非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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TGA2700TGA2700 關(guān)鍵性能頻率范圍：7至13 GHz25 dB標(biāo)稱增益30dBm輸出功率@Pin=10dBm，中頻12 dB輸入回波損耗10 dB輸出回波損耗0.25 um 3MI
2024-03-22 00:25:17
未來，小芯片將成為汽車和芯片行業(yè)的焦點(diǎn)。
2024-03-04 17:37:52414 
1）請問cyw20719b2的nvram 的存儲空間有多少字節(jié)？
2）用wiced_hal_write_nvram()或wiced_hal_read_nvram()從nvram 寫入或讀出一字節(jié)數(shù)據(jù)需要多少時(shí)間
2024-03-01 12:42:36
DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
與主存儲器（內(nèi)存）和輔助存儲器（外存）有不同的特點(diǎn)和應(yīng)用場景。 首先，我們來詳細(xì)了解ROM的特點(diǎn)和分類。ROM是一種非易失性存儲器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲單元是由非可更改的電路或柵電勢器構(gòu)成
2024-02-05 10:05:10739 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
臺積電近日宣布，與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲器領(lǐng)域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 mbed 物聯(lián)網(wǎng)操作系統(tǒng)會成為cortex-m中的android嗎?
2024-01-17 07:14:10
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15513 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 作為當(dāng)今存儲技術(shù)領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，非易失性存儲器（FeRAM）正逐漸成為市場上的主流存儲解決方案。
2024-01-11 17:13:27795 
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
如何充分利用單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲器 單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù)，即使在斷電或復(fù)位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49503 在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
NVSRAM和NVRAM都涉及非易失性存儲技術(shù)，但它們在實(shí)現(xiàn)方式和應(yīng)用方面有一些區(qū)別。
2023-12-05 10:55:25417 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17911 
目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
半導(dǎo)體存儲器用于數(shù)據(jù)存儲。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
單片機(jī)的存儲器主要有幾個(gè)物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲器從物理上可劃分為4個(gè)存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了?。?？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
mcs-8051單片機(jī)的程序存儲器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
恒溫恒濕試驗(yàn)箱：關(guān)鍵性能與選型策略
2023-10-15 20:42:13303 
怎么隨機(jī)存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，F(xiàn)lash和EEPROM是常見的非易失性存儲器
2023-09-21 09:14:39812 存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617 存儲器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機(jī)存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272106 STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲器映射? 總線架構(gòu)? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設(shè)定存儲。
2023-09-07 14:27:24523 
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
庫的慢-慢工藝點(diǎn)對塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲器最主流的存儲器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲元件來實(shí)現(xiàn)高密度和簡單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
CoreLink DDR2動態(tài)存儲器控制器(DMC-341)技術(shù)參考手冊
2023-08-02 15:28:28
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲器控制器（SMC）。AHB MC有一個(gè)
2023-08-02 07:14:25
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 06:26:35
何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器?？商娲鶩lash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存儲的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會丟失。
2023-06-20 16:38:442016 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
RAID控制卡的日志存儲器存放重要數(shù)據(jù)，如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗(yàn)寫入、錯(cuò)誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢?nèi)罩緝?nèi)存，以了解從哪里開始恢復(fù)。
2023-06-12 17:11:11323 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
主存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲容量**
存儲器可以容納的二進(jìn)制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實(shí)際存儲容量：** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時(shí)間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10822 
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409 和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 ，并把電容放電，藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
，MMC插槽不太常見，但eMMC(嵌入式MMC)卡在消費(fèi)電子產(chǎn)品中仍然很受歡迎，用于便攜式或嵌入式設(shè)備的存儲。它們可以作為較小的固態(tài)設(shè)備的替代品，性價(jià)比更高，集成了控制器，可以作為啟動設(shè)備。
SD卡也是非易失性存儲器
2023-05-18 14:13:37
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個(gè)非易失性存儲器是PROM（可編程只讀存儲器），以及與之密切相關(guān)的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出，并于1971年由英特爾進(jìn)一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 MCU（Microcontroller Unit）是一種集成電路，具有微處理器、存儲器和各種輸入輸出接口的功能，被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在過去，國內(nèi)企業(yè)在MCU領(lǐng)域?qū)儆谳^弱勢地位，主要依賴進(jìn)口
2023-05-08 17:32:44
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。前面已講解過關(guān)于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會講解外設(shè)到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-04-19 17:45:462544 基本上，我想將數(shù)據(jù)寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應(yīng)用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過現(xiàn)有存儲器的自旋注入MRAM,很有可能將會取代在設(shè)備中使用的多種存儲器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
/寫存儲器，在斷電時(shí)無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
的RAM或常規(guī)的非易失性存儲。該存儲器真正是非易失性的，而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設(shè)備替代了多個(gè)零件?串行非易失性存儲器?帶鬧鐘的實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）?低VDD檢測驅(qū)動復(fù)位?看門狗窗口定時(shí)器
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
隨著需求的變化和技術(shù)的迭代，固態(tài)硬盤在接口、協(xié)議和形態(tài)上都出現(xiàn)了很多新發(fā)展和新變化。今天瑞薩君就為大家介紹這款 適用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的PCIe非易失性存儲器Express（NVMe）固態(tài)硬盤解決方案
2023-03-30 20:00:06674 存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
存儲器類型：Non-Volatile 存儲器構(gòu)架(格式)：FLASH 時(shí)鐘頻率：- 技術(shù)：NAND Flash 存儲器接口類型：- 存儲器容量：4Gb
2023-03-24 15:09:04
存儲器類型：Non-Volatile 存儲器構(gòu)架(格式)：FLASH 時(shí)鐘頻率：- 技術(shù)：NAND Flash 存儲器接口類型：- 存儲器容量：8Gb
2023-03-24 15:09:04
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