當(dāng)前，AI大模型加速滲透硬件產(chǎn)業(yè)，AI硬件正從 “單點(diǎn)智能” 邁向 “系統(tǒng)級(jí)智能”，大模型已成為硬件產(chǎn)品的基礎(chǔ)能力之一。順應(yīng)這一行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，珠海泰芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱 “泰芯半導(dǎo)體”）積極攜手生態(tài)伙伴，以核心芯片技術(shù)賦能AI硬件創(chuàng)新，助力產(chǎn)業(yè)規(guī)?；涞?。
2026-01-05 17:18:04
238 、SLT測(cè)試板、芯片封裝等半導(dǎo)體測(cè)試載板仿真，同時(shí)對(duì)外開(kāi)放全領(lǐng)域仿真服務(wù)，以精準(zhǔn)分析助力研發(fā)提效、降本減錯(cuò)。
2026-01-05 14:03:58200 
采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開(kāi)關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝，以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
2025-12-26 15:05:13444 
在半導(dǎo)體制造邁向先進(jìn)制程的今天，濕法清洗技術(shù)作為保障芯片良率的核心環(huán)節(jié)，其重要性愈發(fā)凸顯。RCA濕法清洗設(shè)備憑借其成熟的工藝體系與高潔凈度表現(xiàn)，已成為全球半導(dǎo)體廠商的首選方案。本文將從設(shè)備工藝
2025-12-24 10:39:08135 隨著新能源汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導(dǎo)體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對(duì)于半導(dǎo)體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372314 
物理攻擊，如通過(guò)拆解設(shè)備獲取存儲(chǔ)的敏感信息、篡改硬件電路等。一些部署在戶外的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如智能電表、交通信號(hào)燈等，更容易成為物理攻擊的目標(biāo)。
芯源半導(dǎo)體的安全芯片采用了多種先進(jìn)的安全技術(shù)，從硬件層面為物
2025-11-13 07:29:27
【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問(wèn)出處，所分享的內(nèi)容
2025-11-12 08:09:25901 
一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
，最終形成納米級(jí)表面粗糙度的襯底材料。例如，現(xiàn)代先進(jìn)制程普遍采用300mm直徑的大尺寸晶圓以提高生產(chǎn)效率。該過(guò)程為后續(xù)所有微納加工奠定物理基礎(chǔ)，其質(zhì)量直接影響器件性
2025-10-28 11:47:59742 
與熱特性。目前，該平臺(tái)已集成一款基于SPICE（電路仿真程序）的模型生成工具，可將外部電路和柵極驅(qū)動(dòng)器選型納入系統(tǒng)級(jí)仿真。該工具通過(guò)充分考慮器件的非線性半導(dǎo)體物理特
2025-10-27 17:03:45421 
當(dāng)前全球半導(dǎo)體工藝水平已進(jìn)入納米級(jí)突破階段，各大廠商在制程節(jié)點(diǎn)、材料創(chuàng)新、封裝技術(shù)和能效優(yōu)化等方面展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng)。以下是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝水平的詳細(xì)介紹： 一、制程工藝突破 英特爾18A（約
2025-10-15 13:58:161415 解決客戶實(shí)際使用痛點(diǎn)，開(kāi)發(fā)難點(diǎn)，節(jié)約生產(chǎn)成本提高工作效率，助力行業(yè)發(fā)展。
四、半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試系統(tǒng)BW-4022A應(yīng)用領(lǐng)域
**芯片制造領(lǐng)域**
1.**晶圓測(cè)試（CP 測(cè)試
2025-10-10 10:35:17
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過(guò)精確控制的物理化學(xué)過(guò)程去除各類污染物，同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類與對(duì)應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
半導(dǎo)體電鍍工藝面臨多重技術(shù)挑戰(zhàn)，這些難點(diǎn)源于微觀尺度下的物理化學(xué)效應(yīng)與宏觀工藝控制的相互制約。以下是關(guān)鍵難點(diǎn)的深度剖析： 一、均勻性控制困境 在晶圓級(jí)制造中，電流密度分布的自然梯度導(dǎo)致邊緣效應(yīng)顯著
2025-10-09 13:30:55534 系統(tǒng)的研發(fā)。在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中，金屬-半導(dǎo)體歐姆接觸的質(zhì)量直接影響器件性能。傳輸線模型（TLM）作為最常用的測(cè)量方法，其測(cè)量結(jié)果卻在不同尺寸設(shè)備間存在顯著差異
2025-09-29 13:46:391016 
、氣萃結(jié)晶、真空閃蒸及退火等多功能工藝模塊。實(shí)現(xiàn)了從材料制備到處理的全流程自動(dòng)化運(yùn)行，顯著減少人為誤差，提高實(shí)驗(yàn)的一致性和可重復(fù)性。
靈活可擴(kuò)展，助力多領(lǐng)域創(chuàng)新
工作站支持模塊化自由組合，可根據(jù)光伏
2025-09-27 14:17:24
半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及精密的材料去除與表面改性技術(shù)。以下是該工藝的核心要點(diǎn)及其實(shí)現(xiàn)方式：一、基礎(chǔ)原理與化學(xué)反應(yīng)體系金屬腐蝕本質(zhì)上是一種受控的氧化還原反應(yīng)過(guò)程。常用酸性溶液
2025-09-25 13:59:25951 
隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入納米尺度，傳統(tǒng)體硅（Bulk CMOS）技術(shù)面臨寄生電容大、閂鎖效應(yīng)等瓶頸。SOI技術(shù)憑借埋氧層（BOX）的物理隔離優(yōu)勢(shì)，成為航空航天、5G通信等領(lǐng)域的核心技術(shù)。本篇介紹一下業(yè)界SOI工藝模型BSIM-SOI模型。
2025-09-22 10:41:361621 
AltairHyperWorks設(shè)計(jì)和仿真平臺(tái)Altair設(shè)計(jì)和仿真平臺(tái)涵蓋眾多學(xué)科，可以仿真結(jié)構(gòu)、運(yùn)動(dòng)、流體、熱學(xué)、電磁學(xué)、電子學(xué)、控制和嵌入式系統(tǒng)。解決方案還提供人工智能解決方案和高保真
2025-09-18 17:56:28674 
%。至少將GAA納米片提升幾個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點(diǎn)的高端半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵技術(shù)。是將設(shè)計(jì)好的芯片版圖圖形轉(zhuǎn)移到硅晶圓上的一種精細(xì)
2025-09-15 14:50:58
我們知道，帶電離子穿透半導(dǎo)體材料的過(guò)程中，會(huì)與靶材原子發(fā)生交互作用，沿離子運(yùn)動(dòng)軌跡生成電子 - 空穴對(duì)，這一物理過(guò)程正是單粒子效應(yīng)的誘發(fā)根源。從作用機(jī)理來(lái)看，半導(dǎo)體器件及集成電路中單粒子效應(yīng)的產(chǎn)生需經(jīng)歷三個(gè)核心階段，各階段的物理行為存在顯著差異：
2025-09-08 09:48:181144 
固態(tài)薄膜因獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)與功能在諸多領(lǐng)域受重視，其厚度作為關(guān)鍵工藝參數(shù)，準(zhǔn)確測(cè)量對(duì)真空鍍膜工藝控制意義重大，臺(tái)階儀法因其能同時(shí)測(cè)量膜厚與表面粗糙度而被廣泛應(yīng)用于航空航天、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。費(fèi)曼儀器
2025-09-05 18:03:23631 
近日，概倫電子具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的器件參數(shù)分析儀FS800，成功中標(biāo)南京大學(xué)半導(dǎo)體電子測(cè)量系統(tǒng)項(xiàng)目，將為南京大學(xué)在憶阻器、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)等前沿領(lǐng)域的材料研究、器件制備、應(yīng)用系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的全流程，提供高性能、高效率且安全可靠的電性參數(shù)測(cè)試技術(shù)保障，助力科研團(tuán)隊(duì)加速突破關(guān)鍵技術(shù)難題。
2025-09-05 15:57:321086 今天我們來(lái)聊聊工程師在仿真時(shí)比較關(guān)注的問(wèn)題。眾多的器件模型，我在仿真的時(shí)候到底應(yīng)該怎么選擇一個(gè)器件的模型？我使用的這個(gè)器件模型的精確度夠嗎？我自己能否做一個(gè)器件模型來(lái)支持我的電路仿真？要想探究這些問(wèn)題，我想我們有必要先了解一下器件模型工程師他們是怎么做出一個(gè)模型的。
2025-08-28 13:42:261170 
半導(dǎo)體封裝過(guò)程中的清洗工藝是確保器件可靠性和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，主要涉及去除污染物、改善表面狀態(tài)及為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備。以下是主流的清洗技術(shù)及其應(yīng)用場(chǎng)景：一、按清洗介質(zhì)分類濕法清洗
2025-08-13 10:51:341916 
半導(dǎo)體外延工藝主要在集成電路制造的前端工藝（FEOL）階段進(jìn)行。以下是具體說(shuō)明：所屬環(huán)節(jié)定位：作為核心步驟之一，外延屬于前端制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其目的是在單晶襯底上有序沉積單晶材料以形成外延層
2025-08-11 14:36:351273 
晶圓切割，作為半導(dǎo)體工藝流程中至關(guān)重要的一環(huán)，不僅決定了芯片的物理形態(tài)，更是影響其性能和可靠性的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)的切割工藝已逐漸無(wú)法滿足日益嚴(yán)苛的工藝要求，而新興的激光切割技術(shù)以其卓越的精度和效率，為
2025-08-05 17:53:44764 
----翻譯自P. Rocha, C. M. Gallep, T. Sutili等人2018年的文章 摘要 通過(guò)大量仿真優(yōu)化了半導(dǎo)體光放大器模型的系統(tǒng)行為，在光增益與偏置電流、不同光輸入功率（-25
2025-08-05 14:24:44441 
在半導(dǎo)體制造中，溝槽刻蝕工藝的臺(tái)階高度直接影響器件性能。臺(tái)階儀作為接觸式表面形貌測(cè)量核心設(shè)備，通過(guò)精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)溝槽刻蝕形成的臺(tái)階參數(shù)（如臺(tái)階高度、表面粗糙度），為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。Flexfilm費(fèi)
2025-08-01 18:02:17845 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石，其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導(dǎo)體器件從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，每個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)測(cè)試設(shè)備的精度、效率提出了嚴(yán)苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測(cè)試測(cè)量?jī)x器，在半導(dǎo)體器件測(cè)試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52652 
、電導(dǎo)率、相對(duì)介電常數(shù)等，確保模型能夠準(zhǔn)確反映真實(shí)的物理特性。（四）后處理與可視化強(qiáng)大的后處理功能能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">仿真結(jié)果以直觀的方式呈現(xiàn)出來(lái)。通過(guò)云圖、矢量圖、等值線圖等多種可視化方式，用戶可以清晰地觀察到電磁場(chǎng)
2025-07-24 16:52:14
深愛(ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
近日，總投資超200億元的長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項(xiàng)目正式運(yùn)營(yíng)投產(chǎn)。該項(xiàng)目是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地，年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓，可滿足144萬(wàn)輛新能源汽車制造需求，推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)
2025-07-22 07:33:221042 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的工藝制造環(huán)節(jié)中，溫度控制的穩(wěn)定性直接影響芯片的性能與良率。其中，半導(dǎo)體冷盤chiller作為溫控設(shè)備之一，通過(guò)準(zhǔn)確的流體溫度調(diào)節(jié)，為半導(dǎo)體制造過(guò)程中的各類工藝提供穩(wěn)定的環(huán)境支撐，成為
2025-07-16 13:49:19580 
物理不可克隆功能（PUF）是一種物理對(duì)象，對(duì)于給定的輸入和條件（激勵(lì)），提供物理定義的“數(shù)字指紋”輸出（響應(yīng)），作為唯一標(biāo)識(shí)符，通常用于半導(dǎo)體器件，如微處理器。
2025-07-15 09:55:18791 目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。
書(shū)中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
本文聚焦物理級(jí)仿真，剖析攝像頭光學(xué)建模、CMOS 光電轉(zhuǎn)換、激光雷達(dá)高斯光束與衰減建模，解讀 ASAM OpenMATERIAL 3D 標(biāo)準(zhǔn)，以構(gòu)建可信仿真閉環(huán)，助力算法驗(yàn)證與高階智駕落地。
2025-07-09 09:36:323867 
[摘要]基于無(wú)刷直流電機(jī)(BLDCM)模型和汽車電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)動(dòng)力學(xué)模型,構(gòu)建了BLDCM 控制仿真模型和 EPS性能仿真模型;設(shè)計(jì)了以ARM7LPC2131為控制器內(nèi)核和以
2025-07-08 19:28:54
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，后道工藝（封裝與測(cè)試環(huán)節(jié)）對(duì)溫度控制的精度和穩(wěn)定性要求高。冠亞恒溫半導(dǎo)體冷水機(jī)憑借其高精度溫控、多通道同步控制及定制化設(shè)計(jì)能力，成為保障后道工藝可靠性的核心設(shè)備。本文從技術(shù)
2025-07-08 14:41:51622 
在半導(dǎo)體工藝研發(fā)與制造過(guò)程中，精確的表征技術(shù)是保障器件性能與良率的核心環(huán)節(jié)。
2025-07-07 11:19:401349 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。 功率半導(dǎo)體的損耗對(duì)系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在
2025-07-04 15:10:38519 
本文簡(jiǎn)單介紹一下半導(dǎo)體鍍膜的相關(guān)知識(shí)，基礎(chǔ)的薄膜制備方法包含熱蒸發(fā)和濺射法兩類。
2025-06-26 14:03:471347 
在半導(dǎo)體制造的精密鏈條中，半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它通過(guò)化學(xué)或物理手段去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子等），為后續(xù)制程提供潔凈的基底。本文將從設(shè)備定義、核心特點(diǎn)
2025-06-25 10:31:51
有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
在SiC（碳化硅）等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中，以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問(wèn)題。但是，這次開(kāi)發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。
2025-06-23 14:25:061170 
干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 ? 減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法 ? 優(yōu)化光刻膠材料選擇 ? 選擇與半導(dǎo)體襯底兼容性良好的光刻膠材料，可增強(qiáng)光刻膠與襯底的粘附力，減少剝離時(shí)對(duì)襯底的損傷風(fēng)險(xiǎn)。例如，針對(duì)特定的硅基襯
2025-06-14 09:42:56736 
的“守門人”。關(guān)于光電子器件光電子器件是一類基于半導(dǎo)體材料光電效應(yīng)等物理機(jī)制，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)與電信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的電子器件。當(dāng)光線照射半導(dǎo)體材料時(shí)，電子吸收光子能量產(chǎn)生電子-
2025-06-12 19:17:281516 
有大佬知道pspice仿真為什么總是顯示找不到仿真模型嗎，就連自帶庫(kù)的元器件左上角也有個(gè)綠圈顯示沒(méi)有仿真模型仿真不了，我把相應(yīng)元器件的仿真模型.lib文件也都移到仿真設(shè)置的library里還是不行
2025-06-09 18:57:47
控化學(xué)試劑使用，護(hù)芯片周全。
工藝控制上，先進(jìn)的自動(dòng)化系統(tǒng)盡顯精準(zhǔn)。溫度、壓力、流量、時(shí)間等參數(shù)皆能精確調(diào)節(jié)，讓清洗過(guò)程穩(wěn)定如一，保障清洗效果的一致性和可靠性，極大降低芯片損傷風(fēng)險(xiǎn)，為半導(dǎo)體企業(yè)良品率
2025-06-05 15:31:42
隨著功率半導(dǎo)體器件在新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其可靠性問(wèn)題日益受到關(guān)注。塑料封裝作為功率器件的主要封裝形式，因其非氣密性特性，在濕熱環(huán)境下容易出現(xiàn)分層失效，嚴(yán)重影響器件性能和壽命
2025-06-05 10:15:45738 
前言：研究器件特性和器件建模都離不開(kāi)精確的電容電壓(CV)測(cè)量。精確的CV模型在仿真器件的開(kāi)關(guān)特性，延遲特性等方面尤為重要。目前，在寬禁帶器件（GaN/SiC）、納米器件、有機(jī)器件、MEMS等下
2025-06-01 10:02:091353 
半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對(duì)器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過(guò)在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理
2025-05-30 11:09:301781 
化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過(guò)共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s，本征電阻率達(dá)10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:382339 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，工藝制程對(duì)溫度控制的精度和響應(yīng)速度要求嚴(yán)苛。半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller實(shí)現(xiàn)快速升降溫及±0.5℃精度控制。一、半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller
2025-05-22 15:31:011415 
從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
優(yōu)化半導(dǎo)體生產(chǎn)線：EtherNet/IP與PROFINET的協(xié)同效應(yīng)
2025-05-15 16:50:58482 
一、什么是電鍍：揭秘電鍍機(jī)理 電鍍（Electroplating，又稱電沉積 Electrodeposition）是半導(dǎo)體制造中的核心工藝之一。該技術(shù)基于電化學(xué)原理，通過(guò)電解過(guò)程將電鍍液中的金屬離子
2025-05-13 13:29:562529 
隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過(guò)直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn)，每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影，每一次工藝革新都在突破物理極限。
2025-05-07 15:12:302192 
ICP（Inductively Coupled Plasma，電感耦合等離子體）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關(guān)于ICP
2025-05-06 10:33:063901 微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對(duì)它的檢測(cè)和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531706 
半導(dǎo)體行業(yè)用Chiller（冷熱循環(huán)系統(tǒng)）通過(guò)溫控保障半導(dǎo)體制造工藝的穩(wěn)定性，其應(yīng)用覆蓋晶圓制造流程中的環(huán)節(jié)，以下是對(duì)Chiller在半導(dǎo)體工藝中的應(yīng)用、選購(gòu)及操作注意事項(xiàng)的詳細(xì)闡述。一
2025-04-21 16:23:481232 
本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372157 
。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料，1986年第一個(gè)聚噻吩場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明以來(lái)，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（OFET）飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制備電子器件來(lái)代替以部分硅為主的傳統(tǒng)電子產(chǎn)品，利用有機(jī)物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551064 
1、半導(dǎo)體材料制作電子器件與傳統(tǒng)的真空電子器件相比有什么特點(diǎn)?
2、什么是本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體？
3、空穴是一種載流子嗎?空穴導(dǎo)電時(shí)電子運(yùn)動(dòng)嗎?
4、制備雜質(zhì)半導(dǎo)體時(shí)一般按什么比例在本征半導(dǎo)體中
2025-04-07 10:21:30
通過(guò)大量仿真優(yōu)化了半導(dǎo)體光放大器模型的系統(tǒng)行為，在光增益與偏置電流、不同光輸入功率（-25 至 0 dBm）以及不同 I 偏置（0 至 180 mA）下的增益飽和曲線方面，達(dá)到了與商用器件實(shí)驗(yàn)結(jié)果
2025-03-27 10:03:02719 
我們提出了一個(gè)行波半導(dǎo)體光放大器 （TW-SOA） 中放大自發(fā)輻射 （ASE） 的模型。所提出的模型考慮了整個(gè) ASE 頻譜的傳播，還考慮了信號(hào)和 ASE 引起的飽和效應(yīng)。使用擬合到測(cè)量值的參數(shù)，該
2025-03-24 09:55:10948 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片集成度不斷提高，功能日益復(fù)雜，這對(duì)半導(dǎo)體貼裝工藝和設(shè)備提出了更高的要求。半導(dǎo)體貼裝工藝作為半導(dǎo)體封裝過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到芯片的性能、可靠性和成本。本文將深入分析半導(dǎo)體貼裝工藝及其相關(guān)設(shè)備，探討其發(fā)展趨勢(shì)和挑戰(zhàn)。
2025-03-13 13:45:001587 
Vgg16 模型無(wú)法使用模型優(yōu)化器重塑。
2025-03-06 06:29:36
(level-set)多材料刻蝕算法
價(jià)值闡述：
水平集（Level Set）方法是一種用于界面追蹤和形狀建模的數(shù)值模擬技術(shù)。半導(dǎo)體工藝仿真中，基于傳統(tǒng)物理化學(xué)過(guò)程求解偏微分方程組，從而得到仿真結(jié)構(gòu)
2025-03-05 21:30:05
北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
光刻是廣泛應(yīng)用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見(jiàn)的半導(dǎo)體加工工藝流程。
2025-03-04 17:07:042119 
既然說(shuō)到了半導(dǎo)體晶圓電鍍工藝，那么大家就知道這又是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。那么涉及了什么工藝，都有哪些內(nèi)容呢？下面就來(lái)給大家接下一下！ 半導(dǎo)體晶圓電鍍工藝要求是什么 一、環(huán)境要求 超凈環(huán)境 顆?？刂疲壕A
2025-03-03 14:46:351736 半導(dǎo)體塑封工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它通過(guò)將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件的保護(hù)、固定、連接和散熱等功能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，塑封工藝也在不斷演進(jìn)，以適應(yīng)更高性能、更小尺寸、更高可靠性的半導(dǎo)體器件的需求。
2025-02-20 10:54:412565 
半導(dǎo)體濕法清洗工藝?? 隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴(yán)苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機(jī)物、金屬離子或氧化物殘留都可能對(duì)器件性能產(chǎn)生重大影響，進(jìn)而
2025-02-20 10:13:134063 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，封裝是連接芯片與外界電路的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而互連工藝則是封裝中的核心技術(shù)之一。它負(fù)責(zé)將芯片的輸入輸出端口（I/O端口）與封裝基板或外部電路連接起來(lái)，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的傳輸與交互。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝中的互連工藝，包括其主要分類、技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。
2025-02-10 11:35:451464 
半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:21
0 近年來(lái)，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中，晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性，因此需匹配不同的切割工藝，以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:003049 
碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì)： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664 PFA氟聚合物延展網(wǎng)可作為濾膜介質(zhì)支撐，解決濾膜在強(qiáng)力和高壓下的耐受力，延展網(wǎng)孔孔距不會(huì)受壓力變化而變距，在半導(dǎo)體和高純硅片的制備和生產(chǎn)中得到更廣泛的應(yīng)用，如半導(dǎo)體芯片、太陽(yáng)能、液晶面板等行業(yè)，或者一些其他超高純流體要求的行業(yè)，需承受高密度，高壓、高流速的設(shè)計(jì)需求。
2025-01-20 13:53:27843 
在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進(jìn)步的領(lǐng)域，每一項(xiàng)技術(shù)都承載著推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡(jiǎn)稱ALD）工藝，作為一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)，正逐漸成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的一環(huán)。本文將深入探討半導(dǎo)體中為何會(huì)用到ALD工藝，并分析其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-20 11:44:444405 
，固晶工藝及其配套設(shè)備構(gòu)成了不可或缺的一環(huán)，對(duì)最終產(chǎn)品的性能表現(xiàn)、穩(wěn)定性以及使用壽命均產(chǎn)生著直接且關(guān)鍵的影響。本文旨在深入剖析半導(dǎo)體固晶工藝及其相關(guān)設(shè)備的研究現(xiàn)狀、未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，以及它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中所占據(jù)的重要地位。
2025-01-15 16:23:502496 光耦的制造工藝 1. 材料選擇 光耦的制造首先需要選擇合適的半導(dǎo)體材料，如硅、鍺等。這些材料需要具有優(yōu)良的光電特性，以確保光耦的高性能。 2. 芯片制備 光耦的芯片制備包括發(fā)光二極管和光敏元件的制造
2025-01-14 16:55:081780 隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)滲透到我們?nèi)粘Ｉ畹姆椒矫婷?，從智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)到各類智能設(shè)備，半導(dǎo)體芯片作為其核心部件，其性能和可靠性至關(guān)重要。而在半導(dǎo)體芯片的制造過(guò)程中，固晶工藝及設(shè)備作為關(guān)鍵
2025-01-14 10:59:133014 
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見(jiàn)的電流崩塌問(wèn)題，他們采用特有的極化超級(jí)結(jié)
2025-01-14 09:42:281899 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 簡(jiǎn)單易行以及無(wú)鉛監(jiān)管的要求。這些都對(duì)焊接材料和工藝提出了更高、更全面的可靠性要求。而銀燒結(jié)技術(shù)，作為一種新型的高可靠性連接技術(shù)，正在逐漸成為功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域
2025-01-08 13:06:132115 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的新材料、新工藝、新器件的不斷發(fā)展，人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)作為一種替代方法已經(jīng)被引入器件建模領(lǐng)域。本文介紹了ANN神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建模的起源、優(yōu)勢(shì)、實(shí)現(xiàn)方式和應(yīng)用場(chǎng)景。 ? 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的新材料
2025-01-06 13:41:211792 
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