本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預(yù)定濃度的EDTA等絡(luò)合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質(zhì)。
2022-04-08 13:59:22
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的垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。 ? 致能半導(dǎo)體全球首次在硅襯底上實(shí)現(xiàn)了垂直的GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎(chǔ)，致能實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)具有垂直2DEG的常開器件(D-mode HEMT)和全球首個(gè)垂直常關(guān)器件(E-mode HEMT)。通過去除生長(zhǎng)用硅襯底并在
2025-07-22 07:46:004784 
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級(jí)。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)放大器仍然主要使用GaAs，這是因?yàn)檫@種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進(jìn)。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計(jì)，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
都應(yīng)通過這樣的測(cè)試。依我看，JEDEC制定的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)該涵蓋這類測(cè)試。您說呢？” 客戶的質(zhì)疑是對(duì)的。為使GaN被廣泛使用，其可靠性需要在預(yù)期應(yīng)用中得到證明，而不是僅僅通過硅材料配方合格認(rèn)證（silicon
2018-09-10 14:48:19
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一，具有禁帶寬度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、電子飽和速度高等優(yōu)勢(shì)。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
為什么
GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來說，相比LDMOS硅
技術(shù)而言，
GaN這一材料
技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅
技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44?？隙ǖ卣f，
GaN是高頻器件材料
技術(shù)上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
采用諧振電感與變壓器磁集成設(shè)計(jì)，配合GaN高頻特性，進(jìn)一步壓縮體積。例如，戴爾130W GaN電源通過類似技術(shù)實(shí)現(xiàn)體積僅120cm3，功率密度突破5W/cm3（約82W/in3），而Leadway
2025-10-22 09:09:58
%。例如，Neway模塊通過磁集成技術(shù)減少電感數(shù)量，部分抵消材料成本上升。封裝材料：為適應(yīng)高頻、高溫環(huán)境，需采用高導(dǎo)熱硅脂、耐高溫塑料等，成本較普通材料高15%-25%。制造工藝成本設(shè)備投資：GaN器件制造
2025-12-25 09:12:32
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì)，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢(shì)以及如何應(yīng)對(duì)未來挑戰(zhàn)等問題。 相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應(yīng)用在同等的電壓
2018-09-11 14:04:25
的較低電容可通過最大限度地減小寄生振鈴并優(yōu)化轉(zhuǎn)換次數(shù)來將失真降到最低，從而有助于盡可能地較少噪聲。在數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器中，GaN減少了為云端供電的電源損耗。此外，GaN在縮小電源解決方案尺寸方面所具有的功能
2018-09-10 15:02:53
%)也被廣泛研究，基于InGaN/GaN量子結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管(LED)應(yīng)用已在2014年獲得諾貝爾獎(jiǎng)，此類研究對(duì)于建立材料中雜質(zhì)的光學(xué)指紋也非常有用，有助于表征與器件結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)有關(guān)。不同的生長(zhǎng)技術(shù)
2021-07-08 13:08:32
) 和激光二極管 (LD)，并改進(jìn) III 族氮化物器件通過實(shí)現(xiàn) III 族氮化物器件薄膜的同質(zhì)外延生長(zhǎng)，顯著提高了性能。塊狀 GaN 單晶可以通過高壓溶液生長(zhǎng) (HPGS) 生長(zhǎng)，氫化物氣相外延
2021-07-07 10:26:01
/index.html摘要：氮化鎵 (GaN) 納米線 (NW) 的器件近年來引起了很多興趣。超薄 GaN NW 可用于制造許多用于未來通信和加密系統(tǒng)的新型器件，例如單光子發(fā)射器 (SPE)。傳統(tǒng)的生長(zhǎng)技術(shù)在可制造性
2021-07-08 13:11:24
面，其均方根粗糙度在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)的 GaN 的 16 nm 和尖晶石襯底上生長(zhǎng)的 GaN 的 0.3 nm 之間變化。 雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)基于 KOH 的溶液可以蝕刻 AlN 和 InAlN，但之前沒有
2021-07-07 10:24:07
電源開關(guān)的能力是 GaN 電源 IC 的一大優(yōu)勢(shì)，例如圖 1(a) 。由于GaN層可以在不同的襯底上生長(zhǎng)，早期的工作中采用了一些絕緣材料，如藍(lán)寶石和碳化硅。然而，從早期的努力中可以明顯看出
2021-07-06 09:38:20
的環(huán)節(jié)。主要功能是用模擬實(shí)現(xiàn)現(xiàn)實(shí)中的控制系統(tǒng)，即通過PC機(jī)終端控制網(wǎng)絡(luò)中的設(shè)備動(dòng)作，使人們不用探討和理解協(xié)議的許多細(xì)節(jié)，快速創(chuàng)建了更好的集成環(huán)境，減少復(fù)雜性，允許非專業(yè)人員完成對(duì)植物生長(zhǎng)箱的控制和操作
2015-11-02 10:47:44
的環(huán)節(jié)。主要功能是用模擬實(shí)現(xiàn)現(xiàn)實(shí)中的控制系統(tǒng)，即通過PC機(jī)終端控制網(wǎng)絡(luò)中的設(shè)備動(dòng)作，使人們不用探討和理解協(xié)議的許多細(xì)節(jié)，快速創(chuàng)建了更好的集成環(huán)境，減少復(fù)雜性，允許非專業(yè)人員完成對(duì)植物生長(zhǎng)箱的控制和操作
2015-11-06 09:46:34
半導(dǎo)體器件需要高度完美的晶體。但是即使使用了最成熟的技術(shù)，完美的晶體還是得不到的。不完美，就稱為晶體缺陷，會(huì)產(chǎn)生不均勻的二氧化硅膜生長(zhǎng)、差的外延膜沉積、晶圓里不均勻的摻雜層，以及其他問題而導(dǎo)致工藝
2018-07-04 16:46:41
達(dá)到這個(gè)要求。而基片集成波導(dǎo)(SIW)技術(shù)為設(shè)計(jì)這種濾波器提供了一種很好的選擇。SIW的雙膜諧振器具有一對(duì)簡(jiǎn)并模式，可以通過對(duì)諧振器加入微擾單元來使這兩個(gè)簡(jiǎn)并模式分離，因此，經(jīng)過擾動(dòng)后的諧振器可以看作一
2019-07-03 07:08:15
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
方形，通過兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
為何要用GaN技術(shù)來實(shí)現(xiàn)5G通信？
2020-12-29 07:30:12
晶體管（B）中的氮化物材料由外延片供應(yīng)商IQE通過將200 mm的 p型硅片裝入MOCVD室生長(zhǎng)得到?！ D3. （a）ITO和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的能帶圖，在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的界面處
2020-11-27 16:30:52
什么是OSP膜？如何去分析新一代耐高溫OSP膜的相關(guān)耐熱特性？經(jīng)過測(cè)試，OSP膜有什么優(yōu)點(diǎn)？
2021-04-22 07:32:25
改變，從而影響錫須的生長(zhǎng)速度。本文討論在電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)（JEDEC）推薦的三個(gè)測(cè)試條件下進(jìn)行的測(cè)試。在一定程度上，這些測(cè)試代表一些常見的實(shí)地應(yīng)用條件。在測(cè)試結(jié)果的基礎(chǔ)上研制減輕錫須生長(zhǎng)的技術(shù)
2015-03-13 13:36:02
。LMG1210具有可調(diào)節(jié)的死區(qū)時(shí)間控制，可最大程度地減少第三象限損耗。請(qǐng)參見TI白皮書：使用LMG1210 GaN驅(qū)動(dòng)器通過空載時(shí)間控制來優(yōu)化效率。TI 在這些設(shè)計(jì)中使用了高效功率轉(zhuǎn)換 eGaN功率器件。
2019-11-11 15:48:09
Qorvo 密切關(guān)注著新興的5G 標(biāo)準(zhǔn)。令人興奮的是，5G 可能包括適用于高數(shù)據(jù)帶寬連接的毫米波(mmW) 功能。隨著PC 電路板空間日益緊湊且5G 環(huán)境中的頻率越來越高，氮化鎵(GaN) 技術(shù)對(duì)于
2017-07-28 19:38:38
【作者】：張俊兵;林岳明;范玉佩;王書昶;曾祥華;【來源】：《光電子.激光》2010年03期【摘要】：采用抗刻蝕性光刻膠作為掩膜,并利用光刻技術(shù)制作周期性結(jié)構(gòu),進(jìn)行ICP干法刻蝕C面(0001
2010-04-22 11:32:16
和電機(jī)控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請(qǐng)注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應(yīng)用場(chǎng)合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅(qū)動(dòng)器件成功的關(guān)鍵并介紹了減小柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)耦合噪聲技術(shù)。
2019-06-21 08:27:30
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
的頻率交換意味著GaN可以一次轉(zhuǎn)換更大范圍的功率，減少復(fù)雜裝置中的功率變換。由于每次功率變換都會(huì)產(chǎn)生新的能耗，這對(duì)于很多高壓應(yīng)用都是一項(xiàng)顯著的優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，一項(xiàng)已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會(huì)一夜之間被取代
2019-03-01 09:52:45
太陽(yáng)膜測(cè)試儀的技術(shù)原理和應(yīng)用場(chǎng)景可以詳細(xì)闡述如下：技術(shù)原理太陽(yáng)膜測(cè)試儀的技術(shù)原理主要基于光學(xué)測(cè)量和物理定律。具體來說，它通過模擬太陽(yáng)光中的各種波長(zhǎng)（主要是紫外線、可見光和紅外線）的輻射，來檢測(cè)太陽(yáng)膜
2024-09-29 14:18:58
作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對(duì)于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
頻率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù)，由于其相對(duì)于硅材料所具有的優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比
2019-07-12 12:56:17
GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速充電系統(tǒng)
2023-06-19 06:20:57
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)越明顯。那對(duì)于手機(jī)來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
以及免執(zhí)照5GHz頻譜的使用等?！ ∵@些短期和中期擴(kuò)容技術(shù)以及最終的5G網(wǎng)絡(luò)將要求采用能提供更高功率輸出和功效且支持寬帶運(yùn)行和高頻頻段的基站功率放大器 (PA)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN on SiC的前景 歷史上
2018-12-05 15:18:26
應(yīng)用干膜防焊膜的步驟不看肯定后悔
2021-04-25 08:42:47
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
，具有（歐姆）漏極和源極接觸，凹陷的p-GaN柵極（歐姆接觸）和連接到漏極的p-GaN“柵極”結(jié)構(gòu)。出于成本原因，晶體管通過MOCVD工藝生長(zhǎng)在6英寸硅晶片的頂部。為了減小由Si和GaN的不匹配晶格
2023-02-27 15:53:50
InGaN/GaN多量子阱、如何減少內(nèi)部光損耗以及如何增加空穴注入效率？ InGaN/GaN多量子阱作為GaN基激光器的有源區(qū)，其生長(zhǎng)質(zhì)量對(duì)于激光器性能十分重要。隨著激射波長(zhǎng)的增大，InGaN量子阱中
2020-11-27 16:32:53
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
同等的功率。由此便可以提高功率密度，幫助客戶在不增大設(shè)計(jì)空間的同時(shí)滿足更高的功率要求。更高的頻率交換意味著GaN可以一次轉(zhuǎn)換更大范圍的功率，減少復(fù)雜裝置中的功率變換。由于每次功率變換都會(huì)產(chǎn)生新的能耗
2020-10-27 10:11:29
印刷能得到很好的覆蓋性，這為高密度的精細(xì)線條PCB的加工提供條件。通過表一可以說明濕膜的附著力： 濕膜與基材的接觸性、覆蓋性好，又采用底片接觸式曝光，縮短了光程，減少了光的能損失、光散射引起的誤差
2018-08-29 10:20:48
請(qǐng)問一下GaN器件和AMO技術(shù)能實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
透明導(dǎo)電膜玻璃是指在平板玻璃表面通過物理或化學(xué)鍍膜方法均勻的鍍上一層透明的導(dǎo)電氧化物薄膜而形成的組件。對(duì)于薄膜太陽(yáng)能電池來說，由于中間半導(dǎo)體層幾乎沒有橫向?qū)щ娦阅?，因此必須使用透明?dǎo)電膜玻璃有效收集
2019-10-29 09:00:52
采用電子輔助化學(xué)氣相沉積法(EA-CVD)制備摻氮金剛石薄膜，研究了不同氮?dú)饬髁繉?duì)金剛石膜的生長(zhǎng)速率、表面形貌和膜品質(zhì)的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，在較低的氮?dú)饬髁肯?，金剛?b class="flag-6" style="color: red">膜的生
2009-05-16 01:48:49
23 采用EA-CVD(Electron Assisted Chemical Vapor Deposition)方法制備金剛石厚膜，在反應(yīng)氣體（CH4+H2）中添加乙醇，在保持其它條件不變的情況下研究了不同乙醇流量對(duì)金剛石膜生長(zhǎng)的影響。利
2009-05-16 01:53:3722 已全部加載完成
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