在7納米、3納米等先進芯片制造中，光刻機0.1納米級的曝光精度離不開高精度石英壓力傳感器的支撐，其作為“隱形功臣”，是保障工藝穩(wěn)定、設備安全與產(chǎn)品良率的核心部件。本文聚焦石英壓力傳感器在光刻機中
2025-12-12 13:02:26
424 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最新消息顯示，臺積電正加速推進其全球2納米制程產(chǎn)能布局，計劃在臺灣南部科學園區(qū)周邊增建三座2納米晶圓廠，以應對全球AI芯片需求激增的市場態(tài)勢。此次新增投資總額約9000億元
2025-11-26 08:33:007669 納米技術(shù)的發(fā)展催生了從超光滑表面到復雜納米結(jié)構(gòu)表面的制備需求，這些表面的精確測量對質(zhì)量控制至關(guān)重要。然而，當前納米尺度表面測量技術(shù)面臨顯著挑戰(zhàn)：原子力顯微鏡（AFM）測量速度慢、掃描面積有限；掃描
2025-11-24 18:02:362478 
在微觀尺度下，每一次納米級的移動，都可能牽動著一次技術(shù)突破。無論是修復微小的LED芯片，還是操控探針進行納米級的定位，都需要一套能于方寸之間施展精準控制的運動系統(tǒng)。芯明天N11系列壓電馬達位移臺
2025-11-06 10:36:49254 
聚焦離子束技術(shù)的崛起在納米科技蓬勃發(fā)展的浪潮中，納米尺度制造業(yè)正以前所未有的速度崛起，而納米加工技術(shù)則是這一領(lǐng)域的心臟。聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）作為納米加工的代表性方法
2025-10-29 14:29:37251 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，我國半導體材料領(lǐng)域迎來重大突破。北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面
2025-10-27 09:13:046178 
光刻與刻蝕是納米級圖形轉(zhuǎn)移的兩大核心工藝，其分辨率、精度與一致性共同決定器件性能與良率上限。
2025-10-24 13:49:061668 
光子源的理想基質(zhì)。 想要在六方氮化硼中實現(xiàn)單光子源的高精度制備、穩(wěn)定篩選與性能調(diào)控，始終繞不開微觀尺度精準操控這一核心需求。芯明天壓電納米定位臺正是這一研究過程中的關(guān)鍵設備，為實驗提供了穩(wěn)定、高精度的定位與掃
2025-10-23 10:21:58189 
臺積電2nm 制程試產(chǎn)成功 近日，晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）正式宣布其2納米制程技術(shù)試產(chǎn)成功，這一重大里程碑標志著全球半導體產(chǎn)業(yè)正式邁入全新的制程時代。隨著試產(chǎn)工作的順利推進，2納米芯片距離量產(chǎn)
2025-10-16 15:48:271089 在精密制造與科研領(lǐng)域，納米級的定位精度往往是決定成敗的關(guān)鍵。為了滿足大行程與高精度的平衡需求，芯明天推出全新P15.XY1000壓電納米定位臺，在繼承P15系列卓越性能的基礎上，將單軸行程提升
2025-10-16 15:47:31270 
1. 數(shù)據(jù)中臺是一套解決方案 在數(shù)聚股份看來，數(shù)據(jù)中臺是一套可持續(xù)“讓企業(yè)數(shù)據(jù)用起來”的機制，是一套解決方案，不僅是一個平臺。讓數(shù)據(jù)更加靈活地支撐前端業(yè)務，通過持續(xù)沉淀企業(yè)數(shù)據(jù)復用能力形成數(shù)據(jù)從采集
2025-10-15 16:04:12224 
的均勻性直接影響光刻工藝中曝光深度、圖形轉(zhuǎn)移精度等關(guān)鍵參數(shù) 。當前，如何優(yōu)化玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制，以提高光刻質(zhì)量和生產(chǎn)效率，成為亟待研究的重要
2025-10-09 16:29:24575 
。VT6000微納米形貌測量共聚焦顯微鏡以共聚焦技術(shù)為原理結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等對器件表面進行非接觸式掃描并建立表面3D圖像，通過系統(tǒng)軟件對器件表
2025-09-18 14:02:18
中圖儀器納米形貌觀測掃描電鏡采用的鎢燈絲電子槍，發(fā)射電流大、穩(wěn)定性好，以及對真空度要求不高。臺式電鏡無需占據(jù)大量空間來容納整個電鏡系統(tǒng)，這使其甚至能夠出現(xiàn)在用戶日常工作的桌面上，在用戶手邊實時呈現(xiàn)
2025-09-17 15:25:48
光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術(shù)有機溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
MediaTek 今日宣布，MediaTek 首款采用臺積電 2 納米制程的旗艦系統(tǒng)單芯片（SoC）已成功完成設計流片（Tape out），成為首批采用該技術(shù)的公司之一，并預計明年底進入量產(chǎn)。雙方
2025-09-16 16:40:31978 引言 晶圓光刻圖形是半導體制造中通過光刻工藝形成的微米至納米級三維結(jié)構(gòu)（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直接決定后續(xù)蝕刻、沉積工藝的精度，進而影響器件性能。傳統(tǒng)
2025-09-03 09:25:20648 
PLR3000納米級精度激光尺是新一代高精度位置檢測設備，基于激光干涉測量原理，專為超精密加工、微電子制造、光刻技術(shù)、航空航天等高要求領(lǐng)域設計。 PLR3000系列0.02ppm穩(wěn)頻精度
2025-09-01 16:21:01
*附件：ATA-P2010單頁手冊V2.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~20kHz
電壓范圍：-20V~130V
電流：10Ap
功率：1300Wp
壓擺率：≥11.5V/μs
應用：壓電疊堆、壓電偏轉(zhuǎn)鏡、納米定位臺、壓點電機、壓電馬達、壓電點膠閥、光纖拉伸
2025-08-29 18:22:05
*附件：ATA-P1005單頁手冊V2.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~10kHz
電壓范圍：0V~150V
電流：5Ap
功率：750Wp
壓擺率：≥6.7V/μs
應用：壓電疊堆、壓電偏轉(zhuǎn)鏡、納米定位臺、壓點電機、壓電馬達、壓電點膠閥、光纖拉伸
2025-08-29 18:20:14
*附件：ATA-P0102單頁手冊V2.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~1kHz
電壓范圍：0V~150V
電流：2.5Ap
功率：375Wp
壓擺率：≥0.67V/μs
應用：壓電疊堆、壓電偏轉(zhuǎn)鏡、納米定位臺、壓點電機、壓電馬達、壓電點膠閥、光纖拉伸
2025-08-29 18:19:32
的挑戰(zhàn)。壓電納米技術(shù)的突破性應用，正在為光纖開關(guān)帶來革命性的變革。 一、光纖開關(guān)：光通信的智能指揮家 光纖開關(guān)是一種在光纖通信、光網(wǎng)絡或光測試系統(tǒng)中，用于準確、快速控制光信號路徑切換、通斷或路由的器件。光纖開關(guān)直
2025-08-28 09:41:38345 
在納米技術(shù)、生物工程、半導體制造和光學精密測量等領(lǐng)域，移動和定位的精度要求已經(jīng)進入了納米（十億分之一米）尺度。在這個尺度下，傳統(tǒng)電機和絲杠的摩擦、空回、熱膨脹等誤差被無限放大，變得完全不可用。而壓電
2025-08-27 09:01:49476 在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點，為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542 
CEM3000中圖掃描顯微電鏡憑借空間分辨率出色和易用性強，用戶能夠非?？旖莸剡M行各項操作。甚至在自動程序的幫助下，無需過多人工調(diào)節(jié)，便可一鍵得到理想的拍攝圖片。CEM3000臺式掃描電鏡無需占據(jù)
2025-08-19 14:25:32
效率卓越。標配的高精度激光干涉樣品臺能夠滿足大行程高精度拼接和套刻需求，為復雜實驗和生產(chǎn)任務提供可靠支持。其核心優(yōu)勢在于卓越的成像能力和靈活的掃描模式，可實現(xiàn)多種
2025-08-15 15:14:01
澤攸科技ZML10A是一款創(chuàng)新的桌面級無掩膜光刻設備，專為高效、精準的微納加工需求設計。該設備采用高功率、高均勻度的LED光源，并結(jié)合先進的DLP技術(shù)，實現(xiàn)了黃光或綠光引導曝光功能，真正做到
2025-08-15 15:11:55
電子束光刻（EBL）是一種無需掩模的直接寫入式光刻技術(shù)，其工作原理是通過聚焦電子束在電子敏感光刻膠表面進行納米級圖案直寫。
2025-08-14 10:07:212552 
高精度壓電納米位移臺：AFM顯微鏡的精密導航系統(tǒng)為生物納米研究提供終極定位解決方案在原子力顯微鏡（AFM）研究中，您是否常被這些問題困擾？→樣品定位耗時過長，錯過關(guān)鍵動態(tài)過程？→掃描圖像漂移失真
2025-08-13 11:08:56924 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日，上海芯上微裝科技股份有限公司（簡稱：芯上微裝，英文簡稱：AMIES）第500臺步進光刻機成功交付，并舉辦了第500臺 步進光刻機 交付儀式。 ? ? 光刻是半導體器件
2025-08-13 09:41:341988 
，亟需合適的測量技術(shù)與方法。 二、測量挑戰(zhàn) 1um 以下的光刻結(jié)構(gòu)與凹槽尺寸極小，傳統(tǒng)測量方法難以滿足精度要求。一方面，測量工具的分辨率需達到亞微米甚至納米級別；另一方面，測量過程中易受外界因素干擾，如環(huán)境振動、溫度變化等，且
2025-08-11 09:21:57586 
職期間試圖獲取與2納米芯片開發(fā)和生產(chǎn)相關(guān)的關(guān)鍵專有信息。 對此臺積電回應稱，近期在例行監(jiān)控中“發(fā)現(xiàn)了未經(jīng)授權(quán)的活動，繼而察覺商業(yè)機密可能遭泄露”。臺積電8月4日表示，已對涉事人員采取“嚴格的紀律處分，并已啟動法律程序”。臺積
2025-08-06 09:34:301724 光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對準精度的控制要求達納米級，傳統(tǒng)檢測手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43944 
與成熟制程市場提供更多設備產(chǎn)能支持。 據(jù)介紹，這座新工廠是佳能在 2023 年開始動工建設的，并可能使用自家開發(fā)的 Nanoimprint (納米壓印) 技術(shù)，總投資額超過 500 億日元，涵蓋廠房與先進制造設備。新廠面積達 6.75 萬平方公尺，投產(chǎn)后將使光刻設備總產(chǎn)能提
2025-08-04 17:39:28712 流轉(zhuǎn)。這家全球第三大晶圓代工廠，正以每月 3 萬片的產(chǎn)能推進 7 納米工藝客戶驗證，標志著中國大陸在先進制程領(lǐng)域的實質(zhì)性突破。 技術(shù)突圍的底層邏輯 中芯國際的 7 納米工藝采用自主研發(fā)的 FinFET 架構(gòu)，通過引入高介電常數(shù)金屬柵極（HKMG）和極紫外光刻（EUV）預研技術(shù)，將晶體管密
2025-08-04 15:22:2110988 在全球半導體行業(yè)中，先進制程技術(shù)的競爭愈演愈烈。目前，只有臺積電、三星和英特爾三家公司能夠進入3納米以下的先進制程領(lǐng)域。然而，臺積電憑借其卓越的技術(shù)實力，已經(jīng)在這一領(lǐng)域占據(jù)了明顯的領(lǐng)先地位，吸引了
2025-07-21 10:02:16756 
在半導體制造流程中，每一塊納米級芯片的誕生，背后都是一場在原子層面展開的極致精密較量。而在這場微觀世界的“精密之戰(zhàn)”中，刻蝕機堪稱光刻機的最佳搭檔，二者協(xié)同發(fā)力，推動著芯片制造的精密進程。它們的性能
2025-07-17 10:00:29605 
厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒式膠驗證，從樹脂國產(chǎn)化到EUV原料突破，一場靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過中芯國際28nm產(chǎn)線驗證，開創(chuàng)了國內(nèi)半導體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006081 在半導體芯片的制造流程中，探針可以對芯片進行性能檢驗；在新材料研發(fā)的實驗室中，探針與樣品表面的納米級接觸，解鎖材料的電學、光學特性；在生物研究室中，探針正在以極快且細微的運動對細胞進行穿透。這些精密
2025-07-10 08:49:29628 
圓進行處理，將曝光形成的光刻圖案顯影出來。整個流程對設備性能要求極高，需要在毫秒級的時間內(nèi)完成響應，同時確保納米級的操作精度，如此才能保證光刻工藝的準確性與穩(wěn)定性，進而保障半導體器件的制造質(zhì)量。 （注：圖片
2025-07-03 09:14:54770 
引言 在半導體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方法，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中
2025-06-30 15:24:55736 深入探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用。 改善光刻圖形垂直度的方法 優(yōu)化光刻膠性能 光刻膠的特性直接影響圖形垂直度。選用高對比度、低膨脹系數(shù)的光刻膠，可減少曝光和顯影過程中的圖形變形。例如，化學增幅型光刻膠具有良
2025-06-30 09:59:13489 引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48815 物的應用，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的作用。 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物 配方組成 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物主要由有機溶劑、堿性助劑、緩蝕體系和添加劑構(gòu)成。有機溶劑如 N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMP），
2025-06-24 10:58:22565 本文是A. N. BROERS關(guān)于掃描電鏡在微納加工中應用的研究回顧，重點記錄了他從1960年代開始參與電子束加工技術(shù)開發(fā)的歷程。文章詳細記錄了EBL技術(shù)從概念萌芽到工業(yè)應用的完整發(fā)展歷程，為理解現(xiàn)代電子束光刻技術(shù)的原理、局限性和發(fā)展方向提供了寶貴的歷史視角和技術(shù)洞察。
2025-06-20 16:11:001129 
在半導體芯片制造、光學元件加工以及生物醫(yī)療器件研發(fā)等領(lǐng)域，微納結(jié)構(gòu)的加工精度正朝著原子級精度不斷邁進。傳統(tǒng)光刻技術(shù)由于受到波長衍射極限的制約，當加工尺度進入10nm以下時，不僅面臨著成本急劇上升
2025-06-19 10:05:36767 
在 MEMS（微機電系統(tǒng)）制造領(lǐng)域，光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay（套刻精度），則是衡量光刻機將不同層設計圖案對準精度的關(guān)鍵指標。光刻 Overlay 指的是芯片制造過程中，前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對準精度。
2025-06-18 11:30:491557 
引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精準測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08693 引言 在半導體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時，光刻圖形的精準
2025-06-17 10:01:01678 進入過無塵間光刻區(qū)的朋友，應該都知道光刻區(qū)里用的都是黃燈，這個看似很簡單的問題的背后卻蘊含了很多鮮為人知的道理，那為什么實驗室光刻要用黃光呢？ 光刻是微流控芯片制造中的重要工藝之一。簡單來說，它是
2025-06-16 14:36:251070 介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的作用。 金屬低刻蝕的光刻膠剝離液 配方設計 金屬低刻蝕光刻膠剝離液需平衡光刻膠溶解能力與金屬保護性能。其核心成分包括有機溶劑、堿性物質(zhì)和緩蝕劑。有機溶劑（如 N - 甲基吡咯烷酮）負責溶
2025-06-16 09:31:51586 干涉儀在光刻圖形測量中的應用。 ? 減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法 ? 優(yōu)化光刻膠材料選擇 ? 選擇與半導體襯底兼容性良好的光刻膠材料，可增強光刻膠與襯底的粘附力，減少剝離時對襯底的損傷風險。例如，針對特定的硅基襯
2025-06-14 09:42:56736 中圖儀器納米級表面形貌臺階儀單拱龍門式設計，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好，而且降低了周圍環(huán)境中聲音和震動噪音對測量信號的影響，提高了測量精度。線性可變差動電容傳感器（LVDC），具有亞埃級分辨率，13μm量程下可達
2025-06-10 16:30:17
的基礎，直接決定了這些技術(shù)的發(fā)展水平。 二、顯影在光刻工藝中的位置與作用 位置：顯影是光刻工藝中的一個重要步驟，在曝光之后進行。 作用：其作用是將曝光產(chǎn)生的潛在圖形，通過顯影液作用顯現(xiàn)出來。具體而言，是洗去光刻
2025-06-09 15:51:162127 在量子計算、生物傳感、精密測量等前沿領(lǐng)域，金剛石中的氮-空位（NV）色心正成為顛覆性技術(shù)的核心材料，其獨特的量子特性為科技突破提供了無限可能，更因其卓越的性質(zhì)和廣泛的應用而成為納米級研究的有力工具
2025-06-05 09:30:54990 
引言 在半導體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時，精準測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531103 
在芯片制造中，光刻技術(shù)在硅片上刻出納米級的電路圖案。然而，當制程進入7納米以下，傳統(tǒng)光刻的分辨率已逼近物理極限。這時， 自對準雙重圖案化（SADP） 的技術(shù)登上舞臺， 氧化物間隔層切割掩膜 ，確保數(shù)十億晶體管的精確成型。
2025-05-28 16:45:031425 
近期，臺積電(TSMC)執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營運長秦永沛在一次公開活動中表示，公司的2納米制程研發(fā)進展順利，未來將進一步推動技術(shù)創(chuàng)新與市場需求的匹配。為了實現(xiàn)這一目標，臺積電計劃對位于高雄的晶圓22廠
2025-05-27 11:18:06855 
中圖納米成像掃描電鏡無需占據(jù)大量空間來容納整個電鏡系統(tǒng)，這使其甚至能夠出現(xiàn)在用戶日常工作的桌面上，在用戶手邊實時呈現(xiàn)所得結(jié)果。此外，該系列臺式電鏡也可以進入手套箱、車廂還是潛水器等狹小空間內(nèi)大顯身手
2025-05-23 14:31:58
傳統(tǒng)顯微鏡受限于可見光波長，放大極限止步于200納米。而掃描電鏡利用高能電子束作為"探針"，通過電磁透鏡操控電子軌跡，突破衍射極限，分辨率可達1納米以下。
2025-05-23 14:22:24616 
超聲波指紋模組靈敏度飛升！低溫納米燒結(jié)銀漿立大功
在科技飛速發(fā)展的今天，指紋識別技術(shù)已經(jīng)成為我們生活中不可或缺的一部分，宛如一位忠誠的安全小衛(wèi)士，時刻守護著我們的信息與財產(chǎn)安全。當你早上睡眼惺忪
2025-05-22 10:26:27
定向自組裝光刻技術(shù)通過材料科學與自組裝工藝的深度融合，正在重構(gòu)納米制造的工藝組成。主要內(nèi)容包含圖形結(jié)構(gòu)外延法、化學外延法及圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。
2025-05-21 15:24:251948 
產(chǎn)品簡介CEM3000系列中圖儀器臺式掃描電鏡儀器是一款用于對樣品進行微觀尺度形貌觀測和分析的緊湊型設備。不同于立式電鏡，CEM3000系列臺式掃描電鏡無需占據(jù)大量空間來容納整個電鏡系統(tǒng)，這使
2025-05-21 14:27:34
CEM3000系列中圖儀器掃描電鏡設備用于對樣品進行微觀尺度形貌觀測和分析。無需占據(jù)大量空間來容納整個電鏡系統(tǒng)，這使其甚至能夠出現(xiàn)在用戶日常工作的桌面上，在用戶手邊實時呈現(xiàn)所得結(jié)果。在工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出
2025-05-19 10:37:20
中圖儀器NS系列納米級臺階儀線性可變差動電容傳感器（LVDC），具有亞埃級分辨率，13μm量程下可達0.01埃。高信噪比和低線性誤差，使得產(chǎn)品能掃描到幾納米至幾百微米臺階的形貌特征。 NS
2025-05-15 14:41:51
CEM3000系列中圖國產(chǎn)鎢燈絲掃描電鏡用于對樣品進行微觀尺度形貌觀測和分析。采用的鎢燈絲電子槍控制相對簡單，操作容易上手，不需要專業(yè)的、長時間的培訓即可掌握其基本操作技能，適合廣大用戶使用，尤其是
2025-05-14 14:02:03
隨著極紫外光刻（EUV）技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn)，X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢，在特定領(lǐng)域正形成差異化競爭格局。
2025-05-09 10:08:491370 
電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極
隨著科技進步，對電子顯微鏡的精度要求越來越高。電子直寫光刻機的精度與電子波長和電子束聚焦后的焦點直徑有關(guān)，電子波長可通過增加加速電極電壓來減小波長，而電子束聚焦后
2025-05-07 06:03:45
中圖SEM掃描電鏡憑借其簡便的操作系統(tǒng)，讓復雜的掃描電鏡使用過程變得簡單快捷。樣品一鍵裝入，自動導航和一鍵出圖能力（自動聚焦+自動消像散+自動亮度對比度）幫助用戶在短短幾十秒內(nèi)就可獲取高清圖像，大大
2025-05-06 17:48:47
光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進行掩模版加工制造，在掩膜加工領(lǐng)域或者無掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺，在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量圖形光柵化軟件
2025-05-02 12:42:10
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337823 
中圖儀器CEM3000系列納米級成像掃描電鏡空間分辨率出色和易用性強，用戶能夠非?？旖莸剡M行各項操作。甚至在自動程序的幫助下，無需過多人工調(diào)節(jié)，便可一鍵得到理想的拍攝圖片。CEM3000系列上還運用
2025-04-29 11:17:41
中圖儀器CEM3000系列納米尺度觀測掃描電子顯微鏡用于對樣品進行微觀尺度形貌觀測和分析。在工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應用價值，標配有高性能二次電子探頭和多象限背散射探頭、并可選配能譜儀、低真空系統(tǒng)，能
2025-04-23 18:07:59
中圖儀器CEM3000系列納米級成像高分辨掃描電鏡高易用性快速成像、一鍵成片，無需過多人工調(diào)節(jié)。超高分辨率優(yōu)于4nm(SE)，優(yōu)于8nm(BSE)@20kV，超大景深毫米級別景深，具有高空間分辨率
2025-04-15 10:30:49
需求——多自由度、高精度、快速響應的精密運動。H64A.XYZTR2S/K-C系列壓電納米偏擺臺為六自由度運動高精度壓電偏擺臺，利用壓電驅(qū)動技術(shù)，為光學、半導體、生物醫(yī)療、微納制造等領(lǐng)域提供納米級精密運動解決方案。 H64A.XYZTR2S/
2025-04-10 09:22:03707 
聚焦離子束技術(shù)的崛起近年來，F(xiàn)IB技術(shù)憑借其獨特的優(yōu)勢，結(jié)合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡的實時觀察功能，迅速成為納米級分析與制造的主流方法。它在半導體集成電路的修改、切割以及故障分析等
2025-03-26 15:18:56712 
隨著科技的不斷進步，全球芯片產(chǎn)業(yè)正在進入一個全新的競爭階段，2納米制程技術(shù)的研發(fā)和量產(chǎn)成為了各大芯片制造商的主要目標。近期，臺積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了在2納米
2025-03-25 11:25:481285 
靜電透鏡將離子束聚焦至極小尺寸，最小束斑直徑可小于10納米，是一種高精度的顯微加工工具。當前商用系統(tǒng)中，離子源種類豐富，涵蓋鎵（Ga）、氙（Xe）、氦（He）等。在
2025-02-25 17:29:36935 
在半導體功率模塊封裝領(lǐng)域，互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來，隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展，納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互連技術(shù)，備受業(yè)界關(guān)注。然而，在眾多應用場景中
2025-02-24 11:17:061760 
光源技術(shù)方面 EUV光源的波長僅為13.5納米，遠遠小于可見光，因此產(chǎn)生和維持如此短波長光源的難度極大。 目前，最成熟的EUV光源是由高純度錫產(chǎn)生的高溫等離子體產(chǎn)生的。固體錫在液滴發(fā)生器內(nèi)熔化，該儀器在真空室中每分鐘連續(xù)產(chǎn)生超過300萬個27μm的液滴。平均功率為
2025-02-18 09:31:242256 
在芯片制造的復雜流程中，光刻工藝是決定晶體管圖案能否精確“印刷”到硅片上的核心環(huán)節(jié)。而光刻Overlay(套刻精度)，則是衡量光刻機將不同層電路圖案對準精度的關(guān)鍵指標。簡單來說，它就像建造摩天大樓
2025-02-17 14:09:254467 
中圖儀器掃描電鏡通過加裝各類探頭和附件，滿足用戶的拓展性需求，這使其在材料科學、生命科學、納米技術(shù)、能源等多個領(lǐng)域得到了廣泛應用。
2025-02-14 09:47:14
0 光刻技術(shù)對芯片制造至關(guān)重要，但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制，摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸，下一代光刻（NGL）技術(shù)應運而生。本文將介紹納米壓印技術(shù)（NIL）的原理、發(fā)展、應用及設備，并探討其在半導體制造中
2025-02-13 10:03:503708 
掃描電鏡作為一種用于微觀結(jié)構(gòu)分析的重要儀器，在材料科學、生命科學、地質(zhì)科學、電子信息等多個領(lǐng)域都有重要作用。它具有以下顯著特征：1.高分辨率成像：能夠清晰呈現(xiàn)樣品表面的細微結(jié)構(gòu)，分辨率可達納米
2025-02-12 14:42:101957 
尺寸的器件中，壓電納米電機可以實現(xiàn)極高的精度和效率。壓電納米電機的應用領(lǐng)域非常廣泛，其中Aigtek安泰電子功率放大器在壓電納米電機領(lǐng)域也有著重要的應用。 功率放大器在壓電納米電機中起到了提升輸出功率的作用。納米級別的
2025-02-11 10:54:29654 
光刻機用納米位移系統(tǒng)設計
2025-02-06 09:38:031028 
光刻是芯片制造過程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻
2025-01-28 16:36:003589 
數(shù)值孔徑 EUV 光刻中的微型化挑戰(zhàn) 晶體管不斷小型化，縮小至 3 納米及以下，這需要完美的執(zhí)行和制造。在整個 21 世紀，這種令人難以置信的縮小趨勢（從 90 納米到 7 納米及更?。╅_創(chuàng)了技術(shù)進步的新時代。 在過去十年中，我們見證了將50
2025-01-22 14:06:531152 
、sources.jcmt、materials.jcmt、project.jcmpt)。 請注意，在這種情況下，JCMsuite是在Daemon模式下使用的，它允許同時執(zhí)行各種波長的波長掃描。 有了適當?shù)挠布驮S可證，所有波長響應可以同時計算，允許快速計算整個參數(shù)掃描。 襯底頂部納米球基于波長的吸收和散射
2025-01-22 08:57:00
不同于立式電鏡，中圖儀器鎢燈絲掃描電鏡CEM3000系列無需占據(jù)大量空間來容納整個電鏡系統(tǒng)，這使其甚至能夠出現(xiàn)在用戶日常工作的桌面上，在用戶手邊實時呈現(xiàn)所得結(jié)果。此外，該系列臺式電鏡也可以進入手套箱
2025-01-17 14:57:11
本文主要介紹光刻機的分類與原理。 ? 光刻機分類 光刻機的分類方式很多。按半導體制造工序分類，光刻設備有前道和后道之分。前道光刻機包括芯片光刻機和面板光刻機。面板光刻機的工作原理和芯片光刻機相似
2025-01-16 09:29:456356 
近日，據(jù)最新報道，全球領(lǐng)先的半導體制造公司臺積電已正式在美國亞利桑那州的工廠啟動了先進的4納米芯片的生產(chǎn)。這一舉措標志著臺積電在美國市場的進一步拓展，也預示著全球半導體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變化。 1月11
2025-01-13 14:42:16934 來源：John Boyd IEEE電氣電子工程師學會 9月，佳能交付了一種技術(shù)的首個商業(yè)版本，該技術(shù)有朝一日可能顛覆最先進硅芯片的制造方式。這種技術(shù)被稱為納米壓印光刻技術(shù)（NIL
2025-01-09 11:31:181280 ，其電子束光刻設備在芯片制造的光刻工藝中起著關(guān)鍵作用。然而，企業(yè)所在園區(qū)周邊存在眾多工廠，日常生產(chǎn)活動產(chǎn)生復雜的振動源，包括重型機械運轉(zhuǎn)、車輛行駛以及建筑物內(nèi)部的機
2025-01-07 15:13:21
? 本文介紹了組成光刻機的各個分系統(tǒng)。 光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟，其重要性不言而喻。光刻機是實現(xiàn)這一工藝的核心設備，它的工作原理類似于傳統(tǒng)攝影中的曝光過程，但精度要求極高，能夠達到
2025-01-07 10:02:304525 
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