鋅銀電池
鋅銀電池通稱為銀鋅電池，采用氫氧化鉀或氫氧化鈉為電解液，由銀作正極材料，鋅作負極材料。由銀制成的正極上的活性物質(zhì)是多孔性銀，由鋅制成的
2009-12-15 11:04:00
7480 引言 在太陽能電池工業(yè)中，最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而，IPA是有毒的，而且相對昂貴，因此人們正在努力取代它。在過去的幾年中，硅異質(zhì)結(jié)(SHJ
2022-01-05 11:21:021565 
硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻，通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強烈依賴性，可以以高度可控和可重復(fù)的方式制備多種硅
2022-03-08 14:07:252479 
濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在氫氟酸-硝酸-H2O的酸性溶液中進行化學(xué)蝕刻來
2022-03-28 14:20:491574 
效的顆粒去除劑。這種混合物也被稱為氫氧化胺、過氧化氫混合物(APM)。SC-I溶液通過蝕刻顆粒下面的晶片來促進顆粒去除；從而松動顆粒，使機械力可以很容易地從晶圓表面去除顆粒。
2022-03-29 14:56:213119 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
項工作中，使用光刻和蝕刻技術(shù)將晶體硅(c- Si)晶片深度蝕刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻膠，使用四甲基氫氧化銨(TMAH)濕法各向異性蝕刻和基于等離子體的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蝕刻的制造層。4英寸c-Si晶片的TMAH蝕刻在80℃的溫度
2022-06-10 17:22:589764 
引言 過氧化氫被認為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1，S(2或
2022-07-07 17:16:445266 
。二氧化硅通過分別用于微米和納米鰭的光和電子束光刻形成圖案，隨后在氫氟酸中進行濕法蝕刻。使用用異丙醇(IPA)稀釋的四甲基氫氧化銨(TMAH)以及具有表面活性劑(Triton-X-100)的硅摻雜TMAH
2022-07-08 15:46:162154 
蝕刻機理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因為不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚的硅晶片的成本效益和可再現(xiàn)性。在MACE期間
2022-07-14 17:19:331868 
晶片邊緣的蝕刻機臺，特別是能有效地蝕刻去除晶片邊緣劍山的一種蝕刻機，在動態(tài)隨機存取存儲單元(dynamic random access memory，DRAM)的制造過程中，為了提高產(chǎn)率，便采用
2018-03-16 11:53:10
下方的蝕刻速率遠高于沒有金屬時的蝕刻速率，因此當半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時，金屬層會下降到半導(dǎo)體中。4 本報告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
氧化物）中的高質(zhì)量電介質(zhì)。此外，在加工過程中，熱生長的氧化物可用作注入、擴散和蝕刻掩模。硅作為微電子材料的優(yōu)勢可歸因于這種高質(zhì)量原生氧化物的存在以及由此產(chǎn)生的接近理想的硅/氧化物界面。濕法蝕刻包括
2021-07-06 09:32:40
陽極偏壓光照下，在氫氧化鉀、硫酸和鹽酸溶液中的腐蝕速率測量結(jié)果。這項研究的目的是了解在這些不同的環(huán)境下，氮化鎵蝕刻的動力學(xué)和機制。蝕刻后半導(dǎo)體表面的表面分析提供了關(guān)于蝕刻過程的附加信息。 實驗 蝕刻
2021-10-13 14:43:35
損傷并平滑垂直側(cè)壁。圖中。 在 TMAH 溶液中化學(xué)拋光不同時間后的 GaN m 面和 a 面?zhèn)缺诘?SEM 圖像。(a) 六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的晶胞示意圖。(b) 鳥瞰圖（傾斜于20°) ICP 干法蝕刻
2021-07-09 10:21:36
氫氧化鉀在 Si中的蝕刻得到垂直表面（例如，高表面張力影響結(jié)晶硅平面的蝕刻），而氫氧化四甲基銨得到 45° 的側(cè)壁。我們通過創(chuàng)建微鏡陣列來說明這些制造結(jié)構(gòu)的使用，這些微鏡陣列使光束能夠從 45
2021-07-19 11:03:23
環(huán)境，使用的是對人體乃至對機械都有傷害的介質(zhì)。例如硫酸、鹽酸、硝酸和堿性的氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣液體等都是腐蝕性液體。當然還有很多的包括腐蝕性氣體。中昊傳感器解決方案專家，有傳感器問題找中昊！`
2017-08-10 09:40:04
，正極材料是二氧化錳，電解液是氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液。它的構(gòu)造中間是由鋅粉壓制的圓柱狀負極，其外纏裹著浸滿氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液的纖維材料，再外是由二氧化錳、碳粉及氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液組成的正極。電池的外殼由惰性金屬制成與正極相連，電池的負極通過集電針與電池底部相連
2010-03-25 11:02:34
氫氧燃料電池有兩個燃料入口，氫及氧各由一個入口進入電池，中間則有一組多孔性石墨電極，電解質(zhì)則位于碳陰極及碳陽極中央。氫氣經(jīng)由多孔性碳陽極進入電極中央的氫氧化鉀電解質(zhì)，在接觸后進行氧化，產(chǎn)生水及電子。
2019-10-22 09:11:55
鋁坩堝作為熱分析儀中主要的配套工具，作為樣品的載體。鋁為銀白色金屬，由于表面形氧化層而保護其不與空氣和水起反應(yīng)，易溶于稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶于水。相對密度2.70。熔點
2022-01-06 15:13:51
鋁坩堝作為熱分析儀中主要的配套工具，作為樣品的載體。鋁為銀白色金屬，由于表面形氧化層而保護其不與空氣和水起反應(yīng)，易溶于稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶于水
2022-06-29 16:04:56
鋁坩堝作為熱分析儀中主要的配套工具，作為樣品的載體。鋁為銀白色金屬，由于表面形氧化層而保護其不與空氣和水起反應(yīng)，易溶于稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶于水。相對密度2.70。熔點
2023-09-27 11:34:57
什么是鋅汞電池?
以鋅為負極，氧化汞為正極，氫氧化鉀溶液為電
2009-10-28 13:56:071221 鎳鎘電池電解液中氫氧化鋰的作用
降低自放電; 提高循環(huán)壽命；提高電池的容量---這是因為，氫氧化鋰能吸附在活性物質(zhì)顆粒周圍，阻止顆粒變大，
2009-11-05 17:12:222083 氫氧化亞鎳的性質(zhì)
氫氧化亞鎳【Ni（OH）2】屬于層狀化合物，層間有水分子和其它陰陽離子，其分子中帶有兩個分子的結(jié)晶水，成為綠色粉末狀物質(zhì)
2009-11-05 17:26:144910
什么是鋅汞電池？ 以鋅為負極，氧化汞為正極，氫氧化鉀溶液為電解液
2009-11-09 09:33:111316 片狀氫氧化鎳的合成及電化學(xué)性能研究淺談
摘要：本文以氨水為配位劑，用配位沉淀法制備了片狀氫氧化鎳，用SEM、XRD等手段表征材
2009-12-07 09:27:472468 鋅空動力電池
鋅空氣電池是由鋅粉、碳電極和氫氧化鉀溶液組成，空氣
2009-12-16 08:46:442696 什么是鋅空動力電池?
鋅空氣電池是由鋅粉、碳電極和氫氧化鉀溶液組成，空氣中的氧和碳電極接觸發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生電能，其中鋅
2009-12-16 08:48:23961 鋁空氣電池的化學(xué)反應(yīng)與鋅空氣電池類似，鋁空氣電池以高純度鋁Al（含鋁99.99%）為負極、氧為正極，以氫氧化鉀（KOH）或氫氧化鈉（NaOH）水溶液為電解質(zhì)。鋁攝取空氣中的氧，在電池放電時產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，鋁和氧作用轉(zhuǎn)化為氧化鋁。
2017-12-19 18:12:2437159 
鋁空氣電池的化學(xué)反應(yīng)與鋅空氣電池類似，鋁空氣電池以高純度鋁Al（含鋁99.99%）為負極、氧為正極，以氫氧化鉀（KOH）或氫氧化鈉（NaOH）水溶液為電解質(zhì)。鋁攝取空氣中的氧，在電池放電時產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，鋁和氧作用轉(zhuǎn)化為氧化鋁。
2017-12-19 19:10:2010152 鋁空氣電池的化學(xué)反應(yīng)與鋅空氣電池類似，鋁空氣電池以高純度鋁Al（含鋁99.99%）為負極、氧為正極，以氫氧化鉀（KOH）或氫氧化鈉（NaOH）水溶液為電解質(zhì)。鋁攝取空氣中的氧，在電池放電時產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，鋁和氧作用轉(zhuǎn)化為氧化鋁。
2017-12-19 19:25:0932273 
銀鋅蓄電池電動勢的變化，主要受正極板的化學(xué)反應(yīng)階段性影響，而與電解液的密度無關(guān)。 銀鋅蓄電池正、負極的電極電位φ與氫氧化鉀百分比濃度N的關(guān)系如圖1所示。從圖中可以看出氫氧化鉀濃度變化（相當于密度變化）時，正、負極的電極電位都要變化
2018-01-27 10:38:0260439 鋁空氣電池的化學(xué)反應(yīng)與鋅空氣電池類似，鋁空氣電池以高純度鋁Al（含鋁99.99%）為負極、氧為正極，以氫氧化鉀（KOH）或氫氧化鈉（NaOH）水溶液為電解質(zhì)。鋁攝取空氣中的氧，在電池放電時產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，鋁和氧作用轉(zhuǎn)化為氧化鋁。
2018-03-12 09:05:376618 鋁空氣電池的化學(xué)反應(yīng)與鋅空氣電池類似，鋁空氣電池以高純度鋁Al（含鋁99.99%）為負極、氧為正極，以氫氧化鉀或氫氧化鈉水溶液為電解質(zhì)。
2018-03-12 09:20:1523548 從上圖我們不難發(fā)現(xiàn)，氫氧化鋰電池級的應(yīng)用正在逐年增加。尤其是近兩年，其產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)相較十年前，可以說是發(fā)生了巨變。氫氧化鋰在電池上的應(yīng)用，體現(xiàn)在其使高鎳三元材料具備高能量密度和更好的充放電性能。使用氫氧化鋰作為鋰原材料，首次放電容量高達172mAh/g。
2018-09-14 11:36:1417127 近五個月來，國內(nèi)碳酸鋰價格一路下行，連帶一直平穩(wěn)的金屬鋰價格有所下滑。但縱觀氫氧化鋰的行情，依然堅挺。目前，電池級氫氧化鋰與電池級碳酸鋰的價差最高達將近5萬元／噸。然而回顧2016年之前，電池級氫氧化鋰和電池級碳酸鋰的價格幾乎持平，可以說是不相上下。
2018-09-18 15:23:001999 以氫氧化鈉、氫氧化鉀溶液作電介質(zhì)的蓄電池。一般用于通信、電子計算機、小功率電子儀器作直流電源;也適用于變、配電所繼電保護、斷路器分合閘和信號回路的直流電源。
2019-11-25 15:37:056691 、化成或涂膏、烘干、壓片等方法制成極板；用聚酰胺非織布等材料作隔離層；用氫氧化鉀水溶液作電解質(zhì)溶液；電極經(jīng)卷繞或疊合組裝在塑料或鍍鎳鋼殼內(nèi)。
2019-12-03 09:20:0812516 堿性鋅錳電池是以鋅為負極，二氧化錳為正極，氫氧化鈉或氫氧化鉀為電解質(zhì)，采取反極式結(jié)構(gòu)制成的電池。
2020-04-16 10:24:094769 堿性鋅錳電池供以氫氧化鉀水溶液等堿性物質(zhì)作電解質(zhì)的鋅錳電池，是中性鋅錳電池的改良型。
2020-04-16 10:33:546901 第一，電池級氫氧化鋰產(chǎn)品在磁物、硫酸根、鈉離子等雜質(zhì)指標上全面嚴于電池級碳酸鋰；生產(chǎn)出高品質(zhì)的氫氧化鋰既要求擁有優(yōu)質(zhì)、穩(wěn)定的上游資源保障，還要求具備鋰化工環(huán)節(jié)的Know-how，未來對生產(chǎn)線的自動化也將提出更高的要求。
2020-08-20 14:08:066414 SMM10月23日訊：據(jù)稱，LME確定選用氫氧化鋰作為鋰期貨合約標的，并于明年上半年推出。 碳酸鋰或氫氧化鋰可用于電動汽車可充電電池。氫氧化鋰更具優(yōu)勢，因為它可以提供更大的電池容量和更長的使用壽命
2020-10-23 17:40:373777 碳酸鋰和氫氧化鋰都是電池的原材料，市場上，碳酸鋰的價格一直都比氫氧化鋰更低一些。這兩種材料有何區(qū)別？首先，從制備工藝方面看，兩者都可以從鋰輝石中提取，成本相差不大，但是如果兩者互相轉(zhuǎn)換，則需要額外的成本和設(shè)備，性價比不高
2020-12-25 19:28:563488 碳酸鋰和氫氧化鋰都是電池的原材料，市場上，碳酸鋰的價格一直都比氫氧化鋰更低一些。這兩種材料有何區(qū)別？
2021-03-18 00:26:44
13 氫氧化鈉，無機化合物，化學(xué)式NaOH，也稱苛性鈉、燒堿、固堿、火堿、苛性蘇打，可作酸中和劑、 配合掩蔽劑、沉淀劑、沉淀掩蔽劑、顯色劑、皂化劑、去皮劑、洗滌劑等，用途非常廣泛。氫氧化鈉具有強堿性和有
2021-05-28 15:59:412380 我們?nèi)A林科納研究了不同醇類添加劑對氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低，通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性，并導(dǎo)致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:531194 。在堿性溶液中，TMAH和KOH最廣泛地用于濕法各向異性蝕刻。當考慮到互補金屬氧化物半導(dǎo)體的兼容性，并且熱氧化物被用作掩模層時，使用解決方案。為了獲得和氫氧化鉀之間的高蝕刻選擇性。 即R和Si的顯著蝕刻速率，氫氧化鉀優(yōu)于
2021-12-28 16:36:402146 
介紹 于大多數(shù)半導(dǎo)體而言，陽極氧化需要價帶空穴。因此，人們期望該反應(yīng)發(fā)生在黑暗中的p型半導(dǎo)體和僅在(超)帶隙光照射下的n型半導(dǎo)體。 氫氧化鉀溶液中硅的化學(xué)蝕刻包括兩個主要步驟:氫氧化物催化的硅-氫
2021-12-31 15:23:35906 
隨機金字塔覆蓋的紋理。蝕刻速率和紋理化工藝取決于鍍液溫度、氫氧化鉀濃度、硅濃度和異丙醇濃度等。在此過程中，由于異丙醇的沸點較低(82℃)，鍍液的組成發(fā)生了變化。在這個過程中它很容易蒸發(fā)，必須定期重做。為了簡化添加劑和獲得更高的初
2022-01-04 17:13:201502 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:333264 
引言 本文介紹了表面紋理對硅晶圓光學(xué)和光捕獲特性影響。表面紋理由氫氧化鉀(KOH)和異丙醇(IPA)溶液的各向異性蝕刻來控制。（001）晶硅晶片的各向異性蝕刻導(dǎo)致晶片表面形成金字塔面。利用輪廓測量法
2022-01-11 14:41:581824 
上降低了(100)和(h11)面的蝕刻速率。 為了在低氫氧化鉀濃度下獲得低粗糙度的(100)表面，蝕刻溶液必須含有飽和水平的異丙醇。在我們的研究中，我們研究了異丙醇濃度對具有不同晶體取向的硅襯底的蝕刻速率和表面形態(tài)的影響。還研究了氫氧化鉀濃度對(
2022-01-13 13:47:262752 
引言 濕化學(xué)蝕刻是制造硅太陽能電池的關(guān)鍵工藝步驟。為了蝕刻單晶硅，氫氧化鉀溶液被廣泛使用，因為它們可以形成具有隨機金字塔的表面紋理，從而增強單晶硅晶片的光吸收。對于多晶硅晶片，表面紋理化通常通過在含
2022-01-13 14:47:191346 
根粗糙度在16nm之間，在尖晶石基質(zhì)上生長的氮化鎵的均方根粒度在11和0.3nm之間。 雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)基于氫氧化鉀的溶液可以蝕刻氮化鋁和氮化銦錫，但之前還沒有發(fā)現(xiàn)能夠蝕刻高質(zhì)量氮化鎵的酸或堿溶液.在這篇文章中，我們使用乙二醇代替水作
2022-01-17 15:38:052087 
介紹 在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究
2022-01-20 16:46:481197 
本文探討了紫外輻照對生長在藍寶石襯底上的非有意摻雜n型氮化鎵(GaN)層的濕法化學(xué)刻蝕的影響。實驗過程中，我們發(fā)現(xiàn)氮化鎵的蝕刻發(fā)生在pH值分別為2-1和11-15的磷酸水溶液和氫氧化鉀溶液中。在稀釋
2022-01-24 16:30:311662 
索引術(shù)語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。 介紹 光電
2022-02-07 14:35:422181 
基于HC1的蝕刻劑被廣泛應(yīng)用于InP半導(dǎo)體器件，HC1溶液中其他酸的存在對蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡單氧化劑的傳統(tǒng)蝕刻劑中，為了解決溶解機理的問題，我們江蘇華林科納研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蝕作用和電化學(xué)反應(yīng)。
2022-02-09 10:54:581600 
的抗激光損傷能力。這種比較是在高損傷閾值拋光熔融石英光學(xué)器件上設(shè)計的劃痕上進行的。我們證明氫氧化鉀和氫氟酸/硝酸溶液都能有效鈍化劃痕，從而提高其損傷閾值，達到拋光表面的水平。還研究了這些濕蝕刻對表面粗糙度和外觀的影響。我們表明，在
2022-02-24 16:26:034173 
在 KOH 水溶液中進行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測量法使用掩膜樣品進行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60 時 1–5 M
2022-03-04 15:07:091824 
，在實現(xiàn)晶片通孔互聯(lián)的情況下，圓角是必須的。尖角增加了光致抗蝕劑破裂的風(fēng)險，光致抗蝕劑破裂用于圖案化下面的金屬。因此，了解最常見的各向異性蝕刻劑（氫氧化鉀）的蝕刻行為以及圓角的形狀非常重要。本文通過蝕刻
2022-03-07 15:26:14966 
在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:421074 
高度光滑表面光潔度的45個反射鏡。在這項工作中，我們使用了一種CMOS兼容的各向異性蝕刻劑，含有四甲基氫氧化銨(TMAH)和少量(0.1% v/v)的非離子表面活性劑(NC-200)，含有100%的聚氧
2022-03-14 10:51:421371 
本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機殘差。
2022-03-16 13:08:091159 
利用氫氧化鉀蝕刻和銀催化蝕刻，在晶體硅片上生成了錐體分層結(jié)構(gòu)，經(jīng)氟化后表現(xiàn)出較強的抗反射和超疏水性，利用紫外輔助壓印光刻技術(shù)將分層硅結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到NOA63薄膜上，制備了一種柔性超疏水襯底，該方法在光學(xué)
2022-03-17 14:34:231034 
本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。
2022-03-17 15:42:561827 本文根據(jù)測量的OCP和平帶電壓，構(gòu)建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖，進行了輸入電壓特性的測量來驗證這些能帶圖，硅在陽極偏置下的鈍化作用歸因于氧化物膜的形成
2022-03-17 17:00:082042 
本文我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體有限公司研究了類似的現(xiàn)象是否發(fā)生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細研究了丁基醇濃度對（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響，并給出了異丙醇對氫氧化鉀溶液的蝕刻結(jié)果，為了研究醇分子在蝕刻溶液中的行為機理，我們還對溶液的表面張力進行了測量。
2022-03-18 13:53:01769 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
使用酸性或氟化物溶液對硅表面進行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結(jié)晶性
2022-03-18 16:43:111211 
在本研究中，我們研究了堿性后刻蝕表面形貌對p型單晶硅片少子壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和U-V-可見光-近紅外光學(xué)反射率
2022-03-21 13:16:471326 
通過電位學(xué)和電位步測量，研究了氫氧化鉀溶液中（100）和（111）電極的電化學(xué)氧化和鈍化過程。在不同的表面之間觀察到顯著的差異，對n型和p型電極的結(jié)果進行比較，得出堿性溶液中硅的電化學(xué)氧化必須
2022-03-22 15:36:401282 
在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進行了一系列的實驗，測量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00966 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:344201 
效的顆粒去除劑。這種混合物也被稱為氫氧化胺、過氧化氫混合物(APM)。SC-I溶液通過蝕刻顆粒下面的晶片來促進顆粒去除；從而松動顆粒，使機械力可以很容易地從晶圓表面去除顆粒。 本文將討論一個詳細的SC-I清洗的化學(xué)模型。了解導(dǎo)致氧化物同時生長和蝕刻的
2022-03-25 17:02:504270 
共有旋轉(zhuǎn)軸的多片晶片在蝕刻溶液中旋轉(zhuǎn)，通過化學(xué)反應(yīng)進行蝕刻的表面處理。在化學(xué)處理之后，晶片的平坦度，因此為了控制作為旋轉(zhuǎn)圓板的晶圓周邊的蝕刻溶液的流動，實際上進行了各種改進。例如圖1所示的同軸旋轉(zhuǎn)的多個圓板
2022-04-08 17:02:102777 
旋轉(zhuǎn)軸的多片晶片在蝕刻溶液中旋轉(zhuǎn)，通過化學(xué)反應(yīng)進行蝕刻的表面處理。在化學(xué)處理之后，晶片的平坦度，因此為了控制作為旋轉(zhuǎn)圓板的晶圓周邊的蝕刻溶液的流動，實際上進行了各種改進。例如圖1所示的同軸旋轉(zhuǎn)的多個圓板的配置為基礎(chǔ)，旋轉(zhuǎn)圓板和靜止圓板交替配置等。
2022-04-12 15:28:161531 
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對所有種類的硅晶片進行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:461415 
我們展示了在c平面藍寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達3.2mm/min。晶體學(xué)氮化鎵蝕刻平面為0001%，1010
2022-04-14 13:57:511880 
我們研究了堿性刻蝕表面形貌對p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和U-V-可見光-近紅外光學(xué)反射率來表征，而電學(xué)
2022-04-24 14:59:541064 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑
2022-05-05 16:37:364132 
本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場效應(yīng)晶體管中的鰭式溝道設(shè)計成直而光滑的溝道側(cè)壁的新技術(shù)。因此，詳細描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻；我們發(fā)現(xiàn)m-GaN平面比包括a-GaN平面在內(nèi)的其他取向
2022-05-05 16:38:032538 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:202627 我們介紹了在氫氧化鉀溶液中蝕刻的車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測量。數(shù)據(jù)表明，當使用貨車輪圖案時，存在反應(yīng)物耗盡效應(yīng)，這掩蓋了真實的表面反應(yīng)速率限制的蝕刻速率。與以前的報道相反，從受反應(yīng)物傳輸
2022-05-11 16:30:56659 
我們?nèi)A林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案，為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:245686 我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時間和刮刻載荷的影響，通過對比試驗，評價了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機理，各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時間
2022-05-20 16:37:453558 
本文講述了我們?nèi)A林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結(jié)處的成核的影響，以這種方式影響蝕刻或生長速率的結(jié)可以被
2022-05-20 17:12:591881 
引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測量它們的蝕刻速率。然后，基于測量數(shù)據(jù)，檢驗了凸角補償技術(shù)
2022-06-10 17:03:482252 
鎳氫電池是一種堿性電池，其負極采用由儲氫材料作為活性物質(zhì)的氫化物電極，正極采用氫氧化鎳電極（簡稱鎳電極），電解質(zhì)為氫氧化鉀水溶液。鎳氫電池充電時，氫氧化鉀電解液中的氫離子會被釋放出來，由這些化合物將它吸收，避免形成氫氣，以保持電池內(nèi)部的壓力和體積。
2022-09-07 14:51:0213271 堿性燃料電池（alkaline fuel cell，簡稱AFC）采用強堿（如氫氧化鉀、氫氧化鈉）為電解質(zhì)，氫氣為燃料，純氧或脫除微量二氧化碳的空氣為氧化劑。
2022-12-28 16:26:3410325 堿性燃料電池（alkaline fuel cell，簡稱AFC）采用強堿（如氫氧化鉀、氫氧化鈉）為電解質(zhì)，氫氣為燃料，純氧或脫除微量二氧化碳的空氣為氧化劑。
2022-12-29 10:37:347658 過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:403202 
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:015052 氫氧化鋁中的結(jié)晶水含量，高達34.46%，當周圍溫度上升到300℃以上，這些水分全部析出。由于水的比熱大，當其化為水蒸氣時需從周圍吸取大量熱能。氫氧化鎂也含結(jié)晶水，但含水率僅30.6%，不如氫氧化鋁。
2023-07-20 16:31:121537 由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:581043 
生活中我們經(jīng)常會看到氫氧化鈣的影子，它的應(yīng)用是非常廣泛的，能夠應(yīng)用在建筑、醫(yī)療、化工產(chǎn)品生產(chǎn)等多個領(lǐng)域，能夠滿足不同行業(yè)和領(lǐng)域的需求，從而讓具有多種功能的氫氧化鈣適應(yīng)不同場景使用要求。而今天我們說
2025-04-01 16:38:25507 
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