MOS管,全稱?金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管?(MOSFET),是一種通過(guò)柵極電壓控制源極與漏極之間電流的半導(dǎo)體器件。它屬于電壓控制型器件,輸入阻抗極高(可達(dá)1012Ω以上),具有低噪聲、低功耗
2026-01-05 11:42:09
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實(shí)現(xiàn)對(duì)燈光的控制。
但如果想用Arduino或者單片機(jī)去控制燈泡的話,就需要使用MOS管來(lái)替換開(kāi)關(guān)。我們把圖稍微轉(zhuǎn)換一下,我們可以看到MOS管是有三個(gè)端口,即三個(gè)引腳,分別為Gate、Drain
2026-01-04 07:59:13
類型與N型硅相反,故又稱為P溝道。
特點(diǎn):
1.輸入電阻大:由于柵極與半導(dǎo)體表面之間有一層絕緣層,因此輸入電阻極大,可以達(dá)到幾,兆,歐姆基至更高
2.噪聲低:MOS管的噪聲主要由溝道電阻和柵極泄漏
2025-12-30 11:19:00
在功率器件國(guó)產(chǎn)化浪潮之下,MOS管(MOSFET)作為能量轉(zhuǎn)化的“核心開(kāi)關(guān)”,其自主可控與性能提升尤為重要。隨著電動(dòng)汽車、工業(yè)4.0、光伏儲(chǔ)能及高端消費(fèi)電子的飛速發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)于高可靠性、高效率
2025-12-27 10:33:49
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導(dǎo)熱吸波片2.0mm 熱傳導(dǎo)類型吸波材 吸波散熱材料導(dǎo)熱吸波材料可直接應(yīng)用于散熱和金屬外殼之間,能有效將熱能導(dǎo)出。同時(shí)具有電磁屏蔽及電磁雜波吸收性能,為電子通信產(chǎn)品在導(dǎo)熱和電磁屏蔽提供
2025-12-25 15:15:46
的解決方案。通常用于 通信設(shè)備,網(wǎng)絡(luò)設(shè)備以及光通訊模塊等產(chǎn)品。 產(chǎn)品特性良好的導(dǎo)熱性柔軟性、高壓縮性自粘性易裁切、易使用性良好的絕緣性產(chǎn)品應(yīng)用I
2025-12-08 17:53:07
非硅型導(dǎo)熱吸波片
2025-12-05 17:38:29
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近期使用MOS管進(jìn)行電路開(kāi)發(fā),需要MOS管快速的電路開(kāi)合,應(yīng)該注意哪些事項(xiàng)?
2025-12-05 06:21:06
在高頻開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)中,很多工程師都會(huì)遇到這樣的問(wèn)題,明明給MOS管柵極加了足夠的電壓,MOS管卻要延遲一段時(shí)間才能完全導(dǎo)通,甚至出現(xiàn)柵極電壓停滯的情況。這其實(shí)和MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管特有的米勒平臺(tái)有關(guān)
2025-12-03 16:15:53
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電源的正常工作和穩(wěn)定性。
導(dǎo)熱硅膠片的特性與優(yōu)勢(shì) 導(dǎo)熱硅膠片是一種采用軟性硅膠導(dǎo)熱材料制成的界面縫隙填充墊片,具有良好的導(dǎo)熱能力、絕緣性能、柔軟而富有彈性等特點(diǎn)。 它被置于功率發(fā)熱器件與散熱結(jié)構(gòu)件
2025-11-27 15:04:46
如上圖,MOS管的工作狀態(tài)有4種情況,分別是開(kāi)通過(guò)程,導(dǎo)通過(guò)程,關(guān)斷過(guò)程和截止過(guò)程。
2025-11-26 14:34:50
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在電力電子領(lǐng)域,高壓功率器件的選擇直接影響系統(tǒng)的效率、成本與可靠性。對(duì)于工程師來(lái)說(shuō),超結(jié)MOS管與碳化硅MOS管的博弈始終是設(shè)計(jì)中的核心議題,兩者基于不同的材料與結(jié)構(gòu),在性能、成本與應(yīng)用場(chǎng)景中各有千秋,如何平衡成為關(guān)鍵。
2025-11-26 09:50:51
557 1、最大漏源電壓(V(BR)DSSQ):這是MOS管在關(guān)閉狀態(tài)時(shí),漏極和源極之間所能承受的最大電壓。選擇的MOS管的V(BR)DSS應(yīng)該高于電路中可能出現(xiàn)的最大電壓,通常需要留有一定的裕量。
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2025-11-20 08:26:30
電子設(shè)備運(yùn)行時(shí),元件發(fā)熱會(huì)導(dǎo)致性能下降。導(dǎo)熱墊片,它能填充元件與散熱器間的縫隙,排出空氣,建立高效導(dǎo)熱通道。此外,它還兼具絕緣、防短路、減震和密封等多重功能,滿足設(shè)備小型化需求。然而,導(dǎo)熱墊片
2025-11-07 06:33:57
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在各類電子設(shè)備的功率控制核心中,PWM驅(qū)動(dòng)功率MOS管技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。這項(xiàng)技術(shù)通過(guò)脈沖寬度調(diào)制信號(hào)精確控制功率MOS管的開(kāi)關(guān)狀態(tài),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高效的功率放大和能量轉(zhuǎn)換。其基本原理是通過(guò)調(diào)節(jié)
2025-11-04 15:38:00
551 MOS管作為開(kāi)關(guān)電源、智能家電、通信設(shè)備等高頻電路中的核心器件,其工作狀態(tài)直接影響系統(tǒng)的可靠性與壽命。在導(dǎo)通與關(guān)斷的瞬間,MOS管常經(jīng)歷短暫的電壓與電流交疊過(guò)程,這一過(guò)程產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗是發(fā)熱的主要
2025-11-04 15:29:34
585 組成部分。
快充關(guān)鍵元器件的性能適配方向
在 USB PD 快充電源方案中,同步整流用 MOS 管需滿足多維度性能要求,以適配快充場(chǎng)景的實(shí)際需求,主要包括以下三個(gè)方向:
低內(nèi)阻與低功耗:通過(guò)降低
2025-11-03 09:28:36
在確保使用絕緣類導(dǎo)熱粉體且分散良好的前提下,灌封膠的電阻率不僅不會(huì)下降,反而可能得到顯著的維持、穩(wěn)定甚至間接提升。
這是一個(gè)看似矛盾但至關(guān)重要的概念。許多人擔(dān)心添加任何填料都可
2025-10-30 14:55:16
245 同步整流技術(shù)在現(xiàn)代高效率開(kāi)關(guān)電源中廣泛應(yīng)用,尤其在服務(wù)器電源、通信電源、工業(yè)電源及高效率DC-DC模塊中,對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻和熱性能提出了更高要求。為提升整機(jī)效率與功率密度,選擇合適的MOS管尤為關(guān)鍵。
2025-10-23 09:37:19
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解決了裸石墨片易掉粉、易碎裂和不耐磨的缺點(diǎn),同時(shí)消除了其導(dǎo)電特性可能引發(fā)的電路風(fēng)險(xiǎn),為客戶提供了高可靠且絕緣性能卓越的均溫導(dǎo)熱解決方案。核心優(yōu)勢(shì)高導(dǎo)熱封裝石墨膜組件
2025-10-17 18:01:36
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工程師們?cè)陔娮釉O(shè)備電路設(shè)計(jì)時(shí),是不是常常被MOS管選型搞得頭大?電壓、電流、封裝需求五花八門,封裝不匹配安裝難,溝道類型或參數(shù)不對(duì)影響整機(jī)性能,而MOS管選得好不好直接關(guān)系到產(chǎn)品性能和可靠性。別愁啦
2025-10-11 13:55:06
590 ,導(dǎo)熱硅脂以其優(yōu)異的流動(dòng)性和低熱阻特性,成為CPU、GPU、MOS管等與散熱器之間填充的理想選擇。它能夠完美貼合不規(guī)則表面,快速建立熱傳導(dǎo)路徑,特別適用于對(duì)界面熱阻極為敏感的高功率密度場(chǎng)景。但其絕緣
2025-09-29 16:15:08
在掌握MOS管的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)、原理與分類后,實(shí)際工程應(yīng)用中更需關(guān)注選型匹配、故障排查及驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化三大核心環(huán)節(jié)。本文將結(jié)合工業(yè)與消費(fèi)電子場(chǎng)景,拆解MOS管應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn),幫助工程師規(guī)避常見(jiàn)風(fēng)險(xiǎn),提升電路可靠性與性能。
2025-09-26 11:25:10
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在電子電路的設(shè)計(jì)中,MOS管是一種極為重要的分立器件,它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。而在MOS管的規(guī)格書(shū)中,連續(xù)電流ID這個(gè)參數(shù)備受關(guān)注。那么,MOS的規(guī)格書(shū)上的連續(xù)電流ID究竟是怎么計(jì)算出來(lái)的呢?今天我們就來(lái)解析其背后的計(jì)算邏輯。
2025-09-22 11:04:37
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在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和新能源逆變器等應(yīng)用中,MOS管的開(kāi)關(guān)速度和電路效率直接影響整體性能和能耗。而MOS管的開(kāi)關(guān)速度與電路效率,它們之間有著怎樣的關(guān)聯(lián),合科泰又是如何通過(guò)多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新對(duì)MOS管進(jìn)行優(yōu)化的呢?提升MOS管的這兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo),助力工程師實(shí)現(xiàn)更高能效的設(shè)計(jì)。
2025-09-22 11:03:06
756 MOS管,即金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的核心器件之一。
2025-09-19 17:41:51
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的一款高性能低內(nèi)阻SGT工藝MOS管HG5511D可應(yīng)用于PD快充充電器同步整流位置,內(nèi)阻僅11mΩ,可以解決充電器功耗大發(fā)熱的問(wèn)題;超低的Ciss(550pF)能夠較大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率
2025-09-10 09:24:59
存在絕緣層,其輸入電阻極高,通??蛇_(dá)兆歐姆級(jí)別。
低噪聲性能:噪聲主要來(lái)源于溝道電阻和柵極泄漏電流,得益于高輸入電阻和極小泄漏電流,MOS管具備優(yōu)異的低噪聲特性。
良好的抗輻射能力:絕緣柵結(jié)構(gòu)賦予MOS
2025-08-29 11:20:36
EV12AS200是E2V品牌的高性能12位1.5GSps模數(shù)轉(zhuǎn)換器,憑借獨(dú)特的差分輸出和可靠的同步機(jī)制,在高速數(shù)據(jù)采集與處理領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)顯著。一、差分輸出鏈路1. 物理層EV12AS200采用
2025-08-26 09:49:39
在電子器件(如導(dǎo)熱材料或導(dǎo)熱硅脂)上涂覆導(dǎo)熱材料的目的是幫助發(fā)熱器件加快散熱。此舉旨在降低器件每單位電能耗散所產(chǎn)生的溫升。衡量每功耗所產(chǎn)生溫升的指標(biāo)稱為熱阻,而給器件涂抹導(dǎo)熱材料的目的正是為了降低
2025-08-22 16:35:56
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1.5mm,且表面不平整,普通導(dǎo)熱材料難以充分填充微米級(jí)空隙。
面對(duì)散熱難題,客戶亟需高性能的導(dǎo)熱界面材料(TIM)來(lái)填補(bǔ)發(fā)熱源與散熱器之間的微小空隙。然而,傳統(tǒng)導(dǎo)熱墊片常遇瓶頸:① 導(dǎo)熱效率不足:普通
2025-08-15 15:20:40
一、核心性能要求:高溫下的“絕緣+導(dǎo)熱”雙保障汽車空調(diào)的功率器件(如電動(dòng)壓縮機(jī)控制器)工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量,且安裝環(huán)境靠近發(fā)動(dòng)機(jī)艙或車廂,溫度波動(dòng)大(-40℃~150℃),墊片需在極端溫度下保持性能
2025-08-05 06:39:35
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,尤其適合快充電源中MOS管與散熱片的曲面接觸區(qū)域。 3. 長(zhǎng)效可靠性驗(yàn)證:通過(guò)2000小時(shí)高溫高濕測(cè)試(85℃/85%RH)及-40~125℃溫度循環(huán)實(shí)驗(yàn),性能衰減<5%,滿足快充電源3-5年
2025-08-04 09:12:14
在組裝或升級(jí)電腦時(shí),很多人會(huì)忽略一個(gè)關(guān)鍵細(xì)節(jié):如何為不同的發(fā)熱元件選擇合適的導(dǎo)熱材料。導(dǎo)熱硅脂和導(dǎo)熱片是兩種最常用的導(dǎo)熱解決方案,它們各有優(yōu)劣,適用于不同的硬件和使用場(chǎng)景。本文將從原理、性能、適用性
2025-07-28 10:53:33
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MOSFET是同步整流管在電路設(shè)計(jì)中的理想選擇,其優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻(Rds(on))、快速的開(kāi)關(guān)速度和可控性是實(shí)現(xiàn)高效、低損耗整流的關(guān)鍵。如何選擇選擇具備低Rds(on)、優(yōu)異體二極管特性及快速開(kāi)關(guān)性能的MOS管對(duì)于同步整流電路是至關(guān)重要。
2025-07-24 14:18:50
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現(xiàn)優(yōu)異。
4. 成本敏感型大批量應(yīng)用家電產(chǎn)品(電磁爐、電視機(jī))等對(duì)材料成本敏感的應(yīng)用,傳統(tǒng)導(dǎo)熱片仍有不可替代的優(yōu)勢(shì)。
三、傲琪SF1280:無(wú)硅油領(lǐng)域的高性能解決方案
在無(wú)硅油導(dǎo)熱片領(lǐng)域,傲琪
2025-07-14 17:04:33
當(dāng)MOS管的源極與柵極意外短接時(shí),可能導(dǎo)致電路失控,產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問(wèn)題。因此,必須嚴(yán)格遵守MOS管的操作規(guī)范,避免短接事故的發(fā)生。
2025-06-26 09:14:00
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功率MOS管在電源管理場(chǎng)景下的發(fā)熱原因分析 功率MOS管在工作過(guò)程中不可避免地會(huì)產(chǎn)生熱量,導(dǎo)致溫度升高。當(dāng)MOS管溫度過(guò)高時(shí),不僅會(huì)降低系統(tǒng)效率,還可能導(dǎo)致器件性能下降、壽命縮短,甚至引發(fā)系統(tǒng)故障
2025-06-25 17:38:41
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本文主要探討了MOS管驅(qū)動(dòng)電路的幾種常見(jiàn)方案,包括電源IC直接驅(qū)動(dòng)、推挽電路協(xié)同加速、隔離型驅(qū)動(dòng)等。電源IC直接驅(qū)動(dòng)的簡(jiǎn)約哲學(xué)適合小容量MOS管,但需要關(guān)注電源芯片的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流和MOS管的寄生電容值。
2025-06-19 09:22:00
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能在長(zhǎng)期工作中誘發(fā)熱擊穿、軟擊穿或雪崩擊穿。
③環(huán)境適應(yīng)性:電力設(shè)備多部署在戶外或高海拔、高濕、高污染等復(fù)雜環(huán)境,要求二極管不僅自身耐高壓,還要在系統(tǒng)層面有完整的防塵、防潮、絕緣防護(hù)。
2、高壓二極管
2025-06-09 13:55:19
在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),經(jīng)常會(huì)用到MOS管做開(kāi)關(guān)電路,而在驅(qū)動(dòng)一些大功率負(fù)載時(shí),主控芯片并不會(huì)直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS管,而是在MCU和大功率MOS管之間加入柵極驅(qū)動(dòng)器芯片。
2025-06-06 10:27:16
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PMOS 管HCE003P04L在控制發(fā)熱產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)管方案中,主要利用其高側(cè)開(kāi)關(guān)特性與低驅(qū)動(dòng)復(fù)雜度實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控溫與安全保護(hù)。例如在電加熱設(shè)備(如咖啡機(jī)、熱水器)中,PMOS 管可串聯(lián)于電源正極(高側(cè)
2025-06-03 15:07:05
同步整流電路作為現(xiàn)代高效電源設(shè)計(jì)的核心,在選擇MOS管的效率性能以及可靠性都有嚴(yán)格的要求。在工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),究竟如何選擇對(duì)的MOS管來(lái)代換IRF3710型號(hào)參數(shù)呢?
2025-05-28 16:34:04
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在電子設(shè)備散熱領(lǐng)域,導(dǎo)熱石墨材料的選擇直接影響產(chǎn)品的性能和可靠性。作為國(guó)內(nèi)導(dǎo)熱材料領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),合肥傲琪電子科技有限公司深耕行業(yè)十余年,其研發(fā)的人工與天然石墨片廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、航空航天等領(lǐng)域
2025-05-23 11:22:02
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子設(shè)備中最常用的半導(dǎo)體器件之一。它通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的導(dǎo)通與截止,廣泛應(yīng)用于放大、開(kāi)關(guān)和信號(hào)處理等電路中。MOS管根據(jù)溝道類型的不同,主要分為N溝道
2025-05-09 15:14:57
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驅(qū)動(dòng)電流是指用于控制MOS管開(kāi)關(guān)過(guò)程的電流。在MOS管的驅(qū)動(dòng)過(guò)程中,需要將足夠的電荷注入或抽出MOS管的柵極,以改變MOS管的導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)電流的大小與MOS管的輸入電容、開(kāi)關(guān)速度以及應(yīng)用中所需的切換速度等因素有關(guān)。較大的驅(qū)動(dòng)電流通常可以提高MOS管的開(kāi)關(guān)速度。
2025-05-08 17:39:42
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此電路分主電路(完成功能)和保護(hù)功能電路。MOS管驅(qū)動(dòng)相關(guān)知識(shí):1、跟雙極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓(Vbe類似)高于一定的值,就可以了。MOS管和晶體管向比較c
2025-05-06 19:34:35
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晟鵬公司研發(fā)的氮化硼導(dǎo)熱絕緣片憑借其高導(dǎo)熱性、耐高壓及輕量化等特性,在電動(dòng)汽車OBC車載充電橋IGBT模組中展現(xiàn)出關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值。OBC的熱管理需求:OBC將電網(wǎng)交流電轉(zhuǎn)換為直流電并為電池充電,其核心
2025-04-30 18:17:42
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可以用牙膏、黃油替代嗎?A3:絕對(duì)不行! 牙膏:含水分和研磨劑,短期可能有效,但干燥后導(dǎo)熱性驟降,且可能腐蝕金屬。 黃油/油脂:高溫下易融化流失,絕緣性差,可能引發(fā)短路甚至火災(zāi)。
Q4:導(dǎo)熱硅脂
2025-04-14 14:58:20
1.外圍電路1.1.柵極電阻R51的柵極電阻可以控制MOS管的GS結(jié)電容的充放電速度。對(duì)于MOS管而言,開(kāi)通速度越快,開(kāi)通損耗越小。但是速度太快容易引起震蕩,震蕩波形(GS之間,這個(gè)震蕩與MOS管
2025-04-09 19:33:02
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導(dǎo)熱絕緣片是什么2025ThermalLink1結(jié)構(gòu)與原理ScienceThermalLink導(dǎo)熱絕緣片通常由絕緣支撐層、玻纖增強(qiáng)層及導(dǎo)熱絕緣層組成。絕緣支撐層主要起到支撐和初步絕緣的作用,常見(jiàn)
2025-04-09 06:22:38
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為什么我們很多時(shí)候要求MOS管快速關(guān)斷,而沒(méi)有要求MOS管快速開(kāi)通?
下面是常見(jiàn)的MOS管的驅(qū)動(dòng)電路
MOS管快關(guān)的原理
還是先簡(jiǎn)單介紹下快關(guān)的原理:
我們知道,MOS管開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程,就是
2025-04-08 11:35:28
模塊:電加熱器將導(dǎo)熱油加熱至設(shè)定溫度。制冷模塊:壓縮機(jī)制冷或液氮冷卻系統(tǒng),將導(dǎo)熱油降溫至低溫。循環(huán)系統(tǒng):高溫循環(huán)泵驅(qū)動(dòng)導(dǎo)熱油在反應(yīng)器夾套/盤管與冷熱一體機(jī)之間循環(huán),
2025-04-03 16:15:30
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處理器散熱系統(tǒng)中,熱界面材料(TIM)至關(guān)重要,用于高效傳遞芯片與散熱器之間的熱量。傳統(tǒng)TIM材料如熱環(huán)氧和硅樹(shù)脂雖成本低,導(dǎo)熱性能有限。大連義邦的氮化硼納米管(BNNT)作為新型高導(dǎo)熱材料,具有出色的導(dǎo)熱性能、輕量化和電絕緣性,可將TIM的導(dǎo)熱效率提高10-20%,成本僅增加1-2%。
2025-04-03 13:55:04
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MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)MOS管功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)的詳細(xì)分析: 一、MOS管的功耗計(jì)算 MOS管的功耗主要包括驅(qū)動(dòng)損耗、開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
2025-03-27 14:57:23
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據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示,2025年全球個(gè)人智能音頻市場(chǎng)將進(jìn)一步增長(zhǎng),對(duì)比2024年的4.94億臺(tái)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)8%左右,出貨量增長(zhǎng)至5.33億臺(tái)。這一市場(chǎng)增長(zhǎng),意味著音響電源市場(chǎng)必然會(huì)同步增長(zhǎng)。如何選對(duì)的MOS管來(lái)提升自身音響電源的產(chǎn)品力?
2025-03-24 16:40:33
801 MOS管在電路設(shè)計(jì)中是比較常見(jiàn)的,按照驅(qū)動(dòng)方式來(lái)分的話,有兩種,即:N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動(dòng)方式有點(diǎn)類似,但又不完全相同,那么今天筆者將會(huì)給大家簡(jiǎn)單介紹一下N-MOS管
2025-03-14 19:33:50
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MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的ESD(靜電放電)防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn)對(duì)于確保其穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。以下是一些關(guān)鍵的防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn): 1、使用導(dǎo)電容器儲(chǔ)存和運(yùn)輸 :確保MOS管在
2025-03-10 15:05:21
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場(chǎng)效應(yīng)管mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分
2025-03-07 09:20:47
0 的 mos 管波形在各拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的波形都會(huì)不一樣,對(duì)與 PFC 來(lái)說(shuō),我們的 MOS 管波形見(jiàn) 圖 2這是因?yàn)槲覀兊墓ぷ髟诹?CCM 模式下的 PFC MOS 管波形,可
2025-03-06 13:36:09
1 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景中,MDDMOS管嚴(yán)重發(fā)熱是工程師面臨的常見(jiàn)挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器因MOS管溫升達(dá)105℃,導(dǎo)致系統(tǒng)頻繁觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)。本文通過(guò)解析發(fā)熱機(jī)理,結(jié)合實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),提供從散熱設(shè)計(jì)到
2025-03-05 11:41:40
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目錄1)防止柵極di/dt過(guò)高:2)防止柵源極間過(guò)電壓:3)防護(hù)漏源極之間過(guò)電壓:4)電流采樣保護(hù)電路功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn),但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力,特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)
2025-02-27 19:35:31
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根據(jù)電路需求選擇合適的MOS管是一個(gè)綜合考慮多個(gè)因素的過(guò)程,以下是一些關(guān)鍵步驟和注意事項(xiàng): ? 一、明確電路需求 首先,需要明確電路的具體需求,包括所需的功率、開(kāi)關(guān)速度、工作溫度范圍、負(fù)載類型等
2025-02-24 15:20:42
984 0.3-10mm)膏狀/液態(tài)
?導(dǎo)熱系數(shù)1-16 W/m·K1-5 W/m·K
?絕緣性√自帶絕緣性能×需配合絕緣材料使用
?填充縫隙能力依賴厚度匹配√可填充微小不平整表面
?使用壽命8-10年(無(wú)物理?yè)p傷
2025-02-24 14:38:13
MOS管選型需考慮溝道類型(NMOS或PMOS)、電壓、電流、熱要求、開(kāi)關(guān)性能及封裝,同時(shí)需結(jié)合電路設(shè)計(jì)、工作環(huán)境及成本,避免混淆NMOS和PMOS?!安恢?b class="flag-6" style="color: red">MOS管要怎么選?!?? “這個(gè)需要
2025-02-17 10:50:25
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在數(shù)字電路和功率電子中,MOS管(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于各種開(kāi)關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路中。MOS管不僅在電源管理和信號(hào)放大中扮演重要角色,還在實(shí)現(xiàn)邏輯功能中有著廣泛
2025-02-14 11:54:05
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在功率電子電路中,為了滿足大電流需求,常常需要將多個(gè)MOS管并聯(lián)使用。然而,由于MOS管參數(shù)的離散性以及電路布局的影響,并聯(lián)的MOS管之間可能會(huì)出現(xiàn)電流分配不均的問(wèn)題,導(dǎo)致部分MOS管過(guò)載甚至損壞
2025-02-13 14:06:35
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功放和MOS管組成的恒流電路,multisim中仿真都沒(méi)有問(wèn)題
電路板出來(lái)以后一上電,功放就發(fā)熱,無(wú)法正常工作
2025-02-12 10:14:08
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。一、電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式
2025-02-11 10:39:40
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2.5kV,因此特別適用于那些既需要高效散熱又要求電氣絕緣的驅(qū)動(dòng)電源部位。這種硅膠片不僅提高了熱傳導(dǎo)效率,還確保了系統(tǒng)的電氣安全。
2. 導(dǎo)熱硅脂技術(shù)導(dǎo)熱硅脂以其獨(dú)特的配方,在LED燈具散熱設(shè)計(jì)中發(fā)
2025-02-08 13:50:08
TOLL封裝MOS管廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電子游戲、汽車電子控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。由于其高集成度、低功耗和穩(wěn)定性好的特點(diǎn),TOLL封裝MOS管在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著重要的角色。
2025-02-07 17:14:04
1926 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)與應(yīng)用中,MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)作為一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于各種電路中。然而,有時(shí)候即使電流不大,MOS管也會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱現(xiàn)象,這不僅會(huì)影響其性能,還可能導(dǎo)致設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定性問(wèn)題。本文
2025-02-07 10:07:17
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MOS管的正確選擇涉及多個(gè)步驟和參數(shù)考量,以下是一個(gè)詳細(xì)的指南: 一、確定溝道類型 N溝道MOS管:適用于低壓側(cè)開(kāi)關(guān),當(dāng)一個(gè)MOS管接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在
2025-01-10 15:57:58
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評(píng)論