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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>用于微系統(tǒng)的先進(jìn)光刻膠技術(shù)

用于微系統(tǒng)的先進(jìn)光刻膠技術(shù)

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鉻銳特實(shí)業(yè)|東莞灌封|針對(duì)用戶(hù)對(duì)灌封老化和長(zhǎng)期使用的擔(dān)憂(yōu),本文科普優(yōu)質(zhì)灌封如何通過(guò)先進(jìn)抗老化技術(shù),實(shí)現(xiàn)十年以上如新的長(zhǎng)效保護(hù),幫助電子產(chǎn)品在苛刻環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行,大幅延長(zhǎng)生命周期并降低維護(hù)成本。
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比肩進(jìn)口!我國(guó)突破光刻膠“卡脖子”技術(shù)

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2025-12-17 09:16:275950

晶圓去膠工藝之后要清洗干燥嗎

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SPM在工業(yè)清洗中的應(yīng)用有哪些

SPM(SulfuricPeroxideMixture,硫酸-過(guò)氧化氫混合液)作為一種高效強(qiáng)氧化性清洗劑,在工業(yè)清洗中應(yīng)用廣泛,以下是其主要應(yīng)用場(chǎng)景及技術(shù)特點(diǎn)的綜合分析:1.半導(dǎo)體制造中的核心應(yīng)用光刻膠
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半導(dǎo)體芯片制造核心材料“光刻膠(Photoresist)”的詳解

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2025-11-27 23:40:39243

Chiplet核心挑戰(zhàn)破解之道:瑞沃先進(jìn)封裝技術(shù)新思路

作為“后摩爾時(shí)代”的關(guān)鍵突破路徑,通過(guò)將多個(gè)不同工藝、不同功能的模塊化芯片,借助先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)整合,成為實(shí)現(xiàn)高帶寬、低延遲、低功耗異構(gòu)計(jì)算的重要載體。然而
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半導(dǎo)體清洗中SPM的最佳使用溫度是多少

半導(dǎo)體清洗中SPM(硫酸-過(guò)氧化氫混合液)的最佳使用溫度需根據(jù)具體工藝目標(biāo)、污染物類(lèi)型及設(shè)備條件綜合確定,以下是關(guān)鍵分析: 高溫場(chǎng)景(120–150℃) 適用場(chǎng)景:主要用于光刻膠剝離、重度有機(jī)污染
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國(guó)產(chǎn)光刻膠重磅突破:攻克5nm芯片制造關(guān)鍵難題

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德州儀器 DLP? 技術(shù)為高級(jí)封裝帶來(lái)高精度數(shù)字光刻解決方案

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2025-10-20 09:55:15887

工業(yè)級(jí)硅片超聲波清洗機(jī)適用于什么場(chǎng)景

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國(guó)際先進(jìn)!中科億海國(guó)產(chǎn)嵌入式FPGA IP核及EDA系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)通過(guò)科技成果評(píng)價(jià)

近日,中科億海微電子科技(蘇州)科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):中科億海)自主研發(fā)的《國(guó)產(chǎn)嵌入式FPGAIP核及EDA系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)》,通過(guò)國(guó)家權(quán)威機(jī)構(gòu)評(píng)價(jià),被認(rèn)定為“國(guó)際先進(jìn)”水平!這一成果評(píng)價(jià),是對(duì)公司多年
2025-10-15 15:17:38553

國(guó)產(chǎn)高精度步進(jìn)式光刻機(jī)順利出廠

近日,深圳穩(wěn)頂聚芯技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“穩(wěn)頂聚芯”)宣布,其自主研發(fā)的首臺(tái)國(guó)產(chǎn)高精度步進(jìn)式光刻機(jī)已成功出廠,標(biāo)志著我國(guó)在半導(dǎo)體核心裝備領(lǐng)域取得新進(jìn)展。 此次穩(wěn)頂聚芯出廠的步進(jìn)式光刻機(jī)屬于WS180i
2025-10-10 17:36:33929

錫膏與錫技術(shù)和應(yīng)用差異解析

本文從焊料應(yīng)用工程師視角,解析了錫膏與錫的核心差異:成分上,錫膏以金屬合金粉為核心,助焊劑輔助焊接;錫含熱固樹(shù)脂,兼顧焊接與補(bǔ)強(qiáng)。性能上,錫膏導(dǎo)電導(dǎo)熱更優(yōu),耐受高溫;錫低溫固化,殘留物絕緣性好。應(yīng)用場(chǎng)景上,錫膏適配手機(jī)主板、汽車(chē)VCU等量產(chǎn)高精度產(chǎn)品;錫用于折疊屏、醫(yī)療傳感器等特種場(chǎng)景。
2025-10-10 11:06:36585

什么是銀烘焙?

在芯片封裝生產(chǎn)的精細(xì)流程中,有一個(gè)看似簡(jiǎn)單卻至關(guān)重要的環(huán)節(jié)——銀烘焙。這道工序雖不像光刻或蝕刻那樣備受關(guān)注,卻直接決定著芯片的穩(wěn)定性和壽命。銀烘焙定義銀烘焙,專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)稱(chēng)為EpoxyCuring
2025-09-25 22:11:42494

上海光機(jī)所在全息光刻研究方面取得進(jìn)展

圖1 肘形圖形為目標(biāo)圖形,不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓 近日,中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團(tuán)隊(duì)在全息光刻研究方面取得進(jìn)展。相關(guān)成果以
2025-09-19 09:19:56443

光刻膠剝離工藝

光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類(lèi)型及實(shí)施要點(diǎn):濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282

濕法去膠第一次去不干凈會(huì)怎么樣

在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,若濕法去膠第一次未能完全去除干凈,可能引發(fā)一系列連鎖反應(yīng),對(duì)后續(xù)工藝和產(chǎn)品質(zhì)量造成顯著影響。以下是具體后果及分析:殘留物導(dǎo)致后續(xù)工藝缺陷薄膜沉積異常:未清除的光刻膠殘留會(huì)作為異物
2025-09-16 13:42:02447

【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)

半導(dǎo)體芯片是現(xiàn)在世界的石油,它們推動(dòng)了經(jīng)歷、國(guó)防和整個(gè)科技行業(yè)。-------------帕特里克-基辛格。 AI的核心是一系列最先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片。那么AI芯片最新技術(shù)以及創(chuàng)新有哪些呢。 本章節(jié)作者
2025-09-15 14:50:58

如何提高光刻膠殘留清洗的效率

提高光刻膠殘留清洗效率需要結(jié)合工藝優(yōu)化、設(shè)備升級(jí)和材料創(chuàng)新等多方面策略,以下是具體方法及技術(shù)要點(diǎn):1.工藝參數(shù)精準(zhǔn)控制動(dòng)態(tài)調(diào)整化學(xué)配方根據(jù)殘留類(lèi)型(正/負(fù)、厚膜/薄膜)實(shí)時(shí)匹配最佳溶劑組合。例如
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解決方案,在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域占據(jù)了重要地位。底部填充主要用于BGA(球柵陣列)、CSP(芯片級(jí)封裝)和FlipChip(倒裝芯片)等先進(jìn)封裝工藝中,通過(guò)填充芯片與
2025-09-05 10:48:212130

白光干涉儀在晶圓光刻圖形 3D 輪廓測(cè)量中的應(yīng)用解析

引言 晶圓光刻圖形是半導(dǎo)體制造中通過(guò)光刻工藝形成的微米至納米級(jí)三維結(jié)構(gòu)(如光刻膠線(xiàn)條、接觸孔、柵極圖形等),其線(xiàn)寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直接決定后續(xù)蝕刻、沉積工藝的精度,進(jìn)而影響器件性能。傳統(tǒng)
2025-09-03 09:25:20650

鴻蒙系統(tǒng)怎么安裝企業(yè)

系統(tǒng)自帶的應(yīng)用市場(chǎng)中無(wú)法下載企業(yè)信,卓易通中的無(wú)法用信登錄,使用不了
2025-08-26 15:43:56

套刻精度已達(dá)2μm,芯碁裝直寫(xiě)光刻設(shè)備獲頭部封測(cè)企業(yè)訂單

采購(gòu)訂單,產(chǎn)品主要應(yīng)用于 SoW、CIS、類(lèi)CoWoS-L 等大尺寸芯片封裝方向。 ? 芯碁裝指出,隨著人工智能、高性能計(jì)算等應(yīng)用的爆發(fā)式增長(zhǎng),市場(chǎng)對(duì)大尺寸、高集成度的中道芯片需求激增。芯碁裝憑借其在直寫(xiě)光刻領(lǐng)域深厚的技術(shù)積累,
2025-08-25 08:38:0011124

光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測(cè)方法

在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn),為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542

今日看點(diǎn)丨芯碁裝直寫(xiě)光刻設(shè)備批量導(dǎo)入國(guó)內(nèi)多家封測(cè)龍頭;英特爾首個(gè)機(jī)架級(jí) AI 芯片樣品曝光

芯碁裝直寫(xiě)光刻設(shè)備批量導(dǎo)入國(guó)內(nèi)多家封測(cè)龍頭 ? 8月19日,芯碁裝宣布,其面向中道領(lǐng)域的晶圓級(jí)及板級(jí)直寫(xiě)光刻設(shè)備系列已獲得重大市場(chǎng)突破。公司已與多家國(guó)內(nèi)頭部封測(cè)企業(yè)簽訂采購(gòu)訂單,產(chǎn)品主要應(yīng)用于
2025-08-21 10:33:001560

EUV光刻膠材料取得重要進(jìn)展

這一突破的核心力量。 ? 然而,EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途,其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷,這對(duì)配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴(yán)苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力,還要在反應(yīng)機(jī)制的穩(wěn)定性、缺陷控制的精準(zhǔn)度等方面實(shí)
2025-08-17 00:03:004220

電子束光刻機(jī)

澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(jī)(EBL)是一款高性能、高精度的光刻設(shè)備,專(zhuān)為半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨率光刻需求設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用先進(jìn)的場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)Y(jié)合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng),確保光刻質(zhì)量?jī)?yōu)異且
2025-08-15 15:14:01

DMD無(wú)掩膜光刻機(jī)

澤攸科技ZML10A是一款創(chuàng)新的桌面級(jí)無(wú)掩膜光刻設(shè)備,專(zhuān)為高效、精準(zhǔn)的納加工需求設(shè)計(jì)。該設(shè)備采用高功率、高均勻度的LED光源,并結(jié)合先進(jìn)的DLP技術(shù),實(shí)現(xiàn)了黃光或綠光引導(dǎo)曝光功能,真正做到
2025-08-15 15:11:55

澤攸科技 | 電子束光刻(EBL)技術(shù)介紹

電子束光刻(EBL)是一種無(wú)需掩模的直接寫(xiě)入式光刻技術(shù),其工作原理是通過(guò)聚焦電子束在電子敏感光刻膠表面進(jìn)行納米級(jí)圖案直寫(xiě)。
2025-08-14 10:07:212552

全球市占率35%,國(guó)內(nèi)90%!芯上裝第500臺(tái)步進(jìn)光刻機(jī)交付

制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步,它通過(guò)曝光和顯影過(guò)程,在光刻膠層上精確地刻畫(huà)出幾何圖形結(jié)構(gòu),隨后利用刻蝕工藝將這些圖形轉(zhuǎn)移到襯底材料上。這一過(guò)程直接決定了最終芯片的性能與功能。芯上裝已經(jīng)與盛合晶半導(dǎo)體(江陰)有限公司等企業(yè)達(dá)成合作
2025-08-13 09:41:341988

從光固化到半導(dǎo)體材料:久日新材的光刻膠國(guó)產(chǎn)替代之路

當(dāng)您尋找可靠的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商時(shí),一家在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材(688199.SH)。這家光引發(fā)劑巨頭,正以令人矚目的速度在半導(dǎo)體核心材料國(guó)產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381162

半導(dǎo)體濕法去膠原理

半導(dǎo)體濕法去膠是一種通過(guò)化學(xué)溶解與物理輔助相結(jié)合的技術(shù),用于高效、可控地去除晶圓表面的光刻膠及其他工藝殘留物。以下是其核心原理及關(guān)鍵機(jī)制的詳細(xì)說(shuō)明:化學(xué)溶解作用溶劑選擇與反應(yīng)機(jī)制有機(jī)溶劑體系:針對(duì)正性光刻膠
2025-08-12 11:02:511506

國(guó)產(chǎn)百?lài)嵓?jí)KrF光刻膠樹(shù)脂產(chǎn)線(xiàn)正式投產(chǎn)

“研發(fā)+量產(chǎn)”雙軌并行模式,總產(chǎn)能達(dá)萬(wàn)噸級(jí),是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模領(lǐng)先的KrF光刻膠生產(chǎn)基地。產(chǎn)線(xiàn)集成了高自動(dòng)化控制系統(tǒng),從原料配比到成品檢測(cè)的全流程實(shí)現(xiàn)智能化管控,不僅大幅提升了生產(chǎn)效率,更確保了產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。 ? 研發(fā)線(xiàn)專(zhuān)注于新
2025-08-10 03:26:009092

LED透鏡粘接UV用于固定和粘合LED透鏡

LED透鏡粘接UV是一種特殊的UV固化,用于固定和粘合LED透鏡。它具有以下特點(diǎn):1.高透明度:LED透鏡粘接UV具有高透明度,可以確保光線(xiàn)的透過(guò)性,不影響LED的亮度和效果。2.快速固化
2025-08-08 10:11:261049

3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用

光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟,其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下,光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí),傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿(mǎn)足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43944

光阻去除屬于什么制程

→光阻去除核心目的:清除完成圖案轉(zhuǎn)移后剩余的光刻膠層,暴露出需要進(jìn)一步加工(如蝕刻、離子注入或金屬沉積)的芯片區(qū)域。承上啟下作用:連接前期的光刻圖案化與后續(xù)的材料
2025-07-30 13:33:021121

光阻去除工藝有哪些

光阻去除工藝(即去膠工藝)是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,旨在清除曝光后的光刻膠而不損傷底層材料。以下是主流的技術(shù)方案及其特點(diǎn):一、濕法去膠技術(shù)1.有機(jī)溶劑溶解法原理:利用丙酮、NMP(N-甲基吡咯烷酮
2025-07-30 13:25:43916

半導(dǎo)體超聲波清洗機(jī) 芯矽科技

光刻工藝后清洗:去除光刻膠殘留及顯影液副產(chǎn)物。刻蝕后清潔:清除蝕刻副產(chǎn)物及側(cè)壁顆粒。先進(jìn)封裝:TSV(硅通孔)、Bumping(凸點(diǎn))等3D結(jié)構(gòu)的窄縫污染物清除。
2025-07-23 15:06:54

中科院微電子所突破 EUV 光刻技術(shù)瓶頸

極紫外光刻(EUVL)技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝制程的關(guān)鍵路徑,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當(dāng)前,LPP-EUV 光源是極紫外光刻機(jī)所采用的主流光源,其工作原理是利用波長(zhǎng)為 10.6um 的紅外
2025-07-22 17:20:36956

瞬間點(diǎn)加工:閥漏問(wèn)題的解決之道

在瞬間點(diǎn)加工過(guò)程中,閥漏是一個(gè)常見(jiàn)且棘手的問(wèn)題。它不僅會(huì)導(dǎo)致膠水浪費(fèi),增加生產(chǎn)成本,還會(huì)污染產(chǎn)品和設(shè)備,影響產(chǎn)品的粘接質(zhì)量和外觀,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)斐缮a(chǎn)中斷。不過(guò),只要找到漏的根源,就能采取
2025-07-21 09:50:31920

晶圓蝕刻后的清洗方法有哪些

晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,旨在去除蝕刻殘留物(如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等),同時(shí)避免對(duì)晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見(jiàn)的清洗方法及其原理:一、濕法清洗1.溶劑清洗目的:去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011622

國(guó)產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動(dòng)

量產(chǎn)到ArF浸沒(méi)式驗(yàn)證,從樹(shù)脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破,一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A以120nm分辨率和93.7%的良率通過(guò)中芯國(guó)際28nm產(chǎn)線(xiàn)驗(yàn)證,開(kāi)創(chuàng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083

行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測(cè)量之光刻膠厚度測(cè)量

光刻膠,又稱(chēng)光致抗蝕劑,是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線(xiàn)等的照射或輻射下,溶解度會(huì)發(fā)生變化,主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。由于
2025-07-11 15:53:24430

壓電納米技術(shù)如何輔助涂膠顯影設(shè)備實(shí)踐精度突圍

一、涂膠顯影設(shè)備:光刻工藝的“幕后守護(hù)者” 在半導(dǎo)體制造的光刻環(huán)節(jié)里,涂膠顯影設(shè)備與光刻機(jī)需協(xié)同作業(yè),共同實(shí)現(xiàn)精密的光刻工藝。曝光工序前,涂膠機(jī)會(huì)在晶圓表面均勻涂覆光刻膠;曝光完成后,顯影設(shè)備則對(duì)晶
2025-07-03 09:14:54772

改善光刻圖形線(xiàn)寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

的應(yīng)用。 改善光刻圖形線(xiàn)寬變化的方法 優(yōu)化曝光工藝參數(shù) 曝光是決定光刻圖形線(xiàn)寬的關(guān)鍵步驟。精確控制曝光劑量,可避免因曝光過(guò)度導(dǎo)致光刻膠過(guò)度反應(yīng),使線(xiàn)寬變寬;或曝光不足造成線(xiàn)寬變窄。采用先進(jìn)的曝光設(shè)備,如極紫外(EUV)光刻機(jī)
2025-06-30 15:24:55740

改善光刻圖形垂直度的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與納加工領(lǐng)域,光刻圖形的垂直度對(duì)器件的電學(xué)性能、集成密度以及可靠性有著重要影響。精準(zhǔn)控制光刻圖形垂直度是保障先進(jìn)制程工藝精度的關(guān)鍵。本文將系統(tǒng)介紹改善光刻圖形垂直度的方法,并
2025-06-30 09:59:13489

ASML官宣:更先進(jìn)的Hyper NA光刻機(jī)開(kāi)發(fā)已經(jīng)啟動(dòng)

半導(dǎo)體光刻技術(shù)向物理極限發(fā)起的又一次沖擊。 ? 目前的 TWINSCAN EXE:5000 光刻系統(tǒng)采用 High NA(0.55NA)光學(xué)系統(tǒng),分辨率可達(dá) 8nm。High NA EUV
2025-06-29 06:39:001916

半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller應(yīng)用場(chǎng)景與選購(gòu)指南

、蝕刻、薄膜沉積等工序,每個(gè)環(huán)節(jié)均需準(zhǔn)確溫控。以下以典型場(chǎng)景為例,闡述半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller的技術(shù)需求與解決方案:1、光刻工藝中的溫度穩(wěn)定性保障光刻膠涂布與曝
2025-06-26 15:39:09820

晶圓濕法清洗設(shè)備 適配復(fù)雜清潔挑戰(zhàn)

鍵設(shè)備的技術(shù)價(jià)值與產(chǎn)業(yè)意義。一、晶圓濕法清洗:為何不可或缺?晶圓在制造過(guò)程中會(huì)經(jīng)歷多次光刻、刻蝕、沉積等工藝,表面不可避免地殘留光刻膠、金屬污染物、氧化物或顆粒。這些污染
2025-06-25 10:26:37

針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法,并探討白光
2025-06-25 10:19:48815

金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體及納制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝對(duì)金屬結(jié)構(gòu)的保護(hù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過(guò)度蝕刻,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565

MEMS制造領(lǐng)域中光刻Overlay的概念

在 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))制造領(lǐng)域,光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計(jì)圖案對(duì)準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻 Overlay 指的是芯片制造過(guò)程中,前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對(duì)準(zhǔn)精度。
2025-06-18 11:30:491557

用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

至關(guān)重要。本文將介紹用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液,并探討白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液 配方設(shè)計(jì) 低銅腐蝕光刻膠剝離液需兼顧光刻膠溶解能力與銅保護(hù)性能。其主要成分包括有機(jī)溶
2025-06-18 09:56:08693

全自動(dòng)mask掩膜板清洗機(jī)

一、產(chǎn)品概述全自動(dòng)Mask掩膜板清洗機(jī)是半導(dǎo)體光刻工藝中用于清潔光罩(Reticle/Mask)表面的核心設(shè)備,主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機(jī)物沉積及蝕刻副產(chǎn)物。其技術(shù)覆蓋濕法化學(xué)清洗、兆
2025-06-17 11:06:03

低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來(lái)的成本、環(huán)保等問(wèn)題備受關(guān)注。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)
2025-06-17 10:01:01678

為什么光刻要用黃光?

通過(guò)使用光掩膜和光刻膠在基板上復(fù)制流體圖案的過(guò)程。基板將涂覆硅二氧化層絕緣層和光刻膠。光刻膠在被紫外光照射后可以容易地用顯影劑溶解,然后在腐蝕后,流體圖案將留在基板上。無(wú)塵室(Cleanroom)排除掉空間范圍內(nèi)空氣中的
2025-06-16 14:36:251070

金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對(duì)金屬層產(chǎn)生過(guò)度刻蝕,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用,并
2025-06-16 09:31:51586

減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736

光刻工藝中的顯影技術(shù)

一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過(guò)光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線(xiàn)或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝過(guò)程,將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162127

光刻膠產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

如果說(shuō)最終制造出來(lái)的芯片是一道美食,那么光刻膠就是最初的重要原材料之一,而且是那種看起來(lái)可能不起眼,但卻能決定一道菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠(photoresist),在業(yè)內(nèi)又被稱(chēng)為光阻或光阻劑
2025-06-04 13:22:51992

MICRO OLED 金屬陽(yáng)極像素制作工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度的影響機(jī)制及測(cè)量?jī)?yōu)化

與良品率,因此深入探究二者關(guān)系并優(yōu)化測(cè)量方法意義重大。 影響機(jī)制 工藝應(yīng)力引發(fā)變形 在金屬陽(yáng)極像素制作時(shí),諸如光刻、蝕刻、金屬沉積等步驟會(huì)引入工藝應(yīng)力。光刻中,光刻膠的涂覆與曝光過(guò)程會(huì)因光刻膠固化收縮產(chǎn)生應(yīng)力。蝕刻階段,蝕刻氣體或液體對(duì)晶圓表面的作用若不均
2025-05-29 09:43:43589

光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí),精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108

ADI 數(shù)據(jù)采集解決方案在先進(jìn)光刻芯片制造領(lǐng)域大放異彩l

) 市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在未來(lái)五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。傳感器是芯片制造中使用的先進(jìn)光刻系統(tǒng)的核心。 制造復(fù)雜、高性能且越來(lái)越小的半導(dǎo)體芯片時(shí),在很大程度上依賴(lài)于高精度、高靈敏度的光刻工藝,這些工藝有助于在硅晶圓和芯片制造中使用的其他基底上印制復(fù)雜的圖案。 先進(jìn)光刻系統(tǒng)采用了極其精確和靈敏的技
2025-05-25 10:50:00760

Micro OLED 陽(yáng)極像素定義層制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

優(yōu)勢(shì),為光刻圖形測(cè)量提供了可靠手段。 ? Micro OLED 陽(yáng)極像素定義層制備方法 ? 傳統(tǒng)光刻工藝 ? 傳統(tǒng) Micro OLED 陽(yáng)極像素定義層制備常采用光刻剝離工藝。首先在基板上沉積金屬層作為陽(yáng)極材料,接著旋涂光刻膠,通過(guò)掩模版曝光使光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),隨后
2025-05-23 09:39:17628

詳談X射線(xiàn)光刻技術(shù)

隨著極紫外光刻(EUV)技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線(xiàn)光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì),在特定領(lǐng)域正形成差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。
2025-05-09 10:08:491370

光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件免費(fèi)試用

光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進(jìn)行掩模版加工制造,在掩膜加工領(lǐng)域或者無(wú)掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺,在業(yè)內(nèi)也被稱(chēng)為矢量圖形光柵化軟件
2025-05-02 12:42:10

芯片清洗機(jī)用在哪個(gè)環(huán)節(jié)

:去除硅片表面的顆粒、有機(jī)物和氧化層,確保光刻膠均勻涂覆。 清洗對(duì)象: 顆粒污染:通過(guò)物理或化學(xué)方法(如SC1槽的堿性清洗)剝離硅片表面的微小顆粒。 有機(jī)物殘留:清除光刻膠殘?jiān)蚯暗拦に嚵粝碌挠袡C(jī)污染物(如SC2槽的酸性清洗)
2025-04-30 09:23:27478

光刻膠的類(lèi)型及特性

光刻膠類(lèi)型及特性光刻膠(Photoresist),又稱(chēng)光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類(lèi)型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337833

半導(dǎo)體制造關(guān)鍵工藝:濕法刻蝕設(shè)備技術(shù)解析

刻蝕工藝的核心機(jī)理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),與光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備并稱(chēng)為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備??涛g的主要作用是將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到功能膜層,具體而言,是通過(guò)物理及化學(xué)
2025-04-27 10:42:452200

最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

第9章 集成電路制造工藝概況 第10章 氧化 第11章 淀積 第12章 金屬化 第13章 光刻:氣相成底膜到軟烘 第14章 光刻:對(duì)準(zhǔn)和曝光 第15章 光刻光刻膠顯影和先進(jìn)光刻技術(shù) 第16章
2025-04-15 13:52:11

成都匯陽(yáng)投資關(guān)于光刻機(jī)概念大漲,后市迎來(lái)機(jī)會(huì)

【2025年光刻機(jī)市場(chǎng)的規(guī)模預(yù)計(jì)為252億美元】 光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造過(guò)程中價(jià)值量和技術(shù)壁壘最高的設(shè)備之一,其在半導(dǎo)體制造中的重要性不言而喻。 目前,全球市場(chǎng)對(duì)光刻機(jī)的需求持續(xù)增長(zhǎng),尤其是在先進(jìn)
2025-04-07 09:24:271240

【「芯片通識(shí)課:一本書(shū)讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】芯片怎樣制造

數(shù)據(jù)中介的示意圖。 光刻膠 正性光刻膠中感光部分的光刻膠可以被腐蝕溶解掉,未感光部分的光刻膠不能被腐蝕溶解;復(fù)姓光刻膠的感光部分的光刻膠不能被腐蝕溶解,未感光部分的光刻膠可以被腐蝕溶解掉。如下圖所示
2025-04-02 15:59:44

【「芯片通識(shí)課:一本書(shū)讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】了解芯片怎樣制造

,三合一工藝平臺(tái),CMOS圖像傳感器工藝平臺(tái),微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺(tái)。 光掩模版:基板,不透光材料 光刻膠:感光樹(shù)脂,增感劑,溶劑。 正性和負(fù)性。 光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻
2025-03-27 16:38:20

光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)

光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié),對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn),對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升,光刻技術(shù)也將不斷演化,支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。
2025-03-27 09:21:333276

機(jī)轉(zhuǎn)速對(duì)流控芯片精度的影響

流控芯片制造過(guò)程中,勻是關(guān)鍵步驟之一,而勻機(jī)轉(zhuǎn)速會(huì)在多個(gè)方面對(duì)流控芯片的精度產(chǎn)生影響: 對(duì)光刻膠厚度的影響 勻機(jī)轉(zhuǎn)速與光刻膠厚度成反比關(guān)系。旋轉(zhuǎn)速度影響勻時(shí)的離心力,轉(zhuǎn)速越大,角速度越大
2025-03-24 14:57:16751

半導(dǎo)體材料介紹 | 光刻膠及生產(chǎn)工藝重點(diǎn)企業(yè)

光刻膠(Photoresist)又稱(chēng)光致抗蝕劑,是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線(xiàn)等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液
2025-03-18 13:59:533008

儲(chǔ)能技術(shù)在新型電力電網(wǎng)系統(tǒng)中的應(yīng)用

隨著“雙碳”戰(zhàn)略的推進(jìn),分布式能源和新型負(fù)荷的大規(guī)模接入對(duì)電力系統(tǒng)提出了新的挑戰(zhàn)。電網(wǎng)作為源網(wǎng)荷儲(chǔ)一體化的新技術(shù)形態(tài),以其靈活、*效、智能的特點(diǎn)成為新型電力系統(tǒng)的重要支撐。本文聚焦儲(chǔ)能技術(shù)電網(wǎng)中的作用,探討其在規(guī)劃設(shè)計(jì)、能量管理、運(yùn)行控制等方面的應(yīng)用與優(yōu)化,并展望儲(chǔ)能與電網(wǎng)的未來(lái)發(fā)展路徑。
2025-03-07 13:40:511232

流控勻過(guò)程簡(jiǎn)述

所需的厚度。在流控領(lǐng)域,勻機(jī)主要用于光刻膠的涂覆,以確保光刻過(guò)程的均勻性和質(zhì)量。 勻機(jī)的主要組成部分 旋轉(zhuǎn)平臺(tái):承載基片的平臺(tái),通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生離心力。 滴裝置:控制液的滴落量和位置。 控制系統(tǒng):調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)速
2025-03-06 13:34:21678

鉻板掩膜和光刻掩膜的區(qū)別

掩膜版作為納加工技術(shù)光刻工藝所使用的圖形母版,在IC、平版顯示器、印刷電路版、微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。隨著信息技術(shù)和智能制造的快速發(fā)展,特別是智能手機(jī)、平板電腦、車(chē)載電子等市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)
2025-02-19 16:33:121047

EUV光刻技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者

? EUV光刻有多強(qiáng)?目前來(lái)看,沒(méi)有EUV光刻,業(yè)界就無(wú)法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機(jī)也是歷史上最復(fù)雜、最昂貴的機(jī)器之一。 EUV光刻有哪些瓶頸? EUV光刻技術(shù),存在很多難點(diǎn)。 1.1
2025-02-18 09:31:242257

納米壓印技術(shù):開(kāi)創(chuàng)下一代光刻的新篇章

光刻技術(shù)對(duì)芯片制造至關(guān)重要,但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制,摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸,下一代光刻(NGL)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。本文將介紹納米壓印技術(shù)(NIL)的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備,并探討其在半導(dǎo)體制造中
2025-02-13 10:03:503709

利用彩色光刻膠的光學(xué)菲涅爾波帶片平面透鏡設(shè)計(jì)

光學(xué)操控技術(shù)已成為諸多應(yīng)用領(lǐng)域中的有力工具,它的蓬勃發(fā)展也使得學(xué)界對(duì)光學(xué)器件小型化的需求日益增長(zhǎng)。因此,以超表面和衍射光學(xué)元件為代表的平面透鏡技術(shù)由于其相對(duì)傳統(tǒng)衍射光學(xué)器件極小的厚度而得到廣泛關(guān)注
2025-02-06 10:16:491422

光刻機(jī)用納米位移系統(tǒng)設(shè)計(jì)

光刻機(jī)用納米位移系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2025-02-06 09:38:031028

芯片制造:光刻工藝原理與流程

機(jī)和光刻膠: ? 光掩膜:如同芯片的藍(lán)圖,上面印有每一層結(jié)構(gòu)的圖案。 ? ? ?光刻機(jī):像一把精確的畫(huà)筆,能夠引導(dǎo)光線(xiàn)在光刻膠上刻畫(huà)出圖案。 ? 光刻膠:一種特殊的感光材料,通過(guò)光刻過(guò)程在光刻膠上形成圖案,進(jìn)而構(gòu)建出三維結(jié)構(gòu)。
2025-01-28 16:36:003591

先進(jìn)封裝Underfill工藝中的四種常用的填充CUF,NUF,WLUF和MUF介紹

今天我們?cè)僭敿?xì)看看Underfill工藝中所用到的四種填充:CUF,NUF,WLUF和MUF。 倒裝芯片的底部填充工藝一般分為三種:毛細(xì)填充(流動(dòng)型)、無(wú)流動(dòng)填充和模壓填充,如下圖所示, 目前看來(lái)
2025-01-28 15:41:003970

2025年中國(guó)顯影設(shè)備行業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)及前景預(yù)測(cè)

)、程序控制系統(tǒng)等部分組成。 在光刻工藝中,涂膠/顯影設(shè)備則是作為光刻機(jī)的輸入(曝光前光刻膠涂覆)和輸出(曝光后圖形的顯影)設(shè)備,通過(guò)機(jī)械手使晶圓在各系統(tǒng)之間傳輸和處理,從而完成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影、堅(jiān)膜等工
2025-01-20 14:48:52678

光刻機(jī)的分類(lèi)與原理

本文主要介紹光刻機(jī)的分類(lèi)與原理。 ? 光刻機(jī)分類(lèi) 光刻機(jī)的分類(lèi)方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類(lèi),光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片光刻機(jī)和面板光刻機(jī)。面板光刻機(jī)的工作原理和芯片光刻機(jī)相似
2025-01-16 09:29:456359

用于內(nèi)窺鏡鏡頭模組的環(huán)氧樹(shù)脂封裝

用于內(nèi)窺鏡鏡頭模組的環(huán)氧樹(shù)脂封裝用于內(nèi)窺鏡鏡頭模組的環(huán)氧樹(shù)脂封裝是一種高性能的膠粘劑,它結(jié)合了環(huán)氧樹(shù)脂的優(yōu)異特性和內(nèi)窺鏡鏡頭模組的特殊需求。以下是對(duì)這種環(huán)氧樹(shù)脂封裝的詳細(xì)解析:一、環(huán)氧樹(shù)脂
2025-01-10 09:18:161119

納米壓印光刻技術(shù)旨在與極紫外光刻(EUV)競(jìng)爭(zhēng)

,nanoimprint lithography),它能夠繪制出小至14納米的電路特征——使邏輯芯片達(dá)到與英特爾、超半導(dǎo)體(AMD)和英偉達(dá)現(xiàn)正大量生產(chǎn)的處理器相當(dāng)?shù)乃健?納米壓印光刻系統(tǒng)具有的優(yōu)勢(shì)可能對(duì)當(dāng)今主導(dǎo)先進(jìn)
2025-01-09 11:31:181280

募資12億!國(guó)內(nèi)光刻膠“銷(xiāo)冠王”沖刺IPO!

先進(jìn)材料項(xiàng)目等。 恒坤新材成立于2004年12月,是中國(guó)境內(nèi)少數(shù)具備12英寸集成電路晶圓制造關(guān)鍵材料研發(fā)和量產(chǎn)能力的創(chuàng)新企業(yè)之一。據(jù)其股東廈門(mén)市產(chǎn)業(yè)投資基金披露,恒坤新材是國(guó)內(nèi)12英寸晶圓制造先進(jìn)制程上出貨量最大的光刻膠企業(yè)。 根據(jù)弗若斯特沙利文市
2025-01-07 17:38:55843

流控中的烘技術(shù)

一、烘技術(shù)流控中的作用 提高光刻膠穩(wěn)定性 在 流控芯片 制作過(guò)程中,光刻膠經(jīng)過(guò)顯影后,進(jìn)行烘(堅(jiān)膜)能使光刻膠結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。例如在后續(xù)進(jìn)行干法刻蝕、濕法刻蝕或者LIGA等工藝時(shí),烘可以讓
2025-01-07 15:18:06824

組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)介紹

? 本文介紹了組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)。 光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟,其重要性不言而喻。光刻機(jī)是實(shí)現(xiàn)這一工藝的核心設(shè)備,它的工作原理類(lèi)似于傳統(tǒng)攝影中的曝光過(guò)程,但精度要求極高,能夠達(dá)到
2025-01-07 10:02:304530

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