英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項(xiàng)，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:01
34 FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，找到一款性能卓越、功能豐富且穩(wěn)定可靠的非易失性存儲器至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討 Cypress 公司推出
2026-01-04 17:25:09367 探索FM24V05：高性能I2C F - RAM的卓越之選 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，存儲器的選擇至關(guān)重要，它直接關(guān)系到系統(tǒng)的性能、可靠性和使用壽命。今天，我們將深入探討一款出色的串行存儲器
2025-12-31 16:40:23727 FM25L04B：高性能4-Kbit串行F-RAM的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，非易失性存儲器的選擇至關(guān)重要，它直接影響著系統(tǒng)的性能、可靠性和使用壽命。今天，我們來深入了解一款備受關(guān)注的產(chǎn)品
2025-12-31 16:05:1886 FM24V02A：高性能串行F - RAM的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，非易失性存儲器的選擇至關(guān)重要，它直接影響著系統(tǒng)的性能、可靠性和使用壽命。今天，我們就來深入探討一款高性能的串行F - RAM
2025-12-28 15:25:09404 片上 FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主 FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
1、主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-12-23 08:28:04
Infineon SEMPER NOR Flash與HYPERRAM? 2.0 Gen2 Flash+RAM MCP產(chǎn)品解析 引言 在汽車集群和工業(yè)HMI應(yīng)用中，通常會使用NOR Flash來存儲
2025-12-20 16:20:021044 在企業(yè)計(jì)算環(huán)境中，PCIe擴(kuò)展插槽一直是最具價值的系統(tǒng)資源之一。傳統(tǒng)上，這些插槽多用于網(wǎng)絡(luò)、存儲或加速卡等關(guān)鍵組件，而隨著存儲需求的持續(xù)增長，如何高效利用PCIe插槽實(shí)現(xiàn)存儲擴(kuò)展成為企業(yè)IT架構(gòu)
2025-12-12 16:55:461079 
Ram-Lock正向鎖定連接器.pdf 一、產(chǎn)品概述 Amphenol 的 Ram-Lock 推拉接口現(xiàn)已應(yīng)用于 38999 系列產(chǎn)品中。這款連接器具有正向鎖定接口，
2025-12-11 10:55:16290 鐵電工藝的4 - Kbit非易失性存儲器。鐵電隨機(jī)存取存儲器（F - RAM）具有非易失性，讀寫操作類似于RAM，能提供長達(dá)151年的數(shù)據(jù)保留時
2025-12-10 17:15:021628 
SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于對實(shí)時性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57442 
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 所需的高壓 BOOST 電路，無須額外提供編程電壓。
FLASH存儲器組織總?cè)萘?4KB，分頁管理
每頁 512 字節(jié)
共 128 頁
FLASH存儲器保護(hù)FLASH 存儲器具有擦寫保護(hù)和讀保護(hù)功能
2025-12-05 08:22:19
CW32的22 字節(jié) OTP 存儲器一般都怎么使用？
2025-12-02 06:39:44
在嵌入式系統(tǒng)與智能設(shè)備中，小容量、可重復(fù)擦寫的非易失性存儲器始終扮演著關(guān)鍵角色。芯伯樂24Cxx系列串行EEPROM憑借其標(biāo)準(zhǔn)化的接口、穩(wěn)定的性能與極低的功耗，成為存儲配置參數(shù)、用戶設(shè)置、運(yùn)行日志等
2025-11-28 18:32:58316 
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272 存儲器內(nèi)部結(jié)構(gòu)為4096字，每個字8位。CAT24C32B EEPROM存儲器具有32字節(jié)頁面寫入緩沖器，工作電壓范圍為1.7V至5.5V。該器件采用4焊點(diǎn)WLCSP封裝，無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，并
2025-11-25 09:42:51297 
用戶可執(zhí)行的RAM 存儲器操作包括：讀操作、寫操作。
對RAM 的讀寫操作支持8bit、16bit 和32bit 三種位寬，用戶程序可以通過直接訪問絕對地址的方式完成讀寫，
但要注意讀寫的數(shù)據(jù)位寬
2025-11-21 07:46:52
在存儲技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35244 EEPROM是一項(xiàng)成熟的非易失性存儲（NVM）技術(shù)，其特性對當(dāng)今尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體（ST）是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一，其連接安全產(chǎn)品部綜合
2025-11-17 09:30:101633 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
我看說E203支持自定義擴(kuò)展，有EAI接口，可是為什么我只在LSU中找到了跟讀取存儲器有關(guān)的EAI接口呢，別的比如eai_req_instr沒有找到，請問誰知道在哪嗎，或者說如果要加可擴(kuò)展協(xié)處理器的話，這些接口要自己加嗎？
2025-11-10 07:41:36
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在當(dāng)今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 2025年中國存儲芯片行業(yè)市場前景預(yù)測研究報告 存儲芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要組成部分，涵蓋動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和NAND閃存兩大核心領(lǐng)域。在人工智能（AI）、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和移動互聯(lián)網(wǎng)
2025-10-27 08:54:334778 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 , offset[11:0] (rs1)
fsw rs2, offset[11:0] (rs1)
該組指令進(jìn)行存儲器讀或者寫操作，訪問存儲器的地址均由操作數(shù)寄存器 rs1中的值與
12 位的立即數(shù)（進(jìn)行符號位擴(kuò)展
2025-10-24 10:00:03
）xs1、xs2、xd：用于控制是否需要讀源寄存器rs1、rs2和寫目標(biāo)寄存器rd
xs1：xs1=1，表示該指令需要讀取rs1比特位索引的通用寄存器作為源操作數(shù)1；如果xs1=0，則表示不需要源操作數(shù)1
2025-10-24 07:23:37
1、簡介
ram 的英文全稱是 Random Access Memory，即隨機(jī)存取存儲器， 它可以隨時把數(shù)據(jù)寫入任一指定地址的存儲單元，也可以隨時從任一指定地址中讀出數(shù)據(jù)， 其讀寫速度是由時鐘頻率
2025-10-23 07:33:21
STMicroelectronics X-NUCLEO-EEICA1 I2C EEPROM存儲器擴(kuò)展板非常適合用于M24256E-F和M24M01E-F系列I^2^C EEPROM
2025-10-21 16:22:38527 
）和rd（讀）傳遞，不需要讀取存儲器的數(shù)據(jù)（這樣可精簡化協(xié)處理器的控制代碼）
在官方案例的基礎(chǔ)上 新增一個簡單的add指令 c= a + b(主要是將內(nèi)聯(lián)匯編弄清楚，使用rs2)
2025-10-21 14:35:54
存儲器讀寫結(jié)果。
調(diào)用協(xié)處理器的方法：擴(kuò)展一個用RTL級代碼編寫的協(xié)處理器，想個辦法調(diào)用這個獨(dú)立于流水線的計(jì)算單元，即在MCU層面，在編譯器里編寫C語言主函數(shù)中包含指定匯編指令的調(diào)用，完成驅(qū)動的配置。在
2025-10-21 10:39:24
一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
nRF54LM20A 以高存儲版本拓展了 nRF54L 系列產(chǎn)品線，其搭載 2MB 非易失性存儲器（NVM）與 512KB 隨機(jī)存取存儲器（RAM）；同時，該芯片保留了系列一致的微控制器（MCU）核心
2025-09-29 01:20:31
，還請大家海涵，如有需要可看文尾聯(lián)系方式，當(dāng)前在網(wǎng)絡(luò)平臺上均以“ 愛在七夕時 ”的昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 一提到“存儲器”，相信很多朋友都會想到計(jì)算機(jī)。是的，在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是
2025-09-19 11:04:071443 
智能數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施公司NetApp? (NASDAQ: NTAP) 今天宣布推出NetApp StorageGRID? 12.0，這是一款可擴(kuò)展的軟件定義對象存儲解決方案，專為非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)而設(shè)
2025-09-11 10:41:41400 ，作為數(shù)據(jù)存儲的關(guān)鍵載體，其重要性不言而喻。不同類型的存儲器，憑借各自獨(dú)特的性能、特點(diǎn)與成本優(yōu)勢，在多樣化的應(yīng)用場景中扮演著不可或缺的角色。
2025-09-09 17:31:55866 
Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲器示波器， S 系列示波器配備 2 GHz 存儲器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 ，是信息時代的基石。
2. 核心分類：斷電后數(shù)據(jù)還在嗎？
這是最根本的分類依據(jù)：
易失性存儲器：斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
特點(diǎn)：速度快，通常用作系統(tǒng)運(yùn)行的“工作臺”。
代表：DRAM (動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
2025-06-24 09:09:39
FLASH程序存儲器、4KB RAM，集成LCD、RTC、溫度傳感器、ADC以及UART、I2C、SPI、7816等通用外設(shè)接口，適用于各類電池供電類低功耗產(chǎn)品。
應(yīng)用領(lǐng)域：
智能電表/水表/熱表/燃?xì)獗?智能家居：新風(fēng)機(jī)、凈水器、門鎖等
ETC
電子價簽及標(biāo)簽
物聯(lián)網(wǎng)通訊模塊
2025-06-12 18:03:47
單片機(jī)實(shí)例項(xiàng)目：AT24C02EEPROM存儲器，推薦下載！
2025-06-03 20:50:02
14FLASHFLASH的工作原理與應(yīng)用OWEIS1什么是FLASH?Flash閃存是一種非易失性半導(dǎo)體存儲器，它結(jié)合了ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)訪問存儲器）的優(yōu)點(diǎn)，具有電子可擦除和可編程
2025-05-27 13:10:411722 
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對數(shù)
2025-05-26 09:50:50683 
近日，賽迪顧問發(fā)布《中國分布式存儲市場研究報告(2025)》，指出2024 年中國分布式存儲市場首次超過集中式存儲，規(guī)模達(dá) 198.2 億元，增速 43.7%。
2025-05-19 16:50:501091 與數(shù)據(jù)檢索的先進(jìn)技術(shù)，以滿足不斷演進(jìn)的市場需求。Microchip的數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)包含工作負(fù)載加速、電源管理、設(shè)備性能優(yōu)化與控制等全方位賦能技術(shù)組合，助力數(shù)據(jù)中心應(yīng)對當(dāng)今技術(shù)需求日益多變所帶來的可擴(kuò)展性、安全性與性能等方面的挑戰(zhàn)。
2025-05-17 11:24:081078 ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN通信端口，支持
2025-05-12 16:08:28889 
? ? ? ?MCU的存儲器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運(yùn)算
2025-05-09 10:21:09618 在半導(dǎo)體存儲器測試中，測試圖形（Test Pattern）是檢測故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲單元數(shù)N的關(guān)系，測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:371223 
MCU片上RAM是微控制單元（MCU）中集成于芯片內(nèi)部的隨機(jī)存取存儲器，主要用于程序運(yùn)行時的數(shù)據(jù)存儲與高速讀寫操作。以下是其核心要點(diǎn)： 一、定義與分類 ?片上RAM是MCU內(nèi)部存儲單元的一部分
2025-04-30 14:47:081123 STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲器（保存FSBL和app），因?yàn)閑MMC不支持內(nèi)存映射，那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時地址選擇哪里？還有
2025-04-28 08:02:23
STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲器（保存FSBL和app），因?yàn)閑MMC不支持內(nèi)存映射，那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時地址選擇哪里？還有
2025-04-22 11:31:33
◆?新推出的Stellar微控制器內(nèi)置了xMemory技術(shù)，它為正在發(fā)展的軟件定義汽車以及不斷進(jìn)化的電動汽車架構(gòu)提供了一個更為簡單且具有更強(qiáng)可擴(kuò)展性的計(jì)算平臺。 ◆?可改變存儲配置讓汽車廠商能夠不斷
2025-04-17 11:25:191744 UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲器映射 前文所述，寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲設(shè)備。那么，當(dāng)我們需要訪問它們的時候，我們需要知道它們的存儲地址。 3.3.1 存儲器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:091375 
AM68 可擴(kuò)展處理器系列基于進(jìn)化的 Jacinto? 7 架構(gòu)，針對智能視覺相機(jī)和通用計(jì)算應(yīng)用，并建立在 TI 在視覺處理器市場領(lǐng)導(dǎo)地位十多年積累的廣泛市場知識之上。AM68x 系列專為工廠自動化、樓宇自動化和其他市場中的各種成本敏感型高性能計(jì)算應(yīng)用而構(gòu)建。
2025-04-15 14:41:011261 
非易失性存儲器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 單片機(jī)與存儲器的關(guān)系像什么？單片機(jī)里的存儲都是一樣的嗎？為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash？
2025-04-10 10:06:011434 
人工智能與高性能計(jì)算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲技術(shù)的新興存儲技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709 計(jì)算裝置不同類型數(shù)據(jù)的臨時/永久存儲需要。
? 分級的存儲體系
p 不同類型數(shù)據(jù)存儲、訪問要求具有差異，數(shù)據(jù)訪問在時間、空間和順序上的局部性原理；
p 通用計(jì)算機(jī)采用了Cache、主存儲器（RAM，內(nèi)存
2025-03-26 11:12:24
我在 MCUXpresso 中的內(nèi)存映射方面遇到了問題。我正在使用 LPC4088 和外部閃存以及外部 RAM。
我正在按照 MCUXPresso 手冊的說明進(jìn)行作：
設(shè)置內(nèi)存分配和閃存驅(qū)動程序
2025-03-21 07:32:28
特性64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
AD7581 是一款微處理器兼容的 8 位、8 通道、存儲器緩沖數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，采用單芯片 CMOS 芯片。它由一個 8 位逐次逼近型 A/D 轉(zhuǎn)換器、一個 8 通道多路復(fù)用器、8×8 雙端口 RAM
2025-03-17 10:39:29
本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲器 (EEPROM)，存儲容量為8192字節(jié)，分為256頁，每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù)，自定時編程周期，支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:09
3 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡稱DS199x）是堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計(jì)時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
DS1996 Memory iButton是一種堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，可作為本地化的數(shù)據(jù)庫，使用最少的硬件即可輕松訪問。非易失性存儲器為存儲和檢索與iButton所連接的對象相關(guān)的重要信息提供了一種
2025-02-26 10:17:41871 
MHz，提供強(qiáng)大的處理能力，適用于高性能應(yīng)用場景?。
2、大容量存儲器?：具有2 MB的雙區(qū)Flash存儲器和1 MB的RAM，包括192 KB的TCM RAM、864 KB的用戶SRAM和4 KB
2025-02-21 14:59:12
Probes Architecture 用于將 Network Discovery 的地理范圍擴(kuò)展到整個企業(yè)。它們可以在本地查看，也可以作為用于聚合報告的 Codima Toolbox
2025-02-14 17:08:43610 
? 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn)，并分析
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:42:49
? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲裝置（存儲器），其特點(diǎn)是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:142470 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091167 
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
產(chǎn)品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲器，具有 32Mb 的存儲容量，采用 SPI 接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。該產(chǎn)品專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供快速的數(shù)據(jù)讀寫能力
2025-02-09 22:26:30
器件具有 128Mb（16MB）的存儲容量，適用于各種電子設(shè)備中，特別是在需要快速數(shù)據(jù)訪問的場合。目前市場上有 9,960 個 MX25U12832FMI02（批
2025-02-09 10:21:26
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題，即它是否屬于RAM或ROM，同時詳細(xì)闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）在擦除數(shù)據(jù)時，往往需要較長的時間，且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001449 高速緩沖存儲器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲器（RAM）有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲體系中，Cache位于CPU和主存儲器之間，用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 近日，據(jù)韓媒最新報道，全球NAND Flash存儲器市場正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，導(dǎo)致價格連續(xù)四個月呈現(xiàn)下滑趨勢。為應(yīng)對這一不利局面，各大存儲器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施，旨在平衡市場供求關(guān)系，進(jìn)而穩(wěn)定
2025-01-20 14:43:551095 特點(diǎn)16-Kbit 鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次（1014）讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期（請參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-32：語言擴(kuò)展:內(nèi)存存儲類型、ASM和內(nèi)聯(lián)構(gòu)造.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-14 15:03:320 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢有哪些？
2025-01-10 09:12:15901 
平淡。這種兩極分化趨勢引領(lǐng)了存儲市場的未來發(fā)展路徑。 為了應(yīng)對市場變化，存儲原廠在2023年下半年開始調(diào)整產(chǎn)能，旨在優(yōu)化供需關(guān)系。到了2024年，這些調(diào)整逐漸顯現(xiàn)成效，多家存儲廠商重新步入盈利軌道。 然而，存儲器市場合約價的走勢卻顯得頗為
2025-01-07 16:12:471152 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-271: 高速緩沖存儲器在Blackfin處理器中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:18:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286：SDRAM存儲器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 15:47:010
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