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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術的存儲器供應商

三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術的存儲器供應商

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2023-05-29 11:37:36

XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案

供應XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案,廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>  
2023-05-29 11:13:51

XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案

供應XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應用于AC-DC 適配器、USB 充電設備等領域,更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46

NVIDIA仍不死心,再次加入ARM站場

加強聯(lián)發(fā)科芯片在游戲和AI方面的功能與性能,計劃最早于2024年將含有英偉達圖形技術的GPU集成到聯(lián)發(fā)科的芯片上。 目前聯(lián)發(fā)科已成為Chromebook系統(tǒng)芯片的領先供應商之一,不少廉價
2023-05-28 08:51:03

單板硬件設計:存儲器( NAND FLASH)

單板設計中,無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復雜的單板設計,都離不開存儲器設計: 1、存儲器介紹 存儲器的分類大致可以劃分如下: ROM和RAM指的都是半導體存儲器,ROM系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37

超高速存儲器測試的KGD解決方案

 與隨著DRAM和高帶寬存儲器(HBM)本機速度能力的提高,最新的內存正在超過2 GHz(4 Gbps),這就對現(xiàn)有的ATE測試器提出了更高的限制。
2023-05-19 15:03:48904

三星電子研發(fā)首款DRAM 擴大CXL生態(tài)系統(tǒng)

基于先進CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn),加速下一代存儲器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179

單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢?

單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

如何識別esp8266 NodeMCU板卡的優(yōu)質供應商?

當我 ebay 和其他網(wǎng)站上搜索 esp8266 NodeMCU D1 Mini 板時,我對這些變化感到困惑。 有沒有人確定優(yōu)質供應商? 我看到了 V1、V2 和 V3(但很少有 V3)。這有什么不同嗎? 購買這些板時還應考慮什么?誰能推薦資源?
2023-04-28 06:32:47

如何為RT1172選擇FLASH存儲器?

通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時,應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21

XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內多口互聯(lián)

 供應XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內多口互聯(lián),更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>  
2023-04-26 10:22:36

CH32V103基礎教程28-DMA (外設到存儲器

關于DMA,具有種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲器存儲器存儲器到外設、外設到存儲器。第十三章以及第二十七章,已講解存儲器存儲器傳輸方式以及存儲器到外設傳輸方式,本章將講解DMA外設到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設,通過串口調試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎教程27-DMA (存儲器到外設)

關于DMA,具有種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲器存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。前面已講解過關于存儲器存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式,本章將講解存儲器到外設的傳輸方式以及在下一章將會講解外設到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13

一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462542

CH32V103基礎教程13-DMA(存儲器存儲器

本章教程講解DMA存儲器存儲器模式。存儲器存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)兩個內存的快速拷貝。程序中,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上(內部SRAM),最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08

DRAM價格正式反彈 三星通知分銷:不再低于當前價格出售DRAM芯片

時事熱點行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-04-17 15:17:56

兆易創(chuàng)新全系列車規(guī)級存儲產(chǎn)品累計出貨1億顆

全球累計出貨量已達1億顆,廣泛運用在如智能座艙、智能駕駛、智能網(wǎng)聯(lián)、新能源電動車大小電系統(tǒng)等,這一重要里程碑凸顯了兆易創(chuàng)新與國內外主流車廠及Tier1供應商的密切合作關系。兆易創(chuàng)新致力于為汽車領域客戶
2023-04-13 15:18:46

非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點

和用于讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器,可以字節(jié)級別讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種,在結構上以塊的形式排列,塊中
2023-04-07 16:42:42

MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會丟失,而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器技術規(guī)格比較性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05

LS1043A無法使用某些供應商的QSPI閃存啟動?

發(fā)生在 Macronix spi flash 上,我們確實獲得了用于引導的正確 ENV 值。a) 從LS1043a參考手冊中,我們知道對于不同的供應商,spi控制根據(jù)板上連接的串行閃存設備LUT中預編程了
2023-04-06 07:37:15

是否可以將FLASH用作輔助存儲器?

我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器,如果可能,我們如何使用。請指導我們實現(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50

我們常用存儲器知道有哪些嘛

存儲器存儲介質特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲器,一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看,易失性存儲器可以理解為內存,而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551

FRWY LS1012A USB轉以太網(wǎng)配置無法識別怎么解決?

USB 設備樹:1 個集線器(5 Gb/s,0mA)| U-Boot XHCI 主機控制| +-2 供應商特定(480 Mb/s,248mA)ASIX Elec。AX88179
2023-03-28 06:08:04

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