傳統(tǒng)的光刻工藝是相對目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進光刻工藝而言的，普遍認為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因為 193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個技術(shù)節(jié)點的光刻需要。
2022-10-18 11:20:29
13995 ，仿真和軟件等；4、納米制造技術(shù)：薄膜、粉末制造技術(shù)，蝕刻，離子束激光處理器，電子束處理，填裝充電處理，微電路制造，超精度表面加工技術(shù)，納米微粒混合物，分散技術(shù)，融合接合技術(shù)備；5、納米應(yīng)用領(lǐng)域
2013-02-24 13:52:34
力爭保持在eNVM技術(shù)領(lǐng)域的全球競爭優(yōu)勢，近年來在智能卡、MCU市場取得很好的業(yè)績。此次推出的95納米5V SG eNVM技術(shù)，安全可靠兼顧成本優(yōu)勢，使其成為制勝8位MCU市場的首選制造工藝?！彼M一步指出
2017-08-31 10:25:23
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數(shù)量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃
2012-01-12 10:51:59
時)。EUV光刻和X光光刻則可以達到更高的分辨率。然而, 它們存在的掩膜制造困難，且掩膜易被強光損傷等缺陷限制了它們的工業(yè)化生產(chǎn)。而電子束光刻膠極有可能在集成電路線寬降至納米級時大顯身手，目前國外電子束膠
2018-08-23 11:56:31
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于
光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當于膠片，而
光刻機就是沖洗臺，它把掩膜版上的芯片電路一個個的復(fù)制到
光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕
技術(shù)把電路“畫”在晶圓上?！ ‘斎?/div>
2020-07-07 14:22:55
都按指數(shù)規(guī)律變化,實際電子束自發(fā)輻射的總輻射功率與金屬-介質(zhì)多層膜的空間周期成反比?！娟P(guān)鍵詞】：激光技術(shù);;史密斯-帕塞爾效應(yīng);;金屬-介質(zhì)多層膜;;光柵【DOI】：CNKI:SUN
2010-04-26 16:15:43
各位朋友請問下:電子束的概念是什么?
2013-03-26 11:02:59
納米技術(shù)的在中國是一個新技術(shù)，中國能做的就一兩家。納米防水技術(shù)要有特殊的設(shè)備，都要自我研發(fā)，加納米材料，以及技術(shù)。應(yīng)用領(lǐng)域可滿足手機等消費電子產(chǎn)品，服飾，登山鞋等紡織品以及醫(yī)療領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品防水抗潮
2018-09-19 13:34:06
，橫穿基板的通孔，空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)。CHA2066-QAG以無鉛SMD封裝形式提供。主要特征寬帶性能10-16GHZ2.5db相位噪聲，10-16GHZ（BD）16db增益值，1.5db增益值
2024-02-05 09:13:49
，空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)制造。它以符合RoHS的SMD封裝提供。功能 放大器– MPA射頻帶寬（GHz）21-27.5輸出功率（dBm）21增益（dB）25封裝QFN`
2021-01-21 15:54:26
UMS的CHA3688aQDG是款三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
CHA3688aQDG選用 pHEMT 工藝技術(shù)、0.25μm 柵極尺寸、橫穿基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻工藝生產(chǎn)
2024-03-06 15:46:20
CHS2411-QDG單片反射式SP4T開關(guān)K波段。正電源電壓僅為必修的。該電路是用標準制造的。PHEMT工藝，0.25μm門長，通孔孔通過基板，空氣橋和電子束柵光刻技術(shù)。芯片是在24引腳ROHS交付兼容QFN 4X4
2018-06-19 11:34:06
電子束光刻門。產(chǎn)品型號: CHT3029-QEG產(chǎn)品名稱：衰減器CHT3029-QEG產(chǎn)品特性寬帶性能：dc-31ghz插入損耗：4db @ 20ghz 8db @ 31ghz衰減步：1db動態(tài)
2018-09-21 08:54:54
Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機臺能在使用離子束切割樣品的同時，用電子束對樣品斷面(剖面)進行觀察，亦可進行EDX的成份分析。iST宜特檢測具備超高分辨率的離子束及電子束的Dual
2018-09-04 16:33:22
的GaAs PHEMT器件模型技術(shù)，并基于電子束光刻技術(shù)，以確保高重復(fù)性和均勻性。該芯片具有表面鈍化以保護并提供具有背面通孔和金金屬化的堅固部分，以允許導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或共晶焊料芯片連接工藝。該裝置非常適用于
2018-07-05 15:50:09
PHEMT器件模型技術(shù)，并基于電子束光刻技術(shù)，以確保高重復(fù)性和均勻性。該芯片具有表面鈍化以保護并提供具有背面通孔和金金屬化的堅固部分，以允許導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或共晶焊料芯片連接工藝。該裝置非常適用于微波、毫米波
2019-12-04 09:55:34
器件模型技術(shù)，并基于電子束光刻技術(shù)，以確保重復(fù)性和均勻性。該芯片具有表面鈍化以保護并提供具有背面通孔和金金屬化的堅固部分，以允許導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或共晶焊料芯片連接工藝。該裝置非常適用于微波、毫米波和寬帶
2019-08-08 08:44:21
電源。該設(shè)備采用MACOM的GaAs PHEMT器件模型技術(shù)，和基于電子束光刻技術(shù)來保證高的重復(fù)性和一致性。產(chǎn)品型號：XL1010-QT產(chǎn)品名稱：放大器XL1010-QT產(chǎn)品特性17分貝小信號增益單正
2018-08-13 09:33:38
XX1000-BD-000V是一個的LO倍頻器可用于驅(qū)動基本混頻器設(shè)備。它也非常適合驅(qū)動M/A COM技術(shù)的XR1002接收機設(shè)備。這個MMIC使用M/A COM技術(shù)的GaAs PHEMT設(shè)備模型技術(shù)，并基于電子束光刻確保高
2018-09-14 10:05:32
的自頂向下 GaN 納米線制造工藝得到改進，以實現(xiàn)直徑低于 50nm 的特征。提出了 SPE 制造的初始工藝，并引入了電化學(xué)蝕刻設(shè)置以擴大處理能力和應(yīng)用。這些新工藝的初步實驗顯示出有希望的結(jié)果。如有侵權(quán)，請聯(lián)系作者刪除`
2021-07-08 13:11:24
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V族半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)的光子學(xué)特性編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導(dǎo)體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對電子和光子
2021-07-09 10:20:13
下方的蝕刻速率遠高于沒有金屬時的蝕刻速率，因此當半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時，金屬層會下降到半導(dǎo)體中。4 本報告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
申請理由：我們是北京航空航天大學(xué)新型電源研究實驗室，我們的電子束焊接項目欲用arm架構(gòu)的開發(fā)板進行試驗，故申請致遠電子AWorks開發(fā)板免費試用機會項目描述：我們是北京航空航天大學(xué)新型電源研究實驗室
2015-10-23 10:09:58
三種常見的光刻技術(shù)方法根據(jù)暴光方法的不同,可以劃分為接觸式光刻,接近式光刻和投影式光刻三種光刻技術(shù)。 ◆投影式暴光是利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的暴光方法.在這種暴光方法中,由于掩膜
2012-01-12 10:56:23
什么是納米？為什么制程更小更節(jié)能？為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
`MEMS全稱Micro Electromechanical System（微機電系統(tǒng)），是一種通常在硅晶圓上以IC工藝制備的微機電系統(tǒng)，微機械結(jié)構(gòu)的制備工藝包括光刻、離子束刻蝕、化學(xué)腐蝕、晶片鍵合
2020-05-12 17:27:14
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認知無線電（名詞解釋） 4半導(dǎo)體工藝的4個主要步驟： 4簡敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半橋逆變型電子束焊機用直流高壓電源的設(shè)計
2012-08-20 16:07:52
中國科學(xué)院大學(xué)（以下簡稱國科大）微電子學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院，國科大微電子學(xué)院開設(shè)的《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》課程是國內(nèi)少有的研究討論光刻技術(shù)的研究生課程，而開設(shè)課程
2021-10-14 09:58:07
的硅片報廢，因此必須進行嚴格的工藝流程控制。半導(dǎo)體器件的每一層都會經(jīng)歷多個刻蝕步驟?？涛g一般分為電子束刻蝕和光刻，光刻對材料的平整度要求很高，因此，需要很高的清潔度。 但是，對于電子束刻蝕，由于電子的波長
2017-10-09 19:41:52
失效分析實驗室中，我們檢查了電阻對比成像(RCI)和電子束感應(yīng)電流(EBIC)，并成功將其用作失效點隔離技術(shù)。從這些技術(shù)獲得的結(jié)果得到了其它失效分析方法的支持，例如光學(xué)顯微鏡和曲線軌跡分析等。最后
2018-10-22 16:44:07
。電子束焊接技術(shù)主要就是高精密度的焊接電子束應(yīng)用為能量載體，通過這樣的形式實現(xiàn)焊接材料之間的焊接連接。電子束焊接工藝的應(yīng)用歷史已經(jīng)有近五十年的里程，在這一期間，電子束焊接技術(shù)得到了非常大的發(fā)展，作為高新科學(xué)技術(shù)
2018-03-15 11:18:40
學(xué)者的觀點，可提出納電子封裝的研究領(lǐng)域為[4]：納封裝設(shè)計、納布線與納互連、納米到微米的尺度轉(zhuǎn)化、納封裝材料與工藝、納光互連、納能量轉(zhuǎn)換與存儲、納傳感器封裝、納封裝中的光刻技術(shù)、納熱科學(xué)和納機電系統(tǒng)等
2018-08-28 15:49:18
進行元素組成分析。1.引言 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束（FIB）技術(shù)利用高強度聚焦
2020-02-05 15:13:29
` 設(shè)備型號：Zeiss Auriga Compact 聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成為FIB-SEM雙束系統(tǒng)后，通過結(jié)合相應(yīng)的氣體沉積裝置，納米操縱儀，各種探測器及可控的樣品
2020-01-16 22:02:26
根據(jù)電子束焊機的控制系統(tǒng)的要求，提出用三菱公司的FX 系列的可編程邏輯控制器對電子束焊機進行數(shù)字量控制和模擬量控制。結(jié)合電子束焊機焊接工藝需要，分別對控制軟件的
2009-05-26 11:04:23
48 價格貨期電議電子束蒸鍍設(shè)備 E-beam Evaporation System電子束蒸發(fā)與熱蒸發(fā)對比, 能夠在非常高的溫度下熔化材料, 如鎢, 石墨 ... 等等. 結(jié)合石英震蕩片的反饋信號, 可
2022-11-04 11:01:13
價格貨期電議超高真空電子束蒸鍍設(shè)備 UHV E-beam Evaporation System超高真空環(huán)境的特征為其真空壓力低于 10-8至10-12 Torr, 在化學(xué)物理和工程領(lǐng)域十分
2022-11-04 11:21:50
隨著納米科技的迅速發(fā)展，下一代光刻技術(shù)在微細加工領(lǐng)域發(fā)揮著日益重要的作用。作為復(fù)雜半導(dǎo)體加工主要手段之一的電子束曝光系統(tǒng)，需要穩(wěn)定完善的控制軟件來保證其正常
2009-06-29 08:58:0317 Lange 耦合器以實現(xiàn)良好的輸入/輸出回波損耗。該 MMIC 使用 M/A-COM Tech 的 GaAs PHEMT 器件模型技術(shù)，并基于電子束光刻以確保高可重復(fù)性
2023-03-10 16:43:00
強流短脈沖電子束束剖面測量技術(shù) 摘 要: 束流剖面信息的獲得對于加速器的研究有著重要的意義。對強流短脈沖電子加速器束剖面測量技術(shù)作了評述。目
2010-06-10 16:26:556 隨著納米科技的迅速發(fā)展，下一代光刻技術(shù)在微細加工領(lǐng)域發(fā)揮著日益重要的作用。作為復(fù)雜半導(dǎo)體加工主要手段之一的電子束曝光系統(tǒng)，需要穩(wěn)定完善的控制軟件來保證其正常運
2010-07-14 14:34:5613 電子束管
2006-04-16 23:34:541842 
據(jù)Pixelligent Technologies LLC表示，該公司開發(fā)出一種據(jù)稱可提高現(xiàn)有光刻設(shè)備分辨率的納米晶（nanocrystalline）材料，使光學(xué)光刻（Optical lithography）可擴展至32納米以下。
2009-06-07 18:31:181475 英特爾認為浸入式光刻能延伸到11納米
英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者
2010-02-25 10:17:55966 
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 電子束加工原理和應(yīng)用以及電子束加工特點。
2011-05-22 12:46:1122201 
隨著 納米加工 技術(shù)的發(fā)展,納米結(jié)構(gòu)器件必將成為將來的集成電路的基礎(chǔ). 本文介紹了幾種用電子束光刻、反應(yīng)離子刻蝕方法制備硅量子線、量子點和用電子束光刻、電子束蒸發(fā)以及剝
2011-06-20 16:16:0935 據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報道，美國麻省理工學(xué)院的研究人員利用電子束光刻技術(shù)和剝離過程開發(fā)出無缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料，可廣泛應(yīng)用并開辟潛在的重點研
2012-08-22 09:06:17942 本文提到MEMS技術(shù)中所應(yīng)有的光刻技術(shù)，幫助讀者了解光刻技術(shù)的原理，應(yīng)用。
2016-04-28 11:35:320 焊接技術(shù)的創(chuàng)新和發(fā)展。在我國的焊接領(lǐng)域，電子束焊接技術(shù)主要有七個主要的優(yōu)點，首先是電子束焊接技術(shù)在焊接的過程中產(chǎn)生的焊接變形較小，其次是電子束焊接技術(shù)產(chǎn)生的熱量影響區(qū)域較小，第三是電子束焊接技術(shù)在焊接過程
2018-01-26 17:01:102 荷蘭ASML光刻機掌握著世界做高端的工藝，半導(dǎo)體行業(yè)都離不開他，ASML光刻機的售價也是相當之高的。據(jù)傳，中芯國際1.2億美元向ASML預(yù)訂一套光刻設(shè)備，欲開發(fā)14納米工藝，縮小與競爭對手的差距。
2018-05-16 14:56:541747 利用電子束光刻技術(shù)和等離子體刻蝕技術(shù)，制備出砷化鎵基超材料。當光源通過時，超材料可在納米尺度上利用半導(dǎo)體顆粒捕獲光源并使其高效地發(fā)生作用，從而以每秒超1000億次的速度實現(xiàn)快速“開啟”和“關(guān)閉”。
2018-06-27 08:13:001273 本文研究了 基于形狀修正的電子束光刻分級鄰近效應(yīng)校正技術(shù)，在內(nèi)部鄰近效應(yīng)校正的基礎(chǔ)上，在計算圖形之間產(chǎn)生的相互鄰近效應(yīng)過程中，采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口機制。局部曝光窗口的區(qū)域小，對計算精度
2018-12-05 11:20:264 本文首先闡述了電子束焊原理，其次介紹了電子束焊技術(shù)指標，最后介紹了電子束焊特點。
2019-12-10 10:18:2613471 本文首先介紹了電子束焊優(yōu)缺點，其次闡述了電子束焊接工藝。最后闡述了電子束焊的基本工藝流程。
2019-12-10 10:37:3829225 英特爾預(yù)計其制造工藝節(jié)點技術(shù)將保持2年一飛躍的節(jié)奏，從2019年的10納米工藝開始，到2021年轉(zhuǎn)向7納米EUV（極紫外光刻），然后在2023年采用5納米，2025年3納米，2027年2納米，最終到2029年的1.4納米。
2019-12-11 10:31:203165 冰膠電子束光刻（簡稱冰刻）是一種新型加工方法。
2020-01-26 10:27:002460 臺，完成圖像的納米定位加工。納米光刻技術(shù)是制作納米結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵，具有廣闊的應(yīng)用前景。 利用芯明天P12系列XY二維掃描臺，可帶動鍍膜鏡片對讀取的圖像信息進行優(yōu)化，同時控制激光器及掃描臺，二者配合完成圖像的納米精度加工。
2020-04-21 15:30:31784 納米壓印光刻技術(shù)及其應(yīng)用的需求正在不斷變化。因此，此次合作的基本目標是了解市場最新需求，進而通過雙方在工藝和材料方面的優(yōu)勢，合力開發(fā)出相應(yīng)的解決方案，從而應(yīng)對該行業(yè)不斷出現(xiàn)的嚴峻挑戰(zhàn)。
2020-06-17 14:27:424803 電子束焊是指利用加速和聚焦的電子束轟擊置于真空或非真空中的焊接面，使被焊工件熔化實現(xiàn)焊接。真空電子束焊是應(yīng)用最廣的電子束焊。
2020-09-02 16:42:307861 本文首先介紹了電子束焊的焊接參數(shù)，其次闡述了電子束焊的技術(shù)要求，最后介紹了電子束焊的特點。
2020-09-02 16:50:2210465 本文首先闡述了電子束焊分類，其次介紹了電子束焊主要用途，最后介紹了電子束焊的技術(shù)指標。
2020-09-03 16:36:067555 最近光刻機十分火，我們經(jīng)常聽到別人說7納米光刻機、5納米光刻機，但其實嚴格意義上來說并不存在7納米光刻機，5納米光刻機，我為什么會這樣說呢？
2020-10-19 11:42:5120305 本文主要闡述了電子束曝光原理及結(jié)構(gòu)。
2020-11-27 15:21:399584 產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)技術(shù)。目前，納米壓印技術(shù)在國際半導(dǎo)體藍圖（ITRS）中被列為下一代32nm、22nm和16nm節(jié)點光刻技術(shù)的代表之一。國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備制造商、材料商以及工藝商紛紛開始涉足這一領(lǐng)域，短短25年，已經(jīng)取得很大進展。 ? 納米壓印技術(shù)首先通過接觸式壓印
2021-01-03 09:36:0023515 
技術(shù)研究開發(fā)經(jīng)驗，研制成功了我國第一條國產(chǎn)雙金屬鋸帶生產(chǎn)線設(shè)備。其中高壓電源是雙金屬鋸帶焊接設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)之一，它主要為電子槍提供加速電壓，其性能好壞直接決定電子束焊接工藝和焊接質(zhì)量。
2021-03-03 17:12:185864 電子束加工（Electron Beam Machining 簡稱EBM）起源于德國。1948年德國科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺電子束加工設(shè)備。它是一種利用高能量密度的電子束對材料進行工藝處理的方法統(tǒng)。
2021-03-10 14:25:3318864 
電子束加工和離子束加工是近年來得到較大發(fā)展的新型特種加工。他們在精密微細加工方面，尤其是在微電子學(xué)領(lǐng)域中得到較多的應(yīng)用。通常來說，電子束加工主要用于打孔、焊接等熱加工和電子束光刻化學(xué)加工，而離子束加工則主要用于離子刻蝕、離子鍍膜和離子注入等加工。?
2021-03-17 20:10:4815 經(jīng)常聽到別人說7納米光刻機、5納米光刻機，但其實嚴格意義上來說并不存在7納米光刻機，5納米光刻機，我為什么會這樣說呢？
2021-03-30 09:19:412681 
加工技術(shù)（如電子束曝光、聚焦離子束直寫、陽極氧化和自組裝技術(shù)）通常在實現(xiàn)無序、雜化、不規(guī)則及變徑等特殊納米結(jié)構(gòu)的可控加工上具有明顯的局限性，難以實現(xiàn)復(fù)雜多重納米結(jié)構(gòu)在材料和形狀上的精確調(diào)控，因此，需要一種能
2021-06-21 09:25:011993 根據(jù)所使用的輻射，有不同類型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學(xué)光刻技術(shù)中，有部分不透明和部分不透明的圖案掩模(光片)半透明區(qū)域被使用。紫外線輻射或氣體激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例減少。
2022-07-27 16:54:533169 
氫去鈍化光刻(HDL)是電子束光刻(EBL)的一種形式，它通過非常簡單的儀器實現(xiàn)原子分辨率，并使用能量非常低的電子。它使用量子物理學(xué)有效地聚焦低能電子和振動加熱方法，以產(chǎn)生高度非線性（多電子）的曝光機制。
2022-09-27 10:39:542524 束流消除器：兩個平行板電極之間的直流偏置(~42 v)是否垂直于電子路徑，使電子偏離軸，從而“轉(zhuǎn)動”關(guān)閉/阻塞/被下面的孔所覆蓋。
2022-11-21 10:22:19681 日本最寄望于納米壓印光刻技術(shù)，并試圖靠它再次逆襲，日經(jīng)新聞網(wǎng)也稱，對比EUV光刻工藝，使用納米壓印光刻工藝制造芯片，能夠降低將近四成制造成本和九成電量，鎧俠 (KIOXIA）、佳能和大日本印刷等公司則規(guī)劃在2025年將該技術(shù)實用化。
2023-03-22 10:20:391837 上海伯東客戶某光刻機生產(chǎn)商, 生產(chǎn)的電子束光刻機 Electron Beam Lithography System 最大能容納 300mmφ 的晶圓片和 6英寸的掩模版, 適合納米壓印, 光子器件
2023-06-02 15:49:40492 
在電子和電氣制造業(yè)中，光刻技術(shù)是制造無源/有源器件的重要步驟。
2023-11-20 09:30:05407 
電子束加工（Electron Beam Machining 簡稱EBM）起源于德國。1948年德國科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺電子束加工設(shè)備。它是一種利用高能量密度的電子束對材料進行工藝處理的方法統(tǒng)。
2023-12-07 11:31:23339 
和光通信領(lǐng)域的客戶制造高精度微型光學(xué)元件。制造商是位于德國耶拿的電子束技術(shù)專家Vistec Electron Beam GmbH。該系統(tǒng)將于2025年初交付。 以最高精度創(chuàng)建最小的結(jié)構(gòu) 這種類型的電子束光刻系統(tǒng)可以在直徑達300毫米的襯底上以10納米范圍（約為頭發(fā)絲的1/2,000）精度
2024-01-15 17:33:16177 電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設(shè)計圖形相符的微納結(jié)構(gòu)。
2024-03-04 10:19:28207 
本文從光刻圖案設(shè)計、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化，最后介紹了一些常見問題。
2024-03-17 14:33:52174 
。 ? 并且這套光刻系統(tǒng)沒有采用目前主流的EUV技術(shù)，Zyvex Litho 1使用的是基于STM（掃描隧道顯微鏡）的EBL（電子束光刻）技術(shù)。更令人“沸騰”的是，這款產(chǎn)品還不只是存在于實驗階段，Zyvex
2022-09-27 08:19:003532 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）提及芯片制造，首先想到的自然是光刻機和光刻技術(shù)。而眾所周知，EUV光刻機產(chǎn)能有限而且成本高昂，業(yè)界一直都在探索不完全依賴于EUV光刻機來生產(chǎn)高端芯片的技術(shù)和工藝。納米
2024-03-09 00:15:002917 
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