韓國三星電子于25已經(jīng)成功出貨100萬個極紫外光刻技術(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10納米級DDR4 DRAM模組,將為高端PC和移動設備及企業(yè)服務器和資料中心應用等提供更先進EUV制程技術產(chǎn)品。
?
三星電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術執(zhí)行副總裁指出,隨著以EUV技術所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn),展示著三星對提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項重大進展也說明了三星將如何透過即時開發(fā)高端制程技術來生產(chǎn)高端存儲器芯片市場的下一代產(chǎn)品,繼續(xù)為全球IT行業(yè)創(chuàng)新貢獻心力。
?
目前三星的EUV技術將從其第4代10納米級的DRAM生產(chǎn)中開始全面部署。而三星也預計從2021年開始量產(chǎn)第4代10納米級的DDR5 DRAM和LPDDR5 DRAM。而在這樣的制程下,將使12英寸晶圓的生產(chǎn)效率提升1倍。隨著2021年DDR5 DRAM和LPDDR5 DRAM市場的擴展,三星也將進一步加強了與IT客戶及半導體供應商優(yōu)化標準規(guī)格合作,加速整個存儲器芯片市場開始向DDR5和LPDDR等規(guī)格產(chǎn)品發(fā)展。
?
三星是全球首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術的存儲器供應商,用以克服DRAM芯片發(fā)展上的挑戰(zhàn)。由于EUV技術的采用,減少了多重影像制作中的重復步驟,因此進一步提高了影像制作的準確性,也增加了產(chǎn)品的性能與產(chǎn)量,也使得生產(chǎn)時間縮短。
?
為了滿足對新世代DRAM存儲芯片市場不斷成長的需求,三星也將在2020下半年開始在韓國平澤工業(yè)區(qū)內建立第二條存儲器芯片產(chǎn)線。
三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術的存儲器供應商
- DRAM(181795)
- DRAM芯片(17857)
相關推薦
美光:高帶寬存儲器芯片至2025年供應已近飽和
現(xiàn)階段,NVIDIA在其新一代H200圖形處理器(GPU)上選擇采用了美光最新款的HBM3E芯片。過去,韓國SK海力士曾是其獨家供應商。
2024-03-21 16:26:36
387
387SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E
HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53
263
263集成電路ATE供應商悅芯科技存儲器芯片測試設備獲得數(shù)億元訂單!
3月14日消息,集成電路ATE供應商悅芯科技自主研發(fā)的高性能存儲器芯片自動化生產(chǎn)測試系統(tǒng)-TM8000,于近期通過國際競標獲得行業(yè)龍頭及標桿企業(yè)數(shù)億元人民幣的設備采購訂單。
2024-03-15 10:22:03
245
245美光計劃部署納米印刷技術,降低DRAM芯片生產(chǎn)成本
3 月 5 日消息,美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術,從而進一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演講,介紹在將納米印刷技術應用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細節(jié)
2024-03-06 08:37:35
61
61三星顯示與LG顯示成為蘋果iPad OLED面板供應商
據(jù)報道,蘋果今年預計推出2款采用OLED技術的iPad,其中包括一款11英寸型號及13英寸型號。盡管LG顯示器被考慮為兩種屏幕尺寸的供應商之一,但它不會負責生產(chǎn)首批的11英寸OLED面板。
2024-02-26 15:41:49
144
144DRAM存儲器為什么要刷新
DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷,而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36
264
264
三星SDI考慮使用中國設備生產(chǎn)磷酸鐵鋰電池
據(jù)報道,三星SDI正考慮在其磷酸鐵鋰(LFP)電池生產(chǎn)線上使用中國供應商的設備。這一決策可能對三星SDI的生產(chǎn)策略和全球電池市場產(chǎn)生深遠影響。
2024-01-31 11:34:55
323
323三星在硅谷建立3D DRAM研發(fā)實驗室
三星電子,全球領先的存儲芯片制造商,近日宣布在美國設立新的研究實驗室,專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術。這個實驗室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA),負責三星在美國的半導體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:46
324
324聞泰科技或重新成為三星最大的ODM供應商
近日,有消息稱,三星已將2024年的手機ODM訂單交給聞泰科技,訂單數(shù)量超過4000萬部。這意味著聞泰科技可能重新成為三星最大的ODM供應商。
2024-01-30 10:42:36
393
393如何使用SCR XRAM作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器?
1) 允許一個物理內存(即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
安達發(fā)|車間排產(chǎn)軟件SCM供應商協(xié)同計劃
車間排產(chǎn)軟件SCM供應商協(xié)同計劃是一種幫助企業(yè)實現(xiàn)生產(chǎn)計劃與供應鏈管理的有效工具。它通過整合企業(yè)內部的生產(chǎn)資源和外部的供應商資源,實現(xiàn)生產(chǎn)計劃的優(yōu)化、庫存的降低以及供應鏈的協(xié)同運作。在當前市場競爭
2024-01-25 17:50:19
124
124
三星和SK海力士尋求存儲芯片零部件供應商降價
據(jù)報道,業(yè)內人士透露,由于DRAM、NAND等存儲半導體市場嚴重低迷,三星電子和SK海力士這兩家全球主要的存儲芯片制造商已向韓國的一些存儲半導體零部件供應商提出降價要求。
2024-01-19 14:52:05
421
421三星LG為蘋果iPad供應OLED屏,采用LTPO及雙發(fā)光層技術
三星顯示器首先將著手生產(chǎn)TFT,作為Open/close像素功能的關鍵組件,其制造流程優(yōu)先級最高。與此同時,LG顯示器作為蘋果的次級供應商,也已開始生產(chǎn)OLED面板所需的TFT,并計劃供應給蘋果的13寸平板電腦。
2024-01-19 14:19:18
366
366ram是什么存儲器斷電后會丟失嗎
為DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機訪問存儲器)。根據(jù)題目提到的“斷電后會丟失”,我們可以確定RAM屬于易失性存儲器,即斷
2024-01-12 17:27:15
513
513三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲器
近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創(chuàng)新技術具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領未來內存技術的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03
282
282DRAM價格飆升,三星和美光計劃Q1漲幅高達20%
根據(jù)最新的存儲器模組行業(yè)消息,隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升,三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調DRAM價格,漲幅預計將達到15%-20%。 業(yè)內分析師指出
2024-01-03 18:14:16
872
872存儲市場動態(tài):DRAM價格大幅上漲在即
隨著上游原廠醞釀提價,多家存儲器模塊業(yè)者已經(jīng)開始備貨,以應對潛在的市場變化。預計供應給OEM廠商的合約價將在二季度起全面反映DRAM的漲價趨勢。
2024-01-03 15:34:13
733
733三星與美光擬提DRAM價格,以求盈利回暖
部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:21
550
550一鍵式測量儀供應商
中圖儀器一鍵式測量儀供應商VX系列采用雙遠心高分辨率光學鏡頭,結合高精度圖像分析算法,并融入一鍵閃測原理。在機械、電子、模具、注塑、五金、橡膠、低壓電器、磁性材料、精密沖壓、接插件、連接器、端子
2023-12-18 11:00:28
dram和nand的區(qū)別
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機存取存儲器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:00
3905
3905三星曝光技術大進展!
據(jù)報導,三星已主要客戶的部分先進 EUV 代工生產(chǎn)在線導入 EUV 光罩護膜。雖然三星也在 DRAM 生產(chǎn)線中采用 EUV 制程,但考慮到生產(chǎn)率和成本,該公司認為即使沒有光罩護膜也可以進行內存量產(chǎn)。
2023-12-05 15:09:01
491
491三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片
三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術時,管理人員公開了有關LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16
325
325傳感器生產(chǎn)設備技術
大家元老們好,菜鳥想咨詢下,我明年想開一個生產(chǎn)傳感器的工廠,現(xiàn)在想了解一下生產(chǎn)傳感器需要的設備,和技術,一般小型的工廠,需要投資多少錢。生產(chǎn)技術在哪里能拿到?
2023-11-29 10:07:42
Melexis榮獲艾菲集團技術戰(zhàn)略供應商大獎
在剛剛結束的2023艾菲汽車供應商大會上,Melexis榮獲艾菲集團“技術戰(zhàn)略供應商”殊榮。
2023-11-17 15:56:14
349
349簡單認識動態(tài)隨機存取存儲器
20世紀70 年代到 90年代中期,動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ,DRAM) 采用的是異步接口,這樣它可以隨時響應控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27
378
378簡單認識靜態(tài)隨機存取存儲器
,VM)兩大類。例如,人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory,簡稱 Flash)就屬于 NVM,靜態(tài)隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory, SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06
413
413半導體存儲器的介紹與分類
后存儲內容會丟失的存儲器稱作易失存儲器(Volatile Memory),存儲內容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器(Non-Volatile Memory)。 半導體存儲器分類 1、按功能分為 (1)隨機存取存儲器(RAM)特點:包括DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01
731
731
兆易創(chuàng)新:存儲板塊第四季度價格觸底
存儲分為大存儲和利基存儲兩大塊。大存儲包括用于手機、PC和服務器的DRAM以及3D Nand,主要供應商為以三星為代表的國際頭部廠商。
2023-11-07 14:22:09
133
133三星與SK海力士DRAM繼續(xù)漲價
筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價,10 月也較9 月上漲11.5%,到每單位33 美元。智能手機DRAM合約價也開始漲價。TrendForce 預計第四季行動DRAM
2023-11-03 17:23:09
959
959三星電子將擴大尖端DRAM/NAND產(chǎn)量
三星電子副總裁Kim Jae-jun表示:“對生成人工智能(ai)等高性能產(chǎn)品的運行非常重要的尖端存儲器的需求正在迅速增加?!毕喾矗匀ツ暌院?,隨著存儲器業(yè)界的資本投資減少,韓國尖端node技術的擴張受到了限制?!?/div>
2023-11-01 10:52:09
578
578DRAM的技術研發(fā)趨勢
在2023年2月在國際學會ISSCC上,三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要(下圖左)和硅芯片(下圖右)。
2023-10-29 09:46:58
783
783
AT89C52怎么選擇外部存儲器?
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了?。??AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明,各位高手有誰知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25
動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的相關知識
本文將介紹芯片設計中動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的相關知識,包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設備中的應用。
2023-10-23 10:07:34
816
816三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道,三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57
762
762STM32? 微控制器系統(tǒng)存儲器自舉模式
自舉程序存儲在 STM32 器件的內部自舉 ROM 存儲器(系統(tǒng)存儲器)中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務是通過一種可用的串行外設(USART、CAN、USB、I2C 等)將應用程序下載到內部
2023-09-28 07:15:06
存儲市況最差時期已過DRAM價格止跌
隨著三星等主要存儲器企業(yè)的減產(chǎn)消除了生產(chǎn)過剩,市場價格的下滑趨勢落下了帷幕。此前,由于供應商庫存水平居高不下,公司宣布進一步減產(chǎn),目前還不確定供求是否平衡。
2023-09-27 11:06:58
491
491存儲器的分類及其區(qū)別
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類,前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持數(shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02
668
668
如何使用STM32G4系列微控制器存儲器和外圍設備
本參考手冊面向應用程序開發(fā)人員。它提供了關于如何使用STM32G4系列微控制器存儲器和外圍設備。
STM32G4系列是一系列具有不同內存大小和封裝的微控制器以及外圍設備。
有關訂購信息、機械
2023-09-08 06:59:58
長鑫存儲“存儲器的檢測方法及存儲器”專利公布
根據(jù)專利要點,提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導體相關技術領域中存儲單位與上線之間漏電測定的復雜技術問題,該存儲器的檢測方法如下:選通字線,通過位線在所有存儲單元中寫設定存儲。
2023-09-07 14:27:24
523
523
三星計劃采用12納米技術,提升內存模組容量
日前有信息稱,三星將采用 12納米 (nm) 級工藝技術,生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,而這樣就可以在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:46
470
470如何在USB HID設備上執(zhí)行供應商指令
應用程序: 演示USB供應商指令的實施
BSP 版本: NUC123系列 BSP CMSIS V3.01.001
硬件: NuTiny-EVB-NUC123-LQFP64 v1.0
該文件展示了如
2023-08-23 06:55:09
DRAM內存分為哪幾種 dram存儲器的存儲原理是什么
DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:02
1022
1022AXI內部存儲器接口的功能
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成,以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
不同的存儲器技術介紹 如何選擇正確的存儲器技術
技術,每種技術都具有不同的特性和高級功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動態(tài)隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲器最主流的存儲器技術,因為它使用電容器作為存儲元件來實現(xiàn)高密度和簡單架構、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20
414
414
CoreLink DDR2動態(tài)存儲器控制器(DMC-341)技術參考手冊
CoreLink DDR2動態(tài)存儲器控制器(DMC-341)技術參考手冊
2023-08-02 15:28:28
PrimeCell AHB SDR和SRAM/NOR存儲器控制器(PL243)技術參考手冊
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器(DMC)和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 14:51:44
PrimeCell AHB SRAM/NOR存儲器控制器(PL241)技術參考手冊
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲器控制器(SMC)。AHB MC有一個
2023-08-02 07:14:25
PrimeCell AHB SDR和NAND存儲器控制器(PL242)技術參考手冊
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器(DMC)和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 06:26:35
dram存儲器斷電后信息會丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎
DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器是一種易失性存儲器,意味著當斷電時,存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來保持數(shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會迅速失去電荷,導致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:03
2204
2204回顧易失性存儲器發(fā)展史
,非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型:靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年,F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28
874
874半導體存儲器簡介
靜態(tài)隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:18
1959
1959
崇達技術獲得“優(yōu)秀供應商”殊榮
2023年6月,??低?023年度供應商大會在杭州舉行,崇達技術榮獲“優(yōu)秀供應商”獎項。 ? ? ?? 本次供應商大會以“精進至臻、同心共創(chuàng)”為主題。在會議中,??低暿紫认虼蠹医榻B了公司
2023-06-19 16:40:12
511
511鐵電存儲器PB85RS2MC在RFID中的應用
作為一種非易失性存儲器,鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點,雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應用,但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應用場合,鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52
134
134
反超SK海力士,美光躍居第二大DRAM供應商
在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下,美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 根據(jù)臺灣市場研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06
550
550XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議
供應XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議,廣泛應用于AC-DC 適配器、車載充電器等設備的USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-30 14:24:29
XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級代理富滿
供應XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級代理富滿,廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:37:36
XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案
供應XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案,廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:13:51
XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案
供應XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應用于AC-DC 適配器、USB 充電設備等領域,更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46
NVIDIA仍不死心,再次加入ARM站場
加強聯(lián)發(fā)科芯片在游戲和AI方面的功能與性能,計劃最早于2024年將含有英偉達圖形技術的GPU集成到聯(lián)發(fā)科的芯片上。
目前聯(lián)發(fā)科已成為Chromebook系統(tǒng)芯片的領先供應商之一,不少廉價
2023-05-28 08:51:03
單板硬件設計:存儲器( NAND FLASH)
在單板設計中,無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復雜的單板設計,都離不開存儲器設計:
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下:
ROM和RAM指的都是半導體存儲器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
超高速存儲器測試的KGD解決方案
與隨著DRAM和高帶寬存儲器(HBM)本機速度能力的提高,最新的內存正在超過2 GHz(4 Gbps),這就對現(xiàn)有的ATE測試器提出了更高的限制。
2023-05-19 15:03:48
904
904
三星電子研發(fā)首款DRAM 擴大CXL生態(tài)系統(tǒng)
基于先進CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn),加速下一代存儲器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10
179
179單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢?
單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56
如何識別esp8266 NodeMCU板卡的優(yōu)質供應商?
當我在 ebay 和其他網(wǎng)站上搜索 esp8266 NodeMCU D1 Mini 板時,我對這些變化感到困惑。
有沒有人確定優(yōu)質供應商?
我看到了 V1、V2 和 V3(但很少有 V3)。這有什么不同嗎?
購買這些板時還應考慮什么?誰能推薦資源?
2023-04-28 06:32:47
如何為RT1172選擇FLASH存儲器?
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時,應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21
XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內多口互聯(lián)
供應XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內多口互聯(lián),更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-26 10:22:36
CH32V103基礎教程28-DMA (外設到存儲器)
關于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設傳輸方式,本章將講解DMA外設到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設,通過串口調試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
CH32V103基礎教程27-DMA (存儲器到外設)
關于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。前面已講解過關于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式,本章將講解存儲器到外設的傳輸方式以及在下一章將會講解外設到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
一文了解新型存儲器MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:46
2542
2542CH32V103基礎教程13-DMA(存儲器到存儲器)
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內存的快速拷貝。程序中,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上(內部SRAM),最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
兆易創(chuàng)新全系列車規(guī)級存儲產(chǎn)品累計出貨1億顆
全球累計出貨量已達1億顆,廣泛運用在如智能座艙、智能駕駛、智能網(wǎng)聯(lián)、新能源電動車大小三電系統(tǒng)等,這一重要里程碑凸顯了兆易創(chuàng)新與國內外主流車廠及Tier1供應商的密切合作關系。兆易創(chuàng)新致力于為汽車領域客戶
2023-04-13 15:18:46
非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點
和用于讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器,可以在字節(jié)級別讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種,在結構上以塊的形式排列,在塊中
2023-04-07 16:42:42
MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代
具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會丟失,而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
LS1043A無法使用某些供應商的QSPI閃存啟動?
發(fā)生在 Macronix spi flash 上,我們確實獲得了用于引導的正確 ENV 值。a) 從LS1043a參考手冊中,我們知道對于不同的供應商,spi控制器根據(jù)板上連接的串行閃存設備在LUT中預編程了
2023-04-06 07:37:15
是否可以將FLASH用作輔助存儲器?
我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器,如果可能,我們如何使用。請指導我們實現(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50
我們常用存儲器知道有哪些嘛
存儲器按存儲介質特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲器,一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看,易失性存儲器可以理解為內存,而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:43
1551
1551
FRWY LS1012A USB轉以太網(wǎng)配置無法識別怎么解決?
USB 設備樹:1 個集線器(5 Gb/s,0mA)| U-Boot XHCI 主機控制器| +-2 供應商特定(480 Mb/s,248mA)ASIX Elec。AX88179
2023-03-28 06:08:04
電子發(fā)燒友App













評論