在此根據(jù)長期使用IGBT的經(jīng)驗并參考有關(guān)文獻對 IGBT驅(qū)動的電壓和功率做了一些總結(jié)，希望對廣大網(wǎng)友能夠提供幫助。

　　igbt驅(qū)動工作原理

　　驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。

　　igbt驅(qū)動電路是驅(qū)動igbt模塊以能讓其正常工作，并同時對其進行保護的電路。

　　絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）在今天的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。因此，在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies值在實際應(yīng)用中僅僅只能作為一個參考值使用。

　　IGBT的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻

　　igbt驅(qū)動電壓要求

　　因 IGBT 柵極 - 發(fā)射極阻抗大，故可使用 MOSFET 驅(qū)動技術(shù)進行驅(qū)動，但 IGBT 的輸入電容較 MOSFET 大，所以 IGBT 的驅(qū)動偏壓應(yīng)比 MOSFET 驅(qū)動所需偏壓強。圖 1 是一個典型的例子。在 +20 ℃情況下，實測 60 A ， 1200 V 以下的 IGBT 開通電壓閥值為 5 ～ 6 V ，在實際使用時，為獲得最小導(dǎo)通壓降，應(yīng)選取 Ugc ≥ （1.5 ～ 3）Uge（th） ，當(dāng) Uge 增加時，導(dǎo)通時集射電壓 Uce 將減小，開通損耗隨之減小，但在負(fù)載短路過程中 Uge 增加，集電極電流 Ic 也將隨之增加，使得 IGBT 能承受短路損壞的脈寬變窄，因此 Ugc 的選擇不應(yīng)太大，這足以使 IGBT 完全飽和，同時也限制了短路電流及其所帶來的應(yīng)力 （ 在具有短路工作過程的設(shè)備中，如在電機中使用 IGBT 時， +Uge 在滿足要求的情況下盡量選取最小值，以提高其耐短路能力 ） 。

　　igbt驅(qū)動對電源的要求

　　對于全橋或半橋電路來說，上下管的驅(qū)動電源要相互隔離，由于 IGBT 是電壓控制器件，所需要的驅(qū)動功率很小，主要是對其內(nèi)部幾百至幾千皮法的輸入電容的充放電，要求能提供較大的瞬時電流，要使 IGBT 迅速關(guān)斷，應(yīng)盡量減小電源的內(nèi)阻，并且為防止 IGBT 關(guān)斷時產(chǎn)生的 du/dt 誤使 IGBT 導(dǎo)通，應(yīng)加上一個 -5 V 的關(guān)柵電壓，以確保其完全可靠的關(guān)斷 （ 過大的反向電壓會造成 IGBT 柵射反向擊穿，一般為 -2 ～ 10 V 之間 ） 。

　　igbt驅(qū)動對驅(qū)動波形的要求

　　從減小損耗角度講，門極驅(qū)動電壓脈沖的上升沿和下降沿要盡量陡峭，前沿很陡的門極電壓使 IGBT 快速開通，達到飽和的時間很短，因此可以降低開通損耗，同理，在 IGBT 關(guān)斷時，陡峭的下降沿可以縮短關(guān)斷時間，從而減小了關(guān)斷損耗，發(fā)熱量降低。但在實際使用中，過快的開通和關(guān)斷在大電感負(fù)載情況下反而是不利的。因為在這種情況下， IGBT 過快的開通與關(guān)斷將在電路中產(chǎn)生頻率很高、幅值很大、脈寬很窄的尖峰電壓 Ldi/dt ，并且這種尖峰很難被吸收掉。此電壓有可能會造成 IGBT 或其他元器件被過壓擊穿而損壞。所以在選擇驅(qū)動波形的上升和下降速度時，應(yīng)根據(jù)電路中元件的耐壓能力及 du/dt 吸收電路性能綜合考慮。