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鍍銀層氧化失效分析

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MDD穩(wěn)壓二極管失效模式分析:開路、熱擊穿與漏電問題排查

在電子系統(tǒng)中,MDD穩(wěn)壓二極管(ZenerDiode)憑借其在反向擊穿區(qū)域的穩(wěn)定電壓特性,被廣泛應用于電壓參考、過壓保護和穩(wěn)壓電路中。然而在實際應用中,穩(wěn)壓管并非“永不失手”。其失效往往會直接影響
2025-05-16 09:56:081095

離子研磨在芯片失效分析中的應用

芯片失效分析中對芯片的截面進行觀察,需要對樣品進行截面研磨達到要觀察的位置,而后再采用光學顯微鏡(OM Optical Microscopy)或者掃描電子顯微(SEM Scanning Electron Microscopy)進行形貌觀察。
2025-05-15 13:59:001657

過電壓保護器與氧化鋅避雷器之間-工作原理與作用對比分析

過電壓保護器和氧化鋅避雷器(MOA)均用于電力系統(tǒng)的過電壓防護,但兩者在原理、功能和應用場景上存在顯著差異。以下從工作原理、核心作用及實際應用角度進行對比分析: 1. 工作原理對比 (1)氧化
2025-05-13 16:53:35876

HDMI接口芯片失效原因分析和HDMI接口芯片改善措施與選型

HDMI接口芯片 失效原因分析和改善措施 ? ? HDMI,全稱 High Definition Multimedia Interface, 即高清多媒體接口。自問世以來,HDMI 歷經了多次版本
2025-05-09 11:16:1330891

元器件失效分析有哪些方法?

失效分析的定義與目標失效分析是對失效電子元器件進行診斷的過程。其核心目標是確定失效模式和失效機理。失效模式指的是我們觀察到的失效現象和形式,例如開路、短路、參數漂移、功能失效等;而失效機理則是指導
2025-05-08 14:30:23910

提供半導體工藝可靠性測試-WLR晶圓可靠性測試

和有源區(qū)連接孔在電流應力下的失效。 氧化完整性:測試結構檢測氧化因缺陷或高電場導致的擊穿。 熱載流子注入:評估MOS管和雙極晶體管絕緣因載流子注入導致的閾值電壓漂移、漏電流增大。 連接可靠性——鍵合
2025-05-07 20:34:21

向電源行業(yè)的功率器件專家致敬:拆穿海外IGBT模塊廠商失效報告造假!

模塊失效分析中的不當行為,維護了行業(yè)信譽與國家尊嚴,這一過程不僅涉及精密的技術驗證,更體現了國產供應鏈從被動依賴到主動主導的轉變。以下從技術對抗、商業(yè)博弈、產業(yè)升級角度展開分析: 一、事件本質:中國電力電子行業(yè)功率器
2025-04-27 16:21:50564

LED燈珠變色發(fā)黑與失效原因分析

LED光源發(fā)黑現象LED光源以其高效、節(jié)能、環(huán)保的特性,在照明領域得到了廣泛應用。然而,LED光源在使用過程中出現的發(fā)黑現象,卻成為了影響其性能和壽命的重要因素。LED光源黑化的多重原因分析LED
2025-04-27 15:47:072224

鍍銀銅編織帶軟連接

鍍銀銅編織帶軟連接作為一種重要的導電材料,在電力、電子、新能源等領域有著廣泛的應用。這種材料結合了銅的優(yōu)良導電性和銀的抗氧化性能,通過特殊的編織工藝制成柔性連接件,能夠有效解決設備振動、熱脹冷縮等
2025-04-26 10:22:42668

破局SiC封裝瓶頸 | 攻克模組失效分析全流程問題

分析方面面臨諸多挑戰(zhàn),尤其是在化學開封、X-Ray和聲掃等測試環(huán)節(jié),國內技術尚不成熟。基于此,廣電計量集成電路測試與分析研究所推出了先進封裝SiC功率模組失效分析
2025-04-25 13:41:41746

MOSFET失效原因及對策

溫成因· 過流§ 輸入端保護二極管電流容限僅約 1mA,瞬態(tài)電流超過 10mA(如浪涌、負載突變)時,二極管過熱燒毀,失去保護作用。 過壓§ 柵極電壓超過額定值(如驅動電路故障),導致氧化擊穿;漏源
2025-04-23 14:49:27

基于激光摻雜與氧化厚度調控的IBC電池背表面場區(qū)圖案化技術解析

IBC太陽能電池因其背面全電極設計,可消除前表面金屬遮擋損失,成為硅基光伏技術的效率標桿。然而,傳統(tǒng)圖案化技術(如光刻、激光燒蝕)存在工藝復雜或硅基損傷等問題。本研究創(chuàng)新性地結合激光摻雜與濕法氧化
2025-04-23 09:03:43722

MDD超快恢復二極管的典型失效模式分析:如何避免過熱與短路?

使用環(huán)境導致失效,常見的失效模式主要包括過熱失效和短路失效。1.過熱失效及其規(guī)避措施過熱失效通常是由于功率損耗過大、散熱不良或工作環(huán)境溫度過高導致的。主要成因包括:正向
2025-04-11 09:52:17685

電子元器件失效分析與典型案例(全彩版)

本資料共分兩篇,第一篇為基礎篇,主要介紹了電子元器件失效分析基本概念、程序、技術及儀器設備;第二篇為案例篇,主要介紹了九類元器件的失效特點、失效模式和失效機理以及有效的預防和控制措施,并給出九類
2025-04-10 17:43:54

詳解半導體集成電路的失效機理

半導體集成電路失效機理中除了與封裝有關的失效機理以外,還有與應用有關的失效機理。
2025-03-25 15:41:371791

HDI板激光盲孔底部開路失效原因分析

高密度互聯(HDI)板的激光盲孔技術是5G、AI芯片的關鍵工藝,但孔底開路失效卻讓無數工程師頭疼!SGS微電子實驗室憑借在失效分析領域的豐富經驗,總結了一些失效分析經典案例,旨在為工程師提供更優(yōu)
2025-03-24 10:45:391271

PCB失效分析技術:保障電子信息產品可靠性

問題。為了確保PCB的質量和可靠性,失效分析技術顯得尤為重要。外觀檢查外觀檢查是失效分析的第一步,通過目測或借助簡單儀器(如立體顯微鏡、金相顯微鏡或放大鏡)對PC
2025-03-17 16:30:54935

封裝失效分析的流程、方法及設備

本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機理的統(tǒng)計,然后詳細介紹了封裝失效分析的流程、方法及設備。
2025-03-13 14:45:411819

太誘電容的失效分析:裂紋與短路問題

太誘電容的失效分析,特別是針對裂紋與短路問題,需要從多個角度進行深入探討。以下是對這兩個問題的詳細分析: 一、裂紋問題 裂紋成因 : 熱膨脹系數差異 :電容器的各個組成部分(如陶瓷介質、端電極
2025-03-12 15:40:021222

5G時代:高頻PCB對抗氧化銅箔的新要求

銅箔技術吧。 普通銅箔暴露在空氣中會迅速氧化,形成氧化,導致導電性能下降和焊接困難。抗氧化銅箔通過在銅表面形成致密的保護,有效阻隔氧氣和濕氣的侵蝕。這種保護通常由有機化合物或金屬合金構成,既要保證良好的導電
2025-03-10 15:05:23641

高密度封裝失效分析關鍵技術和方法

高密度封裝技術在近些年迅猛發(fā)展,同時也給失效分析過程帶來新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結構復雜、線寬微小的高密度封裝分析需求,需要針對具體分析對象對分析手法進行調整和改進。
2025-03-05 11:07:531289

FIBBR菲伯爾鍍銀DP80電競線 | 次世代顯卡的理想伙伴

顯得尤為重要。菲伯爾FIBBR鍍銀DP80電競線,正是為追求高水準游戲體驗的玩家所設計的一款優(yōu)選產品。為何50系顯卡用戶傾向于選擇鍍銀DP80電競線?DP2.1接
2025-02-28 15:22:37803

厚度臺階高度測量儀

相匹配的電信號并最終轉換為數字點云信號,數據點云信號在分析軟件中呈現并使用不同的分析工具來獲取相應的臺階高或粗糙度等有關表面質量的數據。 NS系列膜厚度
2025-02-21 14:05:13

DLPC3433部分DSI失效的原因?如何解決?

部分板子,在無法實現第4步,始終無法顯示系統(tǒng)輸出的DSI,接入后,仍然是馬賽克圖案。 我們可以確保我們輸出的DSI沒有問題,因為正常板子是可以輸出完整的DSI視頻信息,同時我們是同一批生產的板子,目前出現不一致的情況。 請求幫助: 分析DLPC3433部分DSI失效的原因,以及改進的措施
2025-02-21 07:24:24

芯片失效分析的方法和流程

? 本文介紹了芯片失效分析的方法和流程,舉例了典型失效案例流程,總結了芯片失效分析關鍵技術面臨的挑戰(zhàn)和對策,并總結了芯片失效分析的注意事項。 ? ? 芯片失效分析是一個系統(tǒng)性工程,需要結合電學測試
2025-02-19 09:44:162908

電纜護環(huán)流數據分析系統(tǒng):能否助力電網運維智能化

產品別名: 電纜護接地環(huán)流監(jiān)測裝置、電纜護環(huán)流預警系統(tǒng)、智能電纜護環(huán)流監(jiān)測裝置、電纜護環(huán)流數據分析系統(tǒng) 產品型號: TLKS-PLGD 一、產品描述: 隨著智能電網技術的不斷進步,電力運維
2025-02-18 17:47:14763

VirtualLab Fusion應用:氧化硅膜的可變角橢圓偏振光譜(VASE)分析

VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對于系統(tǒng)的參數,我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
2025-02-05 09:35:38

雪崩失效和過壓擊穿哪個先發(fā)生

在電子與電氣工程領域,雪崩失效與過壓擊穿是兩種常見的器件失效模式,它們對電路的穩(wěn)定性和可靠性構成了嚴重威脅。盡管這兩種失效模式在本質上是不同的,但它們之間存在一定的聯系和相互影響。本文將深入探討雪崩失效與過壓擊穿的發(fā)生順序、機制、影響因素及預防措施,為技術人員提供全面、準確的技術指導。
2025-01-30 15:53:001271

選擇性氧化知識介紹

采用氧化局限技術制作面射型雷射元件最關鍵的差異在于磊晶成長時就必須在活性附近成長鋁含量莫耳分率高于95%的砷化鋁鎵,依據眾多研究團隊經驗顯示,最佳的鋁含量比例為98%,主要原因在于這個比例的氧化
2025-01-23 11:02:331085

VirtualLab Fusion案例:鏡面膜對脈沖特性的影響

摘要 隨著超快光學領域新技術的出現,向目標發(fā)射超短脈沖已成為一項越來越重要的任務。為此,通常使用帶有金屬或電介質鍍膜的鏡子。因此,研究所選類型的反射鏡對傳播脈沖特性的影響具有特別重要的意義。在這
2025-01-21 09:53:48

PCB及PCBA失效分析的流程與方法

PCB失效分析:步驟與技術作為各種元器件的載體與電路信號傳輸的樞紐PCB(PrintedCircuitBoard,印刷電路板)已經成為電子信息產品的最為重要而關鍵的部分,其質量的好壞與可靠性水平決定
2025-01-20 17:47:011696

整流二極管失效分析方法

整流二極管失效分析方法主要包括對失效原因的分析以及具體的檢測方法。 一、失效原因分析 防雷、過電壓保護措施不力 : 整流裝置未設置防雷、過電壓保護裝置,或保護裝置工作不可靠,可能因雷擊或過電壓而損壞
2025-01-15 09:16:581589

LED失效分析重要手段——光熱分布檢測

光熱分布檢測意義在LED失效分析領域,光熱分布檢測技術扮演著至關重要的角色。LED作為一種高效的照明技術,其性能和壽命受到多種因素的影響,其中光和熱的分布情況尤為關鍵。光熱分布不均可能導致芯片界面
2025-01-14 12:01:24738

如何有效地開展EBSD失效分析

失效分析的重要性失效分析其核心任務是探究產品或構件在服役過程中出現的各種失效形式。這些失效形式涵蓋了疲勞斷裂、應力腐蝕開裂、環(huán)境應力開裂引發(fā)的脆性斷裂等諸多類型。深入剖析失效機理,有助于工程師
2025-01-09 11:01:46996

紅外 CO2(二氧化碳) 氣體傳感器和分析模組

隨著科技的進步,人們對于生活以及身體健康關注越來越高。CO2(二氧化碳)是地球大氣的重要組成部分,與人類生活息息相關。關注CO2(二氧化碳)氣體,監(jiān)測CO2(二氧化碳)氣體至關重要。CO2(二氧化碳)傳感器的應用領域和選擇方案值得我們關注。
2025-01-07 17:01:091187

PCBA三防漆工藝腐蝕失效分析

三防漆也叫保固型涂層(Conformal Coating),是指增加一防護涂層來保護產品、提高產品的可靠性,三防漆起著隔離電子元件和電路基板與惡劣環(huán)境的作用。性能優(yōu)異的三防漆可以大大提高電子產品
2025-01-06 18:12:041060

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