chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

電子發(fā)燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>導(dǎo)熱絕緣片成功解決虛擬同步機(jī)MOS管的發(fā)熱問(wèn)題

導(dǎo)熱絕緣片成功解決虛擬同步機(jī)MOS管的發(fā)熱問(wèn)題

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦

增強(qiáng)型MOS和耗盡型MOS之間的區(qū)別

MOS,全稱?金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體?(MOSFET),是一種通過(guò)柵極電壓控制源極與漏極之間電流的半導(dǎo)體器件。它屬于電壓控制型器件,輸入阻抗極高(可達(dá)1012Ω以上),具有低噪聲、低功耗
2026-01-05 11:42:0919

單片機(jī)遙控開(kāi)關(guān)mos介紹

實(shí)現(xiàn)對(duì)燈光的控制。 但如果想用Arduino或者單片機(jī)去控制燈泡的話,就需要使用MOS來(lái)替換開(kāi)關(guān)。我們把圖稍微轉(zhuǎn)換一下,我們可以看到MOS是有三個(gè)端口,即三個(gè)引腳,分別為Gate、Drain
2026-01-04 07:59:13

HC6N10成熟穩(wěn)定量大加濕器專用MOS 6N10 100V6A 皮實(shí)耐抗惠海

類型與N型硅相反,故又稱為P溝道。 特點(diǎn): 1.輸入電阻大:由于柵極與半導(dǎo)體表面之間有一層絕緣層,因此輸入電阻極大,可以達(dá)到幾,兆,歐姆基至更高 2.噪聲低:MOS的噪聲主要由溝道電阻和柵極泄漏
2025-12-30 11:19:00

五家國(guó)產(chǎn)MOS

在功率器件國(guó)產(chǎn)化浪潮之下,MOS(MOSFET)作為能量轉(zhuǎn)化的“核心開(kāi)關(guān)”,其自主可控與性能提升尤為重要。隨著電動(dòng)汽車、工業(yè)4.0、光伏儲(chǔ)能及高端消費(fèi)電子的飛速發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)于高可靠性、高效率
2025-12-27 10:33:49475

導(dǎo)熱吸波2.0mm熱傳導(dǎo)類型吸波材吸波散熱材料

導(dǎo)熱吸波2.0mm 熱傳導(dǎo)類型吸波材  吸波散熱材料導(dǎo)熱吸波材料可直接應(yīng)用于散熱和金屬外殼之間,能有效將熱能導(dǎo)出。同時(shí)具有電磁屏蔽及電磁雜波吸收性能,為電子通信產(chǎn)品在導(dǎo)熱和電磁屏蔽提供
2025-12-25 15:15:46

導(dǎo)熱吸波材料通訊設(shè)備網(wǎng)絡(luò)設(shè)備光通訊設(shè)備專用發(fā)熱元器件專用

的解決方案。通常用于 通信設(shè)備,網(wǎng)絡(luò)設(shè)備以及光通訊模塊等產(chǎn)品。  產(chǎn)品特性良好的導(dǎo)熱性柔軟性、高壓縮性自粘性易裁切、易使用性良好的絕緣性產(chǎn)品應(yīng)用I
2025-12-08 17:53:07

非硅型導(dǎo)熱吸波

非硅型導(dǎo)熱吸波
2025-12-05 17:38:29269

MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)如何讓MOS快速開(kāi)啟和關(guān)閉?

近期使用MOS進(jìn)行電路開(kāi)發(fā),需要MOS快速的電路開(kāi)合,應(yīng)該注意哪些事項(xiàng)?
2025-12-05 06:21:06

高頻MOS中米勒平臺(tái)的工作原理與實(shí)際影響

在高頻開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)中,很多工程師都會(huì)遇到這樣的問(wèn)題,明明給MOS柵極加了足夠的電壓,MOS卻要延遲一段時(shí)間才能完全導(dǎo)通,甚至出現(xiàn)柵極電壓停滯的情況。這其實(shí)和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體特有的米勒平臺(tái)有關(guān)
2025-12-03 16:15:531146

導(dǎo)熱硅膠片在電源散熱中的應(yīng)用與解決方案

電源的正常工作和穩(wěn)定性。 導(dǎo)熱硅膠片的特性與優(yōu)勢(shì) 導(dǎo)熱硅膠片是一種采用軟性硅膠導(dǎo)熱材料制成的界面縫隙填充墊片,具有良好的導(dǎo)熱能力、絕緣性能、柔軟而富有彈性等特點(diǎn)。 它被置于功率發(fā)熱器件與散熱結(jié)構(gòu)件
2025-11-27 15:04:46

MOS驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)熱原因和解決辦法

如上圖,MOS的工作狀態(tài)有4種情況,分別是開(kāi)通過(guò)程,導(dǎo)通過(guò)程,關(guān)斷過(guò)程和截止過(guò)程。
2025-11-26 14:34:502871

合科泰超結(jié)MOS與碳化硅MOS的區(qū)別

在電力電子領(lǐng)域,高壓功率器件的選擇直接影響系統(tǒng)的效率、成本與可靠性。對(duì)于工程師來(lái)說(shuō),超結(jié)MOS與碳化硅MOS的博弈始終是設(shè)計(jì)中的核心議題,兩者基于不同的材料與結(jié)構(gòu),在性能、成本與應(yīng)用場(chǎng)景中各有千秋,如何平衡成為關(guān)鍵。
2025-11-26 09:50:51557

mos選型注重的參數(shù)分享

1、最大漏源電壓(V(BR)DSSQ):這是MOS在關(guān)閉狀態(tài)時(shí),漏極和源極之間所能承受的最大電壓。選擇的MOS的V(BR)DSS應(yīng)該高于電路中可能出現(xiàn)的最大電壓,通常需要留有一定的裕量。 2
2025-11-20 08:26:30

如何解決導(dǎo)熱墊片的老化問(wèn)題?

電子設(shè)備運(yùn)行時(shí),元件發(fā)熱會(huì)導(dǎo)致性能下降。導(dǎo)熱墊片,它能填充元件與散熱器間的縫隙,排出空氣,建立高效導(dǎo)熱通道。此外,它還兼具絕緣、防短路、減震和密封等多重功能,滿足設(shè)備小型化需求。然而,導(dǎo)熱墊片
2025-11-07 06:33:57736

合科泰MOS在PWM驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景的應(yīng)用

在各類電子設(shè)備的功率控制核心中,PWM驅(qū)動(dòng)功率MOS技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。這項(xiàng)技術(shù)通過(guò)脈沖寬度調(diào)制信號(hào)精確控制功率MOS的開(kāi)關(guān)狀態(tài),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高效的功率放大和能量轉(zhuǎn)換。其基本原理是通過(guò)調(diào)節(jié)
2025-11-04 15:38:00551

合科泰如何解決MOS發(fā)熱問(wèn)題

MOS作為開(kāi)關(guān)電源、智能家電、通信設(shè)備等高頻電路中的核心器件,其工作狀態(tài)直接影響系統(tǒng)的可靠性與壽命。在導(dǎo)通與關(guān)斷的瞬間,MOS常經(jīng)歷短暫的電壓與電流交疊過(guò)程,這一過(guò)程產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗是發(fā)熱的主要
2025-11-04 15:29:34585

PD快充MOS高性能低內(nèi)阻SGT工藝場(chǎng)效應(yīng)HG5511D應(yīng)用方案

組成部分。 快充關(guān)鍵元器件的性能適配方向 在 USB PD 快充電源方案中,同步整流用 MOS 需滿足多維度性能要求,以適配快充場(chǎng)景的實(shí)際需求,主要包括以下三個(gè)方向: 低內(nèi)阻與低功耗:通過(guò)降低
2025-11-03 09:28:36

灌封膠導(dǎo)熱粉在絕緣情況下、對(duì)電阻率有沒(méi)有提升?

在確保使用絕緣導(dǎo)熱粉體且分散良好的前提下,灌封膠的電阻率不僅不會(huì)下降,反而可能得到顯著的維持、穩(wěn)定甚至間接提升。 這是一個(gè)看似矛盾但至關(guān)重要的概念。許多人擔(dān)心添加任何填料都可
2025-10-30 14:55:16245

飛虹MOSFHP180N08V在同步整流電路中的應(yīng)用

同步整流技術(shù)在現(xiàn)代高效率開(kāi)關(guān)電源中廣泛應(yīng)用,尤其在服務(wù)器電源、通信電源、工業(yè)電源及高效率DC-DC模塊中,對(duì)MOS的開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻和熱性能提出了更高要求。為提升整機(jī)效率與功率密度,選擇合適的MOS尤為關(guān)鍵。
2025-10-23 09:37:19576

【熱管理產(chǎn)品系列】高導(dǎo)熱封裝石墨膜組件

解決了裸石墨易掉粉、易碎裂和不耐磨的缺點(diǎn),同時(shí)消除了其導(dǎo)電特性可能引發(fā)的電路風(fēng)險(xiǎn),為客戶提供了高可靠且絕緣性能卓越的均溫導(dǎo)熱解決方案。核心優(yōu)勢(shì)高導(dǎo)熱封裝石墨膜組件
2025-10-17 18:01:36291

絕緣紙的導(dǎo)熱系數(shù)如何測(cè)量? #絕緣紙 #

絕緣
南京大展檢測(cè)儀器發(fā)布于 2025-10-14 09:46:36

為什么MOSG-S極要并電阻? #MOS #電阻 #并聯(lián) #電路原理

MOS
微碧半導(dǎo)體VBsemi發(fā)布于 2025-10-11 16:46:07

合科泰MOS精準(zhǔn)破解選型難題

工程師們?cè)陔娮釉O(shè)備電路設(shè)計(jì)時(shí),是不是常常被MOS選型搞得頭大?電壓、電流、封裝需求五花八門,封裝不匹配安裝難,溝道類型或參數(shù)不對(duì)影響整機(jī)性能,而MOS選得好不好直接關(guān)系到產(chǎn)品性能和可靠性。別愁啦
2025-10-11 13:55:06590

電子產(chǎn)品散熱設(shè)計(jì)指南:如何精準(zhǔn)選擇導(dǎo)熱界面材料

,導(dǎo)熱硅脂以其優(yōu)異的流動(dòng)性和低熱阻特性,成為CPU、GPU、MOS等與散熱器之間填充的理想選擇。它能夠完美貼合不規(guī)則表面,快速建立熱傳導(dǎo)路徑,特別適用于對(duì)界面熱阻極為敏感的高功率密度場(chǎng)景。但其絕緣
2025-09-29 16:15:08

MOS實(shí)用應(yīng)用指南:選型、故障與驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

在掌握MOS的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)、原理與分類后,實(shí)際工程應(yīng)用中更需關(guān)注選型匹配、故障排查及驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化三大核心環(huán)節(jié)。本文將結(jié)合工業(yè)與消費(fèi)電子場(chǎng)景,拆解MOS應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn),幫助工程師規(guī)避常見(jiàn)風(fēng)險(xiǎn),提升電路可靠性與性能。
2025-09-26 11:25:101600

MOS的連續(xù)電流ID計(jì)算示例

在電子電路的設(shè)計(jì)中,MOS是一種極為重要的分立器件,它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。而在MOS的規(guī)格書(shū)中,連續(xù)電流ID這個(gè)參數(shù)備受關(guān)注。那么,MOS的規(guī)格書(shū)上的連續(xù)電流ID究竟是怎么計(jì)算出來(lái)的呢?今天我們就來(lái)解析其背后的計(jì)算邏輯。
2025-09-22 11:04:371141

淺談合科泰MOS的優(yōu)化策略

在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和新能源逆變器等應(yīng)用中,MOS的開(kāi)關(guān)速度和電路效率直接影響整體性能和能耗。而MOS的開(kāi)關(guān)速度與電路效率,它們之間有著怎樣的關(guān)聯(lián),合科泰又是如何通過(guò)多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新對(duì)MOS進(jìn)行優(yōu)化的呢?提升MOS的這兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo),助力工程師實(shí)現(xiàn)更高能效的設(shè)計(jì)。
2025-09-22 11:03:06756

MOS全面知識(shí)解析

MOS,即金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的核心器件之一。
2025-09-19 17:41:515042

PD快充MOSHG5511D高性能低內(nèi)阻SGT工藝應(yīng)用方案 內(nèi)阻僅11mΩ 小尺寸DFN封裝

的一款高性能低內(nèi)阻SGT工藝MOSHG5511D可應(yīng)用于PD快充充電器同步整流位置,內(nèi)阻僅11mΩ,可以解決充電器功耗大發(fā)熱的問(wèn)題;超低的Ciss(550pF)能夠較大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率
2025-09-10 09:24:59

100V200V250V MOS詳解 -HCK450N25L

存在絕緣層,其輸入電阻極高,通??蛇_(dá)兆歐姆級(jí)別。 低噪聲性能:噪聲主要來(lái)源于溝道電阻和柵極泄漏電流,得益于高輸入電阻和極小泄漏電流,MOS具備優(yōu)異的低噪聲特性。 良好的抗輻射能力:絕緣柵結(jié)構(gòu)賦予MOS
2025-08-29 11:20:36

EV12AS200差分輸出與同步機(jī)制詳解

EV12AS200是E2V品牌的高性能12位1.5GSps模數(shù)轉(zhuǎn)換器,憑借獨(dú)特的差分輸出和可靠的同步機(jī)制,在高速數(shù)據(jù)采集與處理領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)顯著。一、差分輸出鏈路1. 物理層EV12AS200采用
2025-08-26 09:49:39

技術(shù)資訊 I 導(dǎo)熱材料對(duì)熱阻的影響

在電子器件(如導(dǎo)熱材料或導(dǎo)熱硅脂)上涂覆導(dǎo)熱材料的目的是幫助發(fā)熱器件加快散熱。此舉旨在降低器件每單位電能耗散所產(chǎn)生的溫升。衡量每功耗所產(chǎn)生溫升的指標(biāo)稱為熱阻,而給器件涂抹導(dǎo)熱材料的目的正是為了降低
2025-08-22 16:35:56774

導(dǎo)熱導(dǎo)熱墊片GP360應(yīng)用于X射線機(jī)散熱,助力設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行

1.5mm,且表面不平整,普通導(dǎo)熱材料難以充分填充微米級(jí)空隙。 面對(duì)散熱難題,客戶亟需高性能的導(dǎo)熱界面材料(TIM)來(lái)填補(bǔ)發(fā)熱源與散熱器之間的微小空隙。然而,傳統(tǒng)導(dǎo)熱墊片常遇瓶頸:① 導(dǎo)熱效率不足:普通
2025-08-15 15:20:40

泄放電阻如何避免MOS燒毀? #MOS #燒壞 #電子#電阻

MOS
微碧半導(dǎo)體VBsemi發(fā)布于 2025-08-13 17:20:16

高端MOS為什么要自舉電路? #MOS #自舉電路 #電路 #電子

MOS
微碧半導(dǎo)體VBsemi發(fā)布于 2025-08-06 17:17:30

汽車空調(diào)用耐高溫高導(dǎo)熱絕緣材料 | 晟鵬科技

一、核心性能要求:高溫下的“絕緣+導(dǎo)熱”雙保障汽車空調(diào)的功率器件(如電動(dòng)壓縮機(jī)控制器)工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量,且安裝環(huán)境靠近發(fā)動(dòng)機(jī)艙或車廂,溫度波動(dòng)大(-40℃~150℃),墊片需在極端溫度下保持性能
2025-08-05 06:39:351045

解決高功率快充散熱難題,傲琪G500導(dǎo)熱硅脂的專業(yè)方案

,尤其適合快充電源中MOS與散熱的曲面接觸區(qū)域。 3. 長(zhǎng)效可靠性驗(yàn)證:通過(guò)2000小時(shí)高溫高濕測(cè)試(85℃/85%RH)及-40~125℃溫度循環(huán)實(shí)驗(yàn),性能衰減<5%,滿足快充電源3-5年
2025-08-04 09:12:14

導(dǎo)熱硅脂還是導(dǎo)熱,不同的電腦配件用哪個(gè)?一文講透

在組裝或升級(jí)電腦時(shí),很多人會(huì)忽略一個(gè)關(guān)鍵細(xì)節(jié):如何為不同的發(fā)熱元件選擇合適的導(dǎo)熱材料。導(dǎo)熱硅脂和導(dǎo)熱是兩種最常用的導(dǎo)熱解決方案,它們各有優(yōu)劣,適用于不同的硬件和使用場(chǎng)景。本文將從原理、性能、適用性
2025-07-28 10:53:332487

飛虹MOSFHP140N08V在同步整流電路中的應(yīng)用

MOSFET是同步整流管在電路設(shè)計(jì)中的理想選擇,其優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻(Rds(on))、快速的開(kāi)關(guān)速度和可控性是實(shí)現(xiàn)高效、低損耗整流的關(guān)鍵。如何選擇選擇具備低Rds(on)、優(yōu)異體二極特性及快速開(kāi)關(guān)性能的MOS對(duì)于同步整流電路是至關(guān)重要。
2025-07-24 14:18:50920

無(wú)硅油與含硅油導(dǎo)熱: 精準(zhǔn)匹配不同場(chǎng)景的散熱解決方案

現(xiàn)優(yōu)異。 4. 成本敏感型大批量應(yīng)用家電產(chǎn)品(電磁爐、電視機(jī))等對(duì)材料成本敏感的應(yīng)用,傳統(tǒng)導(dǎo)熱仍有不可替代的優(yōu)勢(shì)。 三、傲琪SF1280:無(wú)硅油領(lǐng)域的高性能解決方案 在無(wú)硅油導(dǎo)熱領(lǐng)域,傲琪
2025-07-14 17:04:33

mos的源極和柵極短接

當(dāng)MOS的源極與柵極意外短接時(shí),可能導(dǎo)致電路失控,產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問(wèn)題。因此,必須嚴(yán)格遵守MOS的操作規(guī)范,避免短接事故的發(fā)生。
2025-06-26 09:14:001936

功率MOS在電源管理場(chǎng)景下的發(fā)熱原因分析

功率MOS在電源管理場(chǎng)景下的發(fā)熱原因分析 功率MOS在工作過(guò)程中不可避免地會(huì)產(chǎn)生熱量,導(dǎo)致溫度升高。當(dāng)MOS溫度過(guò)高時(shí),不僅會(huì)降低系統(tǒng)效率,還可能導(dǎo)致器件性能下降、壽命縮短,甚至引發(fā)系統(tǒng)故障
2025-06-25 17:38:41514

導(dǎo)熱導(dǎo)熱系數(shù)如何測(cè)量?#導(dǎo)熱系數(shù) #

導(dǎo)熱
南京大展檢測(cè)儀器發(fā)布于 2025-06-23 16:03:54

常用的mos驅(qū)動(dòng)方式

本文主要探討了MOS驅(qū)動(dòng)電路的幾種常見(jiàn)方案,包括電源IC直接驅(qū)動(dòng)、推挽電路協(xié)同加速、隔離型驅(qū)動(dòng)等。電源IC直接驅(qū)動(dòng)的簡(jiǎn)約哲學(xué)適合小容量MOS,但需要關(guān)注電源芯片的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流和MOS的寄生電容值。
2025-06-19 09:22:00996

MDD高壓二極在電力設(shè)備中的應(yīng)用:絕緣與可靠性的平衡

能在長(zhǎng)期工作中誘發(fā)熱擊穿、軟擊穿或雪崩擊穿。 ③環(huán)境適應(yīng)性:電力設(shè)備多部署在戶外或高海拔、高濕、高污染等復(fù)雜環(huán)境,要求二極不僅自身耐高壓,還要在系統(tǒng)層面有完整的防塵、防潮、絕緣防護(hù)。 2、高壓二極
2025-06-09 13:55:19

MCU為什么不能直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS

在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),經(jīng)常會(huì)用到MOS做開(kāi)關(guān)電路,而在驅(qū)動(dòng)一些大功率負(fù)載時(shí),主控芯片并不會(huì)直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS,而是在MCU和大功率MOS之間加入柵極驅(qū)動(dòng)器芯片。
2025-06-06 10:27:162888

PMOS(-40V-140A)控制發(fā)熱產(chǎn)品開(kāi)關(guān)應(yīng)用

PMOS HCE003P04L在控制發(fā)熱產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)方案中,主要利用其高側(cè)開(kāi)關(guān)特性與低驅(qū)動(dòng)復(fù)雜度實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控溫與安全保護(hù)。例如在電加熱設(shè)備(如咖啡機(jī)、熱水器)中,PMOS 可串聯(lián)于電源正極(高側(cè)
2025-06-03 15:07:05

飛虹MOS同步整流電路中的應(yīng)用

同步整流電路作為現(xiàn)代高效電源設(shè)計(jì)的核心,在選擇MOS的效率性能以及可靠性都有嚴(yán)格的要求。在工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),究竟如何選擇對(duì)的MOS來(lái)代換IRF3710型號(hào)參數(shù)呢?
2025-05-28 16:34:04909

人工合成石墨與天然石墨的差別

在電子設(shè)備散熱領(lǐng)域,導(dǎo)熱石墨材料的選擇直接影響產(chǎn)品的性能和可靠性。作為國(guó)內(nèi)導(dǎo)熱材料領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),合肥傲琪電子科技有限公司深耕行業(yè)十余年,其研發(fā)的人工與天然石墨廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、航空航天等領(lǐng)域
2025-05-23 11:22:02

N-MOS最經(jīng)典的用法 #MOS #硬件工程師 #MDD #MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

MOS
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-05-19 17:31:10

MOS的工作原理:N溝道與P溝道的區(qū)別

MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體)是現(xiàn)代電子設(shè)備中最常用的半導(dǎo)體器件之一。它通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的導(dǎo)通與截止,廣泛應(yīng)用于放大、開(kāi)關(guān)和信號(hào)處理等電路中。MOS根據(jù)溝道類型的不同,主要分為N溝道
2025-05-09 15:14:572336

如何準(zhǔn)確計(jì)算 MOS 驅(qū)動(dòng)電流?

驅(qū)動(dòng)電流是指用于控制MOS開(kāi)關(guān)過(guò)程的電流。在MOS的驅(qū)動(dòng)過(guò)程中,需要將足夠的電荷注入或抽出MOS的柵極,以改變MOS的導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)電流的大小與MOS的輸入電容、開(kāi)關(guān)速度以及應(yīng)用中所需的切換速度等因素有關(guān)。較大的驅(qū)動(dòng)電流通常可以提高MOS的開(kāi)關(guān)速度。
2025-05-08 17:39:423451

如何在電路中控制MOS的電流方向?#MDD#MDD辰達(dá)半導(dǎo)體#電路#MOS

MOS
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-05-07 17:14:28

MOS驅(qū)動(dòng)電路——電機(jī)干擾與防護(hù)處理

此電路分主電路(完成功能)和保護(hù)功能電路。MOS驅(qū)動(dòng)相關(guān)知識(shí):1、跟雙極性晶體相比,一般認(rèn)為使MOS導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓(Vbe類似)高于一定的值,就可以了。MOS和晶體向比較c
2025-05-06 19:34:351676

氮化硼導(dǎo)熱絕緣 | 車載充電橋OBC應(yīng)用

晟鵬公司研發(fā)的氮化硼導(dǎo)熱絕緣憑借其高導(dǎo)熱性、耐高壓及輕量化等特性,在電動(dòng)汽車OBC車載充電橋IGBT模組中展現(xiàn)出關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值。OBC的熱管理需求:OBC將電網(wǎng)交流電轉(zhuǎn)換為直流電并為電池充電,其核心
2025-04-30 18:17:42680

導(dǎo)熱硅脂科普指南:原理、應(yīng)用與常見(jiàn)問(wèn)題解答

可以用牙膏、黃油替代嗎?A3:絕對(duì)不行! 牙膏:含水分和研磨劑,短期可能有效,但干燥后導(dǎo)熱性驟降,且可能腐蝕金屬。 黃油/油脂:高溫下易融化流失,絕緣性差,可能引發(fā)短路甚至火災(zāi)。 Q4:導(dǎo)熱硅脂
2025-04-14 14:58:20

MOS電路及選型

1.外圍電路1.1.柵極電阻R51的柵極電阻可以控制MOS的GS結(jié)電容的充放電速度。對(duì)于MOS而言,開(kāi)通速度越快,開(kāi)通損耗越小。但是速度太快容易引起震蕩,震蕩波形(GS之間,這個(gè)震蕩與MOS
2025-04-09 19:33:021693

導(dǎo)熱絕緣導(dǎo)熱絕緣,誰(shuí)主沉?。?/a>

為什么經(jīng)常要求MOS快速關(guān)斷,而不要求MOS快速開(kāi)通?

為什么我們很多時(shí)候要求MOS快速關(guān)斷,而沒(méi)有要求MOS快速開(kāi)通? 下面是常見(jiàn)的MOS的驅(qū)動(dòng)電路 MOS快關(guān)的原理 還是先簡(jiǎn)單介紹下快關(guān)的原理: 我們知道,MOS開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程,就是
2025-04-08 11:35:28

導(dǎo)熱油冷熱一體機(jī)在反應(yīng)器控溫中的應(yīng)用

模塊:電加熱器將導(dǎo)熱油加熱至設(shè)定溫度。制冷模塊:壓縮機(jī)制冷或液氮冷卻系統(tǒng),將導(dǎo)熱油降溫至低溫。循環(huán)系統(tǒng):高溫循環(huán)泵驅(qū)動(dòng)導(dǎo)熱油在反應(yīng)器夾套/盤與冷熱一體機(jī)之間循環(huán),
2025-04-03 16:15:30705

氮化硼納米在芯片熱界面領(lǐng)域導(dǎo)熱性能可提升10-20%,成本僅增加1-2%

處理器散熱系統(tǒng)中,熱界面材料(TIM)至關(guān)重要,用于高效傳遞芯片與散熱器之間的熱量。傳統(tǒng)TIM材料如熱環(huán)氧和硅樹(shù)脂雖成本低,導(dǎo)熱性能有限。大連義邦的氮化硼納米(BNNT)作為新型高導(dǎo)熱材料,具有出色的導(dǎo)熱性能、輕量化和電絕緣性,可將TIM的導(dǎo)熱效率提高10-20%,成本僅增加1-2%。
2025-04-03 13:55:04855

MOS的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)

MOS的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)MOS功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)的詳細(xì)分析: 一、MOS的功耗計(jì)算 MOS的功耗主要包括驅(qū)動(dòng)損耗、開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
2025-03-27 14:57:231517

飛虹MOS在音響電源中的應(yīng)用

據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示,2025年全球個(gè)人智能音頻市場(chǎng)將進(jìn)一步增長(zhǎng),對(duì)比2024年的4.94億臺(tái)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)8%左右,出貨量增長(zhǎng)至5.33億臺(tái)。這一市場(chǎng)增長(zhǎng),意味著音響電源市場(chǎng)必然會(huì)同步增長(zhǎng)。如何選對(duì)的MOS來(lái)提升自身音響電源的產(chǎn)品力?
2025-03-24 16:40:33801

電氣符號(hào)傻傻分不清?一個(gè)N-MOS和P-MOS驅(qū)動(dòng)應(yīng)用實(shí)例

MOS在電路設(shè)計(jì)中是比較常見(jiàn)的,按照驅(qū)動(dòng)方式來(lái)分的話,有兩種,即:N-MOS和P-MOS。MOS跟三極的驅(qū)動(dòng)方式有點(diǎn)類似,但又不完全相同,那么今天筆者將會(huì)給大家簡(jiǎn)單介紹一下N-MOS
2025-03-14 19:33:508054

MOS的ESD防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體)的ESD(靜電放電)防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn)對(duì)于確保其穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。以下是一些關(guān)鍵的防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn): 1、使用導(dǎo)電容器儲(chǔ)存和運(yùn)輸 :確保MOS
2025-03-10 15:05:211321

MOS防反接:Nmos還是Pmos? #科普 #nmos #防反接 #pmos #電子 #mos

MOS
微碧半導(dǎo)體VBsemi發(fā)布于 2025-03-07 18:03:07

如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)mos三個(gè)引腳

場(chǎng)效應(yīng)mos三個(gè)引腳怎么區(qū)分
2025-03-07 09:20:470

MOS波形異常的解決方法(可下載)

mos 波形在各拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的波形都會(huì)不一樣,對(duì)與 PFC 來(lái)說(shuō),我們的 MOS 波形見(jiàn) 圖 2這是因?yàn)槲覀兊墓ぷ髟诹?CCM 模式下的 PFC MOS 波形,可
2025-03-06 13:36:091

MOS發(fā)燙嚴(yán)重:從散熱設(shè)計(jì)到驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)化實(shí)戰(zhàn)

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景中,MDDMOS嚴(yán)重發(fā)熱是工程師面臨的常見(jiàn)挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器因MOS溫升達(dá)105℃,導(dǎo)致系統(tǒng)頻繁觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)。本文通過(guò)解析發(fā)熱機(jī)理,結(jié)合實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),提供從散熱設(shè)計(jì)到
2025-03-05 11:41:401841

MOS防護(hù)電路解析實(shí)測(cè)

目錄1)防止柵極di/dt過(guò)高:2)防止柵源極間過(guò)電壓:3)防護(hù)漏源極之間過(guò)電壓:4)電流采樣保護(hù)電路功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn),但是MOS具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力,特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)
2025-02-27 19:35:312014

如何根據(jù)電路需求選擇合適的MOS?

根據(jù)電路需求選擇合適的MOS是一個(gè)綜合考慮多個(gè)因素的過(guò)程,以下是一些關(guān)鍵步驟和注意事項(xiàng): ? 一、明確電路需求 首先,需要明確電路的具體需求,包括所需的功率、開(kāi)關(guān)速度、工作溫度范圍、負(fù)載類型等
2025-02-24 15:20:42984

導(dǎo)熱硅膠片與導(dǎo)熱硅脂應(yīng)該如何選擇?

0.3-10mm)膏狀/液態(tài) ?導(dǎo)熱系數(shù)1-16 W/m·K1-5 W/m·K ?絕緣性√自帶絕緣性能×需配合絕緣材料使用 ?填充縫隙能力依賴厚度匹配√可填充微小不平整表面 ?使用壽命8-10年(無(wú)物理?yè)p傷
2025-02-24 14:38:13

MOS選型的問(wèn)題

MOS選型需考慮溝道類型(NMOS或PMOS)、電壓、電流、熱要求、開(kāi)關(guān)性能及封裝,同時(shí)需結(jié)合電路設(shè)計(jì)、工作環(huán)境及成本,避免混淆NMOS和PMOS?!安恢?b class="flag-6" style="color: red">MOS要怎么選?!?? “這個(gè)需要
2025-02-17 10:50:251545

MOS的OC和OD門是怎么回事

在數(shù)字電路和功率電子中,MOS(場(chǎng)效應(yīng)晶體)是一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于各種開(kāi)關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路中。MOS不僅在電源管理和信號(hào)放大中扮演重要角色,還在實(shí)現(xiàn)邏輯功能中有著廣泛
2025-02-14 11:54:051859

MOS的并聯(lián)使用:如何保證電流均流?

在功率電子電路中,為了滿足大電流需求,常常需要將多個(gè)MOS并聯(lián)使用。然而,由于MOS參數(shù)的離散性以及電路布局的影響,并聯(lián)的MOS之間可能會(huì)出現(xiàn)電流分配不均的問(wèn)題,導(dǎo)致部分MOS管過(guò)載甚至損壞
2025-02-13 14:06:354243

這個(gè)恒流源仿真沒(méi)問(wèn)題,一上點(diǎn)功放就發(fā)熱,無(wú)法工作

功放和MOS組成的恒流電路,multisim中仿真都沒(méi)有問(wèn)題 電路板出來(lái)以后一上電,功放就發(fā)熱,無(wú)法正常工作
2025-02-12 10:14:08

MOS驅(qū)動(dòng)電路有幾種,看這個(gè)就夠了!

MOS因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。一、電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式
2025-02-11 10:39:401779

LED燈具散熱設(shè)計(jì)中導(dǎo)熱界面材料的關(guān)鍵作用

2.5kV,因此特別適用于那些既需要高效散熱又要求電氣絕緣的驅(qū)動(dòng)電源部位。這種硅膠片不僅提高了熱傳導(dǎo)效率,還確保了系統(tǒng)的電氣安全。 2. 導(dǎo)熱硅脂技術(shù)導(dǎo)熱硅脂以其獨(dú)特的配方,在LED燈具散熱設(shè)計(jì)中發(fā)
2025-02-08 13:50:08

詳解TOLL封裝MOS應(yīng)用和特點(diǎn)

TOLL封裝MOS廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電子游戲、汽車電子控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。由于其高集成度、低功耗和穩(wěn)定性好的特點(diǎn),TOLL封裝MOS在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著重要的角色。
2025-02-07 17:14:041926

電流不大,MOS為何發(fā)熱

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)與應(yīng)用中,MOS(場(chǎng)效應(yīng))作為一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于各種電路中。然而,有時(shí)候即使電流不大,MOS也會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱現(xiàn)象,這不僅會(huì)影響其性能,還可能導(dǎo)致設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定性問(wèn)題。本文
2025-02-07 10:07:171390

MOS的正確選擇指南

MOS的正確選擇涉及多個(gè)步驟和參數(shù)考量,以下是一個(gè)詳細(xì)的指南: 一、確定溝道類型 N溝道MOS:適用于低壓側(cè)開(kāi)關(guān),當(dāng)一個(gè)MOS接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOS就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在
2025-01-10 15:57:581797

已全部加載完成