相同。
2024-07-01 17:45:329212 
晶體管是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電特性，通過控制基極電流來調(diào)節(jié)集電極電流，從而實現(xiàn)放大、開關(guān)等功能。晶體管的電流關(guān)系是其核心特性之一，對于理解
2024-07-09 18:22:293606 
NPN晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中。 NPN晶體管的基本原理 NPN晶體管是一種雙極型晶體管，由N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體交替排列而成。它有三個引腳：基極（B）、集電極（C
2024-07-18 15:39:485146 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。它具有三個主要的引腳：基極（B）、發(fā)射極（E）和集電極（C）。晶體管的工作原理是通過控制基極和發(fā)射極之間的電流，來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。晶體管
2024-07-18 18:15:543786 晶體管和場效應(yīng)管是兩種非常重要的電子控制器件，它們在現(xiàn)代電子技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。 一、晶體管 晶體管的工作原理 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，主要由兩個PN結(jié)組成。根據(jù)PN結(jié)的連接方式，晶體管可以分為
2024-08-01 09:14:481600 NPN型和PNP型晶體管是電子學(xué)中的兩種基本且重要的雙極型晶體管（BJT），它們在電路設(shè)計中扮演著至關(guān)重要的角色。下面將詳細(xì)闡述這兩種晶體管的定義、結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、應(yīng)用以及它們之間的區(qū)別。
2024-08-15 14:58:399810 單極型晶體管，也被稱為單極性晶體管或場效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor, FET），是一種在電子學(xué)中廣泛使用的半導(dǎo)體器件。它的工作原理基于電場對半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性
2024-08-15 15:12:055041 晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 ： 晶體管 ：晶體管（BJT）基于雙極型晶體管的原理，即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。 場效應(yīng)管 ：場效應(yīng)管（FET）基于單極型晶體管的原理，即
2024-12-03 09:42:522020
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