三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的存儲器供應(yīng)商

韓國三星電子于25已經(jīng)成功出貨100萬個極紫外光刻技術(shù)（EUV）生產(chǎn)的業(yè)界首款10納米級DDR4 DRAM模組，將為高端PC和移動設(shè)備及企業(yè)服務(wù)器和資料中心應(yīng)用等提供更先進(jìn)EUV制程技術(shù)產(chǎn)品。

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三星電子DRAM 芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出，隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn)，展示著三星對提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項(xiàng)重大進(jìn)展也說明了三星將如何透過即時開發(fā)高端制程技術(shù)來生產(chǎn)高端存儲器芯片市場的下一代產(chǎn)品，繼續(xù)為全球IT行業(yè)創(chuàng)新貢獻(xiàn)心力。

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目前三星的EUV技術(shù)將從其第4代10納米級的DRAM生產(chǎn)中開始全面部署。而三星也預(yù)計從2021年開始量產(chǎn)第4代10納米級的DDR5 DRAM和LPDDR5 DRAM。而在這樣的制程下，將使12英寸晶圓的生產(chǎn)效率提升1倍。隨著2021年DDR5 DRAM和LPDDR5 DRAM市場的擴(kuò)展，三星也將進(jìn)一步加強(qiáng)了與IT客戶及半導(dǎo)體供應(yīng)商優(yōu)化標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格合作，加速整個存儲器芯片市場開始向DDR5和LPDDR等規(guī)格產(chǎn)品發(fā)展。

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三星是全球首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的存儲器供應(yīng)商，用以克服DRAM芯片發(fā)展上的挑戰(zhàn)。由于EUV技術(shù)的采用，減少了多重影像制作中的重復(fù)步驟，因此進(jìn)一步提高了影像制作的準(zhǔn)確性，也增加了產(chǎn)品的性能與產(chǎn)量，也使得生產(chǎn)時間縮短。

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為了滿足對新世代DRAM存儲芯片市場不斷成長的需求，三星也將在2020下半年開始在韓國平澤工業(yè)區(qū)內(nèi)建立第二條存儲器芯片產(chǎn)線。

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DRAM(181795) DRAM(181795)
DRAM芯片(17857) DRAM芯片(17857)

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dram和nand的區(qū)別

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三星電子在 EUV 曝光技術(shù)取得重大進(jìn)展

三星電子行業(yè)資訊

深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-12-05 17:16:29

三星曝光技術(shù)大進(jìn)展！

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2023-12-05 15:09:01

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三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時，管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。

2023-12-01 09:45:16

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傳感器生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)

大家元老們好，菜鳥想咨詢下，我明年想開一個生產(chǎn)傳感器的工廠，現(xiàn)在想了解一下生產(chǎn)傳感器需要的設(shè)備，和技術(shù)，一般小型的工廠，需要投資多少錢。生產(chǎn)技術(shù)在哪里能拿到？

2023-11-29 10:07:42

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

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2023-11-23 18:13:02

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Melexis榮獲艾菲集團(tuán)技術(shù)戰(zhàn)略供應(yīng)商大獎

在剛剛結(jié)束的2023艾菲汽車供應(yīng)商大會上，Melexis榮獲艾菲集團(tuán)“技術(shù)戰(zhàn)略供應(yīng)商”殊榮。

2023-11-17 15:56:14

349

簡單認(rèn)識動態(tài)隨機(jī)存取存儲器

20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響

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簡單認(rèn)識靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器

，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。

2023-11-16 09:14:06

413

半導(dǎo)體存儲器的介紹與分類

后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為（1）隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨

2023-11-15 10:20:01

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兆易創(chuàng)新：存儲板塊第四季度價格觸底

存儲分為大存儲和利基存儲兩大塊。大存儲包括用于手機(jī)、PC和服務(wù)器的DRAM以及3D Nand，主要供應(yīng)商為以三星為代表的國際頭部廠商。

2023-11-07 14:22:09

133

三星與SK海力士DRAM繼續(xù)漲價

筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價，10 月也較9 月上漲11.5%，到每單位33 美元。智能手機(jī)DRAM合約價也開始漲價。TrendForce 預(yù)計第四季行動DRAM

2023-11-03 17:23:09

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三星電子將擴(kuò)大尖端DRAM/NAND產(chǎn)量

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2023-11-01 10:52:09

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單片機(jī)的存儲器主要有幾個物理存儲空間？

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單片機(jī)的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？

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DRAM的技術(shù)研發(fā)趨勢

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2023-10-29 09:46:58

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AT89C52怎么選擇外部存儲器？

大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊？?

2023-10-26 06:11:25

動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的相關(guān)知識

本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。

2023-10-23 10:07:34

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2023年10月21日芯片價格信息差《三星內(nèi)存條》#采購#華強(qiáng)北#內(nèi)存#集成電路#三星內(nèi)存條#

內(nèi)存三星

深圳市石芯電子有限公司發(fā)布于 2023-10-21 11:14:12

存儲器測試怎么才能穩(wěn)定？

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2023-10-17 06:51:11

#美國 #三星美國徹底放棄卡脖子嗎？美國同意三星電子向中國工廠提供設(shè)備！

三星電子

深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-11 13:47:16

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STM32? 微控制器系統(tǒng)存儲器自舉模式

自舉程序存儲在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲器（系統(tǒng)存儲器）中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過一種可用的串行外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C 等）將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部

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存儲市況最差時期已過DRAM價格止跌

隨著三星等主要存儲器企業(yè)的減產(chǎn)消除了生產(chǎn)過剩，市場價格的下滑趨勢落下了帷幕。此前，由于供應(yīng)商庫存水平居高不下，公司宣布進(jìn)一步減產(chǎn)，目前還不確定供求是否平衡。

2023-09-27 11:06:58

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2023-09-18 16:22:19

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如何使用STM32G4系列微控制器存儲器和外圍設(shè)備

本參考手冊面向應(yīng)用程序開發(fā)人員。它提供了關(guān)于如何使用STM32G4系列微控制器存儲器和外圍設(shè)備。 STM32G4系列是一系列具有不同內(nèi)存大小和封裝的微控制器以及外圍設(shè)備。有關(guān)訂購信息、機(jī)械

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長鑫存儲“存儲器的檢測方法及存儲器”專利公布

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有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商，三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。

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庫的慢-慢工藝點(diǎn)對塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時序特性。接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求

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0722_03 fifo存儲器作用和結(jié)構(gòu)模型 - 第2節(jié)

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CoreLink DDR2動態(tài)存儲器控制器(DMC-341)技術(shù)參考手冊

CoreLink DDR2動態(tài)存儲器控制器(DMC-341)技術(shù)參考手冊

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PrimeCell AHB SDR和SRAM/NOR存儲器控制器（PL243）技術(shù)參考手冊

AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。 AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲器控制器

2023-08-02 14:51:44

PrimeCell AHB SRAM/NOR存儲器控制器（PL241）技術(shù)參考手冊

AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。 AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲器控制器（SMC）。AHB MC有一個

2023-08-02 07:14:25

PrimeCell AHB SDR和NAND存儲器控制器（PL242）技術(shù)參考手冊

2023-08-02 06:26:35

dram存儲器斷電后信息會丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。

2023-07-28 15:02:03

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虹膜解鎖是最安全的一種方式，三星只使用了一代就拋棄了，到底為什么？#虹膜識別 #虹膜解鎖 #三星手機(jī)

三星

學(xué)習(xí)電子知識發(fā)布于 2023-07-02 14:37:06

回顧易失性存儲器發(fā)展史

，非易失性存儲器在計算機(jī)關(guān)閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機(jī)中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I

2023-06-28 09:05:28

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半導(dǎo)體存儲器簡介

靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。

2023-06-25 14:30:18

1959

崇達(dá)技術(shù)獲得“優(yōu)秀供應(yīng)商”殊榮

2023年6月，?？低?023年度供應(yīng)商大會在杭州舉行，崇達(dá)技術(shù)榮獲“優(yōu)秀供應(yīng)商”獎項(xiàng)。 ? ? ?? 本次供應(yīng)商大會以“精進(jìn)至臻、同心共創(chuàng)”為主題。在會議中，?？低暿紫认虼蠹医榻B了公司

2023-06-19 16:40:12

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鐵電存儲器PB85RS2MC在RFID中的應(yīng)用

作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。

2023-06-01 10:57:52

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反超SK海力士，美光躍居第二大DRAM供應(yīng)商

在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下，美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。根據(jù)臺灣市場研究公司 TrendForce

2023-06-01 08:46:06

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三星電機(jī)提供車規(guī)級mlcc中的4種主要解決方案_貞光科技代理品牌# mlcc

三星電機(jī)

貞光科技發(fā)布于 2023-05-30 14:30:31

XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議

供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>

2023-05-30 14:24:29

存儲器集成電路測試

存儲器是集成電路領(lǐng)域的通用器件，其市場用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。

2023-05-30 09:56:44

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XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級代理富滿

供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級代理富滿，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>

2023-05-29 11:37:36

XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案

供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>

2023-05-29 11:13:51

XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案

供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>

2023-05-29 10:09:46

NVIDIA仍不死心，再次加入ARM站場

加強(qiáng)聯(lián)發(fā)科芯片在游戲和AI方面的功能與性能，計劃最早于2024年將含有英偉達(dá)圖形技術(shù)的GPU集成到聯(lián)發(fā)科的芯片上。目前聯(lián)發(fā)科已成為Chromebook系統(tǒng)芯片的領(lǐng)先供應(yīng)商之一，不少廉價

2023-05-28 08:51:03

單板硬件設(shè)計：存儲器（ NAND FLASH)

在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計： 1、存儲器介紹 存儲器的分類大致可以劃分如下： ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)

2023-05-19 15:59:37

超高速存儲器測試的KGD解決方案

　與隨著DRAM和高帶寬存儲器（HBM）本機(jī)速度能力的提高，最新的內(nèi)存正在超過2 GHz（4 Gbps），這就對現(xiàn)有的ATE測試器提出了更高的限制。

2023-05-19 15:03:48

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三星電子研發(fā)首款DRAM 擴(kuò)大CXL生態(tài)系統(tǒng)

基于先進(jìn)CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn)，加速下一代存儲器解決方案的商用化

2023-05-15 17:02:10

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單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？

單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？

2023-05-10 15:17:56

如何識別esp8266 NodeMCU板卡的優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商？

當(dāng)我在 ebay 和其他網(wǎng)站上搜索 esp8266 NodeMCU D1 Mini 板時，我對這些變化感到困惑。有沒有人確定優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商？我看到了 V1、V2 和 V3（但很少有 V3）。這有什么不同嗎？購買這些板時還應(yīng)考慮什么？誰能推薦資源？

2023-04-28 06:32:47

如何為RT1172選擇FLASH存儲器？

通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？

2023-04-27 06:03:21

XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián)

供應(yīng)XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>

2023-04-26 10:22:36

CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA （外設(shè)到存儲器）

關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。

2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA （存儲器到外設(shè)）

關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。前面已講解過關(guān)于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會講解外設(shè)到存儲器的傳輸方式

2023-04-20 16:35:13