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單鍵/一鍵觸摸觸控IC:VKD223B/VKD223EB/223NB,VKD232C兩按鍵/雙通道觸控感應(yīng)芯片,取代市面223B/223EB/223NB/232C 原廠開(kāi)發(fā)資料

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2025-03-19 16:49:042

LM1117-3.3低壓差正電壓調(diào)節(jié)器規(guī)格書(shū)

限制的典型值為1.5A,允許在過(guò)載條件下使調(diào)節(jié)器和電源電路上的應(yīng)力最小化3.3V節(jié)省空間的功能SOT-223封裝電流限制和熱保護(hù)輸出電流1A溫度范圍0?C至125?C線路調(diào)節(jié)0.2%(最大)負(fù)載調(diào)節(jié)0.4%(最大)高效線性調(diào)節(jié)器應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源?
2025-03-17 18:05:180

REG1117 800mA、15V、線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

REG1117 是易于使用的三端子穩(wěn)壓器系列。該系列包括各種固定和 可調(diào)電壓版本,種電流(800mA 和 1A)和種封裝類(lèi)型(SOT-223 和 DDPAK)。 可調(diào)版本的輸出電壓由個(gè)外部電阻器設(shè)置。低壓差電壓REG1117 允許其使用低至 1V 的輸入-輸出電壓差。
2025-03-17 15:57:01738

REG1117A 1A、15V、線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

REG1117 是易于使用的三端子穩(wěn)壓器系列。該系列包括各種固定和 可調(diào)電壓版本,種電流(800mA 和 1A)和種封裝類(lèi)型(SOT-223 和 DDPAK)。 可調(diào)版本的輸出電壓由個(gè)外部電阻器設(shè)置。低壓差電壓REG1117 允許其使用低至 1V 的輸入-輸出電壓差。
2025-03-17 10:41:27947

cubemx生成的freertos代碼在keil ac6下不能編譯,怎么解決?

/portable/RVDS/ARM_CM3portmacro.h(223): error: unknown type name \'__forceinline\' 223 | static
2025-03-12 08:19:36

LP38692 具有使能功能的 1A、10V、低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ESR 陶瓷輸出電容器的出色交流性能。 WSON、SOT-223 和 TO-252 封裝的低熱阻允許在高環(huán)境溫度環(huán)境中使用全部工作電流。
2025-03-11 11:46:43777

LP38690-ADJ 1A、10V、可調(diào)低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

的交流性能,利用超低等效串聯(lián)電阻 (ESR) 陶瓷輸出電容器。 WSON 和 SOT-223 封裝的低熱阻允許在高環(huán)境溫度環(huán)境中使用全部工作電流。
2025-03-11 11:33:50719

SC223A數(shù)字CMOS圖像傳感器數(shù)據(jù)手冊(cè)

完整型號(hào):SC223A-CSBNN00,品牌:思特威,需要模組設(shè)計(jì)資料見(jiàn)下圖。?
2025-03-07 09:26:326

LP38691-ADJ-Q1 汽車(chē)類(lèi) 500mA、10V、可調(diào)低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

) 陶瓷輸出電容器的出色交流性能。 WSON 和 SOT-223 封裝的低熱阻即使在高環(huán)境溫度環(huán)境中也能使用全部工作電流。
2025-03-06 09:46:30704

LP38693-Q1 具有使能功能的汽車(chē)類(lèi) 500mA、10V、低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

) 陶瓷輸出電容器的出色交流性能。 WSON、SOT-223 和 TO-252 封裝的低熱阻允許在高環(huán)境溫度環(huán)境中使用全部工作電流。
2025-03-05 16:24:40682

LP38693-ADJ-Q1 具有使能功能的汽車(chē)類(lèi) 500mA、10V、可調(diào)低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

) 陶瓷輸出電容器的出色交流性能。 WSON 和 SOT-223 封裝的低熱阻即使在高環(huán)境溫度環(huán)境中也能使用全部工作電流。
2025-03-05 16:07:20749

TPS79633-Q1 具有使能功能的汽車(chē) 1A 低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS796xx-Q1 系列低壓差 (LDO)、低功耗線性穩(wěn)壓器采用小尺寸 SOT223-6 封裝,具有高電源抑制比 (PSRR)、超低噪聲、快速啟動(dòng)以及出色的線路和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。該系列中的每個(gè)器件
2025-03-05 10:19:01896

小體積4觸摸VK36Q4四通道觸摸方案適用家電感應(yīng)IC

160mS ? CMOS輸出,低電平有效,支持多 ? 有效最長(zhǎng)輸出16S ? 無(wú)觸摸4S自動(dòng)校準(zhǔn) ? 專(zhuān)用腳接對(duì)地電容調(diào)節(jié)靈敏度(1-47nF) ? 各觸摸通道單獨(dú)接對(duì)地小電容微調(diào)靈敏度
2025-02-17 10:49:30745

AMS美國(guó) AMS1117-3.3 SOT223線性穩(wěn)壓器

載條件下盡量減少應(yīng)力在調(diào)節(jié)器和電源電路上。AMS117設(shè)備與其他三端SCSI穩(wěn)壓器引腳兼容,并采用薄型表面安裝SOT-223封裝、8L SOIC封裝和TO-252
2025-02-14 14:35:26

防干擾8路控電容式芯片VK3708BM

。 —————————————————————————————————————————————————— 觸摸觸IC系列簡(jiǎn)介如下: 標(biāo)準(zhǔn)IC-電池供電系列: VKD223EB --- 工作電壓/電流:2.0V-5.5V/5uA-3V
2025-01-16 17:42:56

藍(lán)牙耳機(jī)觸摸IC-低功耗單按鍵觸摸感應(yīng)芯片/單路控方案-VKD233HH SOT23-6L

產(chǎn)品品牌:永嘉微電 產(chǎn)品型號(hào):VKD233HH 封裝形式:SOT23-6L 特點(diǎn) VKD233HH具有1個(gè)觸摸按鍵,可用來(lái)檢測(cè)外部觸摸按鍵上人手的觸摸動(dòng)作。該芯片具有 較高的集成度,僅需極少的外部
2025-01-15 15:42:081143

觸摸感應(yīng)芯片低電流多按鍵觸摸芯片VKD104CR

產(chǎn)品型號(hào):?VKD104CR 產(chǎn)品品牌:永嘉微電?/VINKA 封裝形式:?SOP8 產(chǎn)品年份:新年份 VKD104CR具有2個(gè)觸摸按鍵,可用來(lái)檢測(cè)外部觸摸按鍵上人手的觸摸動(dòng)作。該芯片具有較高
2025-01-14 17:53:25991

工作電流 4.0uA/3V/低電流單路觸摸/單按鍵觸摸感應(yīng)芯片VKD233HB SOT23-6L

產(chǎn)品品牌:永嘉微電 產(chǎn)品型號(hào):VKD233HB 產(chǎn)品封裝:SOT23-6L 概述 VKD233HB具有1個(gè)觸摸按鍵,可用來(lái)檢測(cè)外部觸摸按鍵上人手的觸摸動(dòng)作。該芯片具有 較高的集成度,僅需極少的外部
2025-01-14 16:24:57833

BUK583-60A-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、BUK583-60A-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BUK583-60A-VB 是 NXP Semiconductors 提供的款高性能單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 SOT223。這款
2025-01-13 16:09:32

BUK582-60A-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BUK582-60A-VB 是款高效能單N溝道MOSFET,采用緊湊的SOT223封裝。這款MOSFET運(yùn)用溝槽技術(shù),設(shè)計(jì)用于需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。其優(yōu)異的電氣性能使其在
2025-01-13 16:08:16

BUK582-100N-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### BUK582-100N-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BUK582-100N-VB是款單N溝道MOSFET,采用SOT223封裝,設(shè)計(jì)用于中等電壓和電流的應(yīng)用。這款MOSFET具有100V的漏源電壓
2025-01-13 16:06:36

BUK582-100A-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、BUK582-100A-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BUK582-100A-VB 是由飛利浦半導(dǎo)體(現(xiàn) NXP Semiconductors)生產(chǎn)的單N溝道功率MOSFET,封裝形式為SOT223。該
2025-01-13 16:04:05

BUK581-60A-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、BUK581-60A-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介BUK581-60A-VB是款高效能單N溝道MOSFET,封裝為SOT223。該MOSFET采用先進(jìn)的Trench技術(shù),具備60V的耐壓和20V的門(mén)極
2025-01-13 16:00:06

BUK581-100A-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

## BUK581-100A-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BUK581-100A-VB 是款高效能、單 N 溝道 MOSFET,適用于中等功率應(yīng)用,具有優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性。該 MOSFET 采用緊湊
2025-01-13 15:55:33

BUK483-60A-VB種SOT223封裝Single-N-Channel場(chǎng)效應(yīng)管

### 、產(chǎn)品簡(jiǎn)介**型號(hào):BUK483-60A-VB**- **封裝類(lèi)型**:SOT223- **配置**:?jiǎn)蜰溝道MOSFET- **技術(shù)**:溝槽式BUK483-60A-VB 是款中等電壓
2025-01-13 14:23:11

BUK482-60A-VB種SOT223封裝Single-N-Channel場(chǎng)效應(yīng)管

### BUK482-60A-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介#### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BUK482-60A-VB 是Nexperia公司推出的款高性能N溝道MOSFET,專(zhuān)為中等電壓和中電流
2025-01-13 14:22:02

BUK482-200A-VB種SOT223封裝Single-N-Channel場(chǎng)效應(yīng)管

### BUK482-200A-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BUK482-200A-VB 是英飛凌(Infineon Technologies)生產(chǎn)的款高電壓N溝道MOSFET,采用SOT223
2025-01-13 14:20:53

BUK482-100A-VB種SOT223封裝Single-N-Channel場(chǎng)效應(yīng)管

### 、BUK482-100A-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BUK482-100A-VB 是款單N溝道MOSFET,采用SOT223封裝。該MOSFET 使用Trench技術(shù)設(shè)計(jì),能夠在高達(dá)100V的漏源極
2025-01-13 14:19:20

BUK481-60A-VB種SOT223封裝Single-N-Channel場(chǎng)效應(yīng)管

## 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**型號(hào):BUK481-60A-VB**BUK481-60A-VB是款高性能N溝道MOSFET,封裝為SOT223。這款MOSFET設(shè)計(jì)用于在高達(dá)60V的漏源電壓下工作,提供了優(yōu)良
2025-01-13 14:18:05

BUK481-100A-VB種SOT223封裝Single-N-Channel場(chǎng)效應(yīng)管

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**BUK481-100A** 是款高效能單極N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),封裝形式為SOT223。這款MOSFET采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),專(zhuān)為中等
2025-01-13 14:16:49

表面貼裝差分輸出晶體振蕩器

深圳鴻合智遠(yuǎn)|DSO223SK/DSO323SK/DSO223SJ/DSO323SJ/DSO223SD/DSO323SD:表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-11 10:12:421008

BSS223PW-VB款Single-P溝道SC70-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**型號(hào)**: BSS223PW-VB  **封裝**: SC70-3  **配置**: 單P溝道MOSFET  **技術(shù)**: 溝槽型技術(shù)### 詳細(xì)
2025-01-10 14:32:30

防干擾多路控低電流6路芯片VK3606D

家電,娛樂(lè)產(chǎn)品 —————————————————————————————————————————————————— 觸摸觸IC系列簡(jiǎn)介如下: 標(biāo)準(zhǔn)IC-電池供電系列: VKD223EB --- 工作
2025-01-09 17:35:33

BSP75N-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

**1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**BSP75N-VB 是款高性能 N-Channel MOSFET,封裝為 SOT223。采用 Trench 技術(shù),提供可靠的開(kāi)關(guān)性能和適中的導(dǎo)通電阻,適合用于中等功率和電流
2025-01-09 15:45:13

BSP615SL-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**BSP615SL-VB** 是款高性能單通道 N 型 MOSFET,封裝形式為 SOT223。該器件設(shè)計(jì)用于中電壓和中等電流應(yīng)用,最大漏極電流為 7A,漏極-源極耐壓為 60V
2025-01-09 15:44:01

BSP615S2L-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP615S2L-VB是款高效能單N溝道MOSFET,封裝為SOT223,采用Trench技術(shù)。該MOSFET支持最高60V的漏源電壓和7A的最大漏極電流。其低閾值電壓和相對(duì)
2025-01-09 15:42:54

BSP373-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP373-VB是款高性能單N溝道MOSFET,封裝形式為SOT223,專(zhuān)為中高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),具有優(yōu)異的電氣性能。在最大漏源電壓
2025-01-09 15:41:48

BSP373N-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### BSP373N-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP373N-VB 是款高性能單N溝道功率MOSFET,采用Trench技術(shù),封裝在SOT223外殼中。該MOSFET具有較高的漏源電壓和中等
2025-01-09 15:39:25

BSP372-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP372-VB 是款高性能單N溝道MOSFET,采用SOT223封裝,專(zhuān)為處理中等電壓和電流的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET 的漏源電壓(VDS)為100V,柵源電壓(VGS)為
2025-01-09 15:38:06

BSP372N-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、產(chǎn)品簡(jiǎn)介**型號(hào):BSP372N-VB**BSP372N-VB是款高性能的單N溝道MOSFET,采用SOT223封裝。這款MOSFET采用了先進(jìn)的Trench技術(shù),設(shè)計(jì)用于承受高達(dá)
2025-01-09 15:36:49

BSP322P-VB款Single-P溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP322P-VB是款高電壓?jiǎn)蜳溝道MOSFET,采用SOT223封裝,專(zhuān)為高電壓和中電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款MOSFET使用Trench技術(shù),能夠在最高-100V的漏源極電壓下穩(wěn)定
2025-01-09 15:29:07

BSP321P-VB款Single-P溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP321P-VB是款高性能的單P溝道MOSFET,采用SOT223封裝。該MOSFET利用Trench技術(shù)設(shè)計(jì),能夠處理高達(dá)-100V的漏源極電壓,專(zhuān)為負(fù)電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它
2025-01-09 15:27:53

BSP320S-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP320S-VB 是款高性能單N溝道MOSFET,采用SOT223封裝,設(shè)計(jì)用于中低電壓應(yīng)用。該MOSFET 使用Trench技術(shù),提供較低的導(dǎo)通電阻和適中的電流處理能力
2025-01-09 15:26:30

BSP319-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**BSP319-VB** 是款單通道 N 溝道 MOSFET,封裝類(lèi)型為 SOT223。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),專(zhuān)為中等電壓和高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)。它的最大漏源極
2025-01-09 15:23:47

BSP318S-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP318S-VB是款高效能單N溝道MOSFET,封裝為SOT223,采用Trench技術(shù)。該MOSFET支持最高60V的漏源電壓和4.5A的最大漏極電流。其低閾值電壓和較低的導(dǎo)
2025-01-09 15:20:31

BSP316P-VB款Single-P溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP316P-VB是款高性能單P溝道MOSFET,封裝形式為SOT223,設(shè)計(jì)用于高電壓和中等電流應(yīng)用。該器件采用溝槽(Trench)技術(shù),具備出色的電氣性能和耐用性。在最大
2025-01-09 15:19:05

BSP220-VB款Single-P溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### BSP220-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP220-VB 是款高耐壓?jiǎn)蜳通道MOSFET,封裝在SOT223外殼中。這款MOSFET 設(shè)計(jì)用于需要高電壓和中等電流的應(yīng)用場(chǎng)合,提供了優(yōu)良
2025-01-09 15:12:49

BSP123-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP123-VB 是款高電壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用SOT223封裝,專(zhuān)為處理中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET 具有100V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓
2025-01-09 14:59:46

BSP110-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP110-VB是款高性能單N溝道MOSFET,采用SOT223封裝。該MOSFET使用Trench技術(shù),設(shè)計(jì)用于中等電壓和電流的應(yīng)用。它具備100V的漏源極電壓耐受能力
2025-01-09 14:51:21

BSP106-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP106-VB是款單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù),封裝為SOT223。該MOSFET具有60V的漏源電壓承受能力和4.5A的最大漏極電流。其低閾值電壓和適中的導(dǎo)通電
2025-01-09 14:45:49

BSP100-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、產(chǎn)品簡(jiǎn)介BSP100-VB是款高性能單N溝道MOSFET,封裝形式為SOT223,專(zhuān)為中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),具有優(yōu)異的電氣性能和熱管理特性
2025-01-09 14:43:59

家電控檢測(cè)芯片超小體積4芯片VK36Q4

IC系列簡(jiǎn)介如下: 標(biāo)準(zhǔn)IC-電池供電系列: VKD223EB --- 工作電壓/電流:2.0V-5.5V/5uA-3V 感應(yīng)通道數(shù):1 通訊接口 最長(zhǎng)響應(yīng)時(shí)間快速模式60mS,低功耗模式220ms
2025-01-07 17:25:45

AULL2705-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### AULL2705-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介AULL2705-VB 是國(guó)際整流器公司(International Rectifier)推出的款單通道N溝道MOSFET,封裝形式為SOT-223。該
2025-01-06 16:39:01

AULL024Z-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、AULL024Z-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介AULL024Z-VB 是款單N溝道功率MOSFET,封裝形式為SOT-223,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。這款MOSFET 專(zhuān)為中等
2025-01-06 16:37:51

AULL024N-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、產(chǎn)品簡(jiǎn)介**AULL024N-VB** 是款單N溝道功率MOSFET,封裝形式為SOT223。該MOSFET設(shè)計(jì)用于中等電流和高效率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用,具有60V的漏源電壓(VDS)和±20V
2025-01-06 16:36:35

AUIRLL2705-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 、產(chǎn)品簡(jiǎn)介**AUIRLL2705-VB** 是款單N溝道功率MOSFET,封裝形式為SOT223。這款MOSFET具有60V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),適用于
2025-01-06 14:42:19

AUIRLL024ZTRPBF-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### AUIRLL024ZTRPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介AUIRLL024ZTRPBF-VB 是款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。其封裝形式為
2025-01-06 14:41:09

AUIRLL024N-VB款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介AUIRLL024N-VB是款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用SOT223封裝。它基于先進(jìn)的溝槽技術(shù),設(shè)計(jì)用于高電壓和中等電流的應(yīng)用場(chǎng)景。該MOSFET具有較低的導(dǎo)通電
2025-01-06 14:39:46

EE-223:SHARC處理器的在線閃存編程

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-223:SHARC處理器的在線閃存編程.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 10:10:590

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