片上 FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主 FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
1、主 FLASH 存儲(chǔ)器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-12-23 08:28:04
全球存儲(chǔ)器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下，力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭(zhēng)搶的核心資源 —— 繼晟碟之后，美光也正在與力積電洽談合作，希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產(chǎn)能余量的工廠快速落地存儲(chǔ)器產(chǎn)能，雙方已敲定三種合作方向，只待力積電最終確認(rèn)。
2025-12-22 11:43:22
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如何利用CW32L083系列微控制器的內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行程序升級(jí)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)？
2025-12-15 07:39:51
SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時(shí)的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于對(duì)實(shí)時(shí)性要求高的場(chǎng)景。
2025-12-08 16:51:57442 
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
芯片支持對(duì) FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護(hù)和讀保護(hù)。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
1，DMA控制器是什么（）。A:一個(gè)獨(dú)立的外設(shè)B:一個(gè)與MCU并行工作的處理器C:一個(gè)調(diào)節(jié)系統(tǒng)時(shí)鐘的模塊D:一個(gè)處理中斷和事件的單元【解析】DMA（直接存儲(chǔ)器訪問）控制器是一種可以在不依賴中央處理
2025-12-02 21:07:32240 
CW32的22 字節(jié) OTP 存儲(chǔ)器一般都怎么使用？
2025-12-02 06:39:44
型號(hào)：FZH181FZH181 是一種帶鍵盤掃描接口的LED（發(fā)光二極管顯示器）驅(qū)動(dòng)控制專用電路，內(nèi)部集成有MCU 數(shù)字接口、數(shù)據(jù)鎖存器、LED 高壓驅(qū)動(dòng)、鍵盤掃描等電路。本產(chǎn)品性能優(yōu) 良，質(zhì)量可靠
2025-11-26 15:46:15
在各類存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 用戶可執(zhí)行的RAM 存儲(chǔ)器操作包括：讀操作、寫操作。
對(duì)RAM 的讀寫操作支持8bit、16bit 和32bit 三種位寬，用戶程序可以通過直接訪問絕對(duì)地址的方式完成讀寫，
但要注意讀寫的數(shù)據(jù)位寬
2025-11-21 07:46:52
在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的新型非易失存儲(chǔ)器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35244 型號(hào)：FZH120
廠商：深圳市方中禾科技有限公司（Premier Chip Limited）FZH120是一種存儲(chǔ)器交換LED顯示控制的驅(qū)動(dòng)芯片，可以選擇多重的ROW/COM模式（32ROW
2025-11-20 11:40:44
片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢(shì)。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲(chǔ)功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)的特性。
2025-10-23 15:40:17379 PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲(chǔ)器，主要是因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">采用類SRAM的接口協(xié)議：只需要提供地址和讀寫命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取，無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00296 MCU是一款高性價(jià)比解決方案，采用帶有高速外部存儲(chǔ)器接口的啟動(dòng)閃存MCU，確保實(shí)時(shí)就地執(zhí)行（XiP）功能。此外，該微控制器支持高達(dá)WSVGA分辨率的2D GUI，且CPU負(fù)載有限，從而為實(shí)時(shí)任務(wù)提供更多資源。
2025-10-21 11:39:42665 
一次性可編程（OTP）非易失性存儲(chǔ)器問世已久。與其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡(jiǎn)單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對(duì)更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
STM32C011 系列微控制器內(nèi)置 Flash 存儲(chǔ)器，支持程序存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)保存，具備頁面擦除、雙字寫入、讀寫保護(hù)等功能。本文將簡(jiǎn)要介紹 STM32C011 的 Flash 結(jié)構(gòu)與特性，并通過實(shí)際代碼示例，講解 Flash 的擦除、寫入與讀取等基本操作。
2025-09-18 16:48:323894 
在科技迅猛發(fā)展的當(dāng)下，數(shù)據(jù)已然成為驅(qū)動(dòng)各行業(yè)進(jìn)步的核心要素。從日常生活中的智能手機(jī)、電腦，到工業(yè)生產(chǎn)里的自動(dòng)化設(shè)備，再到前沿的人工智能與大數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，海量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與高效管理需求與日俱增。存儲(chǔ)器
2025-09-09 17:31:55866 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日Quinas Technology 和 IQE plc 宣布，新型存儲(chǔ)器ULTRARAM 已突破重大制造障礙，即將進(jìn)入試生產(chǎn)階段。 ? ULTRARAM結(jié)合了DRAM
2025-08-29 09:22:436365 
SD NAND 是一種貼片式存儲(chǔ)芯片，內(nèi)部集成 NAND Flash 和 SD 控制器，兼容 SD 協(xié)議，可直接焊接在 PCB 上，無需插卡槽。相比傳統(tǒng) TF 卡，SD NAND 具有以下優(yōu)勢(shì)：
2025-08-19 14:40:111826 
Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲(chǔ)器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲(chǔ)器示波器， S 系列示波器配備 2 GHz 存儲(chǔ)器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 SSD2351芯片：高性能存儲(chǔ)控制器的技術(shù)解析** ? SSD2351是一款由行業(yè)領(lǐng)先廠商推出的高性能固態(tài)硬盤（SSD）主控芯片，專為滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心、企業(yè)存儲(chǔ)和高性能計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)
2025-07-15 14:50:20455 Triaxis是一種創(chuàng)新型磁傳感器技術(shù)，通過單個(gè)傳感器實(shí)現(xiàn)高精度三軸磁場(chǎng)測(cè)量。適用于種類繁多的線性、角度和三維應(yīng)用。傳統(tǒng)的霍爾效應(yīng)傳感器芯片只能感應(yīng)垂直于霍爾效應(yīng)元件表面（即IC和封裝表面）的磁通量
2025-07-01 12:02:21754 
摘要:寬調(diào)速范圍與低轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)一直是設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車用內(nèi)置式永礎(chǔ)同步電機(jī)時(shí)所追求的重要目標(biāo)。設(shè)計(jì)了一種轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)為胃的新型內(nèi)置式永礎(chǔ)同步電機(jī)，并進(jìn)行了繞組結(jié)構(gòu)優(yōu)化與性能分析。利用有限元分析法，將所設(shè)計(jì)的電機(jī)
2025-06-06 14:13:06
近日，深圳市存儲(chǔ)器行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長劉琳走訪SGS深圳分公司，深入?yún)⒂^了SGS微電子實(shí)驗(yàn)室，并與SGS技術(shù)專家展開深度交流，分享了行業(yè)發(fā)展的最新動(dòng)態(tài)與趨勢(shì)，雙方共同探討了在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的背景下，SGS與協(xié)會(huì)如何攜手共進(jìn)，推動(dòng)行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
2025-05-29 17:25:46817 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種新型寬帶鞭狀套筒天線.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-28 14:05:01
0 Stellar微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲(chǔ)配置的xMemory技術(shù)，基于意法半導(dǎo)體專有的相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)，計(jì)劃于2025年底投產(chǎn)。這一技術(shù)允許汽車廠商根據(jù)需求靈活調(diào)整存儲(chǔ)容量，支持包括
2025-05-16 14:12:10571 ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN通信端口，支持
2025-05-12 16:08:28889 
? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運(yùn)算
2025-05-09 10:21:09618 [DARWIN]是一種全新品類的低功耗微控制器，專為迅猛發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)而生。該器件的智能性令人難以置信，擁有業(yè)界最大的存儲(chǔ)器，以及可大規(guī)模擴(kuò)展的存儲(chǔ)器架構(gòu)。得益于可穿戴級(jí)電源技術(shù)，器件可永遠(yuǎn)
2025-05-08 16:39:09847 
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試中，測(cè)試圖形（Test Pattern）是檢測(cè)故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測(cè)試序列長度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系，測(cè)試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:371223 
CYPD3177-24LQXQT 是否實(shí)現(xiàn)內(nèi)部存儲(chǔ)器？（例如 內(nèi)存）？
BCR 數(shù)據(jù)表中似乎沒有提及這一點(diǎn)。
2025-05-07 07:23:10
多軸控制器可使用國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
針對(duì)具有挑戰(zhàn)性的光照條件和惡劣環(huán)境，本文提出了LIR-LIVO，這是一種輕量級(jí)且穩(wěn)健的激光雷達(dá)-慣性-視覺里程計(jì)系統(tǒng)。通過采用諸如利用深度與激光雷達(dá)點(diǎn)云關(guān)聯(lián)實(shí)現(xiàn)特征的均勻深度分布等先進(jìn)技術(shù)，以及利用
2025-04-28 11:18:06894 
STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲(chǔ)器（保存FSBL和app），因?yàn)閑MMC不支持內(nèi)存映射，那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時(shí)地址選擇哪里？還有
2025-04-28 08:02:23
STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲(chǔ)器（保存FSBL和app），因?yàn)閑MMC不支持內(nèi)存映射，那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時(shí)地址選擇哪里？還有
2025-04-22 11:31:33
開發(fā)創(chuàng)新應(yīng)用，包括更多需要大容量?jī)?nèi)存的人工智能應(yīng)用。 ◆?xMemory基于意法半導(dǎo)體專有相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)，2025年底投產(chǎn)。 意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）推出內(nèi)置xMemory的Stellar車規(guī)級(jí)微控制器。xMemory是Stellar系列汽車微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲(chǔ)配置的存
2025-04-17 11:25:191744 UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲(chǔ)器映射 前文所述，寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲(chǔ)設(shè)備。那么，當(dāng)我們需要訪問它們的時(shí)候，我們需要知道它們的存儲(chǔ)地址。 3.3.1 存儲(chǔ)器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:091376 
通信方式傳輸信息，控制器接收總控系統(tǒng)發(fā)出的電機(jī)啟動(dòng)和轉(zhuǎn)速指令，同時(shí)向總控系統(tǒng)反饋電機(jī)的工作狀態(tài)，包括電壓、電流、轉(zhuǎn)速、轉(zhuǎn)向等信息。純分享帖，需要者可點(diǎn)擊附件獲取完整資料~~~*附件：電機(jī)控制器出現(xiàn)的一種
2025-04-14 21:32:23
非易失性存儲(chǔ)器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 單片機(jī)與存儲(chǔ)器的關(guān)系像什么？單片機(jī)里的存儲(chǔ)都是一樣的嗎？為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash？
2025-04-10 10:06:011434 
人工智能與高性能計(jì)算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的新興存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709 EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。EEPROM
2025-03-29 17:26:511536 
.文章來源于網(wǎng)絡(luò)，純分享帖，需要者可自行點(diǎn)擊附件下載獲取完整版?。。。ㄈ缬猩婕扒謾?quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除?。?附件：一種基于矢量控制的無位置傳感器永磁同步電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的研究.pdf
2025-03-28 13:58:00
氣隙設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。
目錄1 概述2 一種分段氣隙的CLLC平面變壓器設(shè)計(jì)3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證4 參考文獻(xiàn)
1 概述學(xué)者們從LLC拓?fù)湓怼?b class="flag-6" style="color: red">新型器件、改進(jìn)拓?fù)洹⑾冗M(jìn)調(diào)制方法、諧振參數(shù)優(yōu)化方法、磁性器件設(shè)計(jì)方法
2025-03-27 13:57:27
以前控制直流電機(jī)多由單片機(jī)完成。該方式缺點(diǎn)是接口繁瑣、速度慢，且不易在高溫、高壓等惡劣環(huán)境下工作[1]。采用一種新型直流電機(jī)控制器——DSP 控制器解決了單片機(jī)控制的缺點(diǎn)，其具備很多優(yōu)點(diǎn)，該控制器
2025-03-25 15:25:44
為設(shè)計(jì)一種低成本、抗干擾、穩(wěn)定可靠的 AGV，提出一種基于磁帶導(dǎo)航的 AGV 系統(tǒng)。采用 Megawin 公司的80C51單片機(jī)為控制核心，以并排對(duì)稱設(shè)計(jì)的霍爾傳感器實(shí)現(xiàn)循跡和糾偏，紅外光電傳感器
2025-03-25 15:10:23
電子計(jì)算機(jī)和大型電子系統(tǒng)的中央控制中樞。馮·諾依曼架構(gòu)以及現(xiàn)代計(jì)算機(jī)架構(gòu)如下圖所示。
目前的CPU采用多核技術(shù)。每個(gè)核心都包含運(yùn)算器、控制器和緩沖存儲(chǔ)器這三個(gè)部分。多個(gè)核心同時(shí)并行工作，就可以成倍地提高CPU
2025-03-23 09:47:39
隨著對(duì)移動(dòng)數(shù)據(jù)的需求持續(xù)增長，新市場(chǎng)和新應(yīng)用不斷涌現(xiàn)。正激式轉(zhuǎn)換器現(xiàn)在面臨著嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，尤其是這些新型無線電設(shè)計(jì)的輸出功率要求超過了500 W。本文提出了一種可堆疊和交錯(cuò)的多相高壓反相降壓-升壓控制器
2025-03-18 09:17:171993 
AD7581 是一款微處理器兼容的 8 位、8 通道、存儲(chǔ)器緩沖數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，采用單芯片 CMOS 芯片。它由一個(gè) 8 位逐次逼近型 A/D 轉(zhuǎn)換器、一個(gè) 8 通道多路復(fù)用器、8×8 雙端口 RAM
2025-03-17 10:39:29
STM32C031F4FLASH存儲(chǔ)器 讀寫例程 各位高能不能提供一個(gè)謝謝大家
2025-03-13 07:37:18
本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
海力士稱此舉是為了鞏固其作為全球領(lǐng)先 AI 芯片企業(yè)的地位。 SK 海力士稱其? CIS 團(tuán)隊(duì)擁有僅靠存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)無法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力 。而在存儲(chǔ)和邏輯半導(dǎo)體高度融合的今天，唯有將 CIS 團(tuán)隊(duì)和存儲(chǔ)部門聚合為一個(gè)整體，才能進(jìn)一步提升該企業(yè)的 AI 存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)力。 相較于
2025-03-06 18:26:161078 AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM)，存儲(chǔ)容量為8192字節(jié)，分為256頁，每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù)，自定時(shí)編程周期，支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:093 DS2502為1K位只添加存儲(chǔ)器，用于識(shí)別并存儲(chǔ)產(chǎn)品的相關(guān)信息。產(chǎn)品批號(hào)或特殊的產(chǎn)品信息可以通過最少的接口訪問—例如，微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2502具有一個(gè)工廠光刻注冊(cè)碼，其中包括：48位唯一
2025-02-28 10:15:151111 
禁止以實(shí)現(xiàn)寫保護(hù)，并且電池會(huì)開啟以向SRAM提供不間斷電源。特殊電路采用低泄漏CMOS工藝，能夠以超低的電池消耗提供高精度的電壓檢測(cè)。一個(gè)DS1321可支持多達(dá)四個(gè)以三種存儲(chǔ)器配置中的任意一種排列的SRAM。
2025-02-28 10:00:43985 
DS2505為16k位只添加存儲(chǔ)器，可以識(shí)別和存儲(chǔ)與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個(gè)標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品的信息可以通過最少的接口訪問，例如微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2505有一個(gè)工廠刻度的注冊(cè)碼，其中包括：48位
2025-02-27 16:31:151064 
DS28E80是一款用戶可編程的非易失性存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了抗伽馬輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80有248字節(jié)的用戶內(nèi)存，這些內(nèi)存以8字節(jié)為單位進(jìn)行組織。單個(gè)塊可以
2025-02-26 11:43:101138 
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡(jiǎn)稱DS199x）是堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲(chǔ)器和可選的計(jì)時(shí)功能為存儲(chǔ)和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡(jiǎn)稱DS199x)是堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲(chǔ)器和可選的計(jì)時(shí)功能為存儲(chǔ)和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:32:24881 
DS1996 Memory iButton是一種堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，可作為本地化的數(shù)據(jù)庫，使用最少的硬件即可輕松訪問。非易失性存儲(chǔ)器為存儲(chǔ)和檢索與iButton所連接的對(duì)象相關(guān)的重要信息提供了一種
2025-02-26 10:17:41871 
?MSP430F5325IPNR?是一款16位低功耗微控制器，屬于MSP430系列。該微控制器具有以下主要特點(diǎn)和功能：
1、低功耗設(shè)計(jì)?：MSP430F5325IPNR采用低功耗設(shè)計(jì)，適合對(duì)能耗敏感
2025-02-21 14:59:12
：100-UFBGA（7x7）
明佳達(dá) STM8S103F3P3TR是一款8位微控制器，屬于STM8S系列中的一種。它具有高性能、低功耗和低成本的特點(diǎn)，適用于各種嵌入式系統(tǒng)的控制任務(wù)。
技術(shù)規(guī)格
核心
2025-02-20 17:53:42
旋轉(zhuǎn)編碼器選用國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器(?SF24C512)的5個(gè)理由
2025-02-20 09:42:03906 
特點(diǎn)入門級(jí)超低功耗STM32L051x6/8微控制器集成了高性能Arm Cortex-M0+ 32位RISC內(nèi)核（工作頻率為32 MHz）、存儲(chǔ)器保護(hù)單元 (MPU)、高速嵌入式存儲(chǔ)器（64 KB
2025-02-19 11:42:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶） SanDisk閃迪日前展示了其最新研發(fā)的高帶寬閃存（HBF），這是一種專為 AI 領(lǐng)域設(shè)計(jì)的新型存儲(chǔ)器架構(gòu)。 ? 圖源：閃迪官網(wǎng) ? 在設(shè)計(jì)上，HBF結(jié)合了3D
2025-02-19 00:51:004564 
特點(diǎn)STM32F103xx中等容量高性能系列，集成了工作頻率為72 MHz的高性能Arm Cortex-M3 32位RISC內(nèi)核、高速嵌入式存儲(chǔ)器（高達(dá)128 KB的Flash存儲(chǔ)器和20 KB
2025-02-18 18:01:14
未來發(fā)展趨勢(shì)。 DRAM 介紹 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，縮寫為 DRAM）是一種易失性存儲(chǔ)設(shè)備。這意味著，一旦停止供電，它所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。DRAM 的工作原理依賴于電容器來保存電荷，以此記錄數(shù)據(jù)。然而，電容器中的電荷會(huì)
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:42:49
? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），其特點(diǎn)是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲(chǔ)器的類型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲(chǔ)器
2025-02-13 12:42:142470 
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲(chǔ)器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
我們介紹了一種具有高增益（> 40 dB）和高飽和功率（> 21 dBm）的半導(dǎo)體光學(xué)放大器（SOA）芯片，其驅(qū)動(dòng)電流適中（1.3 A）。本文提出了一個(gè)用于優(yōu)化新型雙段SOA概念
2025-02-10 14:12:09982 
產(chǎn)品概述 STM STM32L073VZI6 是一款高性能的超低功耗 32 位微控制器，屬于 STM32 L 系列，專為便攜式和電池供電的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該微控制器基于 ARM
2025-02-09 22:29:50
產(chǎn)品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲(chǔ)器，具有 32Mb 的存儲(chǔ)容量，采用 SPI 接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。該產(chǎn)品專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供快速的數(shù)據(jù)讀寫能力
2025-02-09 22:26:30
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
來自斯坦福大學(xué)和韓國Ajou大學(xué)的科學(xué)家們?cè)凇禨cience》雜志上發(fā)表了一項(xiàng)開創(chuàng)性的研究成果。他們發(fā)現(xiàn)了一種新型的非晶態(tài)NbP半金屬薄膜，其電阻率隨著薄膜厚度的減小而顯著降低，這一現(xiàn)象與傳統(tǒng)金屬
2025-02-07 10:08:541262 
在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）與只讀存儲(chǔ)器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲(chǔ)器的歸屬問題，即它是否屬于RAM或ROM，同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲(chǔ)器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 存儲(chǔ)器則通過引入創(chuàng)新的擦除編程電路技術(shù)和高速靈敏度放大器，實(shí)現(xiàn)了對(duì)所有存儲(chǔ)單元的同時(shí)、快速擦除。這種高效的擦除速度，使得閃速存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)更新和維護(hù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，因此被形象地稱為“閃速”。
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001449 高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲(chǔ)器（RAM）有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中，Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間，用于存儲(chǔ)CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395 隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，特別是大規(guī)模語言模型（如ChatGPT和Sora）的出現(xiàn)，對(duì)數(shù)據(jù)處理能力和存儲(chǔ)技術(shù)提出了全新的需求。傳統(tǒng)存儲(chǔ)器架構(gòu)在能效比和計(jì)算效率上的限制，逐漸成為瓶頸。如何實(shí)現(xiàn)更高
2025-01-23 17:30:312078 
近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，全球NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)。為應(yīng)對(duì)這一不利局面，各大存儲(chǔ)器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施，旨在平衡市場(chǎng)供求關(guān)系，進(jìn)而穩(wěn)定
2025-01-20 14:43:551095 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-271: 高速緩沖存儲(chǔ)器在Blackfin處理器中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:18:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286：SDRAM存儲(chǔ)器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 15:47:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-184：將EPSON S1D13806存儲(chǔ)器顯示控制器與Blackfin處理器連接.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 14:27:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-213：Blackfin處理器通過異步存儲(chǔ)器接口進(jìn)行主機(jī)通信.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 10:09:190
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