基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計(jì)

在分析傳統(tǒng)SRAM存儲(chǔ)單元工作原理的基礎(chǔ)上,采用VTC蝴蝶曲線,字線電壓驅(qū)動(dòng),位線電壓驅(qū)動(dòng)和N曲線方法衡量了其靜態(tài)噪聲容限。
?
在這種背景下,分析研究了前人提出的多種單元優(yōu)化方法。這些設(shè)計(jì)方法,大部分僅僅優(yōu)化了單元讀、寫一方面的性能,另一方面保持不變或者有惡化的趨勢(shì);單端讀寫單元往往惡化了讀寫速度,并使靈敏放大器的設(shè)計(jì)面臨挑戰(zhàn);輔助電路的設(shè)計(jì),往往會(huì)使SRAM的設(shè)計(jì)復(fù)雜化。
?
為了使SRAM存儲(chǔ)單元的性能得到整體的提升,本文提出了讀寫裕度同時(shí)提升的新型10TSARM單元電路結(jié)構(gòu),可以很大程度上抑制傳統(tǒng)6T存儲(chǔ)單元讀操作時(shí)"0"節(jié)點(diǎn)的分壓?jiǎn)栴},提高SRAM存儲(chǔ)單元的讀靜態(tài)噪聲容限(RSNM),進(jìn)而提升SRAM存儲(chǔ)單元的讀穩(wěn)定性。
?
在寫操作時(shí),用位線電壓提供交叉耦合反相器的電源電壓,降低了單元維持"1"的能力和一邊反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn),這樣可以很大程度的提高SRAM存儲(chǔ)單元的寫裕度(WM)。同時(shí),可以優(yōu)化SRAM存儲(chǔ)單元的抗PVT波動(dòng)能力,并且可以降低SRAM存儲(chǔ)單元的最小操作電壓。
?
基于SMIC 28nm工藝節(jié)點(diǎn)仿真結(jié)果顯示,新型10T單元結(jié)構(gòu)在電源電壓為1.05V時(shí),和傳統(tǒng)6T單元相比,RSNM提升了 2.19倍,WM提升了 2.13倍。同時(shí),在單元讀寫操作時(shí),錯(cuò)誤率較低。另外,新型單元的最小工作電壓僅為傳統(tǒng)的59.19%,擁有更好的抗工藝變化能力。

閱讀全文

sram(117305) sram(117305)
sram存儲(chǔ)(2577) sram存儲(chǔ)(2577)

評(píng)論

AM26LV32低電壓高速四路差分線路接收器技術(shù)解析

AM26LV32低電壓高速四路差分線路接收器技術(shù)解析在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，對(duì)于高速、可靠的數(shù)據(jù)傳輸需求日益增長(zhǎng)。AM26LV32作為一款低電壓、高速四路差分線路接收器，在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出了卓越的性能

2026-01-04 18:10:06

874

0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)的背后需要“背面供電”支撐

實(shí)現(xiàn)0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)。 ? 而隨著芯片工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，芯片供電面臨越來越多問題，所以近年英特爾、臺(tái)積電、三星等廠商相繼推出背面供電技術(shù)，旨在解決工藝節(jié)點(diǎn)不斷推進(jìn)下，芯片面臨的供電困境。 ? 正面供電面臨物理極限 ? 在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的歷程中

2026-01-03 05:58:00

3987

SCANSTA101：低電壓IEEE 1149.1系統(tǒng)測(cè)試訪問主設(shè)備的深度剖析

SCANSTA101：低電壓IEEE 1149.1系統(tǒng)測(cè)試訪問主設(shè)備的深度剖析在電子設(shè)備的測(cè)試與驗(yàn)證領(lǐng)域，IEEE 1149.1（JTAG）標(biāo)準(zhǔn)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。德州儀器（TI

2025-12-31 15:00:12

PCA9545A：低電壓4通道I2C和SMBus開關(guān)的深度解析

PCA9545A：低電壓4通道I2C和SMBus開關(guān)的深度解析引言在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，I2C和SMBus接口的應(yīng)用極為廣泛。PCA9545A作為一款低電壓4通道I2C和SMBus開關(guān)，憑借其出色

2025-12-29 09:30:15

102

PCA9546A：低電壓4通道I2C和SMBus開關(guān)的深度剖析

PCA9546A：低電壓4通道I2C和SMBus開關(guān)的深度剖析在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，I2C總線的應(yīng)用極為廣泛，而PCA9546A作為一款低電壓4通道I2C和SMBus開關(guān)，以其獨(dú)特的功能和特性，為工程師

2025-12-29 09:30:08

110

反激開關(guān)電源RC吸收電路設(shè)計(jì)

RC吸收是指在電路設(shè)計(jì)中，尤其是在開關(guān)電源、功率電子設(shè)備以及電力電子系統(tǒng)中，使用電阻與電容串聯(lián)組成的電路結(jié)構(gòu)，用于吸收和衰減電路中由于開關(guān)元件（如MOSFET、IGBT等）的快速切換所產(chǎn)生的過電壓和過電流現(xiàn)象。

2025-12-28 12:53:02

296

PCA9548A：低電壓8通道I2C開關(guān)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

PCA9548A：低電壓8通道I2C開關(guān)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，I2C總線的應(yīng)用極為廣泛，而PCA9548A作為一款低電壓8通道I2C開關(guān)，為解決I2C總線應(yīng)用中的諸多問題提供了有效

2025-12-27 09:45:09

476

電子工程師必看：AM26LV32E低電壓高速差分線接收器深度剖析

電子工程師必看：AM26LV32E低電壓高速差分線接收器深度剖析在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，選擇合適的器件對(duì)于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高性能和可靠性至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討一款優(yōu)秀的低電壓高速差分線接收器

2025-12-26 09:15:06

265

TCA6408A：低電壓8位I2C和SMBus I/O擴(kuò)展器的深度解析

TCA6408A：低電壓8位I2C和SMBus I/O擴(kuò)展器的深度解析在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，I/O擴(kuò)展器是一種常見且實(shí)用的器件，它可以為處理器提供更多的通用輸入/輸出（I/O）端口，從而滿足復(fù)雜系統(tǒng)

2025-12-25 10:25:06

243

TCA6416A：低電壓16位I2C和SMBus I/O擴(kuò)展器的全面解析

TCA6416A：低電壓16位I2C和SMBus I/O擴(kuò)展器的全面解析在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，I/O擴(kuò)展器是解決處理器GPIO資源有限問題的重要工具。TI的TCA6416A低電壓16位I2C和SMBus

2025-12-25 10:25:02

222

5CEFA4F23C8NQS現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）芯片

）封裝：484-BGA，表面貼裝性能特點(diǎn)高性能：基于28nm工藝制造，實(shí)現(xiàn)高性能與低功耗的平衡。靈活性：支持多種配置模式，包括主動(dòng)串行（AS）、被動(dòng)串行（PS）和JTAG配置，便于系統(tǒng)設(shè)計(jì)和調(diào)試?？煽啃?/div>

2025-12-25 08:53:29

探索PCAL9722：超低電壓22位SPI I/O擴(kuò)展器的卓越性能與應(yīng)用

探索PCAL9722：超低電壓22位SPI I/O擴(kuò)展器的卓越性能與應(yīng)用在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，I/O擴(kuò)展器是一種常見且重要的組件，它能為微控制器提供額外的輸入輸出接口，滿足各種復(fù)雜的應(yīng)用需求。今天

2025-12-24 15:50:22

100

TCA9548A：低電壓8通道I2C開關(guān)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

TCA9548A：低電壓8通道I2C開關(guān)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，I2C總線的應(yīng)用極為廣泛，而TCA9548A作為一款低電壓8通道I2C開關(guān)，為解決I2C總線應(yīng)用中的諸多問題提供了有效的解決方案

2025-12-23 15:25:06

194

TCA9543A：低電壓 2 通道 I2C 總線開關(guān)的全面解析

TCA9543A：低電壓 2 通道 I2C 總線開關(guān)的全面解析在電子工程師的設(shè)計(jì)工作中，I2C 總線開關(guān)是實(shí)現(xiàn)高效數(shù)據(jù)通信和設(shè)備連接的重要組件。TCA9543A 作為一款低電壓 2 通道 I2C

2025-12-23 09:25:02

224

探索TCA9546A：低電壓4通道I2C和SMBus開關(guān)的卓越性能

探索TCA9546A：低電壓4通道I2C和SMBus開關(guān)的卓越性能在電子工程師的設(shè)計(jì)世界里，找到合適的開關(guān)器件對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。TCA9546A作為一款低電壓4通道I2C

2025-12-23 09:20:06

250

TCA39416：超低電壓I3C轉(zhuǎn)換器的卓越之選

TCA39416：超低電壓I3C轉(zhuǎn)換器的卓越之選在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，電壓轉(zhuǎn)換器是實(shí)現(xiàn)不同電壓節(jié)點(diǎn)之間邏輯電平轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件。今天，我們要深入探討一款具有上升時(shí)間加速器的超低電壓I3C轉(zhuǎn)換器

2025-12-16 11:45:09

247

什么是低電壓檢測(cè)器（LVD）？

低電壓檢測(cè)器 (LVD) 用于監(jiān)測(cè) VDDA 電源電壓或外部引腳輸入電壓，當(dāng)被監(jiān)測(cè)電壓與 LVD 閾值的比較結(jié)果滿足觸發(fā)條件時(shí)，將產(chǎn)生 LVD 中斷或復(fù)位信號(hào)，通常用于處理一些緊急任務(wù)。LVD 產(chǎn)生

2025-12-15 06:46:16

全球首創(chuàng)低電壓+藍(lán)牙信道探測(cè)技術(shù)，Nordic發(fā)布50nA超低電壓藍(lán)牙SoC

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，當(dāng)前，可穿戴設(shè)備正朝著更小、更智能、續(xù)航更高的方向演進(jìn)。就在12月，Nordic 發(fā)布nRF54LV10A系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC），成為業(yè)界首款將超低電壓供電能力與藍(lán)牙信道探測(cè)

2025-12-12 09:19:35

6061

HT4066過壓保護(hù)IC：低電壓系統(tǒng)的可靠“安全衛(wèi)士”

? ? ? 在GPS、智能手機(jī)、充電寶等眾多低電壓工作的電子設(shè)備中，電壓異常波動(dòng)往往是導(dǎo)致器件損壞、數(shù)據(jù)丟失的“隱形殺手”，而HT4066過壓保護(hù)IC正是為抵御這類風(fēng)險(xiǎn)而生的專業(yè)“安全衛(wèi)士”。作為

2025-12-09 16:37:29

445

HCD010P03L擴(kuò)展塢方案PMOS管(-30V-40A)

適配，便于緊湊化電路設(shè)計(jì)，節(jié)省內(nèi)部空間。在拓展塢中的核心應(yīng)用：電源管理模塊：作為低壓差穩(wěn)壓器、開關(guān)電源控制單元的核心元件，保障多接口同時(shí)供電的穩(wěn)定性，避免電壓波動(dòng)影響外接設(shè)備；信號(hào)控制電路：支撐

2025-12-04 11:12:41

高頻電路設(shè)計(jì)的“隱形衛(wèi)士”：談吸波材料的選型與應(yīng)用

高頻電路設(shè)計(jì)的“隱形衛(wèi)士”：談吸波材料的選型與應(yīng)用

2025-12-03 16:53:29

325

為什么cortex-M0+功耗低？

的硅片面積比 M0 減少約 10%，晶體管數(shù)量更少，靜態(tài)功耗（漏電流）進(jìn)一步降低。工藝適配：M0+ 設(shè)計(jì)針對(duì)低功耗工藝（如 40nm/28nm）優(yōu)化，支持更低的供電電壓（如 1.2V 或更低）。

2025-11-19 08:15:55

高速數(shù)據(jù)存取同步SRAM與異步SRAM的區(qū)別

在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的讀寫速度往往是影響整體性能的關(guān)鍵因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在這一需求下發(fā)展起來的重要

2025-11-18 11:13:01

242

SRAM是什么,SRAM的芯片型號(hào)都有哪些

在處理器性能持續(xù)攀升的今天，存儲(chǔ)系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲(chǔ)單元，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）承擔(dān)著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前

2025-11-12 13:58:08

455

HCD006P03L(-30V-60A)充電管理模塊PMOS管

核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在：適配低壓低功耗場(chǎng)景，閾值電壓為負(fù)值的特性可滿足低電壓供電需求，有效降低電路能耗；抗干擾能力突出，在復(fù)雜電路環(huán)境中能保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)，提升整體電路的可靠性；工藝兼容性強(qiáng)，可與多種半導(dǎo)體

2025-11-05 15:58:17

外置SRAM與芯片設(shè)計(jì)之間的平衡

在存儲(chǔ)解決方案中，外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數(shù)據(jù)傳輸率方面表現(xiàn)卓越，但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰(zhàn)在于物理尺寸：不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數(shù)量，并行接口都

2025-10-26 17:25:18

835

PFC電路與BOOST電路設(shè)計(jì)實(shí)例分享

PFC電路與BOOST電路設(shè)計(jì)實(shí)例資源下載傳統(tǒng)的AC-DC變換器和開關(guān)電源，其輸入電路普遍采用了全橋二極管整流，輸出端直接接到大電容濾波器。雖然不可控整流器電路簡(jiǎn)單可靠，但它們產(chǎn)生高峰值電流，使輸入端電流波形發(fā)生畸變，使交流電網(wǎng)一側(cè)的功率因素下降到0.5~0.65，無功損耗過大。

2025-10-23 16:15:22

如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測(cè)試

本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測(cè)試。SRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有高速讀取和寫入的特點(diǎn)。在FPGA中實(shí)現(xiàn)SRAM讀寫測(cè)試，包括設(shè)計(jì)SRAM接口模塊

2025-10-22 17:21:38

4118

P溝道MOS管HC3407A(-30V-4.1A) LED補(bǔ)光燈應(yīng)用

2025-10-21 11:59:56

?F28E120SC/F28E120SB 微控制器技術(shù)文檔摘要

/spracn0)基于 TI 的 32 位 C28x DSP 內(nèi)核，該內(nèi)核為從片上閃存或 SRAM 運(yùn)行的定點(diǎn)代碼提供 160MHz 的信號(hào)處理性能。

2025-09-28 15:37:05

1645

SV74157A低電壓，低靜態(tài)電流，0.75? 單SPDT模擬開關(guān)技術(shù)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SV74157A低電壓，低靜態(tài)電流，0.75? 單SPDT模擬開關(guān)技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載

2025-09-09 16:26:05

PDK在集成電路領(lǐng)域的定義、組成和作用

PDK（Process Design Kit，工藝設(shè)計(jì)套件）是集成電路設(shè)計(jì)流程中的重要工具包，它為設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)提供了與特定制造工藝節(jié)點(diǎn)相關(guān)的設(shè)計(jì)信息。PDK 是集成電路設(shè)計(jì)和制造之間的橋梁，設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)依賴 PDK 來確保設(shè)計(jì)能夠在晶圓廠的工藝流程中正確制造。

2025-09-08 09:56:06

1573

【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話

工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)入5nm、3nm，這些連接用的金屬線的間距也在縮小，這就會(huì)導(dǎo)致金屬表面散射和晶界散射等效應(yīng)，并使金屬的電阻率顯著增加。為確保更低的直流電壓降，便提出了使用晶背供電技術(shù)的新型芯片電源供電

2025-09-06 10:37:21

MT3303-EN：具備低電壓工作與高ESD性能的霍爾開關(guān)

隨著智能家居、工業(yè)自動(dòng)化及消費(fèi)電子領(lǐng)域的快速發(fā)展，霍爾開關(guān)作為磁感應(yīng)技術(shù)的核心元件，其性能要求日益嚴(yán)苛。MT3303-EN霍爾開關(guān)的推出，恰好滿足了市場(chǎng)對(duì)低電壓工作與高ESD（靜電放電）防護(hù)性能的雙重需求。

2025-08-25 16:32:37

597

10CX150YF672E5G現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）芯片

10CX150YF672E5G 是Intel（原 Altera）推出的 Cyclone? 10 GX 系列高性能、低功耗 FPGA 芯片，選用 20nm 工藝技術(shù)，具備 150,000 個(gè)邏輯單元

2025-08-21 09:15:02

IP6559AC超級(jí)快充電路設(shè)計(jì)資料

電路設(shè)計(jì)支持USBA口和USBC口超級(jí)快充設(shè)計(jì)，經(jīng)過電路驗(yàn)證。

2025-08-20 15:57:58

龍圖光罩90nm掩模版量產(chǎn)，已啟動(dòng)28nm制程掩模版的規(guī)劃

研發(fā)到量產(chǎn)的跨越，65nm產(chǎn)品已開始送樣驗(yàn)證。 ? 掩模版也稱光罩，是集成電路制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或者母板，載著圖形信息和工藝技術(shù)信息，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、平板顯示、電路板、觸控屏等領(lǐng)域。掩模版的作用是將承載的電路圖形通過曝光的方式轉(zhuǎn)移到硅

2025-07-30 09:19:50

10524

PMOS電路設(shè)計(jì)分析

今天分享一個(gè)PMOS的電路設(shè)計(jì)，詳細(xì)了解下各個(gè)元器件在電路中起到的作用。

2025-07-21 16:15:38

3100

Texas Instruments TMS320F28P55x/TMS320F28P55x-Q1實(shí)時(shí)MCU數(shù)據(jù)手冊(cè)

電力電子器件的效率。這些應(yīng)用包括但不限于高功率密度、高開關(guān)頻率，以及對(duì)使用GaN和SiC技術(shù)的支持。該實(shí)時(shí)控制子系統(tǒng)基于TI的32位C28x DSP內(nèi)核，可為通過片上SRAM或閃存運(yùn)行的定點(diǎn)或浮動(dòng)代碼

2025-07-18 13:40:21

846

晶心科技：摩爾定律放緩，RISC-V在高性能計(jì)算的重要性突顯

運(yùn)算還是快速高頻處理計(jì)算數(shù)據(jù)，或是超級(jí)電腦，只要設(shè)計(jì)或計(jì)算系統(tǒng)符合三項(xiàng)之一即可稱之為HPC。摩爾定律走過數(shù)十年，從1970年代開始，世界領(lǐng)導(dǎo)廠商建立晶圓廠、提供制程工藝，在28nm之前取得非常大的成功。然而28nm之后摩爾定律在接近物理極限之前遇到大量的困

2025-07-18 11:13:32

4120

IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用電路實(shí)例

本書結(jié)合國(guó)內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù)，以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)人員為本書的讀者對(duì)象，系統(tǒng)、全面地講解了IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)必備的基礎(chǔ)知識(shí)，并選取和總結(jié)了IGBT的典型應(yīng)用電路設(shè)計(jì)實(shí)例，以供

2025-07-14 17:32:41

Texas Instruments TLV34xx低電壓軌至軌輸出運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments TLV34xx低電壓軌至軌輸出CMOS運(yùn)算放大器（運(yùn)放）具有低功耗、低電壓和軌至軌輸出擺幅能力。PMOS輸入級(jí)的失調(diào)電壓為0.3mV（典型值），超低輸入偏置電流為

2025-07-14 09:43:41

726

華大九天Empyrean Liberal工具助力數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)

數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中，單元庫(kù)和IP庫(kù)宛如一塊塊精心打磨的“積木”，是數(shù)字IC設(shè)計(jì)的重要基礎(chǔ)。從標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)（Standard Cell）、輸入輸出接口（I/O Interface）、存儲(chǔ)器單元（如

2025-07-09 10:14:12

2369

芯動(dòng)科技獨(dú)家推出28nm/22nm LPDDR5/4 IP

面對(duì)近來全球大廠陸續(xù)停產(chǎn)LPDDR4/4X以及DDR4內(nèi)存顆粒所帶來的巨大供應(yīng)短缺，芯動(dòng)科技憑借行業(yè)首屈一指的內(nèi)存接口開發(fā)能力，服務(wù)客戶痛點(diǎn)，率先在全球多個(gè)主流28nm和22nm工藝節(jié)點(diǎn)上，系統(tǒng)布局

2025-07-08 14:41:10

1158

EMC電路設(shè)計(jì)工程師必備的EMC基礎(chǔ)

2025-07-07 10:24:59

算力存儲(chǔ)：首款2nm定制SRAM來了！

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，Marvell 美滿電子當(dāng)?shù)貢r(shí)間 17 日宣布推出業(yè)界首款 2nm 定制 SRAM，可為 AI xPU 算力設(shè)備提供至高 6Gb（即 768MB）的高速片上緩存。Marvell

2025-06-21 00:57:00

7264

模擬導(dǎo)彈熱電池指示信號(hào)的電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

在某型導(dǎo)彈的設(shè)計(jì)中，熱電池激活后，產(chǎn)生電池電壓經(jīng)DC-DC模塊轉(zhuǎn)換最終發(fā)送給發(fā)射裝置作為熱電池工作正常的指示信號(hào)，這是導(dǎo)彈接口中一個(gè)關(guān)鍵信號(hào)，本文提出的電路設(shè)計(jì)正是用于模擬此信號(hào)。

2025-06-20 09:45:08

22922

高速過電流檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

高速過電流檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

2025-06-06 18:16:35

628

大電流和大電壓采樣電路設(shè)計(jì)方式

大電壓采樣電路：需要串聯(lián)多個(gè)電阻進(jìn)行分壓，從而一級(jí)一級(jí)降低電壓，防止電阻損壞或者短路直接打穿MCU。為什么需要加電壓跟隨器：進(jìn)行阻抗的隔離，防止MCU的IO阻抗對(duì)分壓產(chǎn)生影響：大電流檢測(cè)電路：隔離式

2025-06-05 19:33:14

1813

掌握SMA插座原理圖封裝，提升電路設(shè)計(jì)可靠性

掌握 SMA 插座原理圖封裝是提升電路設(shè)計(jì)可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。德索精密工業(yè)作為射頻連接領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，不僅提供符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的通用產(chǎn)品，更支持基于客戶需求的定制化開發(fā)。其從材料選型、工藝設(shè)計(jì)到性能測(cè)試

2025-06-04 09:08:22

625

如何學(xué)好電路設(shè)計(jì)？（文末分享電路設(shè)計(jì)資料合集）

學(xué)好電路設(shè)計(jì)是硬件工程師的核心能力之一，需要系統(tǒng)的理論學(xué)習(xí)、實(shí)踐積累和持續(xù)迭代。通過以下路徑，結(jié)合至少3-5個(gè)完整項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，高效掌握電路設(shè)計(jì)技能；一、夯實(shí)基礎(chǔ)理論電路分析基礎(chǔ)掌握基爾霍夫定律、戴維南

2025-05-22 11:40:47

1118

5V供電，即插即用，凱米斯科技低電壓傳感器讓水質(zhì)監(jiān)測(cè)更便捷

CHEMINS在傳統(tǒng)水質(zhì)監(jiān)測(cè)領(lǐng)域，設(shè)備往往受限于復(fù)雜的供電系統(tǒng)——12-24V的電壓需要配備專用電源、改造電路，甚至面臨布線難題。這一痛點(diǎn)不僅推高了成本，更限制了監(jiān)測(cè)場(chǎng)景的靈活性和普及性。如今，凱米

2025-05-19 16:56:53

904

元器件及單元電路介紹-610頁(yè)

元器件及單元電路介紹放大電路基礎(chǔ)，電源電路，正弦波振蕩電路，調(diào)制與解調(diào)電路，混頻電路與變頻電路，集成運(yùn)算放大電路，數(shù)字集成電路等。純分享貼，有需要可以直接下載附件獲取完整資料！（如果內(nèi)容有幫助可以關(guān)注、點(diǎn)贊、評(píng)論支持一下哦~）

2025-05-19 15:41:26

實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)（全6本）——晶體管電路設(shè)計(jì) 下

由于資料內(nèi)存過大，分開上傳，有需要的朋友可以去主頁(yè)搜索下載哦~ 本文共分上下二冊(cè)。本文檔作為下冊(cè)主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路

2025-05-15 14:24:23

DS28C16 I2C低電壓SHA-3認(rèn)證器技術(shù)手冊(cè)

DS28C16安全認(rèn)證器將符合FIPS202標(biāo)準(zhǔn)的安全散列算法(SHA-3)質(zhì)詢和響應(yīng)認(rèn)證與安全EEPROM相結(jié)合。該器件提供了一套核心加密工具，這些加密工具由多種集成塊衍生而來，包括一個(gè)

2025-05-13 14:42:58

745

電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)原理和常見問題及解決辦法

的速度和信號(hào)的方向。常見的電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)方案有以下有幾種方式：一、二極管電平轉(zhuǎn)換電路二極管電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)原理使用此電路需要注意轉(zhuǎn)換的方向，高電壓端和低電壓端不可調(diào)換。二極管電平轉(zhuǎn)換電路

2025-04-27 15:54:19

單端輸入至差分輸出電路設(shè)計(jì)

單端輸入至差分輸出電路設(shè)計(jì)

2025-04-25 16:39:47

1125

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

柵極驅(qū)動(dòng)器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)電阻選擇、死區(qū)時(shí)間等注意事項(xiàng)。

2025-04-24 17:00:43

2032

廣明源172nm晶圓光清洗方案概述

在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。

2025-04-24 14:27:32

715

Xilinx Ultrascale系列FPGA的時(shí)鐘資源與架構(gòu)解析

Ultrascale是賽靈思開發(fā)的支持包含步進(jìn)功能的增強(qiáng)型FPGA架構(gòu)，相比7系列的28nm工藝，Ultrascale采用20nm的工藝，主要有2個(gè)系列：Kintex和Virtex

2025-04-24 11:29:01

2262

從臺(tái)積電到中芯國(guó)際：盤點(diǎn)2025年全球100+晶圓廠布局與產(chǎn)能現(xiàn)狀

期，從領(lǐng)先的臺(tái)積電到快速發(fā)展的中芯國(guó)際，晶圓廠建設(shè)熱潮持續(xù)。主要制造商紛紛投入巨資擴(kuò)充產(chǎn)能，從先進(jìn)的3nm、5nm工藝到成熟的28nm、40nm節(jié)點(diǎn)不等，單個(gè)項(xiàng)目

2025-04-22 15:38:36

1573

變頻器低電壓跳閘原因及解決方法和案例分析

變頻器作為工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)備，其穩(wěn)定運(yùn)行對(duì)于生產(chǎn)效率和設(shè)備安全至關(guān)重要。然而，變頻器在使用過程中，尤其是在電網(wǎng)電壓波動(dòng)較大的環(huán)境中，常會(huì)出現(xiàn)低電壓跳閘的問題。這不僅影響了生產(chǎn)線的連續(xù)運(yùn)行

2025-04-17 15:57:34

1838

基于運(yùn)算放大器和模擬集成電路的電路設(shè)計(jì)（第3版）

問題。第三部分（第9-13章）著重介紹面向各種應(yīng)用的電路設(shè)計(jì)方法，包括非線性電路、信號(hào)發(fā)生器、電壓基準(zhǔn)和穩(wěn)壓電源、D-A和A-D轉(zhuǎn)換器以及非線性放大器和鎖相環(huán)等。可用作通信類、控制類、遙測(cè)遙控、儀器儀表等相關(guān)

2025-04-16 14:34:16

概倫電子標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)特征化解決方案NanoCell介紹

標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)包括電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)和特征提取，它對(duì)芯片設(shè)計(jì)至關(guān)重要。其中標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的特征化提取需要大量仿真、模型提取和驗(yàn)證，在標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)開發(fā)中占據(jù)了三分之一以上的時(shí)間。

2025-04-16 09:49:52

848

概倫電子先進(jìn)參數(shù)化單元庫(kù)開發(fā)平臺(tái)PCellLab介紹

在模擬電路設(shè)計(jì)中，參數(shù)化單元庫(kù)(PCeIl)作為PDK(半導(dǎo)體工藝設(shè)計(jì)套件)的重要組件已成為整個(gè)設(shè)計(jì)流程中必不可少的一部分。隨著半導(dǎo)體工藝快速發(fā)展，先進(jìn)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜使得PCell的開發(fā)過程更具挑戰(zhàn)性。

2025-04-16 09:40:57

1160

概倫電子集成電路工藝與設(shè)計(jì)驗(yàn)證評(píng)估平臺(tái)ME-Pro介紹

ME-Pro是概倫電子自主研發(fā)的用于聯(lián)動(dòng)集成電路工藝與設(shè)計(jì)的創(chuàng)新性驗(yàn)證評(píng)估平臺(tái)，為集成電路設(shè)計(jì)、CAD、工藝開發(fā)、SPICE模型和PDK專業(yè)從業(yè)人員提供了一個(gè)共用平臺(tái)。

2025-04-16 09:34:33

1687

紫光同創(chuàng)FPGA教程：呼吸燈——盤古系列PGX-Nano開發(fā)板實(shí)驗(yàn)例程

PGX-Nano是一套以紫光同創(chuàng)FPGA為核心的開發(fā)板，選用紫光同創(chuàng)Logos2系列28nm工藝的PG2L50H_MBG324。板卡集成下載器芯片，便利用戶的使用。板卡搭載一顆容量為2MB的SRAM

2025-04-14 09:59:01

1204

【新品發(fā)布】紫光同創(chuàng)最全FPGA開發(fā)板資料發(fā)布！參與互動(dòng)教材免費(fèi)送！

經(jīng)常會(huì)有同行問：國(guó)產(chǎn)100K邏輯規(guī)模的器件是否已經(jīng)成熟和穩(wěn)定？當(dāng)然，可以很負(fù)責(zé)任地說，目前幾家國(guó)產(chǎn)FPGA原廠都有28nm工藝節(jié)點(diǎn)（或同級(jí)別的22nm）器件，并且也已經(jīng)在市場(chǎng)中大規(guī)模的使用，紫光同創(chuàng)

2025-04-14 09:53:47

1224

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（九）——柵極鉗位

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn)，涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù)，實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將以雜談的形式講述技術(shù)背景

2025-04-07 18:06:11

1108

射頻電路設(shè)計(jì)——理論與應(yīng)用

本資料從低頻電路理論到射頻、微波電路理論的演化過程出發(fā)，討論以低頻電路理論為基礎(chǔ)結(jié)合高頻電壓、電流的波動(dòng)特征來分析和設(shè)計(jì)射頻、微波系統(tǒng)的方法——微波等效電路法，使不具備電磁場(chǎng)理論和微波技術(shù)背景的讀者

2025-04-03 11:41:56

模擬示波器在電路設(shè)計(jì)與調(diào)試中的應(yīng)用

電路的性能。例如，在高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中，模擬示波器能幫助工程師捕捉到那些瞬間變化的信號(hào)，通過調(diào)整電路參數(shù)確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確傳輸。波形觀測(cè)與分析：模擬示波器能夠?qū)崟r(shí)顯示電路中的電壓波形，幫助工程師直觀

2025-03-31 14:07:41

PIMCHIP S300 全球首款28nm節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)存算一體產(chǎn)品化AI芯片

PIMCHIP-S300 芯片是蘋芯科技基于存算一體技術(shù)打造的多模態(tài)智慧感知決策 AI 芯片。其搭載基于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的存算一體計(jì)算加速單元，讓計(jì)算在存儲(chǔ)器內(nèi)部發(fā)生，有效減少

2025-03-28 17:06:35

2254

跟著華為學(xué)硬件電路設(shè)計(jì)，華為全套硬件電路設(shè)計(jì)學(xué)習(xí)資料都在這里了！

硬件設(shè)計(jì)，三分經(jīng)驗(yàn)，七分勤奮，要想要搞硬件設(shè)計(jì)，不能閉門造車，需要站在巨人的肩膀上才行，要想做好一名硬件工程師，就需學(xué)習(xí)大牛工程師的電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，因?yàn)檫@些經(jīng)驗(yàn)都是從無數(shù)的失敗開發(fā)經(jīng)歷中獲得的，成功

2025-03-25 13:59:52

千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首

2025-03-23 11:17:40

1827

千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道據(jù)多方消息來源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首

2025-03-22 00:02:00

2462

集成電路制造中的電鍍工藝介紹

本文介紹了集成電路制造工藝中的電鍍工藝的概念、應(yīng)用和工藝流程。

2025-03-13 14:48:27

2309

淺談集成電路設(shè)計(jì)中的標(biāo)準(zhǔn)單元

本文介紹了集成電路設(shè)計(jì)中Standard Cell(標(biāo)準(zhǔn)單元)的概念、作用、優(yōu)勢(shì)和設(shè)計(jì)方法等。

2025-03-12 15:19:40

1620

39個(gè)常用外圍硬件電路設(shè)計(jì)

本文詳細(xì)介紹了39個(gè)常用外圍硬件電路設(shè)計(jì) 獲取完整文檔資料可下載附件哦?。。。?/div>

2025-03-07 16:41:27

模擬電路設(shè)計(jì)1-教你如何分析電路（可下載）

按單元電路的功能可以把它們分成若干類，每一類又有好多種，全部單元電路大概總有幾百種。下面我們選最常用的基本單元電路來介紹。讓我們從電源電路開始一、電源電路的功能和組成每個(gè)電子設(shè)備都有一個(gè)供給能量

2025-03-06 14:12:41

開關(guān)電源的緩沖電路設(shè)計(jì)

主要通過兩種方法：一是減小漏電感，二是耗散過電壓的能量，或者使能量反饋回電源中。減小漏感主要靠工藝；耗散過電壓的能量通過與變壓器或者開關(guān)管并聯(lián)的緩沖電路；能量反饋回電源則采用附加的線圈

2025-03-05 14:58:29

28nm！印度今年將推出首款 “國(guó)產(chǎn)芯片”

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道近日，拉美社報(bào)道稱，印度鐵道、通信以及電子和信息技術(shù)部長(zhǎng)阿什維尼?瓦伊什瑙透露，印度今年將擁有首款國(guó)產(chǎn)芯片。 ? 據(jù)悉，印度首款芯片采用 28 納米制程工藝，由塔塔電子與力積電

2025-03-05 00:20:00

1013

電壓抬升電路設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆占蛇\(yùn)放電壓放大電路設(shè)計(jì)基本方法。掌握基本儀器使用方法（電源、信號(hào)發(fā)生器、示波器）。二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及結(jié)果實(shí)驗(yàn)內(nèi)容基于集成運(yùn)放設(shè)計(jì)一傳感器信號(hào)采集電路。傳感器輸出信號(hào)在±50mV，頻率為

2025-02-26 19:33:23

4613

《典型電子電路設(shè)計(jì)與測(cè)試》閱讀體驗(yàn)

今天閱讀《典型電子電路設(shè)計(jì)與測(cè)試》這本書。第一章講的是運(yùn)算放大器電路。這里介紹同向放大電路和反向放大電路。它們的主要區(qū)別在于輸入信號(hào)的接入方式以及輸出信號(hào)的相位。1. 同向放大電路電路結(jié)構(gòu)：輸入

2025-02-23 14:01:14

【「典型電子電路設(shè)計(jì)與測(cè)試」閱讀體驗(yàn)】運(yùn)算放大器電路閱讀體驗(yàn)

模擬電路是上大學(xué)的時(shí)候，很多知識(shí)都忘記了，我根據(jù)《典型電子電路設(shè)計(jì)與測(cè)試》書，也查找了一些資料，跟大家分享一下，以同相放大電路為例： 1、偏置點(diǎn)分析書中給提供了電壓增益、輸入阻抗、輸出阻抗，電阻對(duì)輸出

2025-02-23 10:56:55

雙MOS組成防反灌電路-防倒灌電路設(shè)計(jì)

MOS管防倒灌電路設(shè)計(jì)如下圖所示：在某些應(yīng)用中，如電池充電電路中，B點(diǎn)是充電器接口，C點(diǎn)是電池接口，為了防止充電器拔掉時(shí)，電池電壓出現(xiàn)在充電接口。（Q1、Q2、Q3共同組成防倒灌電路）注意Q3的DS

2025-02-21 10:01:30

3923

UPC277G2采用CMOS工藝的通用比較器，適用于低電壓、低功耗和快速響應(yīng)

　μPC277、μPC393 是雙比較器，設(shè)計(jì)用于單電源供電。其特性包括低電壓作、V? （GND）級(jí)的共模輸入電壓、集電極開路輸出和低電流消耗。此外，這些產(chǎn)品可以使用分離電源工作，并廣泛用于各種

2025-02-20 17:44:46

967

集成電路制造工藝中的偽柵去除技術(shù)介紹

本文介紹了集成電路制造工藝中的偽柵去除技術(shù)，分別討論了高介電常數(shù)柵極工藝、先柵極工藝和后柵極工藝對(duì)比，并詳解了偽柵去除工藝。高介電常數(shù)金屬柵極工藝隨著CMOS集成電路特征尺寸的持續(xù)縮小，等效柵氧

2025-02-20 10:16:36

1303

《典型電子電路設(shè)計(jì)與測(cè)試》閱讀體驗(yàn)

探索電路設(shè)計(jì)寶藏——《典型電子電路設(shè)計(jì)與測(cè)試》第二章閱讀體驗(yàn) 在電子技術(shù)的璀璨星空中，電路設(shè)計(jì)無疑是最為耀眼的領(lǐng)域之一。而《典型電子電路設(shè)計(jì)與測(cè)試》這本書，宛如一座熠熠生輝的燈塔，為電路設(shè)計(jì)

2025-02-18 15:28:10

紫光同創(chuàng)FPGA權(quán)威開發(fā)指南，原廠攜手小眼睛科技技術(shù)專家聯(lián)合編著

100Pro+開發(fā)板（型號(hào)：MES2L676-100HP）采用紫光同創(chuàng)28nm工藝Logos2系列PG2L100H-6IFBG676, 擁有100k等效LUT4，DDR3數(shù)據(jù)交互時(shí)鐘頻率最高到533MHz，2

2025-02-17 16:33:20

數(shù)字電路設(shè)計(jì)中:前端與后端的差異解析

本文介紹了數(shù)字電路設(shè)計(jì)中“前端”和“后端”的區(qū)別。數(shù)字電路設(shè)計(jì)中“前端”和“后端”整個(gè)過程可類比蓋一棟大樓：前端好比建筑師在圖紙上進(jìn)行功能和布局的抽象設(shè)計(jì)，后端則是工程隊(duì)把圖紙變成實(shí)體建筑的過程

2025-02-12 10:09:55

1497

納祥科技低噪聲、低電壓軌對(duì)軌運(yùn)放NX721，國(guó)產(chǎn)替代SGM721

NX721具有11MHz的高增益帶寬乘積和8.5V/μs的轉(zhuǎn)換速率。它采用掉電禁用功能，可將電源電流降至1μA以下，適用于低電壓和低噪聲系統(tǒng)的應(yīng)用；在設(shè)計(jì)中，NX721提供軌到軌輸出擺幅至重負(fù)載，并輸入共模電壓范圍包括地，最大輸入失調(diào)電壓為4mV。

2025-02-05 17:29:43

1362

芯片先進(jìn)封裝硅通孔(TSV)技術(shù)說明

，HBM）依靠在臺(tái)積電的28nm工藝節(jié)點(diǎn)制造的GPU芯片兩側(cè)，TSV硅轉(zhuǎn)接基板采用UMC的65nm工藝，尺寸28mm×35mm。

2025-01-27 10:13:00

3792

模擬電路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)

在現(xiàn)代電子技術(shù)中，模擬電路設(shè)計(jì)扮演著至關(guān)重要的角色。無論是在通信、音頻處理還是傳感器應(yīng)用中，模擬電路都是不可或缺的。然而，模擬電路設(shè)計(jì)也面臨著許多挑戰(zhàn)，包括信號(hào)完整性、噪聲抑制、電源管理等。 1.

2025-01-24 09:28:36

1159

電子工程師的電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)分享

本文分享了電子工程師在電路設(shè)計(jì)方面的豐富經(jīng)驗(yàn)，包括項(xiàng)目開發(fā)步驟、電路設(shè)計(jì)核心思想、元器件選擇與優(yōu)化等內(nèi)容，旨在幫助初學(xué)者快速提升電路設(shè)計(jì)能力。

2025-01-21 15:13:54

1346

創(chuàng)飛芯90nm BCD工藝OTP IP模塊規(guī)模量產(chǎn)

實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。90nm BCD 工藝將高密度低壓邏輯晶體管與經(jīng)過優(yōu)化的高壓晶體管相結(jié)合，創(chuàng)飛芯 OTP 技術(shù)的加入，使 90nm BCD 工藝成為諸如顯示驅(qū)動(dòng)器和電源管理集成電路（PMIC）等復(fù)雜混合信號(hào)器件的理想平臺(tái)。

2025-01-20 17:27:47

1647