SMT焊接溫度曲線智能仿真系統(tǒng)是一個(gè)全流程模擬PCB SMT焊接受熱過程的智能化仿真系統(tǒng)。系統(tǒng)通過虛擬化構(gòu)建數(shù)字化PCBA模型、回流爐模型，關(guān)聯(lián)錫膏、器件、產(chǎn)品的工藝要求，通過熱仿真軟件來實(shí)現(xiàn)焊點(diǎn)
2024-03-18 17:00:11
領(lǐng)帶，這可是當(dāng)年半導(dǎo)體弄潮兒的標(biāo)配。
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仙童(Fairchild)讓你感慨IC業(yè)的歷史
集成電路史上最著名的10個(gè)人
于是，第一個(gè)半導(dǎo)體時(shí)代誕生了——集成器件制造商時(shí)代
2024-03-13 16:52:37
想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
在半導(dǎo)體制造中，進(jìn)行氣體定量混合配氣使用是一個(gè)關(guān)鍵的步驟，將不同氣體按一定的比例混合到一起，配出不同濃度、多種組分的工藝氣體后才能更好的滿足工藝性能的要求，以確保半導(dǎo)體器件的制造過程得以控制和優(yōu)化
2024-03-05 14:23:08
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共讀好書 張?chǎng)?苑明星 楊小渝 （重慶市聲光電有限公司） 摘 要： 對(duì)半導(dǎo)體封裝工藝的研究，先探析半導(dǎo)體工藝概述，能對(duì)其工作原理有一定的了解與掌握；再考慮半導(dǎo)體封裝工藝流程，目的是在作業(yè)階段嚴(yán)謹(jǐn)
2024-02-25 11:58:10275 
來源：芯和半導(dǎo)體 芯和半導(dǎo)體日前正式發(fā)布了針對(duì)下一代電子系統(tǒng)的SI/PI/多物理場(chǎng)分析EDA解決方案。 芯和半導(dǎo)體日前正式發(fā)布了針對(duì)下一代電子系統(tǒng)的SI/PI/多物理場(chǎng)分析EDA解決方案，4大亮點(diǎn)
2024-02-18 17:52:43146 
先進(jìn)封裝產(chǎn)品通過半導(dǎo)體中道工藝實(shí)現(xiàn)芯片物理性能的優(yōu)化或者說維持裸片性能的優(yōu)勢(shì)，接下來的后道封裝從工序上而言與傳統(tǒng)封裝基本類似。
2024-01-30 15:54:57228 
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測(cè)量的意義與挑戰(zhàn)半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測(cè)量是半導(dǎo)體制造和研發(fā)過程中至關(guān)重要的一環(huán)。它不僅可以提供制造工藝的反饋和優(yōu)化依據(jù)，還可以保證半導(dǎo)體器件的性能和質(zhì)量。在這個(gè)領(lǐng)域里，測(cè)量的準(zhǔn)確性
2024-01-18 10:56:12
1 半導(dǎo)體工藝的歷史可以追溯到20世紀(jì)40年代末至50年代初，當(dāng)時(shí)的科學(xué)家們開始使用鍺（Ge）和硅（Si）這類半導(dǎo)體材料來制造晶體管。1947年，貝爾實(shí)驗(yàn)室的威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發(fā)明
2024-01-15 14:02:37204 根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:23769 
過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象?，F(xiàn)在，通過引入物理
2024-01-05 10:04:55316 
半導(dǎo)體放電管是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開關(guān)特性。當(dāng)浪涌電壓超過轉(zhuǎn)折的電壓VBO時(shí)，器件被導(dǎo)通，這時(shí)它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲(chǔ)單元、二極管、電阻、連線、引腳等。
隨著電子產(chǎn)品越來越“小而精，微薄”，半導(dǎo)體芯片和器件尺寸也日益微小，越來越微細(xì)，因此對(duì)于分析微納芯片結(jié)構(gòu)的精度要求也越來越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
近年來，隨著研究人員對(duì)紅外微光學(xué)元器件的深入研究，高精度制備器件備受關(guān)注。傳統(tǒng)的制備技術(shù)存在許多缺點(diǎn)，而飛秒激光有著超強(qiáng)、超快的特性，非常合適用來制備紅外微光學(xué)元器件。
2023-12-29 16:25:01224 
選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。
2023-12-28 16:03:14314 氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們?cè)趯W(xué)校都學(xué)過，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無法預(yù)測(cè)
2023-12-25 19:10:02451 
如今，半導(dǎo)體制造工藝快速發(fā)展，每一代新技術(shù)都在減小集成電路(IC)上各層特征的間距和尺寸。晶圓上高密度的電路需要更高的精度以及高度脆弱的先進(jìn)制造工藝。
2023-12-25 14:50:47174 離子注入是一種重要的半導(dǎo)體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學(xué)性質(zhì)。離子注入仿真是對(duì)離子的注入過程進(jìn)行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預(yù)測(cè)材料性能的變化。以下將詳細(xì)介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19256 據(jù)悉，潤鵬半導(dǎo)體是華潤微電子與深圳市合力推出的精于半導(dǎo)體特色工藝的12英寸晶圓制造項(xiàng)目。主要研發(fā)方向包括CMOS、BCD、e-Flash等工藝
2023-12-20 14:13:25214 半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
對(duì)半導(dǎo)體的深入理解無疑會(huì)對(duì)我們的生活產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響，尤其是面對(duì)任何涉及計(jì)算機(jī)或無線電波的電子設(shè)備。這其中的核心往往是硅，因此眾多科技巨頭會(huì)聚集在以硅為名的硅谷。為什么硅會(huì)被廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體中？答案源于它的豐富儲(chǔ)量和理想的電子結(jié)構(gòu)使其能輕松形成晶體，為電子設(shè)備的構(gòu)建奠定基礎(chǔ)。
2023-12-10 11:30:00885 
免受物理性或化學(xué)性損壞。然而，半導(dǎo)體封裝的作用并不止于此。本文將詳述封裝技術(shù)的不同等級(jí)、作用和演變過程。半導(dǎo)體封裝工藝的四個(gè)等級(jí)電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這
2023-12-02 08:10:57347 
[半導(dǎo)體前端工藝：第一篇] 計(jì)算機(jī)、晶體管的問世與半導(dǎo)體
2023-11-29 16:24:59193 
[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制
2023-11-29 11:25:52242 
封裝工序 （Packaging）：是指 生產(chǎn)加工后的晶圓進(jìn)行 切割、焊線塑封，使電路與外部器件實(shí)現(xiàn)鏈接，并為半導(dǎo)體產(chǎn)品提供機(jī)械保護(hù)，免受物理、化學(xué)等外界環(huán)境影響產(chǎn)品的使用。
2023-11-29 09:27:10690 
半導(dǎo)體前端工藝：第六篇（完結(jié)篇）：金屬布線 —— 為半導(dǎo)體注入生命的連接
2023-11-27 16:11:35254 【半導(dǎo)體后端工藝：】第一篇了解半導(dǎo)體測(cè)試
2023-11-24 16:11:50484 
能否利用器件的IBIS模型對(duì)器件的邏輯功能進(jìn)行仿真？如果不能，那么如何進(jìn)行電路的板級(jí)和系統(tǒng)級(jí)仿真？ 可以利用器件的IBIS模型對(duì)器件的邏輯功能進(jìn)行仿真。IBIS（Input/Output
2023-11-24 14:50:58288 功率半導(dǎo)體器件是電子電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的核心元器件，廣泛應(yīng)用于變頻、整流、逆變、放大等電路。封裝工藝對(duì)于功率半導(dǎo)體器件的性能、可靠性和成本具有重要影響。本文將介紹功率半導(dǎo)體器件的典型封裝工藝，包括引腳插入、塑封、散熱設(shè)計(jì)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2023-11-23 11:12:13375 
半導(dǎo)體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們?cè)陔娮釉O(shè)備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導(dǎo)體分立器件的基本概念、分類、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。
2023-11-23 10:12:56792 
在電子工程和微電子技術(shù)的世界里，半導(dǎo)體器件建模是一個(gè)核心概念。它涉及對(duì)半導(dǎo)體器件如晶體管、二極管等的電氣行為進(jìn)行數(shù)學(xué)和物理描述。這一過程對(duì)于設(shè)計(jì)高效、可靠的電子設(shè)備至關(guān)重要。本文旨在深入探討半導(dǎo)體器件建模的概念、其重要性以及在現(xiàn)代技術(shù)中的應(yīng)用。
2023-11-13 10:48:27515 
一、功率器件在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導(dǎo)體器件，簡(jiǎn)稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動(dòng)芯片
2023-11-08 17:10:15822 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 如今，半導(dǎo)體元器件已成為電子應(yīng)用中不可或缺的一部分。半導(dǎo)體元器件的需求主要受生命周期較短的消費(fèi)電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 磷酸鐵鋰制備工藝多樣，主要分為固相法，液相法這兩大主流工藝。固相法是目前最成熟也是應(yīng)用最廣的磷酸鐵鋰合成方法，液相法工藝難度較大。今天小編給大家介紹幾種磷酸鐵鋰制備工藝方法：
2023-10-20 09:58:141339 
功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21879 
隨著科技的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)在全球范圍內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體設(shè)備在制造過程中需要經(jīng)過多個(gè)工藝步驟，而每個(gè)步驟都需要使用到各種不同的材料和設(shè)備。其中，華林科納的PFA管在半導(dǎo)體清洗工藝中扮演著
2023-10-16 15:34:34258 一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專為以下測(cè)試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展一直都是電子行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的重要驅(qū)動(dòng)力。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體封裝技術(shù)也經(jīng)歷了從基礎(chǔ)的封裝到高密度、高性能的封裝的演變。本文將介紹半導(dǎo)體封裝工藝的四個(gè)等級(jí)，以助讀者更好地理解這一關(guān)鍵技術(shù)。
2023-10-09 09:31:55932 
載流子則是正空穴。多數(shù)載流子對(duì)于半導(dǎo)體器件的性能和特性具有重要的影響，因此對(duì)多數(shù)載流子的研究和認(rèn)識(shí)是半導(dǎo)體物理學(xué)的重要內(nèi)容。 n型半導(dǎo)體是指在原本的半導(dǎo)體中，加入了一個(gè)雜質(zhì)元素，使得半導(dǎo)體材料中的帶電粒子變得不平衡。n型半導(dǎo)體材料中，摻
2023-09-19 15:57:042481 在日常的電源設(shè)計(jì)中，半導(dǎo)體開關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問題，本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制，以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-19 11:44:382583 
小片，以便進(jìn)行后續(xù)的制造和封裝過程。晶圓劃片工藝的應(yīng)用包括但不限于半導(dǎo)體材料、太陽能電池、半導(dǎo)體器件、光學(xué)器件等。封裝劃片：在半導(dǎo)體封裝過程中，需要對(duì)封裝材料進(jìn)行
2023-09-18 17:06:19392 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25890 ? 上市周期短（距第3代不到2年）意法半導(dǎo)體溝槽技術(shù)：長期方法? 意法半導(dǎo)體保持并鞏固了領(lǐng)先地位? 相比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的重大工藝改良? 優(yōu)化和完善的關(guān)鍵步驟
2023-09-08 06:33:00
近年來，半導(dǎo)體封裝變得越發(fā)復(fù)雜，更加強(qiáng)調(diào)設(shè)計(jì)的重要性。半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)工藝需要各類工程師和業(yè)內(nèi)人士的共同參與，以共享材料信息、開展可行性測(cè)試、并優(yōu)化封裝特性。
2023-09-01 10:38:39274 
濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041704 
半導(dǎo)體器件中性能最好的是什么?? 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中最為重要的組成部分之一，是連接芯片和外部電路的中間介質(zhì)。通常，半導(dǎo)體器件的性能被評(píng)價(jià)的標(biāo)準(zhǔn)是：最大電壓、最大電流、最高工作頻率、響應(yīng)速度
2023-08-29 16:19:29539 半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10504 先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，芯片集成度不斷提高，封裝尺寸越來越小，半導(dǎo)體器件面臨著更高的熱應(yīng)力挑戰(zhàn)。結(jié)溫過高不僅降低了器件的電氣性能，而且增加了金屬遷移率和其他退化變化，從而導(dǎo)致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381963 
近年來，半導(dǎo)體封裝變得越發(fā)復(fù)雜，更加強(qiáng)調(diào)設(shè)計(jì)的重要性。半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)工藝需要各類工程師和業(yè)內(nèi)人士的共同參與，以共享材料信息、開展可行性測(cè)試、并優(yōu)化封裝特性。在之前的文章：[半導(dǎo)體后端工藝:第四篇
2023-08-07 10:06:19361 
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍(lán)綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:57742 
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技
2023-08-04 11:28:56920 
電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這些硬件結(jié)構(gòu)包括有源元件1（如半導(dǎo)體）和無源元件2（如電阻器和電容器3）。因此，電子封裝技術(shù)涵蓋的范圍較廣，可分為0級(jí)封裝到3級(jí)封裝等四個(gè)不同等級(jí)。圖1展示了半導(dǎo)體封裝工藝的整個(gè)流程。
2023-08-01 16:45:03576 
經(jīng)過半導(dǎo)體制造（FAB）工序制備的電路圖形化晶圓容易受溫度變化、電擊、化學(xué)和物理性外部損傷等各種因素的影響。
2023-07-28 16:45:001076 
設(shè)計(jì)-制造協(xié)同發(fā)展》的技術(shù)演講。 華大九天高級(jí)產(chǎn)品總監(jiān)劉曉明 分立器件是半導(dǎo)體市場(chǎng)的重要組成部分，包括功率，信號(hào)處理，光電傳感等不同器件類型，在通訊，汽車，計(jì)算機(jī)，物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。分立器件廠商會(huì)從材料，結(jié)構(gòu)及工藝等環(huán)節(jié)優(yōu)化
2023-07-26 22:25:02469 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035048 
半導(dǎo)體制作工藝可分為前端和后端：前端主要是晶圓制作和光刻（在晶圓上繪制電路）；后端主要是芯片的封裝。
2023-07-24 15:46:05905 
該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過渡，為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-13 16:06:49408 半導(dǎo)體后封裝工藝及設(shè)備介紹
2023-07-13 11:43:208 研究人員針對(duì)擴(kuò)大二維半導(dǎo)體晶圓尺寸和批量制備的核心科學(xué)問題，提出了一種全新的模塊化局域元素供應(yīng)生長策略，成功實(shí)現(xiàn)了最大尺寸為12英寸的二維半導(dǎo)體晶圓的批量制備。
2023-07-13 11:16:00211 晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體的批量制備，是推動(dòng)相應(yīng)先進(jìn)技術(shù)向產(chǎn)業(yè)化過渡的關(guān)鍵所在。二維半導(dǎo)體薄膜尺寸需達(dá)到與硅基技術(shù)兼容的直徑300 mm（12-inch）標(biāo)準(zhǔn)，以平衡器件產(chǎn)量與制造成本。因此，批量化、大尺寸、低成本制備過渡金屬硫族化合物晶圓是二維材料走向?qū)嶋H應(yīng)用亟待解決的關(guān)鍵問題之一。
2023-07-13 10:36:11442 
二維半導(dǎo)體是一種新興半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，以單層過渡金屬硫族化合物為代表。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體發(fā)展路線類似，晶圓材料是推動(dòng)二維半導(dǎo)體技術(shù)邁向產(chǎn)業(yè)化的根基。如何實(shí)現(xiàn)批量化、大尺寸、低成本制備二維半導(dǎo)體晶圓是亟待解決的科學(xué)問題。
2023-07-12 16:01:13364 二維半導(dǎo)體是一種新興半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，如層數(shù)依賴的可調(diào)帶隙、自旋-谷鎖定特性、超快響應(yīng)速度、高載流子遷移率、高比表面積等，因此成為新一代高性能電子、光電器件等變革性技術(shù)應(yīng)用中的重要候選材料。二維半導(dǎo)體材料以單層過渡金屬硫族化合物為代表。
2023-07-12 11:25:25450 
該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過渡，為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-10 18:20:39504 
半導(dǎo)體同時(shí)具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實(shí)際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會(huì)在
2023-07-03 10:21:572170 
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
2023-06-30 09:24:30369 在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層?！暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
公司團(tuán)隊(duì)由來自國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)的成員組成，公司擁有經(jīng)驗(yàn)豐富且具有創(chuàng)新能力的國際型人才隊(duì)伍，團(tuán)隊(duì)核心成員從事半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和工藝開發(fā)20余年，擁有業(yè)界領(lǐng)先的模組及芯片設(shè)計(jì)研發(fā)水平及完善的工藝。
2023-06-25 16:41:55337 
半導(dǎo)體工藝的發(fā)展歷程幾乎與現(xiàn)代電子工業(yè)的發(fā)展歷程一致。早在20世紀(jì)40年代，貝爾實(shí)驗(yàn)室的研究人員發(fā)明了第一個(gè)點(diǎn)接觸式晶體二極管，標(biāo)志著半導(dǎo)體技術(shù)的誕生。
2023-06-08 09:30:50387 
組件輸出仿真模型可以通過半物理模型或數(shù)學(xué)模型實(shí)現(xiàn)，根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的不同可以選擇不同模型觀察和研究組件特性。
2023-06-01 16:18:502368 
詳解半導(dǎo)體封裝測(cè)試工藝
2023-05-31 09:42:18996 
分立器件行業(yè)概況
半導(dǎo)體分立器件是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一，其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
從市場(chǎng)需求看，分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護(hù)理、安防電子
2023-05-26 14:24:29
通過濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見的制備異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過程中，不同的制備工藝細(xì)節(jié)對(duì)二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21508 
新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用自對(duì)準(zhǔn)工藝，使得柵極形貌良好，且最小線寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:051698 
摘 要：針對(duì)半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)介紹集成電路工藝設(shè)備、分立器件工藝設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì)和主要技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-05-23 15:23:47974 
從應(yīng)用角度對(duì)常用半導(dǎo)體元件模型作總結(jié)。
2023-05-22 09:40:37874 
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04478 
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462460 
二極管半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和參數(shù)對(duì)比NO.1二極管種類區(qū)別按操作特性進(jìn)行比較：器件結(jié)構(gòu)說明對(duì)比：肖特基二極管由金屬與半導(dǎo)體結(jié)結(jié)形成。在電氣方面，它由多數(shù)載波進(jìn)行，具有較低的電流泄漏和正向偏置電壓(VF
2023-05-11 10:11:45221 
據(jù)統(tǒng)計(jì)，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲(chǔ)能逆變器里占比高、數(shù)量多，是必不可少的半導(dǎo)體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:49986 
半導(dǎo)體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過程類似于印刷機(jī) ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡(jiǎn)化制造中的晶圓截面的過程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機(jī)身 ? 逆變器掩模組 晶體管
2023-04-20 11:16:00247 
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號(hào)：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝?；贗II-V半導(dǎo)體的器件，?這項(xiàng)工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130 
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V的光子學(xué)特性 編號(hào)：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導(dǎo)體納米線已顯示出巨大的潛力光學(xué)、光電和電子器件的構(gòu)建
2023-04-19 10:03:0093 
作者： Coventor（泛林集團(tuán)旗下公司）半導(dǎo)體工藝與整合(SPI)高級(jí)工程師王青鵬博士 摘要：虛擬DOE能夠降低硅晶圓測(cè)試成本，并成功降低DED鎢填充工藝中的空隙體積 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)是半導(dǎo)體
2023-04-18 16:28:29291 
本文轉(zhuǎn)自《半導(dǎo)體行業(yè)觀察》 感謝《半導(dǎo)體行業(yè)觀察》對(duì)新思科技的關(guān)注 數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)、汽車、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域都需要積極的PPA目標(biāo)，但是隨著芯片工藝發(fā)展到5nm、3nm的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，帶來
2023-04-17 21:55:05283 
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來進(jìn)口替代空間較大。從中長期看，國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 16:00:28
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來進(jìn)口替代空間較大。從中長期看，國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)是半導(dǎo)體工程研發(fā)中一個(gè)強(qiáng)大的概念，它是研究實(shí)驗(yàn)變量敏感性及其對(duì)器件性能影響的利器。如果DOE經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，工程師就可以使用有限的實(shí)驗(yàn)晶圓及試驗(yàn)成本實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的目標(biāo)性能。然而
2023-04-13 14:19:57415 半導(dǎo)體行業(yè)的資深人士，先楫半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁陳丹Danny Chen分析了制造業(yè)、新能源、汽車等行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)、技術(shù)創(chuàng)新、未來方向等，并對(duì)作為核心器件的MCU做了深刻的思考和分享，結(jié)合動(dòng)蕩的國際形勢(shì)
2023-04-10 18:39:28
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