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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>功率器件雪崩耐量測(cè)試

功率器件雪崩耐量測(cè)試

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整機(jī)應(yīng)用中,EMC測(cè)試是現(xiàn)在必不可少的一個(gè)測(cè)試環(huán)節(jié),其中EMC產(chǎn)生的原因和功率器件的振蕩、電源紋波率等息息相關(guān)。隨著生活需求的發(fā)展,電器設(shè)備的小型化、高集成化需求日益增加,尤其在縮小電感成本空間
2025-12-30 11:01:475193

高壓功率放大器如何助力ESR測(cè)試

高壓功率放大器在ESR(等效串聯(lián)電阻)測(cè)試中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。以下是其具體應(yīng)用和助力方式: 1.提供高功率信號(hào) 在測(cè)試大容量電容或高電壓電容時(shí),需要高功率信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)電容。高壓功率放大器能夠?qū)⑿盘?hào)
2025-12-30 10:38:5537

OpenTest ISO 3744 聲功率測(cè)試流程

30 dB(A) 左右,滿(mǎn)載時(shí)可能接近 40 dB(A),這些數(shù)值就來(lái)自按 ISO 3744 等標(biāo)準(zhǔn)做的聲功率測(cè)試。 聲壓 vs 聲功率聲源輻射的是聲功率,我們?cè)邴溈孙L(fēng)上測(cè)到的是聲壓。聲壓會(huì)隨著房間大小
2025-12-18 15:29:40

淺析助焊劑在功率器件封裝焊接中的應(yīng)用匹配要求

:小功率器件側(cè)重工藝性與環(huán)保合規(guī);中功率器件需平衡活性與抗熱疲勞性;大功率器件則要求高溫活性穩(wěn)定、殘留低且絕緣性?xún)?yōu)異。匹配需遵循工藝、器件、合規(guī)三大原則,同時(shí)規(guī)避盲
2025-12-12 15:40:142169

TVS二極管的雪崩測(cè)試:原理、步驟與常見(jiàn)問(wèn)題

TVS二極管(瞬態(tài)電壓抑制二極管)廣泛應(yīng)用于電路中保護(hù)敏感元器件免受瞬時(shí)過(guò)電壓和浪涌電流的損害。為了確保TVS二極管能夠在電路中穩(wěn)定有效地發(fā)揮保護(hù)作用,雪崩測(cè)試(AvalancheTesting
2025-12-08 14:28:37347

焊材導(dǎo)致的功率器件焊接失效的“破局指南”

本文以焊材廠家工程師視角,科普焊材導(dǎo)致功率器件封裝焊接失效的核心問(wèn)題,補(bǔ)充了晶閘管等此前未提及的器件類(lèi)型。不同器件焊材適配邏輯差異顯著:小功率MOSFET用SAC305錫膏,中功率IGBT選
2025-12-04 10:03:572063

WIFI耦合測(cè)試方案詳解

干擾其他設(shè)備易引發(fā)信道爭(zhēng)搶、上網(wǎng)卡頓。 傳統(tǒng)屏蔽箱吞吐測(cè)試雖能反映實(shí)際體驗(yàn),但批量生產(chǎn)場(chǎng)景中存在效率低、占地廣的問(wèn)題。RF功率耦合測(cè)試方案可實(shí)現(xiàn)1拖16批測(cè)試,既保證射頻參數(shù)的真實(shí)性,又能高效完成產(chǎn)
2025-12-01 10:40:40

選型手冊(cè):MOT20N65HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT20N65HF是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開(kāi)關(guān)速度、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及650V耐壓,適用于高效開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-24 14:33:13243

STD2000X:半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)電性測(cè)試的全場(chǎng)景解決方案

在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造過(guò)程中,器件性能的精確測(cè)試是確保產(chǎn)品可靠性與一致性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導(dǎo)體靜態(tài)電性測(cè)試系統(tǒng) ,正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03118

季豐電子功率器件動(dòng)態(tài)老化測(cè)試能力介紹

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2025-11-19 11:19:10500

選型手冊(cè):MOT13N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT13N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開(kāi)關(guān)速度、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及500V耐壓,適用于高效開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-19 10:24:32240

功率MOSFET管的應(yīng)用問(wèn)題分析

器件熱量相對(duì)耗散更多,因此,雪崩能量增大。電感值越大,測(cè)試時(shí)間就越長(zhǎng),生產(chǎn)效率越低。評(píng)估雪崩,仍然要考慮電感值的影響。 問(wèn)題38:功率MOSFET管的輸出電容Coss越大,Eas性能會(huì)越好
2025-11-19 06:35:56

半導(dǎo)體器件的通用測(cè)試項(xiàng)目都有哪些?

隨著新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展,半導(dǎo)體器件在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛,為了提升系統(tǒng)的性能,半導(dǎo)體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對(duì)于半導(dǎo)體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372314

吉時(shí)利2614B大電流源表在功率器件測(cè)試中的精準(zhǔn)應(yīng)用

功率半導(dǎo)體器件研發(fā)與生產(chǎn)領(lǐng)域,對(duì)器件性能參數(shù)的精準(zhǔn)測(cè)試是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。吉時(shí)利2614B大電流源表憑借其卓越的性能與多功能集成特性,成為應(yīng)對(duì)高電壓、大電流測(cè)試場(chǎng)景的理想選擇,為功率器件
2025-11-13 11:46:25157

選型手冊(cè):MOT7N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT7N70F是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開(kāi)關(guān)特性、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及700V耐壓,廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS
2025-11-12 09:34:45197

功率放大器在聲空化微流控器件中的應(yīng)用

了基于聲空化微流控器件精準(zhǔn)調(diào)控脂質(zhì)體藥物粒徑分布的新方法。 研究方向: 聲空化微流控混合 測(cè)試設(shè)備: ATA-2031功率放大器、信號(hào)發(fā)生器、超聲換能器等。 圖:實(shí)驗(yàn)過(guò)程 實(shí)驗(yàn)過(guò)程: 將信號(hào)發(fā)生器和功率放大器連接,并將功率放大器的正
2025-11-11 13:59:14181

織物透濕測(cè)試儀數(shù)據(jù)采集集中監(jiān)控系統(tǒng)

織物透濕測(cè)試是衡量面料舒適性的關(guān)鍵指標(biāo)。透濕測(cè)試儀主要用于測(cè)試各種涂層織物、符合面料、復(fù)合膜、塑料薄膜、交換膜等材料的透濕,通過(guò)溫濕度傳感器、制冷機(jī)組、風(fēng)機(jī)等設(shè)備實(shí)現(xiàn)測(cè)試操作。 某紡織廠配備
2025-11-11 10:55:03289

TO功率器件晶片粘接強(qiáng)度檢測(cè):一套完整的推拉力測(cè)試機(jī)解決方案

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,TO(晶體管外形)封裝器件因其結(jié)構(gòu)堅(jiān)固、散熱良好而被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源汽車(chē)及能源管理等高可靠性場(chǎng)景。然而,其內(nèi)部晶片與基島之間的焊接或粘接質(zhì)量,直接決定了器件的長(zhǎng)期導(dǎo)通性
2025-11-10 09:46:36351

基于Moku的功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng):精準(zhǔn)、高效、經(jīng)濟(jì)的一體化測(cè)試方案

摘要隨著SiC、GaN等新型功率器件的廣泛應(yīng)用,功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試對(duì)系統(tǒng)響應(yīng)速度、同步精度和靈活性提出了更高要求。本文基于LiquidInstruments的Moku平臺(tái),提出一種可重構(gòu)、高集成度
2025-10-31 14:09:44324

華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT功率器件測(cè)試儀一:IGBT功率器件測(cè)試儀主要特點(diǎn)華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率
2025-10-29 10:39:241726

APD雪崩光電二極管的使用方法及核心信息講解

光電二極管的一些核心信息進(jìn)行講解,同時(shí)與其它一些比較相似的器件,如PIN光電二極管/MPPC(SiPM,硅光電倍增管)/PMT光電倍增管,做一下區(qū)別分析,以及使用優(yōu)勢(shì)和使用方法的說(shuō)明。 一,APD雪崩光電二極管與其它幾種探測(cè)器的區(qū)別 1,APD雪崩光電二極管的引腳
2025-10-21 09:22:201054

簡(jiǎn)儀科技高密度多物理自動(dòng)化測(cè)試解決方案

用戶(hù)采用先進(jìn)的微納工藝從事太赫茲集成器件科研和開(kāi)發(fā)。在研發(fā)中經(jīng)常需要進(jìn)行繁復(fù)的高密度多物理測(cè)量。用戶(hù)采用傳統(tǒng)分立儀器測(cè)試的困難在于高度依賴(lài)實(shí)驗(yàn)人員經(jīng)驗(yàn),缺乏標(biāo)準(zhǔn)化、自動(dòng)化試驗(yàn)平臺(tái)。
2025-10-18 11:22:311220

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)的用途及如何選擇合適的半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)

? 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)是用于評(píng)估二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能器件性能的專(zhuān)業(yè)設(shè)備。 一、核心功能 ? 參數(shù)測(cè)試 ? ? 靜態(tài)參數(shù) ?:擊穿電壓(V(BR))、漏電流(I(CES))、導(dǎo)通電
2025-10-16 10:59:58342

普源精電亮相2025碳化硅功率器件測(cè)試和應(yīng)用高級(jí)研修班

2025年9月,一場(chǎng)聚焦前沿技術(shù)的“碳化硅功率器件測(cè)試和應(yīng)用高級(jí)研修班”在蘇州圓滿(mǎn)落幕。本次盛會(huì)匯聚了全國(guó)各地的企業(yè)研發(fā)精英與測(cè)試工程師,共同探索第三代半導(dǎo)體的測(cè)試挑戰(zhàn)與行業(yè)未來(lái)。普源精電(RIGOL)受邀出席,攜核心解決方案與現(xiàn)場(chǎng)工程師展開(kāi)深度交流,以硬核技術(shù)實(shí)力點(diǎn)燃全場(chǎng)熱情。
2025-10-13 13:57:46420

電線干濕電弧試驗(yàn)機(jī)的測(cè)試數(shù)據(jù)精準(zhǔn)采集與分析方法

在電線干濕電弧試驗(yàn)中,測(cè)試數(shù)據(jù)是判斷電線候性與電弧性能的核心依據(jù),其精準(zhǔn)度直接決定了試驗(yàn)結(jié)論的科學(xué)性與可靠性。電線干濕電弧試驗(yàn)機(jī)需通過(guò)系統(tǒng)化的數(shù)據(jù)采集手段,捕捉試驗(yàn)過(guò)程中電線
2025-10-11 09:20:36277

功率放大器測(cè)試解決方案分享——光纖水聽(tīng)器動(dòng)態(tài)壓力測(cè)試

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2025-10-10 18:34:05378

BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)---精準(zhǔn)洞察,卓越測(cè)量

器件都承載著巨大的科技使命,它的穩(wěn)定性和壽命直接決定著設(shè)備的整體壽命與系統(tǒng)安全的保障,而半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備正是守護(hù)這些芯小小器件品質(zhì)的關(guān)鍵利器,為半導(dǎo)體制造企業(yè)及應(yīng)用終端行業(yè)為半導(dǎo)體核心功率轉(zhuǎn)換元件
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差示掃描熱儀DSC-600S測(cè)試PET材料的結(jié)晶度

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2025-09-23 15:44:03709

功率 LED 路燈驅(qū)動(dòng):插件鋁電解電容戶(hù)外溫差,比貼片更耐用

隨著城市化進(jìn)程的加快,大功率LED路燈因其高效節(jié)能、長(zhǎng)壽命等優(yōu)勢(shì),已成為城市照明的主流選擇。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,路燈驅(qū)動(dòng)電源的可靠性問(wèn)題日益凸顯,尤其是關(guān)鍵元器件——電解電容的選型,直接關(guān)系到整個(gè)
2025-09-19 16:07:23539

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十四)----熱成像儀測(cè)溫度概述

摘要功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiC高功率密度設(shè)計(jì)的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)和測(cè)試的基本技能,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率
2025-09-12 17:05:13772

Keithley 2790 安全氣囊和電氣器件測(cè)試系統(tǒng)

吉時(shí)利2790+7702 2304AKeithley 2790 安全氣囊和電氣器件測(cè)試系統(tǒng)這些高電壓、多通道電阻測(cè)量解決方案可加快并簡(jiǎn)化安全氣囊充氣機(jī)的電氣檢查以及各種其他汽車(chē)電氣測(cè)試應(yīng)用。 它們將
2025-09-12 16:06:11

一機(jī)多標(biāo),高效測(cè)試碎石沖擊試驗(yàn)機(jī)出口理想設(shè)備

,滿(mǎn)足不同國(guó)家和行業(yè)的質(zhì)量檢測(cè)需求。精準(zhǔn)模擬與全面測(cè)試能力◎高度還原真實(shí)沖擊場(chǎng)景:設(shè)備能夠通過(guò)精確控制系統(tǒng)調(diào)整碎石的投射速度、角度和密度,如上海久濱儀器電池包碎石
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半導(dǎo)體器件CV特性/CV特性測(cè)試的定義、測(cè)試分析和應(yīng)用場(chǎng)景

一、基本概念 CV特性 (電容-電壓特性)是指半導(dǎo)體器件在不同偏置電壓下表現(xiàn)出的電容變化規(guī)律,主要用于分析器件的介電特性、載流子分布和界面狀態(tài)。該特性是評(píng)估功率器件性能的核心指標(biāo)之一。 CV特性測(cè)試
2025-09-01 12:26:20930

泰克科技寬禁帶功率半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試解決方案

采用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 器件構(gòu)建的新型功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),需要精心的設(shè)計(jì)和測(cè)試以?xún)?yōu)化性能。
2025-08-25 14:53:231332

如何做電子產(chǎn)品的觸摸屏點(diǎn)擊劃壽命測(cè)試

電子產(chǎn)品的觸摸屏點(diǎn)擊劃壽命測(cè)試是評(píng)估觸摸屏耐用性的關(guān)鍵環(huán)節(jié),直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和用戶(hù)體驗(yàn)。
2025-08-15 10:35:431706

MDD肖特基二極管的雪崩及其工程意義

功率器件的參數(shù)表中,我們??吹組OSFET的AvalancheEnergy(EAS)或AvalancheCurrent(IAR)指標(biāo),用于描述器件雪崩條件下的承受能力。然而,在MDD肖特基二極管
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浪涌測(cè)試、脈沖群測(cè)試、ESD測(cè)試的對(duì)比

1. 浪涌測(cè)試(Surge Test) 1.1 測(cè)試目的 模擬 雷擊、電網(wǎng)切換、大功率設(shè)備啟停 等高能量瞬態(tài)干擾,驗(yàn)證電源模塊的高壓沖擊能力。 1.2 測(cè)試波形 組合波(1.2/50μs 電壓波
2025-08-12 21:46:301112

相變材料及器件的電學(xué)測(cè)試方法與方案

在芯片工藝不斷演進(jìn)的今天,材料的物理特性與器件層面的可靠性測(cè)試正變得前所未有的重要。近日,在泰克云上大講堂關(guān)于《芯片的物理表征和可靠性測(cè)試》的直播中,大家就新型存儲(chǔ)技術(shù)、先進(jìn)材料電學(xué)表征等話題展開(kāi)了熱烈討論。相變存儲(chǔ)作為新一代非易失性存儲(chǔ)的代表,其器件性能的測(cè)試與優(yōu)化自然也成為了焦點(diǎn)之一。
2025-08-11 17:48:371171

創(chuàng)新應(yīng)用:安泰功率放大器賦能聲空化微流控器件

了基于聲空化微流控器件精準(zhǔn)調(diào)控脂質(zhì)體藥物粒徑分布的新方法。 研究方向: 聲空化微流控混合 測(cè)試設(shè)備: ATA-2031功率放大器、信號(hào)發(fā)生器、超聲換能器等。 圖:實(shí)驗(yàn)過(guò)程 實(shí)驗(yàn)過(guò)程: 將信號(hào)發(fā)生器和功率放大器連接,并將功率放大器的正
2025-08-07 11:17:08393

如何正確選購(gòu)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)?

主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性。這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的,與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)。主要包括:柵極開(kāi)啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏
2025-08-05 16:06:15648

功率測(cè)試儀、功率測(cè)量?jī)x與功率計(jì)的區(qū)別

功率測(cè)試儀是近年來(lái)的稱(chēng)謂,一般指以測(cè)量有功功率為主的儀器儀表,俗稱(chēng)功率計(jì)、功率表或瓦特表。 近年來(lái),以變頻調(diào)速為代表的電力電子技術(shù)發(fā)展迅速,被測(cè)電信號(hào)已經(jīng)由傳統(tǒng)的50Hz正弦波演變?yōu)榛l率范圍寬
2025-08-04 09:31:49860

功率器件測(cè)量系統(tǒng)參數(shù)明細(xì)

、SMA、TRAX、HVTRAX等多種測(cè)試接口,輕松對(duì)接各類(lèi)測(cè)試環(huán)境。 直流、脈沖、高壓、大電流、高頻探針均可靈活配置,覆蓋各類(lèi)功率器件測(cè)試信號(hào)需求。 極致精度與穩(wěn)定性:微米級(jí)運(yùn)動(dòng)控制: XYZ軸微調(diào)精度
2025-07-29 16:21:17

是德示波器在半導(dǎo)體器件測(cè)試中的應(yīng)用

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石,其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導(dǎo)體器件從設(shè)計(jì)到生產(chǎn),每個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)測(cè)試設(shè)備的精度、效率提出了嚴(yán)苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測(cè)試測(cè)量?jī)x器,在半導(dǎo)體器件測(cè)試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52652

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試的對(duì)象與分類(lèi)、測(cè)試參數(shù),測(cè)試設(shè)備的分類(lèi)與測(cè)試能力

? 半導(dǎo)體分立器件主要包括: ? 二極管 ?(如整流二極管、肖特基二極管) ? 三極管 ?(雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管) ? 晶閘管 ?(可控硅) ? 功率器件 ?(IGBT、MOSFET)? 2. ? 核心測(cè)試參數(shù) ? ? 電氣特性 ?:正向/反向電壓、漏電流、導(dǎo)
2025-07-22 17:46:32825

分立器件測(cè)試

產(chǎn)品介紹            HUSTEC-DC-2010晶體管直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是由我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合半導(dǎo)體功率器件測(cè)試的多年
2025-07-16 11:12:26

功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。 書(shū)中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36

氧化鎵功率器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試方案

在氮化鎵和碳化硅之后,氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力,推動(dòng)超寬禁帶功率器件進(jìn)入大規(guī)模落地階段。
2025-07-11 09:12:482948

中低壓MOS管MDDG04R1P9G數(shù)據(jù)手冊(cè)

? N溝道設(shè)計(jì),專(zhuān)為高速平滑開(kāi)關(guān)優(yōu)化 ?? 卓越的柵極電荷×導(dǎo)通電阻(品質(zhì)因數(shù))表現(xiàn) ?? 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on) ?? 100%通過(guò)雪崩測(cè)試
2025-07-10 14:34:530

中低壓MOS管MDDG04R1P3G數(shù)據(jù)手冊(cè)

? N溝道設(shè)計(jì),專(zhuān)為高速平滑切換優(yōu)化 ?? 卓越的柵極電荷×導(dǎo)通電阻(FOM)性能指標(biāo) ?? 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on) ?? 100%通過(guò)雪崩(UIS)測(cè)試
2025-07-10 14:33:420

中低壓MOS管MDD3400數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款30V N溝道MOSFET采用MDD獨(dú)特的器件設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性以及優(yōu)異的雪崩。
2025-07-10 14:15:370

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)

HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT IGBT功率器件測(cè)試儀 一:IGBT功率器件測(cè)試儀主要特點(diǎn) 華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試
2025-07-08 17:31:041891

一起來(lái)了解半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)

測(cè)試法(脈寬300μs-5ms)抑制溫升,結(jié)合Kelvin四線消除接觸電阻誤差,確保大功率器件極限參數(shù)準(zhǔn)確性 ? 高效智能化操作 ? 單參數(shù)測(cè)試速度達(dá)0.5ms/參數(shù),百點(diǎn)I-V曲線生成僅需數(shù)秒 支持自動(dòng)
2025-07-04 11:39:43622

電源功率器件篇:線路寄生電感對(duì)開(kāi)關(guān)器件的影響

、降低線路寄生電感影響的方案 1、優(yōu)化PCB布局設(shè)計(jì) ▍縮短功率回路路徑 ? 將功率開(kāi)關(guān)器件、直流母線電容、驅(qū)動(dòng)電路等盡可能靠近布局,減少功率回路的面積。 ? 采用雙面布線的方式,在 PCB 正反兩面同時(shí)
2025-07-02 11:22:49

監(jiān)護(hù)設(shè)備EMC測(cè)試整改:怎么選擇?功率多少?

南柯電子|監(jiān)護(hù)設(shè)備EMC測(cè)試整改:怎么選擇?功率多少?
2025-06-26 09:45:30604

B1505A 功率器件分析儀/曲線追蹤儀

。 B1505A 還支持功率器件的片上測(cè)試,因此無(wú)需事先封裝器件。 在實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行器件測(cè)試時(shí),這個(gè)功能可以顯著縮短周轉(zhuǎn)時(shí)間(TAT)。 配有直觀的 15 英寸觸摸屏界面,無(wú)需借助外部的個(gè)人電腦,即可
2025-06-21 18:38:19

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
2025-06-18 17:24:241466

利用普源示波器進(jìn)行功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的研究

功率器件作為電子系統(tǒng)中的核心元件,其動(dòng)態(tài)特性直接影響著系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。因此,對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)特性的準(zhǔn)確測(cè)試顯得尤為重要。普源示波器作為一種高性能的電子測(cè)量?jī)x器,具有寬帶寬、高采樣率和大存儲(chǔ)
2025-06-12 17:03:15536

功率器件電鍍的原理和步驟

功率半導(dǎo)體制程里,電鍍扮演著舉足輕重的角色,從芯片前端制程到后端封裝,均離不開(kāi)這一關(guān)鍵工序。目前,我國(guó)中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板,而攻克這些技術(shù)難題的關(guān)鍵在于電鍍。借助電鍍實(shí)現(xiàn)
2025-06-09 14:52:262048

泰克科技功率器件雙脈沖測(cè)試解決方案

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法,為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測(cè)試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案,并介紹泰克專(zhuān)家高遠(yuǎn)新書(shū)的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571157

提升功率半導(dǎo)體可靠性:推拉力測(cè)試機(jī)在封裝工藝優(yōu)化中的應(yīng)用

。本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將介紹如何通過(guò)Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)等設(shè)備,系統(tǒng)研究了塑封功率器件分層的失效機(jī)理,分析了材料、工藝等因素對(duì)分層的影響,并提出了針對(duì)性的工藝改進(jìn)方案,為提高塑封功率器件的可靠性提供了理論依據(jù)和實(shí)
2025-06-05 10:15:45738

新型功率器件的老化測(cè)試方法

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象,導(dǎo)致性能退化。如何在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確評(píng)估這些器件的老化特性,成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-06-03 16:03:571447

碳化硅功率器件在汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用

隨著全球汽車(chē)行業(yè)向電動(dòng)化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型,碳化硅(SiC)功率器件以其優(yōu)越的性能,正日益成為汽車(chē)電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)的各類(lèi)應(yīng)用中,SiC
2025-05-29 17:32:311082

功率循環(huán)測(cè)試(Power Cycling Test)概論

1. 定義與目的 功率循環(huán)測(cè)試是一種可靠性測(cè)試方法,通過(guò)反復(fù)施加和切斷功率(如電流、電壓或溫度變化),模擬電子器件在實(shí)際工作中的開(kāi)關(guān)狀態(tài),評(píng)估其在熱機(jī)械應(yīng)力下的耐久性和失效機(jī)制。 核心目標(biāo): 檢測(cè)
2025-05-22 14:02:291230

功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備Simcenter powertester的優(yōu)勢(shì)有哪些?

引言PowerTester功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備可以用于幫助客戶(hù)加速完成封裝結(jié)構(gòu)研發(fā)、可靠性測(cè)試以及可靠性篩選等工作。作為大功率半導(dǎo)體器件瞬態(tài)測(cè)試功率循環(huán)測(cè)試測(cè)量行業(yè)的標(biāo)桿和引領(lǐng)者,具有其他同類(lèi)設(shè)備
2025-05-19 16:31:43628

什么是功率器件?特性是什么?包含哪些?

功率器件定義與核心特性 功率器件(Power Semiconductor Device)是電力電子領(lǐng)域的核心組件,特指直接處理電能的主電路器件,通過(guò)電壓、電流的變換與控制實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換、放大、開(kāi)關(guān)
2025-05-19 09:43:181297

MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse),即 EAS。指的是MOSFET器件串聯(lián)感性負(fù)載時(shí),在單次脈沖(工作到關(guān)斷)狀態(tài)下,所能承受的最大能量消耗,單位是焦耳(J),其值越大,器件在電路中遭遇瞬間過(guò)電壓或過(guò)電流情況時(shí)越不容易損壞。
2025-05-15 15:32:143840

功率器件開(kāi)關(guān)功耗測(cè)試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試

功率器件(MOSFET/IGBT) 是開(kāi)關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,功率器件測(cè)試至關(guān)重要,主要包括開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試,Vds peak電壓測(cè)試以及Vgs驅(qū)動(dòng)波形測(cè)試
2025-05-14 09:03:011260

雪崩二極管:汽車(chē)電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵光檢測(cè)元件

雪崩二極管的原理與結(jié)構(gòu)雪崩二極管(AvalanchePhotodiode,簡(jiǎn)稱(chēng)APD)是一種利用載流子雪崩倍增效應(yīng)來(lái)放大光電信號(hào)的光檢測(cè)二極管。其核心原理是利用載流子雪崩倍增效應(yīng)來(lái)放大光電信號(hào)。在高
2025-05-06 15:06:141728

同軸分流器SC-CS10在功率器件(IGBT、MOSFET等)動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用

1. 產(chǎn)品概述 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號(hào)功率分配的無(wú)源器件,常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試,可將輸入信號(hào)按特定比例分流至多個(gè)輸出端口
2025-04-30 12:00:12761

您知道您的功率測(cè)試系統(tǒng)的系統(tǒng)精度嗎?

當(dāng)功率分析儀直接連接被測(cè)回路時(shí),功率分析儀的精度就是 系統(tǒng)精度 。 當(dāng)被測(cè)信號(hào)超過(guò)功率分析儀的測(cè)試范圍,必須采用電壓傳感器和/或電流傳感器將被測(cè)信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">功率分析能夠測(cè)量的信號(hào),該信號(hào)再與功率分析儀
2025-04-27 09:43:07647

IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問(wèn)題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩、短路能力及功耗等,使用可靠性問(wèn)題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
2025-04-25 09:38:272578

碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用現(xiàn)狀。
2025-04-21 17:55:031081

SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)介紹

SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)-日本JUNO測(cè)試儀DTS-1000國(guó)產(chǎn)平替 ?專(zhuān)為半導(dǎo)體分立器件測(cè)試而研發(fā)的新一代高速高精度測(cè)試機(jī)。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:200

CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術(shù)手冊(cè)

時(shí)為1.9mΩ,有助于減少功率損耗。 ? 低熱阻 ?:結(jié)到殼熱阻RθJC為1.2°C/W,有助于散熱。 ? 雪崩能力 ?:支持雪崩模式工作,具有較高的雪崩能量。 ? 邏輯電平 ?:適合邏
2025-04-16 10:45:52677

繼電保護(hù)測(cè)試儀開(kāi)入如何接線?

繼電保護(hù)測(cè)試儀的開(kāi)入接線是進(jìn)行測(cè)試的關(guān)鍵步驟之一,其正確性直接影響到測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
2025-04-12 10:55:571118

碳化硅功率器件的種類(lèi)和優(yōu)勢(shì)

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門(mén)選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2025-04-09 18:02:041275

逆變電路中功率器件的損耗分析

在研究逆變電路的損耗時(shí),所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性,同時(shí)還需要進(jìn)行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗進(jìn)行分析,以此介紹選擇合適器件的方法。
2025-03-27 14:20:361765

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37767

人形機(jī)器人設(shè)計(jì)中,哪些關(guān)鍵部位需要功率器件?典型電壓/電流參數(shù)如何設(shè)計(jì)?

我們正在研究人形機(jī)器人,想了解在關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)、電源管理、熱控制等子系統(tǒng)中使用功率器件(如MOSFET、IGBT、IPM)。目前遇到以下問(wèn)題: ? 功率器件分布不明確 :不清楚哪些關(guān)鍵部位必須使用高功率
2025-03-12 14:05:28

半導(dǎo)體器件可靠性測(cè)試中常見(jiàn)的測(cè)試方法有哪些?

半導(dǎo)體器件可靠性測(cè)試方法多樣,需根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景(如消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí))和器件類(lèi)型(如IC、分立器件、MEMS)選擇合適的測(cè)試組合。測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)(如JEDEC、AEC-Q、MIL-STD)為測(cè)試提供了詳細(xì)的指導(dǎo),確保器件在極端條件下的可靠性和壽命。
2025-03-08 14:59:291107

碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用

隨著全球能源需求的快速增長(zhǎng)和對(duì)可再生能源的重視,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過(guò)程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)越的性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si
2025-02-25 13:50:111606

SiC器件封裝技術(shù)大揭秘:三大“絕技”讓你驚嘆不已!

半導(dǎo)體碳化硅(SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,以其高壓、高溫、導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)異特性,在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的這些優(yōu)勢(shì)性能,封裝技術(shù)起著
2025-02-21 13:18:361794

濕度大揭秘!如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻?

近年來(lái),隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)等戶(hù)外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而,這些戶(hù)外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度,這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527

意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái),本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 14:34:481658

功率器件是什么意思

功率器件,作為現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的核心組件,扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅能夠承受和控制較大的電流、電壓,還廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動(dòng)汽車(chē)、通信設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)探討功率器件的定義
2025-02-03 15:25:002842

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高功率應(yīng)用中會(huì)
2025-02-03 14:22:001255

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù),從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開(kāi)探討。
2025-02-03 14:21:001292

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面,對(duì)功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行詳細(xì)講解。
2025-02-03 14:17:001354

雪崩失效和過(guò)壓擊穿哪個(gè)先發(fā)生

在電子與電氣工程領(lǐng)域,雪崩失效與過(guò)壓擊穿是兩種常見(jiàn)的器件失效模式,它們對(duì)電路的穩(wěn)定性和可靠性構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。盡管這兩種失效模式在本質(zhì)上是不同的,但它們之間存在一定的聯(lián)系和相互影響。本文將深入探討雪崩失效與過(guò)壓擊穿的發(fā)生順序、機(jī)制、影響因素及預(yù)防措施,為技術(shù)人員提供全面、準(zhǔn)確的技術(shù)指導(dǎo)。
2025-01-30 15:53:001271

TOLL封裝功率器件的優(yōu)勢(shì)

隨著半導(dǎo)體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來(lái)越高,器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問(wèn)題導(dǎo)致的失效占了總失效的一半以上,而通過(guò)封裝技術(shù)升級(jí),是提高器件散熱能力的有效途徑之一。
2025-01-23 11:13:441955

功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測(cè)試方案

我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來(lái)了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會(huì)出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。
2025-01-22 17:30:263078

垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術(shù)

垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中,我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問(wèn)題的方法
2025-01-16 10:55:521228

安瓿鋁瓶內(nèi)壓測(cè)試

NYY-03安瓿鋁瓶內(nèi)壓測(cè)試儀依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T4546-2008玻璃容器內(nèi)壓力試驗(yàn)方法研發(fā)設(shè)計(jì)生產(chǎn)的。設(shè)備適用于各種啤酒瓶、酒瓶、飲料瓶、輸液瓶、抗生素瓶等各類(lèi)玻璃瓶內(nèi)壓力測(cè)試,是瓶類(lèi)生產(chǎn)
2025-01-15 14:17:00

功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試介紹

???? 本文主要介紹功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試。?????? ? 晶圓測(cè)試(CP)???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測(cè)試的系統(tǒng),主要由三部分組成,左邊為電學(xué)檢測(cè)探針臺(tái)阿波羅
2025-01-14 09:29:132358

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-13 17:36:111819

AN92-用于雪崩光電二極管的偏置電壓和電流檢測(cè)電路

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN92-用于雪崩光電二極管的偏置電壓和電流檢測(cè)電路.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-09 14:58:474

Simcenter Micred Power Tester功率循環(huán)測(cè)試

SimcenterMicredPowerTester功率循環(huán)測(cè)試儀使用結(jié)合了有效功率循環(huán)和熱結(jié)構(gòu)退化監(jiān)測(cè)的測(cè)試硬件,評(píng)估功率半導(dǎo)體的熱可靠性和使用壽命。為什么選擇
2025-01-09 14:33:301346

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-06 17:05:481328

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