SMT焊接溫度曲線智能仿真系統(tǒng)是一個全流程模擬PCB SMT焊接受熱過程的智能化仿真系統(tǒng)。系統(tǒng)通過虛擬化構(gòu)建數(shù)字化PCBA模型、回流爐模型，關(guān)聯(lián)錫膏、器件、產(chǎn)品的工藝要求，通過熱仿真軟件來實現(xiàn)焊點
2024-03-18 17:00:11
領(lǐng)帶，這可是當年半導體弄潮兒的標配。
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仙童(Fairchild)讓你感慨IC業(yè)的歷史
集成電路史上最著名的10個人
于是，第一個半導體時代誕生了——集成器件制造商時代
2024-03-13 16:52:37
想問一下，半導體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
在半導體制造中，進行氣體定量混合配氣使用是一個關(guān)鍵的步驟，將不同氣體按一定的比例混合到一起，配出不同濃度、多種組分的工藝氣體后才能更好的滿足工藝性能的要求，以確保半導體器件的制造過程得以控制和優(yōu)化
2024-03-05 14:23:08
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共讀好書 張鎏 苑明星 楊小渝 （重慶市聲光電有限公司） 摘 要： 對半導體封裝工藝的研究，先探析半導體工藝概述，能對其工作原理有一定的了解與掌握；再考慮半導體封裝工藝流程，目的是在作業(yè)階段嚴謹
2024-02-25 11:58:10275 
來源：芯和半導體 芯和半導體日前正式發(fā)布了針對下一代電子系統(tǒng)的SI/PI/多物理場分析EDA解決方案。 芯和半導體日前正式發(fā)布了針對下一代電子系統(tǒng)的SI/PI/多物理場分析EDA解決方案，4大亮點
2024-02-18 17:52:43146 
先進封裝產(chǎn)品通過半導體中道工藝實現(xiàn)芯片物理性能的優(yōu)化或者說維持裸片性能的優(yōu)勢，接下來的后道封裝從工序上而言與傳統(tǒng)封裝基本類似。
2024-01-30 15:54:57228 
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
半導體晶圓形貌厚度測量的意義與挑戰(zhàn)半導體晶圓形貌厚度測量是半導體制造和研發(fā)過程中至關(guān)重要的一環(huán)。它不僅可以提供制造工藝的反饋和優(yōu)化依據(jù)，還可以保證半導體器件的性能和質(zhì)量。在這個領(lǐng)域里，測量的準確性
2024-01-18 10:56:12
1 半導體工藝的歷史可以追溯到20世紀40年代末至50年代初，當時的科學家們開始使用鍺（Ge）和硅（Si）這類半導體材料來制造晶體管。1947年，貝爾實驗室的威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發(fā)明
2024-01-15 14:02:37204 根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:23769 
過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象?，F(xiàn)在，通過引入物理
2024-01-05 10:04:55316 
半導體放電管是一種采用半導體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開關(guān)特性。當浪涌電壓超過轉(zhuǎn)折的電壓VBO時，器件被導通，這時它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲單元、二極管、電阻、連線、引腳等。
隨著電子產(chǎn)品越來越“小而精，微薄”，半導體芯片和器件尺寸也日益微小，越來越微細，因此對于分析微納芯片結(jié)構(gòu)的精度要求也越來越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
近年來，隨著研究人員對紅外微光學元器件的深入研究，高精度制備器件備受關(guān)注。傳統(tǒng)的制備技術(shù)存在許多缺點，而飛秒激光有著超強、超快的特性，非常合適用來制備紅外微光學元器件。
2023-12-29 16:25:01224 
選擇合適的靶材在半導體工藝中十分重要。
2023-12-28 16:03:14314 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 點擊藍字?關(guān)注我們 過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測
2023-12-25 19:10:02451 
如今，半導體制造工藝快速發(fā)展，每一代新技術(shù)都在減小集成電路(IC)上各層特征的間距和尺寸。晶圓上高密度的電路需要更高的精度以及高度脆弱的先進制造工藝。
2023-12-25 14:50:47174 離子注入是一種重要的半導體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學性質(zhì)。離子注入仿真是對離子的注入過程進行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預測材料性能的變化。以下將詳細介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19256 據(jù)悉，潤鵬半導體是華潤微電子與深圳市合力推出的精于半導體特色工藝的12英寸晶圓制造項目。主要研發(fā)方向包括CMOS、BCD、e-Flash等工藝
2023-12-20 14:13:25214 半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 根據(jù)不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機器設(shè)備和半導體器件這三種。
當靜電與設(shè)備導線的主體接觸時，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
對半導體的深入理解無疑會對我們的生活產(chǎn)生深遠的影響，尤其是面對任何涉及計算機或無線電波的電子設(shè)備。這其中的核心往往是硅，因此眾多科技巨頭會聚集在以硅為名的硅谷。為什么硅會被廣泛應用在半導體中？答案源于它的豐富儲量和理想的電子結(jié)構(gòu)使其能輕松形成晶體，為電子設(shè)備的構(gòu)建奠定基礎(chǔ)。
2023-12-10 11:30:00885 
免受物理性或化學性損壞。然而，半導體封裝的作用并不止于此。本文將詳述封裝技術(shù)的不同等級、作用和演變過程。半導體封裝工藝的四個等級電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這
2023-12-02 08:10:57347 
[半導體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導體
2023-11-29 16:24:59193 
[半導體前端工藝：第二篇] 半導體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
[半導體前端工藝：第三篇] 光刻——半導體電路的繪制
2023-11-29 11:25:52242 
封裝工序 （Packaging）：是指 生產(chǎn)加工后的晶圓進行 切割、焊線塑封，使電路與外部器件實現(xiàn)鏈接，并為半導體產(chǎn)品提供機械保護，免受物理、化學等外界環(huán)境影響產(chǎn)品的使用。
2023-11-29 09:27:10690 
半導體前端工藝：第六篇（完結(jié)篇）：金屬布線 —— 為半導體注入生命的連接
2023-11-27 16:11:35254 【半導體后端工藝：】第一篇了解半導體測試
2023-11-24 16:11:50484 
能否利用器件的IBIS模型對器件的邏輯功能進行仿真？如果不能，那么如何進行電路的板級和系統(tǒng)級仿真？ 可以利用器件的IBIS模型對器件的邏輯功能進行仿真。IBIS（Input/Output
2023-11-24 14:50:58288 功率半導體器件是電子電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的核心元器件，廣泛應用于變頻、整流、逆變、放大等電路。封裝工藝對于功率半導體器件的性能、可靠性和成本具有重要影響。本文將介紹功率半導體器件的典型封裝工藝，包括引腳插入、塑封、散熱設(shè)計等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2023-11-23 11:12:13375 
半導體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們在電子設(shè)備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導體分立器件的基本概念、分類、應用和發(fā)展趨勢。
2023-11-23 10:12:56792 
在電子工程和微電子技術(shù)的世界里，半導體器件建模是一個核心概念。它涉及對半導體器件如晶體管、二極管等的電氣行為進行數(shù)學和物理描述。這一過程對于設(shè)計高效、可靠的電子設(shè)備至關(guān)重要。本文旨在深入探討半導體器件建模的概念、其重要性以及在現(xiàn)代技術(shù)中的應用。
2023-11-13 10:48:27515 
一、功率器件在半導體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導體器件，簡稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動芯片
2023-11-08 17:10:15822 
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 如今，半導體元器件已成為電子應用中不可或缺的一部分。半導體元器件的需求主要受生命周期較短的消費電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 磷酸鐵鋰制備工藝多樣，主要分為固相法，液相法這兩大主流工藝。固相法是目前最成熟也是應用最廣的磷酸鐵鋰合成方法，液相法工藝難度較大。今天小編給大家介紹幾種磷酸鐵鋰制備工藝方法：
2023-10-20 09:58:141339 
功率半導體器件與普通半導體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計的時候，需要多一塊區(qū)域，來承擔外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:21879 
隨著科技的不斷發(fā)展，半導體技術(shù)在全球范圍內(nèi)得到了廣泛應用。半導體設(shè)備在制造過程中需要經(jīng)過多個工藝步驟，而每個步驟都需要使用到各種不同的材料和設(shè)備。其中，華林科納的PFA管在半導體清洗工藝中扮演著
2023-10-16 15:34:34258 一 F-200A-60V 半導體器件測試機專為以下測試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
半導體封裝技術(shù)的發(fā)展一直都是電子行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的重要驅(qū)動力。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，半導體封裝技術(shù)也經(jīng)歷了從基礎(chǔ)的封裝到高密度、高性能的封裝的演變。本文將介紹半導體封裝工藝的四個等級，以助讀者更好地理解這一關(guān)鍵技術(shù)。
2023-10-09 09:31:55932 
載流子則是正空穴。多數(shù)載流子對于半導體器件的性能和特性具有重要的影響，因此對多數(shù)載流子的研究和認識是半導體物理學的重要內(nèi)容。 n型半導體是指在原本的半導體中，加入了一個雜質(zhì)元素，使得半導體材料中的帶電粒子變得不平衡。n型半導體材料中，摻
2023-09-19 15:57:042481 在日常的電源設(shè)計中，半導體開關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計是工程師不得不面對的問題，本文旨在分析半導體器件擊穿原理、失效機制，以及在設(shè)計應用中注意事項。
2023-09-19 11:44:382583 
小片，以便進行后續(xù)的制造和封裝過程。晶圓劃片工藝的應用包括但不限于半導體材料、太陽能電池、半導體器件、光學器件等。封裝劃片：在半導體封裝過程中，需要對封裝材料進行
2023-09-18 17:06:19392 
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25890 ? 上市周期短（距第3代不到2年）意法半導體溝槽技術(shù)：長期方法? 意法半導體保持并鞏固了領(lǐng)先地位? 相比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的重大工藝改良? 優(yōu)化和完善的關(guān)鍵步驟
2023-09-08 06:33:00
近年來，半導體封裝變得越發(fā)復雜，更加強調(diào)設(shè)計的重要性。半導體封裝設(shè)計工藝需要各類工程師和業(yè)內(nèi)人士的共同參與，以共享材料信息、開展可行性測試、并優(yōu)化封裝特性。
2023-09-01 10:38:39274 
濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041704 
半導體器件中性能最好的是什么?? 半導體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中最為重要的組成部分之一，是連接芯片和外部電路的中間介質(zhì)。通常，半導體器件的性能被評價的標準是：最大電壓、最大電流、最高工作頻率、響應速度
2023-08-29 16:19:29539 半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
在半導體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10504 先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
隨著半導體工藝技術(shù)的發(fā)展，芯片集成度不斷提高，封裝尺寸越來越小，半導體器件面臨著更高的熱應力挑戰(zhàn)。結(jié)溫過高不僅降低了器件的電氣性能，而且增加了金屬遷移率和其他退化變化，從而導致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381963 
近年來，半導體封裝變得越發(fā)復雜，更加強調(diào)設(shè)計的重要性。半導體封裝設(shè)計工藝需要各類工程師和業(yè)內(nèi)人士的共同參與，以共享材料信息、開展可行性測試、并優(yōu)化封裝特性。在之前的文章：[半導體后端工藝:第四篇
2023-08-07 10:06:19361 
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導體是直接帶隙半導體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:57742 
近日，“2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技
2023-08-04 11:28:56920 
電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這些硬件結(jié)構(gòu)包括有源元件1（如半導體）和無源元件2（如電阻器和電容器3）。因此，電子封裝技術(shù)涵蓋的范圍較廣，可分為0級封裝到3級封裝等四個不同等級。圖1展示了半導體封裝工藝的整個流程。
2023-08-01 16:45:03576 
經(jīng)過半導體制造（FAB）工序制備的電路圖形化晶圓容易受溫度變化、電擊、化學和物理性外部損傷等各種因素的影響。
2023-07-28 16:45:001076 
設(shè)計-制造協(xié)同發(fā)展》的技術(shù)演講。 華大九天高級產(chǎn)品總監(jiān)劉曉明 分立器件是半導體市場的重要組成部分，包括功率，信號處理，光電傳感等不同器件類型，在通訊，汽車，計算機，物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域都有廣泛應用。分立器件廠商會從材料，結(jié)構(gòu)及工藝等環(huán)節(jié)優(yōu)化
2023-07-26 22:25:02469 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035048 
半導體制作工藝可分為前端和后端：前端主要是晶圓制作和光刻（在晶圓上繪制電路）；后端主要是芯片的封裝。
2023-07-24 15:46:05905 
該研究提出模塊化局域元素供應生長技術(shù)，成功實現(xiàn)了半導體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴展至與現(xiàn)代半導體工藝兼容的12英寸，有望推動二維半導體材料由實驗研究向產(chǎn)業(yè)應用過渡，為新一代高性能半導體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-13 16:06:49408 半導體后封裝工藝及設(shè)備介紹
2023-07-13 11:43:208 研究人員針對擴大二維半導體晶圓尺寸和批量制備的核心科學問題，提出了一種全新的模塊化局域元素供應生長策略，成功實現(xiàn)了最大尺寸為12英寸的二維半導體晶圓的批量制備。
2023-07-13 11:16:00211 晶圓級二維半導體的批量制備，是推動相應先進技術(shù)向產(chǎn)業(yè)化過渡的關(guān)鍵所在。二維半導體薄膜尺寸需達到與硅基技術(shù)兼容的直徑300 mm（12-inch）標準，以平衡器件產(chǎn)量與制造成本。因此，批量化、大尺寸、低成本制備過渡金屬硫族化合物晶圓是二維材料走向?qū)嶋H應用亟待解決的關(guān)鍵問題之一。
2023-07-13 10:36:11442 
二維半導體是一種新興半導體材料，具有優(yōu)異的物理化學性質(zhì)，以單層過渡金屬硫族化合物為代表。與傳統(tǒng)半導體發(fā)展路線類似，晶圓材料是推動二維半導體技術(shù)邁向產(chǎn)業(yè)化的根基。如何實現(xiàn)批量化、大尺寸、低成本制備二維半導體晶圓是亟待解決的科學問題。
2023-07-12 16:01:13364 二維半導體是一種新興半導體材料，具有優(yōu)異的物理化學性質(zhì)，如層數(shù)依賴的可調(diào)帶隙、自旋-谷鎖定特性、超快響應速度、高載流子遷移率、高比表面積等，因此成為新一代高性能電子、光電器件等變革性技術(shù)應用中的重要候選材料。二維半導體材料以單層過渡金屬硫族化合物為代表。
2023-07-12 11:25:25450 
該研究提出模塊化局域元素供應生長技術(shù)，成功實現(xiàn)了半導體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴展至與現(xiàn)代半導體工藝兼容的12英寸，有望推動二維半導體材料由實驗研究向產(chǎn)業(yè)應用過渡，為新一代高性能半導體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-10 18:20:39504 
半導體同時具有“導體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導電性能。我們可以根據(jù)實際需要使半導體導電或絕緣。 重復光刻、刻蝕和離子注入步驟會在
2023-07-03 10:21:572170 
半導體材料是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
2023-06-30 09:24:30369 在前幾篇文章（點擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層?！暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過程在半導體制程中就相當于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
公司團隊由來自國內(nèi)外知名半導體企業(yè)的成員組成，公司擁有經(jīng)驗豐富且具有創(chuàng)新能力的國際型人才隊伍，團隊核心成員從事半導體功率器件設(shè)計和工藝開發(fā)20余年，擁有業(yè)界領(lǐng)先的模組及芯片設(shè)計研發(fā)水平及完善的工藝。
2023-06-25 16:41:55337 
半導體工藝的發(fā)展歷程幾乎與現(xiàn)代電子工業(yè)的發(fā)展歷程一致。早在20世紀40年代，貝爾實驗室的研究人員發(fā)明了第一個點接觸式晶體二極管，標志著半導體技術(shù)的誕生。
2023-06-08 09:30:50387 
組件輸出仿真模型可以通過半物理模型或數(shù)學模型實現(xiàn)，根據(jù)應用場景的不同可以選擇不同模型觀察和研究組件特性。
2023-06-01 16:18:502368 
詳解半導體封裝測試工藝
2023-05-31 09:42:18996 
分立器件行業(yè)概況
半導體分立器件是半導體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一，其具有應用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
從市場需求看，分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護理、安防電子
2023-05-26 14:24:29
通過濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見的制備異質(zhì)結(jié)光電探測器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過程中，不同的制備工藝細節(jié)對二維材料與半導體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21508 
新微半導體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用自對準工藝，使得柵極形貌良好，且最小線寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:051698 
摘 要：針對半導體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點介紹集成電路工藝設(shè)備、分立器件工藝設(shè)備等細分領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展態(tài)勢和主要技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-05-23 15:23:47974 
從應用角度對常用半導體元件模型作總結(jié)。
2023-05-22 09:40:37874 
半導體器件的制造流程包含數(shù)個截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04478 
在半導體科學技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462460 
二極管半導體器件的應用和參數(shù)對比NO.1二極管種類區(qū)別按操作特性進行比較：器件結(jié)構(gòu)說明對比：肖特基二極管由金屬與半導體結(jié)結(jié)形成。在電氣方面，它由多數(shù)載波進行，具有較低的電流泄漏和正向偏置電壓(VF
2023-05-11 10:11:45221 
據(jù)統(tǒng)計，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲能逆變器里占比高、數(shù)量多，是必不可少的半導體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中，會采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:49986 
半導體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過程類似于印刷機 ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡化制造中的晶圓截面的過程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機身 ? 逆變器掩模組 晶體管
2023-04-20 11:16:00247 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導體的器件，?這項工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V的光子學特性 編號：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導體納米線已顯示出巨大的潛力光學、光電和電子器件的構(gòu)建
2023-04-19 10:03:0093 
作者： Coventor（泛林集團旗下公司）半導體工藝與整合(SPI)高級工程師王青鵬博士 摘要：虛擬DOE能夠降低硅晶圓測試成本，并成功降低DED鎢填充工藝中的空隙體積 實驗設(shè)計(DOE)是半導體
2023-04-18 16:28:29291 
本文轉(zhuǎn)自《半導體行業(yè)觀察》 感謝《半導體行業(yè)觀察》對新思科技的關(guān)注 數(shù)據(jù)中心、移動、汽車、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等應用領(lǐng)域都需要積極的PPA目標，但是隨著芯片工藝發(fā)展到5nm、3nm的先進節(jié)點，帶來
2023-04-17 21:55:05283 
技術(shù)及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間較大。從中長期看，國內(nèi)功率半導體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預測，到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 16:00:28
技術(shù)及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間較大。從中長期看，國內(nèi)功率半導體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預測，到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
實驗設(shè)計(DOE)是半導體工程研發(fā)中一個強大的概念，它是研究實驗變量敏感性及其對器件性能影響的利器。如果DOE經(jīng)過精心設(shè)計，工程師就可以使用有限的實驗晶圓及試驗成本實現(xiàn)半導體器件的目標性能。然而
2023-04-13 14:19:57415 半導體行業(yè)的資深人士，先楫半導體執(zhí)行副總裁陳丹Danny Chen分析了制造業(yè)、新能源、汽車等行業(yè)的發(fā)展趨勢、技術(shù)創(chuàng)新、未來方向等，并對作為核心器件的MCU做了深刻的思考和分享，結(jié)合動蕩的國際形勢
2023-04-10 18:39:28
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