功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見(jiàn)類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:20
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在IGBT功率模塊的動(dòng)態(tài)測(cè)試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測(cè)試夾具的layout、材料及連接方式引入，會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)波形畸變、電壓尖峰升高及損耗測(cè)量偏差。
2025-06-04 15:07:311750 
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測(cè)試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案，并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571161 
中國(guó)北京2019年7月3日 – 在剛剛過(guò)去的PCIM Aisa展會(huì)上，泰克展示了功率器件全新測(cè)試方案，包括動(dòng)態(tài)特性解決方案、靜態(tài)特性解決方案、系統(tǒng)調(diào)試解決方案，整體解決方案助力工程師系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2019-07-04 08:49:551627 本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
點(diǎn)擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)——彎腳及焊接應(yīng)注意的問(wèn)題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個(gè)問(wèn)題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
`半導(dǎo)體器件C-V特性測(cè)試方案交流C-V測(cè)試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界面陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流C-V測(cè)試方式來(lái)評(píng)估新工藝，材料， 器件以及電路的質(zhì)量
2019-09-27 14:23:43
載的 直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過(guò)程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。 在CV特性測(cè)試方案中，同時(shí)集成了美國(guó)吉時(shí)利公司源表（SMU）和合作伙伴針對(duì)CV測(cè)試設(shè)計(jì)的專用精
2019-09-29 15:28:11
作者： Robert GeeMaxim Integrated核心產(chǎn)品事業(yè)部執(zhí)行業(yè)務(wù)經(jīng)理 在半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，管理成本依然是最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)之一，因?yàn)樽詣?dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)是一項(xiàng)重大的資本支出。那么，有沒(méi)有能夠降低每片晶圓的成本，從而提升競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的方法呢？有，答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
大陸轉(zhuǎn)移的歷史浪潮之下，半導(dǎo)體材料進(jìn)口替代將成為必然趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料研究未來(lái)成長(zhǎng)空間巨大。泰克產(chǎn)品提供全套的解決方案可供電子測(cè)試工程師選擇。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，中國(guó)正成為主要承接
2020-05-09 15:22:12
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測(cè)試材料的電阻率。半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試方法有很多種，其中四探針?lè)ň哂性O(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、測(cè)量精度高以及對(duì)樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
器件都承載著巨大的科技使命，它的穩(wěn)定性和壽命直接決定著設(shè)備的整體壽命與系統(tǒng)安全的保障，而半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備正是守護(hù)這些芯小小器件品質(zhì)的關(guān)鍵利器，為半導(dǎo)體制造企業(yè)及應(yīng)用終端行業(yè)為半導(dǎo)體核心功率轉(zhuǎn)換元件
2025-10-10 10:35:17
DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)西安天光測(cè)控DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)能測(cè)試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs
2022-02-17 07:44:04
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN3111C器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7346器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7382器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FSL138MRT器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-27 08:41:49
功率放大器的主要測(cè)試參數(shù)R&S WiMAX功放測(cè)試解決方案
2021-04-12 06:57:41
功率半導(dǎo)體器件概述功率半導(dǎo)體器件基本概念功率半導(dǎo)體器件（Power Semiconductor Device）又稱電力電子器件（Power Electronic Device）。1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室
2019-02-26 17:04:37
建模工具所采用?；谄浼傻牟⑿蠸PICE引擎，BSIMProPlus提供強(qiáng)大的全集成SPICE建模平臺(tái)，可以用于對(duì)各種半導(dǎo)體器件從低頻到高頻的各種器件特性的SPICE建模，包括電學(xué)特性測(cè)試、器件模型
2020-07-01 09:36:55
阻使這些材料成為高溫和高功率密度轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)的理想選擇 ［4］?！ 榱顺浞?b class="flag-6" style="color: red">利用這些技術(shù)，重要的是通過(guò)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗模型評(píng)估特定所需應(yīng)用的可用半導(dǎo)體器件。這是設(shè)計(jì)優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器的強(qiáng)大
2023-02-21 16:01:16
了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線（涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:50:23
`吉時(shí)利——半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案半導(dǎo)體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等，是組成集成電路的基礎(chǔ)。 直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
需求，多站點(diǎn)測(cè)試策略不會(huì)提高測(cè)試的經(jīng)濟(jì)性。 當(dāng)今的半導(dǎo)體器件包括各種數(shù)字，模擬和RF能力，所有這些都集成在單個(gè)封裝或SoC（片上系統(tǒng)）中。 結(jié)果是，測(cè)試解決方案不僅必須是成本有效的，而且靈活，以便
2017-04-13 15:40:01
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
半導(dǎo)體的解決方案為解決上述問(wèn)題，可以使用安森美半導(dǎo)體的一些有針對(duì)性的解決方案，從設(shè)計(jì)之初就解決智能電表的耗電問(wèn)題。電源管理和穩(wěn)壓方案：在這方面安森美半導(dǎo)體有豐富的器件可供使用，比如在AC-DC轉(zhuǎn)換
2019-05-15 10:57:14
；第五部分表示規(guī)格。具體規(guī)定見(jiàn)表 3.1 所示。2.日本常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 3.美國(guó)常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 4.常用的整流二極管型號(hào)及性能 5.硅高頻小功率三極管參數(shù) 6.部分國(guó)外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
的測(cè)試解決方案，完美解決了在微小電阻測(cè)試過(guò)程中經(jīng)常遇到的問(wèn)題，使電阻測(cè)量靈敏度高達(dá) 10nΩ。 配合上位機(jī)軟件和測(cè)試夾具，可以一站式解決用戶在儀表與待測(cè)件連接，測(cè)試結(jié)果存儲(chǔ)，以及數(shù)據(jù)分析過(guò)程中遇到的繁雜
2020-02-18 09:50:47
半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷半導(dǎo)體科技有限公司（Verigy Ltd.）的V93000 SoC測(cè)試機(jī)臺(tái)推出Port Scale射頻（RF）測(cè)試解決方案。這套新的解決方案可提供經(jīng)濟(jì)、有效又可靠的射頻量測(cè)能力
2019-06-21 06:23:57
惠瑞捷半導(dǎo)體科技有限公司（Verigy Ltd.）的V93000 SoC測(cè)試機(jī)臺(tái)推出Port Scale射頻（RF）測(cè)試解決方案。這套新的解決方案可提供經(jīng)濟(jì)、有效又可靠的射頻量測(cè)能力，是測(cè)試新式的高
2019-06-27 06:31:28
, CdTe 等；3、低阻抗材料：金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等。 四、系統(tǒng)原理：霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)主要是對(duì)霍爾器件的 I-V 測(cè)量，再根據(jù)其他相關(guān)參數(shù)來(lái)計(jì)算出對(duì)應(yīng)的值。電阻率：范德
2020-06-08 17:04:49
` 不是所有的半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商對(duì)所有的器件都需要進(jìn)行老化測(cè)試。普通器件制造由于對(duì)生產(chǎn)制程比較了解，因此可以預(yù)先掌握通過(guò)由統(tǒng)計(jì)得出的失效預(yù)計(jì)值。如果實(shí)際故障率高于預(yù)期值，就需要再做老化測(cè)試，提高實(shí)際可靠性以滿足用戶的要求。宜特`
2019-08-02 17:08:06
對(duì)半導(dǎo)體測(cè)試有何要求？對(duì)半導(dǎo)體測(cè)試有哪幾種方式？如何對(duì)數(shù)字輸出執(zhí)行VOH、VOL和IOS測(cè)試？
2021-07-30 06:27:39
+TCP0030A+IGBT town軟件五、方案優(yōu)勢(shì)：1.可靠、可重復(fù)地測(cè)試IGBT及MOSFET (包括第三代半導(dǎo)體器件SiC、GaN )功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)特征2.測(cè)量的特征包括開(kāi)啟、關(guān)閉、開(kāi)關(guān)切換、反向恢復(fù)、柵極
2021-05-20 11:17:57
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
服務(wù)介紹隨著技術(shù)發(fā)展，第三代半導(dǎo)體功率器件開(kāi)始由實(shí)驗(yàn)室階段步入商業(yè)應(yīng)用，未來(lái)應(yīng)用潛力巨大，這些新型器件測(cè)試要求更高的電壓和功率水平，更快的開(kāi)關(guān)時(shí)間。測(cè)試周期：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)、試驗(yàn)條件及被測(cè)樣品量確定
2022-05-25 14:26:58
SPEA功率器件測(cè)試機(jī)SPEA-功率器件測(cè)試機(jī)-DOT800T功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，主要用途包括逆變、變頻等，在家用電器、新能源汽車、工業(yè)制造、通訊等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。小型化
2022-09-16 15:36:04
一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專為以下測(cè)試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
數(shù)字型晶體管圖示儀半導(dǎo)體電子器件通用測(cè)試機(jī)一 型號(hào)：F-200A-2K5總體描述F-200A-2K5系列半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專為以下測(cè)試需求研制：MOSIGBTBJTDIODEZenerTVSLEDRdsonVfdIGSFIGSRVgthVdssIdssVcesatVfdIGSFIGSRVgthVcesIcesVcesathFEBVcboIcboBVc
2024-04-22 15:39:46
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀產(chǎn)品介紹 產(chǎn)品為桌面放置的臺(tái)式機(jī)結(jié)構(gòu)，由測(cè)試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器，還能
2024-05-13 14:46:04
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)產(chǎn)品介紹 產(chǎn)品為桌面放置的臺(tái)式機(jī)結(jié)構(gòu)，由測(cè)試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器，還能 夠通過(guò)
2024-05-20 17:10:12
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)&能測(cè) IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)能測(cè)試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V
2024-07-30 08:56:15
半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)&能測(cè) IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)能測(cè)試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V
2024-07-30 09:01:22
一、設(shè)備簡(jiǎn)述：天士立科技ST-CVX半導(dǎo)體功率器件CV特性結(jié)電容分析測(cè)試儀是陜西天士立科技有限公司根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì)，針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器。儀器
2024-08-01 13:33:59
產(chǎn)品介紹 HUSTEC-DC-2010晶體管直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是由我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合半導(dǎo)體功率器件
2024-09-09 13:46:47
誼邦電子科技YB6500半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)功能更加強(qiáng)大，可測(cè)試十九大類二十七分類大、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件
2011-06-07 11:28:423215 射頻微波器件及測(cè)試技術(shù)發(fā)展 Agilent 網(wǎng)絡(luò)儀產(chǎn)品：PNA-X,E5061B 頻率源測(cè)試技術(shù) 微波器件的系統(tǒng)級(jí)參數(shù)測(cè)試 熱點(diǎn)技術(shù)問(wèn)題的解決方案 有源電路非線性參數(shù)測(cè)試和建模分析 脈沖器件測(cè)試 混
2011-10-11 16:31:48
0 半導(dǎo)體技術(shù)的要求通常會(huì)超出傳統(tǒng)ATE所能為模擬、混合信號(hào)和RF測(cè)試提供的測(cè)試覆蓋范圍。半導(dǎo)體測(cè)試工程師需要更智能的解決方案來(lái)解決成本、可擴(kuò)展性、設(shè)計(jì)和器件挑戰(zhàn)。
2019-02-05 08:41:003842 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的其中一個(gè)環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體測(cè)試一直以來(lái)備受關(guān)注。隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，測(cè)試和驗(yàn)證也變得更加重要。
2019-04-11 09:12:5916340 針對(duì)無(wú)線電領(lǐng)域的各種計(jì)量測(cè)試需求，羅德與施瓦茨公司提供相應(yīng)全面的計(jì)量與測(cè)試解決方案，覆蓋網(wǎng)絡(luò)分析儀與功率計(jì)、微波信號(hào)源、矢量信號(hào)源、頻譜分析儀、相位噪聲分析儀、元器件計(jì)量測(cè)試、EMC測(cè)試和天線測(cè)試等方面，完善的計(jì)量與測(cè)試解決方案包含了眾多先進(jìn)的計(jì)量與測(cè)試產(chǎn)品。
2019-10-15 15:39:553952 ? 廣泛的測(cè)試解決方案，包括測(cè)試源表、線纜、夾具、探針臺(tái)、軟件及應(yīng)用案例；
2020-12-02 09:45:111169 第三代半導(dǎo)體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來(lái)了革新，基于其高速，小體積，低功耗的特點(diǎn)，越來(lái)越廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子及電力電子行業(yè)。下圖顯示了不同技術(shù)的功率器件的性能區(qū)別?？梢钥吹剑瑐鹘y(tǒng)的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:061577 
可靠性測(cè)試需求和發(fā)展趨勢(shì)，分享Siemens MicRed Power Tester功率循環(huán)測(cè)試解決方案以及一些案例，并利用專業(yè)的數(shù)據(jù)后處理軟件對(duì)這些案例分析和總結(jié)。 主要內(nèi)容： 1，分析功率器件（單管,平面式IGBT模塊,SiC Mosfet模塊）測(cè)試需求； 2，Rth熱測(cè)試介紹與數(shù)據(jù)后處理分析；
2022-10-21 17:15:544139 參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器
件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源
2023-02-15 16:11:141 ? 功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，主要用途包括逆變、變頻等，在家用電器、新能源汽車、工業(yè)制造、通訊等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。小型化、集成化、大功率、低功耗是功率半導(dǎo)體的主要發(fā)展方向，這些趨勢(shì)也
2023-02-15 16:05:053 1.設(shè)備基本參數(shù)1.1設(shè)備名稱：半導(dǎo)體功率器件測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)：EN-3020B設(shè)備數(shù)量： 1 臺(tái)外接設(shè)備：筆記本電腦1臺(tái)設(shè)備規(guī)格：600mm×800mm×1600mm測(cè)試夾具： 5 個(gè)
2023-02-15 15:50:311 EN-6500A功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是由西安易恩電氣科技有限公司自主研制、生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試的專用設(shè)備，通過(guò)使用更換不同的測(cè)試工裝可
以對(duì)不同封裝的半導(dǎo)體器件進(jìn)行非破壞性瞬態(tài)測(cè)試
2023-02-16 15:38:103 解決方案為核心，聯(lián)合國(guó)內(nèi)外一線方案合作伙伴，為全球半導(dǎo)體客戶提供各種測(cè)試開(kāi)發(fā)服務(wù)，輔助客戶完成半導(dǎo)體器件以及電路的精確測(cè)試。是德科技始終致力于為客戶提供高效可靠的測(cè)試服務(wù)，歡迎您的垂詢和合作！ 把握中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)的未來(lái)，彰顯價(jià)值 隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模日益擴(kuò)大，中國(guó)半導(dǎo)
2023-03-27 09:28:422497 功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，主要用途包括逆變、變頻等，在家用電器、新能源汽車、工業(yè)制造、通訊等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。小型化、集成化、大功率、低功耗是功率半導(dǎo)體的主要發(fā)展方向，這些趨勢(shì)也
2022-09-23 11:35:322022 
。屆時(shí)，概倫電子將攜 領(lǐng)先的半導(dǎo)體特性測(cè)試儀FS-Pro、業(yè)界黃金標(biāo)準(zhǔn)低頻噪聲測(cè)試系統(tǒng)981X系列以及資深專家團(tuán)隊(duì)打造的一站式工程服務(wù)解決方案 亮相此次盛會(huì)。 ? 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀FS-Pro 一款功能全面、配置靈活的半導(dǎo)體器件電學(xué)特性分析測(cè)試系統(tǒng)，能夠快速、準(zhǔn)確地測(cè)試半導(dǎo)
2023-06-20 09:25:011343 
測(cè)試流程和良率，并降低成本，同時(shí)降低基于云的解決方案存在的安全風(fēng)險(xiǎn)。 泰瑞達(dá)半導(dǎo)體測(cè)試部營(yíng)銷副總裁兼總經(jīng)理Regan Mills表示：“采用先進(jìn)工藝的高質(zhì)量半導(dǎo)體器件需求增加了半導(dǎo)體制造的復(fù)雜性，只有全面的測(cè)試和分析解決方案才能幫助解決這一問(wèn)題。
2023-07-20 18:00:271216 半導(dǎo)體推力測(cè)試機(jī)通過(guò)各種夾具的配合完成抗拉、彎曲、壓縮等多種力學(xué)檢測(cè)。夾具是推拉力測(cè)試機(jī)中重要的一個(gè)零件。通過(guò)夾具夾持試樣對(duì)試樣進(jìn)行加力，夾具所能承受的試驗(yàn)力的大小是夾具的一個(gè)很重要的指標(biāo)。它決定了
2023-09-06 14:46:47998 的好壞、穩(wěn)定性的高低直接影響到電子設(shè)備的性能和可靠性。從最籠統(tǒng)的角度說(shuō)，我們可以利用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行IV參數(shù)測(cè)試，即電壓和電流關(guān)系的測(cè)試，也可以延展到CV參數(shù)測(cè)試即電容相關(guān)的測(cè)試。 通過(guò)以上測(cè)試，我們可以得到半
2023-09-13 07:45:025532 
半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試參數(shù)是指在直流條件下對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，目的是為了判斷半導(dǎo)體分立器件在直流條件下的性能，主要是測(cè)試半導(dǎo)體器件在工作過(guò)程中的電流特性和電壓特性。ATECLOUD半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)采用軟硬件架構(gòu)為測(cè)試工程師提供整體解決方案，此系統(tǒng)可程控，可以實(shí)現(xiàn)隨時(shí)隨地測(cè)試，移動(dòng)端也可實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試數(shù)據(jù)情況。
2023-10-10 15:05:301926 半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是指在交流條件下對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試，是確保半導(dǎo)體性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要依據(jù)。動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、反向恢復(fù)電流、開(kāi)關(guān)電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:381135 
對(duì)于半導(dǎo)體器件而言熱阻是一個(gè)非常重要的參數(shù)和指標(biāo)，是影響半導(dǎo)體性能和穩(wěn)定性的重要因素。如果熱阻過(guò)大，那么半導(dǎo)體器件的熱量就無(wú)法及時(shí)散出，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件溫度過(guò)高，造成器件性能下降，甚至損壞器件。因此，半導(dǎo)體熱阻測(cè)試是必不可少的，納米軟件將帶你了解熱阻測(cè)試的方法。
2023-11-08 16:15:284667 
半導(dǎo)體IC測(cè)試解決方案測(cè)試的指標(biāo)包含哪些？ 半導(dǎo)體IC測(cè)試解決方案的指標(biāo)可以根據(jù)不同的需求和應(yīng)用來(lái)確定。下面將詳細(xì)介紹一些常見(jiàn)的測(cè)試指標(biāo)。 1. 電氣性能測(cè)試指標(biāo)： 電氣性能測(cè)試是半導(dǎo)體IC測(cè)試
2023-11-09 09:24:202124 什么是半導(dǎo)體的成品測(cè)試系統(tǒng)，如何測(cè)試其特性？ 半導(dǎo)體的成品測(cè)試系統(tǒng)是用于測(cè)試制造出來(lái)的半導(dǎo)體器件的一種設(shè)備。它可以通過(guò)一系列測(cè)試和分析來(lái)確定半導(dǎo)體器件的性能和功能是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格。 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代
2023-11-09 09:36:441403 可靠性測(cè)試是半導(dǎo)體器件測(cè)試的一項(xiàng)重要測(cè)試內(nèi)容，確保半導(dǎo)體器件的性能和穩(wěn)定性，保證其在各類環(huán)境長(zhǎng)時(shí)間工作下的穩(wěn)定性。半導(dǎo)體可靠性測(cè)試項(xiàng)目眾多，測(cè)試方法多樣，常見(jiàn)的有高低溫測(cè)試、熱阻測(cè)試、機(jī)械沖擊測(cè)試、引線鍵合強(qiáng)度測(cè)試等。
2023-11-09 15:57:524794 
“時(shí)間就是金錢”這句話在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)測(cè)試中尤為貼切。
2023-12-25 17:21:032597 
高壓功率放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中扮演著重要的角色。半導(dǎo)體測(cè)試是指對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行各種電性能參數(shù)測(cè)試和質(zhì)量檢測(cè)的過(guò)程。以下是關(guān)于高壓功率放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用的詳細(xì)介紹。 一、高壓信號(hào)發(fā)生器： 在
2024-01-15 11:24:491036 
概倫電子攜半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試與全自動(dòng)解決方案即將亮相SEMICON CHINA
2024-03-06 10:57:331079 HUSTEC-DC-2010分立器件測(cè)試儀，是我司團(tuán)隊(duì)結(jié)合多年半導(dǎo)體器件測(cè)試經(jīng)驗(yàn)而研發(fā)的，可以應(yīng)用于多種場(chǎng)景，如： ? 測(cè)試分析（功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測(cè)試） 失效分析（對(duì)失效器件進(jìn)行測(cè)試分析
2024-05-20 16:50:331467 
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)產(chǎn)品介紹 HUSTEC-DC-2010晶體管直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是由我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合半導(dǎo)體功率器件測(cè)試的多年經(jīng)驗(yàn)，以及眾多國(guó)內(nèi)外測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品的熟悉了解后，自主開(kāi)發(fā)
2024-05-21 10:37:570 擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.BJT、 IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試
2024-07-23 15:43:311609 
寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件，在電源處理器中充當(dāng)了越來(lái)越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優(yōu)勢(shì)，成為各種電源或電源模塊的首選。而其中功率半導(dǎo)體上下管雙脈沖測(cè)試，成為動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試的最經(jīng)典評(píng)估項(xiàng)目。
2024-08-06 17:30:502038 
功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來(lái)，我國(guó)功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過(guò)持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平大幅提高。部分優(yōu)質(zhì)企業(yè)在細(xì)分產(chǎn)品領(lǐng)域的技術(shù)
2024-09-12 09:46:501601 
功率循環(huán)測(cè)試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測(cè)試方法，被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級(jí)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測(cè)項(xiàng)目。與溫度循環(huán)測(cè)試相比，功率循環(huán)是通過(guò)器件內(nèi)部工作的芯片產(chǎn)生熱量，使得器件達(dá)到既定的溫度；而溫度循環(huán)則是通過(guò)外部環(huán)境強(qiáng)制被測(cè)試器件達(dá)到測(cè)試溫度。
2024-10-09 18:11:471596 
探針卡（Probe Card）是半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵工具，主要用于晶圓級(jí)的電學(xué)性能檢測(cè)。在半導(dǎo)體制造流程中，為了確保每個(gè)芯片的質(zhì)量與性能達(dá)標(biāo)，在封裝之前必須對(duì)晶圓上的每個(gè)裸片進(jìn)行詳細(xì)的電學(xué)
2024-11-25 10:27:291230 
半導(dǎo)體器件在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)因功率損耗、環(huán)境溫度等因素產(chǎn)生熱量，過(guò)高的溫度可能導(dǎo)致器件性能下降甚至損壞。因此，熱測(cè)試成為半導(dǎo)體元件性能驗(yàn)證和可靠性評(píng)估的重要環(huán)節(jié)。然而，半導(dǎo)體熱測(cè)試中往往會(huì)遇到一系列問(wèn)題
2025-01-02 10:16:501291 
在半導(dǎo)體器件的實(shí)際部署中，它們會(huì)因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱，過(guò)高的溫度會(huì)削弱甚至損害器件性能。因此，熱測(cè)試對(duì)于驗(yàn)證半導(dǎo)體組件的性能及評(píng)估其可靠性至關(guān)重要。然而，半導(dǎo)體熱測(cè)試過(guò)程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391581 在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501643 
一、定義與核心功能 半導(dǎo)體測(cè)試儀夾具是用于固定被測(cè)器件（如芯片、晶圓、封裝模塊）并建立穩(wěn)定電氣連接的專用裝置，其核心功能包括： ? 精準(zhǔn)定位與固定 ?：通過(guò)機(jī)械結(jié)構(gòu)（如夾持螺桿、導(dǎo)向槽）確保被測(cè)件在
2025-06-05 11:43:17715 ? 半導(dǎo)體分立器件主要包括： ? 二極管 ?（如整流二極管、肖特基二極管） ? 三極管 ?（雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管） ? 晶閘管 ?（可控硅） ? 功率器件 ?（IGBT、MOSFET）? 2. ? 核心測(cè)試參數(shù) ? ? 電氣特性 ?：正向/反向電壓、漏電流、導(dǎo)
2025-07-22 17:46:32825 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石，其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導(dǎo)體器件從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，每個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)測(cè)試設(shè)備的精度、效率提出了嚴(yán)苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測(cè)試測(cè)量?jī)x器，在半導(dǎo)體器件測(cè)試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52652 
主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性。這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)。主要包括：柵極開(kāi)啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏
2025-08-05 16:06:15648 
一、基本概念 CV特性 （電容-電壓特性）是指半導(dǎo)體器件在不同偏置電壓下表現(xiàn)出的電容變化規(guī)律，主要用于分析器件的介電特性、載流子分布和界面狀態(tài)。該特性是評(píng)估功率器件性能的核心指標(biāo)之一。 CV特性測(cè)試
2025-09-01 12:26:20933 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀產(chǎn)品介紹產(chǎn)品為桌面放置的臺(tái)式機(jī)結(jié)構(gòu)，由測(cè)試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器，還能夠通過(guò)Prober接口、Handler接口可選（16Bin）連接分選機(jī)和機(jī)械手建立
2025-10-29 10:28:53235 
隨著新能源汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導(dǎo)體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對(duì)于半導(dǎo)體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372315 
在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造過(guò)程中，器件性能的精確測(cè)試是確保產(chǎn)品可靠性與一致性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導(dǎo)體靜態(tài)電性測(cè)試系統(tǒng) ，正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03118 
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