作為世界頂級的RF模塊供應商，RFMD在十年前開始進入中國并且當時就開設了后道封裝測試工廠，這是為了給當時的諾基亞的星網(wǎng)工業(yè)園做配套，正是這一機緣，他們與自己的競爭對手相比就有了供應鏈上的優(yōu)勢。據(jù)RFMD總裁兼首席執(zhí)行官包國富（Bob Bruggeworth）透露，他們從來沒有對中國客戶缺貨的情況發(fā)生，這是他們中國戰(zhàn)略的集中體現(xiàn)。5年前，RFMD在上海設立了研發(fā)中心，現(xiàn)在RFMD在中國已經(jīng)有2000名員工，在北京、上海和深圳擁有辦事機構，從制造、研發(fā)到銷售，人員非常整齊。

　　原來在國內(nèi)他們主要做中低端的RF模塊，但是5年前在上海設立研發(fā)中心以后，大力投入，現(xiàn)在已經(jīng)是全球三大研發(fā)中心之一?，F(xiàn)在全球最先進的產(chǎn)品都已經(jīng)放在上海進行研發(fā)，從最早的GSM到WCDMA和LTE，以及中國的TD-SCDMA產(chǎn)品，都在中國進行研發(fā)。現(xiàn)在聯(lián)想、中興、華為、展訊和高通中國，都已經(jīng)是RFMD在中國的戰(zhàn)略客戶，相比他們的主要競爭對手Triquint和Skyworks，他們在中國的投入更大，公司的一半員工在中國。他們的基帶芯片伙伴，展訊、聯(lián)發(fā)科甚至高通現(xiàn)在都在中國，所以中國市場已經(jīng)是RFMD最看重的市場。

　　從去年開始，整個中國的市場在往3G轉，不管是高端還是低端產(chǎn)品。而在上網(wǎng)的時候，機器所消耗的能量中80%都來自終端的RF功放，基帶和收發(fā)器只占有20%的功耗，所以功放的能源效率對于終端的續(xù)航時間是一個極端重要的問題。而他們的PowerSmart產(chǎn)品就是為了提高功放的能源效率。RFMD本月發(fā)布的最新的PowerSmart功率平臺產(chǎn)品系列，納入多個全新的3G和4G LTE PowerSmart產(chǎn)品型號。RFMD的PowerSmart功率平臺是運用新技術實現(xiàn)聚合式前端的前沿，針對多模式、多頻段應用，其包括智能手機、平板電腦和其它以數(shù)據(jù)為中心的移動寬帶設備。

　　RFMD最新的PowerSmart功率平臺包括PowerSmart 4G，這是一個能夠支持達12個4G LTE、3G和2G頻段的聚合多模式、多頻段功率平臺。

　　PowerSmart 4G特別適用于4G LTE操作，是RFMD第一代PowerSmart功率平臺的擴展，與第一代PowerSmart功率平臺相比，增加了三個額外的3G或4G頻段。PowerSmart 4G還包括所有必要的開關和信號調(diào)節(jié)功能且具有緊湊的參考設計，可為智能手機制造商提供適用于所有前端的單個可擴展來源。

　　PowerSmart產(chǎn)品系列還包括一個全新的功率平臺，該平臺經(jīng)過優(yōu)化，適用于新興3G入口（3Ge）應用，且能夠支持多達七個3G或2G頻段的多模式、多頻段范圍。與PowerSmart 4G類似，適用于新興3Ge應用的RFMD PowerSmart功率平臺也包括所有必要的開關和信號調(diào)節(jié)功能且具有緊湊的參考設計。

　　除了4G和3Ge功率平臺之外，RFMD仍在擴展PowerSmart產(chǎn)品系列，將增加多個3G和4G分立式功率放大器。分立式功率放大器可以與任一RFMD PowerSmart功率平臺隨意搭配，以擴展頻段或模式范圍。通過與PowerSmart功率平臺中的RF Configurable Power Core串聯(lián)，這些分立式功率放大器能在補償功率下提供很高的效率。

　　至于說到前道的GaAS工藝晶圓廠，包國富坦言，不是他們不愿意引入中國，實在是GaAS晶圓的產(chǎn)能已經(jīng)超過實際需求的一倍，而且他們的技術使得使用CMOS標準工藝的產(chǎn)品比例大幅上升，大大壓縮了GaAS工藝的需求，所以在可預見的未來，整個行業(yè)不會再增加GaAS工藝生產(chǎn)線。