Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體是紫外至可見光發(fā)光器件的關(guān)鍵材料。傳統(tǒng)c面取向材料因極化電場導(dǎo)致量子限制斯塔克效應(yīng),降低發(fā)光效率。采用半極性(如m面)生長可有效抑制該效應(yīng),尤其(11-22)取向在實(shí)現(xiàn)高銦摻入
2025-12-31 18:04:27
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隨著半導(dǎo)體器件向高溫、高頻、高功率方向發(fā)展,氮化鋁(AlN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料的外延質(zhì)量至關(guān)重要。薄膜的厚度、界面粗糙度、光學(xué)常數(shù)及帶隙溫度依賴性直接影響器件性能。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非
2025-12-26 18:02:20
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、5G網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域。近期,蘇州納米所納米加工平臺基于在InP材料外延、器件設(shè)計、器件制備等方面的積累在InP基半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。 進(jìn)展1:低閾值高功率單模激光器 DFB激光器因其窄線寬、高邊模抑制比和低相位噪聲優(yōu)勢已成為光纖
2025-12-23 06:50:05
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半導(dǎo)體的芯片制造超過1000道工序,每步良率99.9%最終良率也只有36.8%,半導(dǎo)體量檢測設(shè)備是實(shí)現(xiàn)芯片制程亞納米級精度管控的核心裝備,面臨多物理場合干擾、吞吐效率與精度互斥、高維護(hù)成本等挑戰(zhàn),直
2025-12-02 10:35:10
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降低缺陷的重要性跨越行業(yè)界限——無論您從事汽車制造、電子產(chǎn)品生產(chǎn)、制藥行業(yè),還是身處大型制造工廠。生產(chǎn)過程中的缺陷可能導(dǎo)致高昂代價,引發(fā)返工、交付延遲和效率低下等問題,直接沖擊企業(yè)盈利底線。 半導(dǎo)體
2025-11-14 11:39:42
174 隨著半導(dǎo)體芯片制造精度進(jìn)入納米尺度,薄膜厚度的精確測量已成為保障器件性能與良率的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。光譜橢偏儀雖能實(shí)現(xiàn)埃米級精度的非接觸測量,但傳統(tǒng)設(shè)備依賴寬帶光源與光譜分光系統(tǒng),存在測量效率低、系統(tǒng)復(fù)雜且易
2025-11-03 18:04:06
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HP 4145B / Agilent 4145B 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀4145B 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款獨(dú)立的儀器,能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體器件和材料進(jìn)行完整的直流表征。它刺激電壓和電流敏感設(shè)備,測量產(chǎn)生的電流
2025-11-03 11:20:32
在電子與半導(dǎo)體制造的精密領(lǐng)域中滾珠導(dǎo)軌以納米級定位精度和微米級運(yùn)動控制能力,成為支撐晶圓傳輸、光刻對準(zhǔn)、芯片封裝等核心工藝的“隱形基石”。
2025-10-30 17:49:18
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一臺半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀,能夠測量 IV、CV、脈沖/動態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過一定的激勵方式,在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶(導(dǎo)帶與價帶)之間,或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級
2025-10-23 14:24:06
光纖耦合半導(dǎo)體激光器屹持光子信息科技(上海)有限公司光纖耦合半導(dǎo)體激光模塊集合了半導(dǎo)體激光器,單模光纖耦合,優(yōu)質(zhì)的光學(xué)傳導(dǎo)和整形裝置,完善精準(zhǔn)的電子控制裝置,和牢固的模塊化封裝,提供從紫外到近紅外
2025-10-23 14:22:45
MONOPOWER半導(dǎo)體泵浦連續(xù)激光器產(chǎn)品特性:連續(xù)波:藍(lán)光(473nm) 紅光(671nm) 綠光(532nm) 紅外光(1047, 1053, 1062 and 1064 nm )新穎單模專利
2025-10-23 14:11:50
在5G/6G通信、電動汽車(EV)功率器件、新能源裝備等戰(zhàn)略領(lǐng)域,化合物半導(dǎo)體(SiC、GaN、GaAs等)已成為突破硅基材料性能瓶頸的核心載體。然而,其制造流程中——晶體生長與外延階段的隱性缺陷
2025-10-21 10:05:21
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當(dāng)前全球半導(dǎo)體工藝水平已進(jìn)入納米級突破階段,各大廠商在制程節(jié)點(diǎn)、材料創(chuàng)新、封裝技術(shù)和能效優(yōu)化等方面展開激烈競爭。以下是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝水平的詳細(xì)介紹: 一、制程工藝突破 英特爾18A(約
2025-10-15 13:58:16
1412 “芯”生態(tài),“圳”綻放!優(yōu)可測攜半導(dǎo)體領(lǐng)域亞納米級精度測量產(chǎn)品亮相“灣芯展”!
2025-10-11 17:35:23
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在芯片制造的前端,對晶圓上的芯片進(jìn)行初步測試是至關(guān)重要的。半導(dǎo)體測試設(shè)備能夠在晶圓切割之前,通過微小的探針接觸芯片的焊盤,對芯片的基本電學(xué)參數(shù)進(jìn)行測試。例如,測試芯片內(nèi)晶體管的開啟電壓、飽和電流等
2025-10-10 10:35:17
在微電子、光電子等高端領(lǐng)域,半導(dǎo)體增材膜的性能與其三維形貌及內(nèi)部缺陷高度關(guān)聯(lián),表面粗糙度影響器件電學(xué)接觸穩(wěn)定性,孔隙、裂紋等缺陷則直接決定薄膜的機(jī)械強(qiáng)度與服役壽命。共聚焦顯微鏡憑借其高分辨率三維成像
2025-09-30 18:05:15
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傳輸線方法(TLM)作為常見的電阻測量技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中溝道電阻與接觸電阻的提取。傳統(tǒng)的TLM模型基于理想歐姆接觸假設(shè),忽略了界面缺陷、勢壘等非理想因素引入的界面電阻,尤其在氧化物半導(dǎo)體如
2025-09-29 13:43:07
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摩矽半導(dǎo)體:專耕半導(dǎo)體行業(yè)20年,推動半導(dǎo)體國產(chǎn)化進(jìn)展!
2025-09-24 09:52:05
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%。至少將GAA納米片提升幾個工藝節(jié)點(diǎn)。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競爭技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點(diǎn)的高端半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵技術(shù)。是將設(shè)計好的芯片版圖圖形轉(zhuǎn)移到硅晶圓上的一種精細(xì)
2025-09-15 14:50:58
的厚度與折射率的高精度表征,廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。為解決半導(dǎo)體領(lǐng)域常見的透明硅基底上薄膜厚度測量的問題并消除硅層的疊加信號,本文提出基于光譜干
2025-09-08 18:02:42
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隨著半導(dǎo)體封裝復(fù)雜性的提升與節(jié)點(diǎn)持續(xù)縮小,缺陷檢測的難度呈指數(shù)級增長。工程師既要應(yīng)對制造與封裝過程中出現(xiàn)的細(xì)微差異,又不能犧牲生產(chǎn)吞吐量——這一矛盾已成為行業(yè)發(fā)展的核心挑戰(zhàn)。文章目錄1、微縮時代
2025-08-19 13:46:46
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人工智能(AI)的進(jìn)步正為包括半導(dǎo)體制造在內(nèi)的多個行業(yè)帶來革命性變革。利用AI開展半導(dǎo)體檢測與診斷工作,已成為一種可能改變行業(yè)格局的策略,有助于提高生產(chǎn)效率、識別以往無法察覺的缺陷,并縮短產(chǎn)品上市
2025-08-19 13:45:49
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超薄膜的表征技術(shù)對確定半導(dǎo)體薄膜材料(如金屬、金屬氧化物、有機(jī)薄膜)的最佳性能至關(guān)重要。本研究提出將微分干涉相襯DIC系統(tǒng)與橢偏儀聯(lián)用表征超薄圖案化自組裝單分子膜(SAM):通過DIC實(shí)時提供
2025-08-11 18:02:58
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半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異:定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征:在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜(外延層),強(qiáng)調(diào)晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:06
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半導(dǎo)體測量設(shè)備主要用于監(jiān)測晶圓上膜厚、線寬、臺階高度、電阻率等工藝參數(shù),實(shí)現(xiàn)器件各項參數(shù)的準(zhǔn)確控制,進(jìn)而保障器件的整體性能。橢偏儀主要用于薄膜工藝監(jiān)測,基本原理為利用偏振光在薄膜上、下表面的反射
2025-07-30 18:03:24
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表面增強(qiáng)拉曼散射SERS技術(shù)在痕量檢測中具有獨(dú)特優(yōu)勢,但其性能依賴于活性基底的形貌精度。ZnO作為一種新型半導(dǎo)體薄膜材料,因其本征微米級表面粗糙度通過在其表面覆蓋一層貴金屬Au,能夠大大地提升
2025-07-28 18:04:53
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高品質(zhì)的 12 英寸 SiC 晶錠,這一成果標(biāo)志著晶越半導(dǎo)體正式邁入 12 英寸 SiC 襯底的先進(jìn)梯隊。 ? ? 在大尺寸晶體生長過程中,諸多難題如熱場分布不均、籽晶對位困難、厚度控制精度不足以及晶體缺陷風(fēng)險增大等,一直是行業(yè)內(nèi)亟待攻克的難關(guān)。面對這些挑戰(zhàn)
2025-07-25 16:54:48
700 深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅(qū)動電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
在半導(dǎo)體制造中,薄膜的沉積和生長是關(guān)鍵步驟。薄膜的厚度需要精確控制,因?yàn)楹穸绕顣?dǎo)致不同的電氣特性。傳統(tǒng)的厚度測量依賴于模擬預(yù)測或后處理設(shè)備,無法實(shí)時監(jiān)測沉積過程中的厚度變化,可能導(dǎo)致工藝偏差和良
2025-07-22 09:54:56
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在半導(dǎo)體芯片制造中,薄膜厚度的精確測量是確保器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)入納米級,單顆芯片上可能需要堆疊上百層薄膜,且每層厚度僅幾納米至幾十納米。光譜橢偏儀因其非接觸、高精度和快速測量的特性
2025-07-22 09:54:19
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在半導(dǎo)體和顯示器件制造中,薄膜與基底的厚度精度直接影響器件性能?,F(xiàn)有的測量技術(shù)包括光譜橢偏儀(SE)和光譜反射儀(SR)用于薄膜厚度的測量,以及低相干干涉法(LCI)、彩色共焦顯微鏡(CCM)和光譜
2025-07-22 09:53:09
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薄層電阻(SheetResistance,Rs)是表征導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵參數(shù),直接影響柔性電子、透明電極及半導(dǎo)體器件的性能。四探針法以其高精度和可靠性成為標(biāo)準(zhǔn)測量技術(shù),尤其適用于納米級薄膜表征。本文
2025-07-22 09:52:04
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過渡金屬二硫族化合物(TMDs)因其獨(dú)特的激子效應(yīng)、高折射率和顯著的光學(xué)各向異性,在納米光子學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。本研究采用Flexfilm全光譜橢偏儀結(jié)合機(jī)械剝離技術(shù),系統(tǒng)測量了多種多層TMD薄膜
2025-07-21 18:17:46
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在全球半導(dǎo)體行業(yè)中,先進(jìn)制程技術(shù)的競爭愈演愈烈。目前,只有臺積電、三星和英特爾三家公司能夠進(jìn)入3納米以下的先進(jìn)制程領(lǐng)域。然而,臺積電憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力,已經(jīng)在這一領(lǐng)域占據(jù)了明顯的領(lǐng)先地位,吸引了
2025-07-21 10:02:16
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CMP是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的平坦化工藝,它通過機(jī)械磨削和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的方式,去除材料以實(shí)現(xiàn)平坦化。然而,由于其復(fù)雜性,CMP工藝中可能會出現(xiàn)多種缺陷。這些缺陷通??梢苑譃闄C(jī)械、化學(xué)和表面特性相關(guān)的類別。
2025-07-18 15:14:33
2298 卓立漢光半導(dǎo)體制造的納米級守護(hù)者:主動隔振平臺技術(shù)
2025-07-17 16:28:22
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目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”,需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓:先打地基(晶體管層),再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)(金屬互連),最后封頂防護(hù)(封裝層)。這種將芯片分為FEOL(前道工序) 與 BEOL(后道工序) 的智慧,正是半導(dǎo)體工業(yè)的基石。
2025-07-09 09:35:34
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WD4000半導(dǎo)體晶圓形貌測量機(jī)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW
2025-06-30 15:22:42
、蝕刻、薄膜沉積等工序,每個環(huán)節(jié)均需準(zhǔn)確溫控。以下以典型場景為例,闡述半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller的技術(shù)需求與解決方案:1、光刻工藝中的溫度穩(wěn)定性保障光刻膠涂布與曝
2025-06-26 15:39:09
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本文簡單介紹一下半導(dǎo)體鍍膜的相關(guān)知識,基礎(chǔ)的薄膜制備方法包含熱蒸發(fā)和濺射法兩類。
2025-06-26 14:03:47
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隨著電子產(chǎn)品向微型化、高密度化發(fā)展,PCB焊接面臨超細(xì)元件、多層結(jié)構(gòu)和熱敏感材料的挑戰(zhàn)。激光焊錫技術(shù)憑借其非接觸、高精度和熱影響小的特性,成為解決傳統(tǒng)焊接缺陷的關(guān)鍵方案。
2025-06-26 10:07:42
831 在科技發(fā)展日新月異的當(dāng)下,溫度控制的精度與穩(wěn)定性成為眾多領(lǐng)域研發(fā)和生產(chǎn)的關(guān)鍵要素。聚焦溫度控制領(lǐng)域的企業(yè)研發(fā)出高精度半導(dǎo)體溫控產(chǎn)品,已在電子、通訊、汽車、航空航天等行業(yè)的溫控場景中得到應(yīng)用。那么
2025-06-25 14:44:54
在半導(dǎo)體制造的精密鏈條中,半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它通過化學(xué)或物理手段去除晶圓表面的污染物(如顆粒、有機(jī)物、金屬離子等),為后續(xù)制程提供潔凈的基底。本文將從設(shè)備定義、核心特點(diǎn)
2025-06-25 10:31:51
有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型,能縮短芯片設(shè)計時間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會不會存在AI缺陷檢測。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
先進(jìn)的晶體管架構(gòu),是納米片晶體管(Nanosheet FET)的延伸和發(fā)展,主要用于實(shí)現(xiàn)更小的晶體管尺寸和更高的集成密度,以滿足未來半導(dǎo)體工藝中對微縮的需求。叉片晶體管的核心特點(diǎn)是其分叉式的柵極結(jié)構(gòu)
2025-06-20 10:40:07
本文主要介紹半導(dǎo)體芯片的可靠性測試項目
2025-06-20 09:28:50
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半導(dǎo)體藥液單元(Chemical Delivery Unit, CDU)是半導(dǎo)體前道工藝(FEOL)中的關(guān)鍵設(shè)備,用于精準(zhǔn)分配、混合和回收高純化學(xué)試劑(如蝕刻液、清洗液、顯影液等),覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的宏大版圖中,蘇州芯矽電子科技有限公司宛如一座默默耕耘的燈塔,雖低調(diào)卻有著不可忽視的光芒,尤其在半導(dǎo)體清洗機(jī)領(lǐng)域,以其穩(wěn)健的步伐和扎實(shí)的技術(shù),為行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)著關(guān)鍵力量。
芯矽科技扎根于
2025-06-05 15:31:42
導(dǎo)語薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動元件,通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
2025-05-27 09:51:41
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相機(jī)與光學(xué)系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)亞微米級缺陷檢測,提升半導(dǎo)體制造的良率和效率。SWIR相機(jī)晶圓隱裂檢測系統(tǒng),使用紅外相機(jī)發(fā)揮波段長穿透性強(qiáng)的特性進(jìn)行材質(zhì)透檢捕捉內(nèi)部隱裂缺陷
2025-05-23 16:03:17
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了一套簡明的納米壓痕實(shí)驗(yàn)的組合,旨在評估襯底和外延層的脆性,并為半導(dǎo)體制造商提供反饋,以減少在制造過程中可能產(chǎn)生和擴(kuò)展的潛在缺陷。
2025-05-16 17:26:02
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在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的百年發(fā)展歷程中,“第一代半導(dǎo)體是否被淘汰”的爭議從未停歇。從早期的鍺晶體管到如今的硅基芯片,以硅為代表的第一代半導(dǎo)體材料,始終以不可替代的產(chǎn)業(yè)基石角色,支撐著全球95%以上的電子設(shè)備
2025-05-14 17:38:40
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在半導(dǎo)體芯片中,數(shù)十億晶體管需要通過金屬互連線(Interconnect)連接成復(fù)雜電路。隨著制程進(jìn)入納米級,互連線的層次化設(shè)計成為平衡性能、功耗與集成度的關(guān)鍵。芯片中的互連線按長度、功能及材料分為多個層級,從全局電源網(wǎng)絡(luò)到晶體管間的納米級連接,每一層都有獨(dú)特的設(shè)計考量。
2025-05-12 09:29:52
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電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中,需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難,且難以測量。如果焦點(diǎn)是一條直線,就可以免去調(diào)焦過程,本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
從鍺晶體管到 5G 芯片,半導(dǎo)體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。
2025-04-24 14:33:37
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中圖儀器WD4000系列半導(dǎo)體晶圓表面形貌量測設(shè)備通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷
2025-04-21 10:49:55
SC2020晶體管參數(shù)測試儀/?半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)-日本JUNO測試儀DTS-1000國產(chǎn)平替 ?專為半導(dǎo)體分立器件測試而研發(fā)的新一代高速高精度測試機(jī)。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:20
0 ITO薄膜的表面粗糙度與厚度影響著其產(chǎn)品性能與成本控制。優(yōu)可測亞納米級檢測ITO薄膜黃金參數(shù),幫助廠家優(yōu)化產(chǎn)品性能,實(shí)現(xiàn)降本增效。
2025-04-16 12:03:19
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——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜,再到測試封裝,一目了然。 全書共分20章,根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來安排章節(jié),包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息;總體流程圖
2025-04-15 13:52:11
有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料,1986年第一個聚噻吩場效應(yīng)晶體管發(fā)明以來,有機(jī)場效應(yīng)晶體管(OFET)飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制備電子器件來代替以部分硅為主的傳統(tǒng)電子產(chǎn)品,利用有機(jī)物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢,市場前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:55
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中圖儀器NS系列半導(dǎo)體臺階高度測量儀器是一款專為高精度微觀形貌測量設(shè)計的超精密接觸式儀器,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、MEMS、光學(xué)加工等領(lǐng)域。通過2μm金剛石探針與LVDC傳感器的協(xié)同工作,結(jié)合亞埃級
2025-03-31 15:08:10
NS系列半導(dǎo)體臺階儀應(yīng)用場景適應(yīng)性強(qiáng),其對被測樣品的反射率特性、材料種類及硬度等均無特殊要求,可測量沉積薄膜的臺階高度、抗蝕劑(軟膜材料)的臺階高度等。 NS系列臺階儀采用了線性可變
2025-03-27 16:24:51
新的晶體管技術(shù)。加州大學(xué)圣巴巴拉分校的研究人員在這一領(lǐng)域邁出了重要一步,他們利用二維(2D)半導(dǎo)體技術(shù),成功研發(fā)出新型三維(3D)晶體管,為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開啟了新的篇
2025-03-20 15:30:45
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本文介紹了利用X射線衍射方法測量薄膜晶體沿襯底生長的錯配角,可以推廣測量單晶體的晶帶軸與單晶體表面之間的夾角,為單晶體沿某晶帶軸切割提供依據(jù)。
2025-03-20 09:29:10
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薄膜外延生長是一種關(guān)鍵的材料制備方法,其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。
2025-03-19 11:12:23
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雖然明確說明了先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來做EtherCAT的從站,但它可以用來做主站嗎,還是說必須用其他芯片做主站呢
2025-03-16 10:16:43
北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地,聚集了眾多在芯片設(shè)計、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
本文論述了芯片制造中薄膜厚度量測的重要性,介紹了量測納米級薄膜的原理,并介紹了如何在制造過程中融入薄膜量測技術(shù)。
2025-02-26 17:30:09
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半導(dǎo)體設(shè)備安裝防震裝置主要有以下幾方面原因:一、高精度加工要求1,光刻工藝(1)光刻是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵步驟,其精度要求極高。例如,在芯片制造中,光刻設(shè)備需要將電路圖案精確地投射到硅片上?,F(xiàn)代光刻技術(shù)
2025-02-05 16:48:03
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在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺上,每一項技術(shù)都是推動行業(yè)躍進(jìn)的關(guān)鍵舞者。其中,原子層沉積(ALD)技術(shù),作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星,正逐步成為半導(dǎo)體工藝中不可或缺的核心要素。本文旨在深度剖析為何半導(dǎo)體制造對ALD技術(shù)情有獨(dú)鐘,并揭示其獨(dú)特魅力及廣泛應(yīng)用。
2025-01-24 11:17:21
1922 碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料,因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、位錯、堆垛層錯等,會嚴(yán)重影響器件的性能和可靠性
2025-01-24 09:17:14
2515 技術(shù)革新。 ? 核心概念與原理 ALD(Atomic Layer Deposition): 原子層沉積是一種逐層生長薄膜的工藝。 每個循環(huán)通過“自限性反應(yīng)”,將化學(xué)前體逐層吸附并反應(yīng),沉積一個原子層的材料。 目標(biāo):構(gòu)建具有高均勻性、無缺陷、埃級厚度精度的薄膜。
2025-01-23 09:59:54
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近日,荷蘭特文特大學(xué)科學(xué)家開發(fā)出一種新工藝,能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導(dǎo)體材料。他們表示,通過精準(zhǔn)控制這種半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu),大幅降低了內(nèi)部納米級缺陷的數(shù)量,可顯著提升光電子學(xué)效率,進(jìn)而
2025-01-23 09:52:54
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在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進(jìn)步的領(lǐng)域,每一項技術(shù)都承載著推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積(Atomic Layer Deposition,簡稱ALD)工藝,作為一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù),正逐漸成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的一環(huán)。本文將深入探討半導(dǎo)體中為何會用到ALD工藝,并分析其獨(dú)特優(yōu)勢和應(yīng)用場景。
2025-01-20 11:44:44
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意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。
2025-01-16 13:28:27
1021 本文旨在介紹人類祖先曾經(jīng)使用過納米晶體的應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 納米技術(shù)/材料在現(xiàn)代社會中的應(yīng)用與日俱增。納米晶體,這一類獨(dú)特的納米材料,預(yù)計將在液晶顯示器、發(fā)光二極管、激光器等新一代設(shè)備中發(fā)揮關(guān)鍵作用
2025-01-13 09:10:19
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,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。 WD4000半導(dǎo)體晶圓幾何表面形貌檢測設(shè)備可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢
2025-01-06 14:34:08
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